晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法以及晶圓級測試的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]快閃存儲器(閃存)應(yīng)用于現(xiàn)今的多種應(yīng)用中，快閃存儲器可以讀取或者寫入數(shù)據(jù)，而且存儲于其中的數(shù)據(jù)不需要依靠電源來維持，因此，適用于各種數(shù)據(jù)存儲的用途。
[0003]目前，現(xiàn)有技術(shù)中采用的對“一個存儲單元存儲兩位數(shù)據(jù)”的形式的閃存單元進行讀取電壓判斷的方法包括兩種。第一種方法是:存儲單元的數(shù)據(jù)需要通過讀取電流獲得，電流大小需要同一個參考電流比較，參考電流可以使電路產(chǎn)生的恒流；第二種方法是:某幾個特定存儲單元的讀取電流再乘以各特定比例。
[0004]但是，上述兩種方法存在一些缺點。具體地，同一個存儲單元的“10”狀態(tài)的電流大小受“O”的編程深度影響很大；而同一個存儲單元的“11”狀態(tài)電流和固定電流均與編程深度無關(guān)。其次，批次之間編程性能的差異將導(dǎo)致編程深的批次良率損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠高效實現(xiàn)晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試的方法。
[0006]為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法，其中每個閃存單元具有一個存儲單元具有兩位存儲數(shù)據(jù)位。所述方法包括:第一狀態(tài)寫入步驟:向閃存單元陣列中的每個存儲單元的兩位數(shù)據(jù)寫入第一邏輯狀態(tài)組合；第一測試步驟:執(zhí)行讀取操作，其中向閃存單元陣列的每個存儲單元中的不被讀取的存儲數(shù)據(jù)位的控制柵極施加逐漸加大的測試電壓，同時對寫入了所述第一邏輯狀態(tài)組合的每個存儲單元中的被讀取的存儲數(shù)據(jù)位進行讀取，從而確定每個存儲單元的數(shù)據(jù)讀取都正確的狀態(tài)下的最小測試電壓；第二狀態(tài)寫入步驟:向閃存單元陣列中的每個存儲單元的兩位數(shù)據(jù)寫入與所述第一邏輯狀態(tài)組合相反的第二邏輯狀態(tài)組合；第二測試步驟:在向閃存單元陣列的每個存儲單元中的不被讀取的存儲數(shù)據(jù)位的控制柵極施加所述最小測試電壓的情況下讀取經(jīng)過寫入了所述第二邏輯狀態(tài)組合的每個存儲單元中的被讀取的存儲數(shù)據(jù)位的數(shù)據(jù)，并判斷讀取結(jié)果是否正確。
[0007]優(yōu)選地，判斷讀取結(jié)果是否正確指的是判斷從每個存儲單元讀出的數(shù)據(jù)是不是第二狀態(tài)寫入步驟寫入的數(shù)據(jù)。
[0008]優(yōu)選地，所述晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法還包括:在第二測試步驟中判斷從每個存儲單元中的被讀取的存儲數(shù)據(jù)位讀出的數(shù)據(jù)是第二狀態(tài)寫入步驟寫入的數(shù)據(jù)的情況下，將所述最小測試電壓與預(yù)定檔位電壓進行比較；如果所述最小測試電壓小于或等于預(yù)定檔位電壓，則判斷閃存陣列通過晶圓級測試，設(shè)定不被讀取的存儲數(shù)據(jù)位的控制柵極工作讀取電壓等于最小測試電壓；如果所述最小測試電壓大于預(yù)定檔位電壓，則判斷閃存陣列未通過晶圓級測試。
[0009]優(yōu)選地，所述晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法還包括:在第二測試步驟中判斷從每個存儲單元中的被讀取的存儲數(shù)據(jù)位讀出的數(shù)據(jù)不是第二狀態(tài)寫入步驟寫入的數(shù)據(jù)的情況下，針對寫入了第二邏輯狀態(tài)組合的每個存儲單元，向閃存單元陣列的每個存儲單元中的不被讀取的存儲數(shù)據(jù)位的控制柵極施加相對于所述最小測試電壓逐漸加大的測試電壓，同時對每個存儲單元中的被讀取的存儲數(shù)據(jù)位進行讀取，從而確定每個存儲單元中的被讀取的存儲數(shù)據(jù)位的數(shù)據(jù)讀取都正確的狀態(tài)下的最小提升后測試電壓。
[0010]優(yōu)選地，所述晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法還包括:將所述最小提升后測試電壓與預(yù)定檔位電壓進行比較；如果所述最小提升后測試電壓小于或等于預(yù)定檔位電壓，則判斷閃存陣列通過晶圓級測試，設(shè)定不被讀取的存儲數(shù)據(jù)位的控制柵極工作讀取電壓等于最小提升后測試電壓；如果所述最小提升后測試電壓大于預(yù)定檔位電壓，則判斷閃存陣列未通過晶圓級測試。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述第一邏輯狀態(tài)組合為“ 10”，所述第二邏輯狀態(tài)組合為“01”。
[0012]優(yōu)選地，所述第一邏輯狀態(tài)組合為“01”，所述第二邏輯狀態(tài)組合為“ 10”。
[0013]本發(fā)明還提供了一種晶圓級測試，其采用了上述圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法。
[0014]由此，根據(jù)本發(fā)明的晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法提供了有效的測試方法來讀取及測試具有一個存儲單元存儲兩位數(shù)據(jù)的形式的閃存存儲單元。
【附圖說明】
[0015]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中:
[0016]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法的流程圖。
[0017]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
【具體實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。
[0019]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法的流程圖。
[0020]其中，所述閃存單元具有一個存儲單元存儲兩位數(shù)據(jù)的形式，即每個閃存單元具有一個存儲單元具有兩位存儲數(shù)據(jù)位。
[0021]具體地，如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的晶圓級測試中閃存單元讀取電壓測試方法包括:
[0022]第一狀態(tài)寫入步驟SI:向閃存單元陣列中的每個存儲單元的兩位數(shù)據(jù)寫入第一邏輯狀態(tài)組合；具體地，所述第一邏輯狀態(tài)組合為“ 10”或者“01”。
[0023]第一測試步驟S2:執(zhí)行讀取操作，其中向閃存單元陣列的每個存儲單元中的不被讀取的存儲數(shù)據(jù)位的控制柵極施加逐漸加大的測試電壓，同時對寫入了所述第一邏輯狀態(tài)組合的每個存儲單元中的被讀取的存儲數(shù)據(jù)位進行讀取，從而確定每個存儲單元的數(shù)據(jù)讀取都正確的狀態(tài)下的最小測試電壓；
[0024]第二狀態(tài)寫入步驟S3:向閃存單元陣列中的每個存儲單元的兩位數(shù)據(jù)寫入與所述第一邏輯狀態(tài)組合相反的第二邏輯狀態(tài)組合；
[0025]具體地，在所述第一邏輯狀態(tài)組合為“ 10”時，所述第二邏輯狀態(tài)組合為“01” ;在所述第一邏輯狀態(tài)組合為“01”時，所述第二邏輯狀態(tài)組合為“ 10” ；。
[0026]第二測試步驟S4:在向閃存單元陣列的每個存儲單元中的不被讀取的存儲數(shù)據(jù)位的控制柵極施加所述最小測試電壓的情況下讀取經(jīng)過寫入了所述第二邏輯狀態(tài)組合的每個存儲單元的數(shù)據(jù)，