本申請(qǐng)要求于2015年8月11日提交到韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請(qǐng)第10-2015-0113374號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其公開通過整體引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，并且更具體地，涉及用于存儲(chǔ)多級(jí)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器器件和操作該存儲(chǔ)器器件的方法。

背景技術(shù)：

具有多功能的信息通信設(shè)備采用具有大容量和高集成度的存儲(chǔ)器器件。這樣的存儲(chǔ)器器件的一個(gè)示例是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。在DRAM中，使用存儲(chǔ)在電容器中的電荷將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器單元。通過調(diào)整存儲(chǔ)在電容器中的電荷的量，多級(jí)數(shù)據(jù)可以被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中。因此，存儲(chǔ)器器件的存儲(chǔ)容量可以增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，提供了一種操作存儲(chǔ)器器件的方法，該方法包括：將具有三個(gè)狀態(tài)之一的單元數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器單元；放大連接到存儲(chǔ)器單元的位線的電壓電平；當(dāng)在感測(cè)時(shí)段期間位線的電壓電平被放大到等于或大于第一參考電壓時(shí)，確定單元數(shù)據(jù)處于第一狀態(tài)；當(dāng)在感測(cè)時(shí)段期間位線的電壓電平被放大到等于或小于比第一參考電壓低的第二參考電壓時(shí)，確定單元數(shù)據(jù)處于第二狀態(tài)，以及當(dāng)單元數(shù)據(jù)在感測(cè)期間沒有被確定為處于第一狀態(tài)或者第二狀態(tài)時(shí)，確定單元數(shù)據(jù)處于第三狀態(tài)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，提供了存儲(chǔ)器器件，其包括：存儲(chǔ)器單元，其連接到字線和位線并且被配置為具有三個(gè)狀態(tài)之一；感測(cè)放大器，被配置為感測(cè)和放大位線和互補(bǔ)位線之間的電壓差；后感測(cè)電路，被配置為響應(yīng)于啟用信號(hào)而基于第一參考電壓和第二參考電壓來感測(cè)位線的電壓電平，以及基于感測(cè)的結(jié)果來生成位線充電信號(hào)；以及充電電路，被配置為響應(yīng)于位線充電信號(hào)而將預(yù)充電電壓施加到位線。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，提供了一種操作存儲(chǔ)器器件的方法，該方法包括：將N位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為具有三個(gè)狀態(tài)之一的M條單元數(shù)據(jù)(M是等于或大于2的自然數(shù)，而N是大于M的自然數(shù))；將M條單元數(shù)據(jù)寫入M個(gè)存儲(chǔ)器單元；從M個(gè)存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)；以及將所讀取的M條單元數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為N位數(shù)據(jù)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，提供了一種操作存儲(chǔ)器器件的方法，該方法包括：將單元數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器單元；放大連接到存儲(chǔ)器單元的位線的電壓電平；以及感測(cè)位線的電壓電平，其中，當(dāng)感測(cè)到的電壓電平大于第一參考電壓時(shí)，單元數(shù)據(jù)處于第一狀態(tài)，當(dāng)感測(cè)到的電壓電平小于第二參考電壓時(shí)，單元數(shù)據(jù)處于第二狀態(tài)，以及當(dāng)感測(cè)到的電壓電平在第一參考電壓和第二參考電壓之間時(shí)，單元數(shù)據(jù)處于第三狀態(tài)。

附圖說明

通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，本發(fā)明構(gòu)思的以上和其它特征將變得更加清楚地理解，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、操作存儲(chǔ)器器件的方法的流程圖；

圖2A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、操作存儲(chǔ)器器件的方法的流程圖；

圖2B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、圖2A的存儲(chǔ)器器件的位線和互補(bǔ)位線的電壓電平的圖形；

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件的框圖；

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、圖3的存儲(chǔ)器器件的位線和互補(bǔ)位線的電壓電平的圖形；

圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的感測(cè)電路的電路圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的感測(cè)電路的電路圖；

圖7A和圖7B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的用于描述圖5和圖6的感測(cè)電路的操作的時(shí)序圖；

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的位線感測(cè)放大器的電路圖；

圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、操作存儲(chǔ)器器件的方法的流程圖；

圖10是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、操作存儲(chǔ)器器件的方法的流程圖；

圖11是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件的框圖；

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件的框圖；

圖13是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的框圖；

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的框圖；

圖15A和圖15B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的圖14的模數(shù)轉(zhuǎn)換器的電路圖；

圖16是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件的框圖；

圖17是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件的框圖；

圖18是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、操作存儲(chǔ)器器件的方法的流程圖；

圖19是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件的框圖；

圖20是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖；

圖21是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器控制器的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖；

圖22是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器控制器的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖；以及

圖23A和圖23B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器控制器和存儲(chǔ)器模塊的框圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參考附圖更加充分地描述本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以許多替換性的形式來具體實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)該被解釋為僅限于這里闡述的實(shí)施例。附圖中的相似的參考標(biāo)號(hào)可以表示相似的元素。

在本說明書中，當(dāng)一個(gè)元素“連接”或“耦合”到另一元素時(shí)，它可以直接連接或者耦合到另一元素，或者可以存在插入它們之間的元素。

以單數(shù)使用的表達(dá)包括復(fù)數(shù)的表達(dá)，除非上下文清楚地另外指示。

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、操作存儲(chǔ)器器件的方法的流程圖。

根據(jù)本示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件可以將具有至少三個(gè)狀態(tài)之一的多級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中。將具有至少三個(gè)狀態(tài)之一的多級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中并且從所述存儲(chǔ)器單元讀取所述多級(jí)數(shù)據(jù)的方法可以參考圖1來進(jìn)行描述。

在操作S110，具有至少三個(gè)狀態(tài)之一的多級(jí)數(shù)據(jù)可以被寫入存儲(chǔ)器單元。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，多級(jí)數(shù)據(jù)可以具有三個(gè)狀態(tài)之一，所述三個(gè)狀態(tài)是第一狀態(tài)到第三狀態(tài)。被寫入存儲(chǔ)器單元的多級(jí)數(shù)據(jù)可以被稱為單元數(shù)據(jù)。在每個(gè)存儲(chǔ)器單元中，具有第一狀態(tài)的單元數(shù)據(jù)、具有第二狀態(tài)的單元數(shù)據(jù)、和具有第三狀態(tài)的單元數(shù)據(jù)中的一個(gè)可以被寫入。單元數(shù)據(jù)的第一狀態(tài)是最高狀態(tài)，而單元數(shù)據(jù)的第二狀態(tài)可以是最低狀態(tài)。單元數(shù)據(jù)的第三狀態(tài)可以是在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間的中間狀態(tài)。

在操作S120，可以在存儲(chǔ)器單元和位線之間執(zhí)行電荷共享。在操作S110中將單元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中之后，位線和所述位線的互補(bǔ)位線可以被預(yù)充電，并且因此所述位線和所述互補(bǔ)位線可以具有相同的電壓電平。位線的電壓電平可以通過電荷共享并且基于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的單元數(shù)據(jù)的狀態(tài)而變化。

在操作S130，位線的電壓電平可以被放大。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，可以通過使用連接到位線和互補(bǔ)位線的位線感測(cè)放大器BLSA(參見圖2A)來放大位線的電壓電平。這里，位線感測(cè)放大器BLSA感測(cè)和放大位線與互補(bǔ)位線之間的電壓差。位線的電壓電平可以被放大得高達(dá)施加在位線感測(cè)放大器BLSA的電源電壓的電壓電平。

接下來，可以通過基于預(yù)先設(shè)定的第一參考電壓和第二參考電壓來感測(cè)位線的電壓電平，來確定存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的單元數(shù)據(jù)的狀態(tài)。第一參考電壓可以對(duì)應(yīng)于單元數(shù)據(jù)的第一狀態(tài)，而第二參考電壓可以對(duì)應(yīng)于單元數(shù)據(jù)的第二狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，第一參考電壓的電壓電平可以等于或高于電荷共享之后的位線的電壓電平，而第二參考電壓的電壓電平可以等于或低于電荷共享之后的位線的電壓電平。

在操作S140，可以確定在感測(cè)時(shí)段期間位線的電壓電平是否被放大到第一參考電壓或更高電壓或者放大到第二參考電壓或更低電壓。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，在感測(cè)點(diǎn)，可以通過將位線的電壓電平與第一參考電壓和第二參考電壓中的每一個(gè)進(jìn)行比較來執(zhí)行這個(gè)確定。

當(dāng)在感測(cè)時(shí)段期間位線的電壓電平被放大到第一參考電壓或更高電壓或者放大到第二參考電壓或更低電壓時(shí)，在操作S150，單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第一狀態(tài)或者第二狀態(tài)。換句話說，當(dāng)在感測(cè)點(diǎn)處位線的電壓電平等于或高于第一參考電壓或者等于或低于第二參考電壓時(shí)，單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第一狀態(tài)或者第二狀態(tài)。當(dāng)位線的電壓電平等于或高于第一參考電壓時(shí)，單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第一狀態(tài)。當(dāng)位線的電壓電平等于或低于第二參考電壓時(shí)，單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第二狀態(tài)。

如果在感測(cè)時(shí)段期間位線的電壓電平?jīng)]有被放大到等于或高于第一參考電壓或者等于或低于第二參考電壓，則在操作S160，單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第三狀態(tài)。換句話說，當(dāng)在感測(cè)點(diǎn)處位線的電壓電平低于第一參考電壓并且高于第二參考電壓時(shí)，單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第三狀態(tài)。

如上所述，根據(jù)本示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件可以存儲(chǔ)具有至少三個(gè)狀態(tài)之一的單元數(shù)據(jù)并且可以基于根據(jù)所述單元數(shù)據(jù)的位線的電壓電平的變化速度從所述存儲(chǔ)器單元讀取所述單元數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)從存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)時(shí)，如果在預(yù)先設(shè)定的感測(cè)時(shí)段期間位線的電壓電平達(dá)到第一參考電壓或者第二參考電壓，則單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第一狀態(tài)或者第二狀態(tài)。此外，當(dāng)從存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)時(shí)，如果在感測(cè)時(shí)段期間位線的電壓電平還沒有達(dá)到第一參考電壓或者第二參考電壓，則單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第三狀態(tài)。

下面將參考圖2A和圖2B來詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器器件的方法。

圖2A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、操作存儲(chǔ)器器件100的方法的流程圖。

參考圖2A，存儲(chǔ)器器件100可以包括存儲(chǔ)器單元陣列110和感測(cè)電路120。

存儲(chǔ)器單元陣列110可以包括多個(gè)字線WL、多個(gè)位線BL、和多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC排列在所述字線WL和所述位線BL彼此交叉的區(qū)域中。在圖2A中，為了方便描述，僅僅示出了連接到一個(gè)字線WL和一個(gè)位線BL的一個(gè)存儲(chǔ)器單元MC。

存儲(chǔ)器單元MC可以包括用于存儲(chǔ)與單元數(shù)據(jù)CD相對(duì)應(yīng)的電荷的單元電容器CC、以及將單元電容器CC連接到位線BL的開關(guān)元件。例如，開關(guān)元件可以是單元晶體管CT。單元晶體管CT的柵極可以連接到字線WL，而單元晶體管CT的漏極可以連接到位線BL。單元電容器CC的第一端點(diǎn)可以連接到單元晶體管CT的源極，而單元電容器CC的第二端點(diǎn)可以連接到屏極電壓VP。

感測(cè)電路120可以通過感測(cè)位線BL的電壓電平來讀取被寫入存儲(chǔ)器單元MC中的單元數(shù)據(jù)CD。位線BL的電壓電平可以作為單元數(shù)據(jù)CD被輸出。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，感測(cè)電路120可以連接到位線BL和互補(bǔ)位線BLB以便感測(cè)位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差，并且可以基于感測(cè)到的電壓差來操作。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，互補(bǔ)位線BLB可以是另一存儲(chǔ)器單元連接到的位線?；パa(bǔ)位線BLB也可以是空存儲(chǔ)器單元(dummy memory cell)連接到的位線?；パa(bǔ)位線BLB可以與位線BL平行排列。

感測(cè)電路120可以包括鎖存型(latch-type)位線感測(cè)放大器BLSA，其包括反相器INV1和INV2。位線感測(cè)放大器BLSA可以基于第一電源電壓VCC和第二電源電壓VSS來操作，并且可以將位線BL的電壓電平放大到第一電源電壓VCC的電壓電平或者第二電源電壓VSS的電壓電平。第一電源電壓VCC可以是從存儲(chǔ)器器件100的外部接收的電源電壓，或者可以是基于從存儲(chǔ)器器件100的外部接收的電源電壓而在存儲(chǔ)器器件100中生成的電壓。第二電源電壓VSS可以是具有比第一電源電壓VCC更低的電壓電平的電壓，并且可以是，例如，接地電壓。在下文中，第一電源電壓VCC的電壓電平將被稱為VCC，而第二電源電壓VSS的電壓電平可以被稱為VSS。

當(dāng)兩個(gè)施加的輸入之間的電壓差等于或大于預(yù)定閾值時(shí)，位線感測(cè)放大器BLSA可以執(zhí)行放大操作。換句話說，當(dāng)位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差等于或大于預(yù)定閾值時(shí)，位線感測(cè)放大器BLSA可以執(zhí)行放大電壓差的操作。當(dāng)互補(bǔ)位線BLB具有恒定的電壓電平時(shí)，位線感測(cè)放大器BLSA可以僅僅在位線BL的電壓電平等于或高于第一閾值電壓時(shí)或者在位線BL的電壓電平等于或低于比第一閾值電壓低的第二閾值電壓時(shí)才基于所述閾值執(zhí)行放大操作。第一閾值電壓可以具有作為互補(bǔ)位線BLB的電壓電平與所述閾值的總和的電壓電平，并且第二閾值電壓可以具有與被減去了所述閾值的互補(bǔ)位線BLB的電壓電平相對(duì)應(yīng)的電壓電平。

可以基于位線感測(cè)放大器BLSA的物理特性(例如，包括在位線感測(cè)放大器BLSA中的晶體管的閾值電壓)來確定所述閾值，并且可以基于所述閾值和所述互補(bǔ)位線BLB的電壓電平來確定第一閾值電壓和第二閾值電壓。例如，當(dāng)互補(bǔ)位線BLB的電壓電平是1/2VCC時(shí)，第一閾值電壓可以具有VCC和1/2VCC之間的電壓電平。第二閾值電壓可以具有1/2VCC和VSS之間的電壓電平。

當(dāng)位線BL的電壓電平等于或高于第一閾值電壓或者等于或低于第二閾值電壓時(shí)，位線感測(cè)放大器BLSA可以將位線BL的電壓電平放大到VCC或者VSS。當(dāng)位線BL的電壓電平低于第一閾值電壓并且高于第二閾值電壓時(shí)，換句話說，當(dāng)位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差小于閾值時(shí)，位線感測(cè)放大器BLSA可以不執(zhí)行正常的放大操作。因此，位線BL的電壓電平可以根本不被放大或者可以被非常緩慢地放大。

根據(jù)本示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件100可以將具有至少三個(gè)狀態(tài)之一的多級(jí)數(shù)據(jù)(換句話說，單元數(shù)據(jù)CD)寫入存儲(chǔ)器單元MC。此外，存儲(chǔ)器器件100可以通過使用上述的位線感測(cè)放大器BLSA的放大特性來區(qū)分多級(jí)數(shù)據(jù)的狀態(tài)和讀取多級(jí)數(shù)據(jù)。

單元數(shù)據(jù)CD是存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MC中的數(shù)據(jù)，并且可以是通過轉(zhuǎn)換從存儲(chǔ)器器件100的外部接收的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)而生成的數(shù)據(jù)。單元數(shù)據(jù)CD可以具有三個(gè)狀態(tài)HS、LS、和MS之一。三個(gè)狀態(tài)HS、LS、和MS可以分別地表示為‘1’、‘0’、和‘X’。當(dāng)字線啟用電壓(word line enable voltage)被施加到字線WL時(shí)，單元晶體管CT可以被導(dǎo)通，并且當(dāng)與單元數(shù)據(jù)CD的三個(gè)狀態(tài)HS、LS、和MS相對(duì)應(yīng)的電壓被施加到位線BL時(shí)，分別與單元數(shù)據(jù)CD的三個(gè)狀態(tài)HS、LS、和MS相對(duì)應(yīng)的電荷可以被存儲(chǔ)在單元電容器CC中，從而單元數(shù)據(jù)CD被寫入存儲(chǔ)器單元MC。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)HS時(shí)，相對(duì)大量的電荷可以被存儲(chǔ)在單元電容器CC中，當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)LS時(shí)，相對(duì)少量的電荷可以被存儲(chǔ)在單元電容器CC中，而當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)MS時(shí)，中間量的(例如，在相對(duì)大量和相對(duì)少量之間的)電荷可以被存儲(chǔ)在單元電容器CC中。

例如，當(dāng)?shù)谝浑娫措妷篤CC被施加到位線BL時(shí)，第一電荷Q1可以被存儲(chǔ)在單元電容器CC中，從而第一狀態(tài)HS的單元數(shù)據(jù)CD被寫入存儲(chǔ)器單元MC。當(dāng)?shù)诙娫措妷篤SS被施加到位線BL時(shí)，第二電荷Q2可以被存儲(chǔ)在單元電容器CC中，從而第二狀態(tài)LS的單元數(shù)據(jù)CD被寫入存儲(chǔ)器單元MC。此外，當(dāng)?shù)谌娫措妷篐VCC被施加到位線BL時(shí)，第三電荷Q3可以被存儲(chǔ)在單元電容器CC中，從而第三狀態(tài)MS的單元數(shù)據(jù)CD被寫入存儲(chǔ)器單元MC。第三電源電壓HVCC的電壓電平可以是1/2VCC。

可以根據(jù)下面描述的過程來讀取被寫入存儲(chǔ)器單元MC的單元數(shù)據(jù)CD。在完成關(guān)于存儲(chǔ)器單元MC的寫入操作之后或者在執(zhí)行關(guān)于存儲(chǔ)器單元MC的讀取操作之前，可以用預(yù)充電電壓對(duì)位線BL或者互補(bǔ)位線BL進(jìn)行預(yù)充電。預(yù)充電電壓的電壓電平可以與1/2VCC相同或者相似。第三電源電壓HVCC可以用作預(yù)充電電壓。

當(dāng)字線啟用電壓被施加到字線WL時(shí)，單元晶體管CT可以被導(dǎo)通，并且存儲(chǔ)器單元MC的單元電容器CC與位線BL之間的電荷共享可以被執(zhí)行。位線BL的電壓電平可以根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MC中的單元數(shù)據(jù)CD而變化。

當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)HS時(shí)，存儲(chǔ)器單元MC的單元電容器CC的電壓電平可以高于第三電源電壓HVCC。位線BL的電壓電平可以根據(jù)電荷共享而增大，并且可以增大到高于位線感測(cè)放大器BLSA的第一閾值電壓。

當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)LS時(shí)，單元電容器CC的電壓電平可以低于第三電源電壓HVCC。位線BL的電壓電平可以根據(jù)電荷共享而減小，并且可以減小到低于位線感測(cè)放大器BLSA的第二閾值電壓。

當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)MS時(shí)，單元電容器CC的電壓電平可以與位線BL的電壓電平相同或者相似。因?yàn)閱卧娙萜鰿C和位線BL之間的電荷遷移非常小，所以位線BL的電壓電平可以不改變，或者可以非常緩慢地增大或減小。因此，與單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)HS或者第二狀態(tài)LS時(shí)相比，當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)MS時(shí)，可能需要花費(fèi)更長的時(shí)間讓位線BL的電壓電平達(dá)到位線感測(cè)放大器BLSA的第一閾值電壓或者第二閾值電壓。

如上所述，當(dāng)位線BL的電壓電平等于或高于第一閾值電壓時(shí)，位線感測(cè)放大器BLSA可以將位線BL的電壓電平放大到VCC，并且將互補(bǔ)位線BLB的電壓電平放大到VSS。當(dāng)位線BL的電壓電平等于或低于第二閾值電壓時(shí)，位線感測(cè)放大器BLSA可以將位線BL的電壓電平放大到VSS，并且將互補(bǔ)位線BLB的電壓電平放大到VCC。此外，當(dāng)位線BL的電壓電平低于第一閾值電壓并且高于第二閾值電壓時(shí)，不管位線感測(cè)放大器BLSA的放大操作如何，位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以維持在與1/2VCC相同或者相似的電壓電平。

然后，存儲(chǔ)器單元MC和位線BL之間的電荷共享開始，并且當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)HS或者第二狀態(tài)LS時(shí)，在預(yù)定的時(shí)間段之后感測(cè)到的位線BL的電壓電平可以與VCC或者VSS相同或者相似。當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)MS時(shí)，所感測(cè)到的位線BL的電壓電平可以與1/2VCC相同或者相似。

如上所述，位線BL可以根據(jù)單元數(shù)據(jù)CD而具有三個(gè)電壓電平之一。因此，存儲(chǔ)器器件100可以通過在預(yù)定的感測(cè)點(diǎn)感測(cè)位線BL的電壓電平來確定單元數(shù)據(jù)CD。當(dāng)在感測(cè)點(diǎn)處位線BL的電壓電平等于或高于第一參考電壓時(shí)，存儲(chǔ)器器件100可以確定單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)，并且當(dāng)位線BL的電壓電平等于或低于第二參考電壓時(shí)，存儲(chǔ)器器件100可以確定單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)。此外，當(dāng)在感測(cè)點(diǎn)處位線BL的電壓電平低于第一參考電壓并且高于第二參考電壓時(shí)，換句話說，如果位線BL的電壓電平還沒有達(dá)到第一參考電壓或者第二參考電壓，則存儲(chǔ)器器件100可以確定單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)。第一參考電壓可以具有在VCC和1/2VCC之間的電壓電平，而第二參考電壓可以具有在1/2VCC和VSS之間的電壓電平。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，當(dāng)在感測(cè)點(diǎn)處位線BL的電壓電平低于第一參考電壓并且高于第二參考電壓時(shí)，換句話說，當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)器器件100可以將預(yù)充電電壓施加在位線BL和互補(bǔ)位線BLB。因此，位線BL的電壓電平可以是1/2VCC。

接下來，存儲(chǔ)器器件100可以輸出位線BL的電壓電平作為單元數(shù)據(jù)CD，以便讀取處于三個(gè)狀態(tài)HS、LS、和MS之一的單元數(shù)據(jù)CD。

如上所述，根據(jù)本示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件100可以通過使用根據(jù)多級(jí)數(shù)據(jù)(例如，單元數(shù)據(jù)CD)的狀態(tài)的位線BL的電壓電平的變化速度以及位線感測(cè)放大器BLSA的放大特性，來容易地讀取多級(jí)數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器器件100可以在一個(gè)存儲(chǔ)器單元中存儲(chǔ)和讀取具有至少三個(gè)狀態(tài)之一的多級(jí)數(shù)據(jù)，并且因此，存儲(chǔ)器器件100的存儲(chǔ)容量可以增加。

圖2B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、圖2A的存儲(chǔ)器器件100的位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平的圖形。圖2B示出了當(dāng)圖2A的存儲(chǔ)器器件100執(zhí)行讀取操作時(shí)、根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MC中的單元數(shù)據(jù)CD的位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平。

參考圖2B，電荷共享可以在時(shí)段TP1期間被執(zhí)行，位線感測(cè)放大器BLSA的放大操作可以在時(shí)段TP2期間被執(zhí)行，而放大的位線BL的電壓電平可以在時(shí)段TP3期間被感測(cè)和輸出。

在點(diǎn)t1之前和在點(diǎn)t4之后，換句話說，在執(zhí)行讀取操作之前和之后，可以利用預(yù)充電電壓對(duì)位線BL和互補(bǔ)位線BLB預(yù)充電。因此，位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以各自為1/2VCC。

當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)HS時(shí)，單元電平(換句話說，單元電容器CC的電壓電平)可以是VCC。當(dāng)電荷共享操作在點(diǎn)t1開始時(shí)，電荷從存儲(chǔ)器單元MC移動(dòng)到位線BL，并且位線BL的電壓電平可以增大。位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差可以增加到大于位線感測(cè)放大器BLSA的閾值。

當(dāng)位線感測(cè)放大器BLSA的放大操作在點(diǎn)t2開始時(shí)，位線BL的電壓電平可以被放大到VCC，并且互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以被放大到VSS。在點(diǎn)t3之后，例如，在時(shí)段TP3期間，位線BL的電壓電平(即VCC)可以被感測(cè)和輸出。因?yàn)槲痪€BL的電壓電平高于第一參考電壓VREF1，所以單元數(shù)據(jù)CD可以被確定為處于第一狀態(tài)“1”。

當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)LS時(shí)，單元電平(換句話說，單元電容器CC的電壓電平)可以是VSS。當(dāng)電荷共享操作在點(diǎn)t1開始時(shí)，電荷從位線BL移動(dòng)到存儲(chǔ)器單元MC，并且位線BL的電壓電平可以減小。位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差可以增加到大于位線感測(cè)放大器BLSA的閾值。

當(dāng)位線感測(cè)放大器BLSA的放大操作在點(diǎn)t2開始時(shí)，位線BL的電壓電平可以被放大到VSS，并且互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以被放大到VCC。在點(diǎn)t3之后，例如，在時(shí)段TP3期間，位線BL的電壓電平(即VSS)可以被感測(cè)和輸出。因?yàn)槲痪€BL的電壓電平低于第二參考電壓VREF2，所以單元數(shù)據(jù)CD可以被確定為處于第二狀態(tài)“0”。

當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)MS時(shí)，單元電平可以是1/2VCC。因此，當(dāng)電荷共享操作在點(diǎn)t1開始時(shí)，位線BL的電壓電平幾乎不改變，并且在點(diǎn)t2處，位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差可以小于位線感測(cè)放大器BLSA的閾值。因此，即使位線感測(cè)放大器BLSA的放大操作開始，位線BL或者互補(bǔ)位線BLB也可以不被放大(或者僅僅非常輕微地放大)，從而位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差可以維持在小于位線感測(cè)放大器BLSA的閾值的水平。在點(diǎn)t3之后，例如，在時(shí)段TP3期間，位線BL的電壓電平(與1/2VCC相同或者相似)可以被感測(cè)和輸出。因?yàn)槲痪€BL的電壓電平低于第一參考電壓VREF1并且高于第二參考電壓VREF2，所以單元數(shù)據(jù)CD可以被確定為處于第三狀態(tài)“X”。

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件100a的框圖。

參考圖3，存儲(chǔ)器器件100a可以包括存儲(chǔ)器單元陣列110、感測(cè)電路120、和輸出電路130。包括存儲(chǔ)器單元陣列110、感測(cè)電路120、和輸出電路130的結(jié)構(gòu)可以被稱為存儲(chǔ)器核。

存儲(chǔ)器單元陣列110可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC，并且每個(gè)存儲(chǔ)器單元MC可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。以上已經(jīng)參考圖1描述了存儲(chǔ)器單元陣列110和存儲(chǔ)器單元MC，因此它們的詳細(xì)描述將被省略。

感測(cè)電路120可以包括位線感測(cè)放大器121、后感測(cè)電路122、和充電電路123。

位線感測(cè)放大器121可以連接在位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間，并且可以基于經(jīng)由第一電源線LA和第二電源線LAB施加的驅(qū)動(dòng)電壓來感測(cè)和放大位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差。當(dāng)?shù)谝浑娫措妷篤CC和第二電源電壓VSS作為驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)由第一電源線LA和第二電源線LAB被施加時(shí)，位線感測(cè)放大器121可以執(zhí)行放大操作。

后感測(cè)電路122可以響應(yīng)于啟用信號(hào)PSEN來感測(cè)通過使用位線感測(cè)放大器121放大的位線BL的電壓電平，以及生成位線充電信號(hào)BLCS(在下文中被稱為‘充電信號(hào)’)。后感測(cè)電路122可以基于第一參考電壓和第二參考電壓來感測(cè)位線BL的電壓電平。第一參考電壓的電壓電平可以高于1/2VCC，而第二參考電壓的電壓電平可以低于1/2VCC。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，第一參考電壓和第二參考電壓可以被從感測(cè)電路120的外部接收，例如，被從存儲(chǔ)器器件100a的發(fā)生器接收。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，第一參考電壓和第二參考電壓可以在后感測(cè)電路122內(nèi)部生成。

充電電路123可以均衡(equalize)位線BL和互補(bǔ)位線BLB，并且可以利用預(yù)充電電壓VBL對(duì)位線BL和互補(bǔ)位線BLB預(yù)充電。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，充電電路123可以響應(yīng)于從存儲(chǔ)器器件100的控制邏輯接收的均衡信號(hào)BLEQ或者從后感測(cè)電路122接收的充電信號(hào)BLCS，將預(yù)充電電壓VBL施加在位線BL和互補(bǔ)位線BLB。

輸出電路130可以響應(yīng)于選擇信號(hào)CS而輸出位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓。輸出電路130可以包括輸出晶體管MN21和MN22，其分別地連接到位線BL和互補(bǔ)位線BLB并且基于選擇信號(hào)CS來輸出位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓。

當(dāng)讀取存儲(chǔ)器單元MC的單元數(shù)據(jù)時(shí)，充電電路123可以響應(yīng)于均衡信號(hào)BLEQ而均衡位線BL和互補(bǔ)位線BLB，并且對(duì)位線BL和互補(bǔ)位線BLB預(yù)充電。當(dāng)字線啟用電壓被施加到字線WL時(shí)，通過位線BL和存儲(chǔ)器單元MC之間的電荷共享，可以在位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間生成電壓差。位線感測(cè)放大器121感測(cè)和放大位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差，并且后感測(cè)電路122可以感測(cè)位線BL的放大的電壓電平。

如果位線BL的電壓電平處于預(yù)定的第一電壓范圍中，則后感測(cè)電路122可以激活充電信號(hào)BLCS。第一電壓范圍可以是包括預(yù)充電電壓VBL的電壓范圍。例如，位線感測(cè)放大器121的第一參考電壓和第二參考電壓之間的電壓范圍可以被設(shè)定為第一電壓范圍。當(dāng)位線BL的電壓電平處于第一電壓范圍中時(shí)，后感測(cè)電路122可以輸出充電信號(hào)，并且充電電路123可以響應(yīng)于感測(cè)信號(hào)而將預(yù)充電電壓VBL施加在位線BL和互補(bǔ)位線BLB。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，后感測(cè)電路122可以包括額外的充電電路，并且可以基于充電信號(hào)BLCS將預(yù)充電電壓VBL施加在位線BL。

當(dāng)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MC中的單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)MS時(shí)，位線BL的放大的電壓電平可以低于第一參考電壓并且高于第二參考電壓。換句話說，位線BL的放大的電壓電平可以處于第一電壓范圍中。因此，當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)MS時(shí)，后感測(cè)電路122可以輸出激活的充電信號(hào)BLCS，并且預(yù)充電電壓VBL可以被施加到位線BL和互補(bǔ)位線BLB。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，當(dāng)位線BL的電壓電平處于第一電壓范圍中時(shí)，位線感測(cè)放大器121的放大操作可以被停止。位線BL和互補(bǔ)位線BLB可以具有預(yù)充電電壓VBL的電壓電平。

當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)HS或者第二狀態(tài)LS時(shí)，位線感測(cè)放大器121可以將位線BL和互補(bǔ)位線BLB放大到第一電源電壓或者第二電源電壓。位線BL和互補(bǔ)位線BLB可以具有第一電源電壓或者第二電源電壓的電壓電平。因此，位線BL的放大的電壓電平可以等于或高于第一參考電壓或者等于或低于第二參考電壓。

接下來，輸出電路130可以響應(yīng)于選擇信號(hào)CS而輸出位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓。位線BL的電壓電平可以作為單元數(shù)據(jù)CD被輸出。

如上所述，在根據(jù)本示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件100a中，后感測(cè)電路122可以感測(cè)位線BL的電壓電平是否已經(jīng)達(dá)到第一參考電壓或者第二參考電壓。如果位線BL的電壓電平還沒有達(dá)到第一參考電壓或者第二參考電壓，換句話說，如果位線BL的電壓電平處于第一電壓范圍中，則單元數(shù)據(jù)CD可以被確定為處于第三狀態(tài)，并且預(yù)充電電壓VBL可以被施加到位線BL和互補(bǔ)位線BLB。

因此，當(dāng)在感測(cè)點(diǎn)處位線BL的電壓電平已經(jīng)達(dá)到第一參考電壓時(shí)，存儲(chǔ)器器件100a可以確定單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)；并且當(dāng)在感測(cè)點(diǎn)處位線BL的電壓電平已經(jīng)達(dá)到第二參考電壓時(shí)，存儲(chǔ)器器件100a可以確定單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)。此外，當(dāng)在感測(cè)點(diǎn)處位線BL的電壓電平還沒有達(dá)到第一參考電壓或者第二參考電壓時(shí)，存儲(chǔ)器器件100a可以確定單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)。

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的圖3的存儲(chǔ)器器件100a的位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平的圖形。圖4示出了當(dāng)圖3的存儲(chǔ)器器件100a執(zhí)行讀取操作時(shí)、根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MC中的單元數(shù)據(jù)CD的位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平。

參考圖4，電荷共享可以在時(shí)段TP1期間被執(zhí)行，并且位線感測(cè)放大器BLSA的放大操作可以在時(shí)段TP2期間被執(zhí)行。在時(shí)段TP3期間，位線BL的放大的電壓電平可以被感測(cè)和輸出，并且預(yù)充電電壓可以被施加到位線BL和互補(bǔ)位線BLB。位線BL的電壓可以在時(shí)段TP4期間被輸出。

在點(diǎn)t1之前，充電電路123可以響應(yīng)于均衡信號(hào)BLEQ而利用預(yù)充電電壓對(duì)位線BL和互補(bǔ)位線BLB預(yù)充電。預(yù)充電電壓可以是1/2VCC。因此，可以利用1/2VCC對(duì)位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓進(jìn)行預(yù)充電。

電荷共享操作在點(diǎn)t1處開始。當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)“1”時(shí)，位線BL的電壓電平可以增加，并且位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差可以增加到大于位線感測(cè)放大器BLSA的閾值電壓差。當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)“0”時(shí)，位線BL的電壓電平可以減小，并且位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差可以增加到大于位線感測(cè)放大器BLSA的閾值電壓差。當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)“X”時(shí)，位線BL的電壓電平幾乎不改變，并且位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差可以小于位線感測(cè)放大器BLSA的閾值電壓差。

當(dāng)位線感測(cè)放大器BLSA的放大操作在點(diǎn)t2處開始時(shí)，以及當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)“1”或者第二狀態(tài)“0”時(shí)，位線BL的電壓電平可以被放大到VCC或者VSS。當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)“X”時(shí)，位線BL的電壓電平可以幾乎不改變，或者與當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)“1”或者處于第二狀態(tài)“0”時(shí)相比僅僅非常輕微地改變。

在點(diǎn)t3處，后感測(cè)電路122可以將位線BL的電壓電平與第一參考電壓VREF1和第二參考電壓VREF2進(jìn)行比較，并且當(dāng)位線BL的電壓電平低于第一參考電壓VREF1并且高于第二參考電壓VREF2時(shí)，后感測(cè)電路122可以激活充電信號(hào)BLCS。第一參考電壓VREF1可以高于1/2VCC，而第二參考電壓VREF2可以低于1/2VCC。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，第一參考電壓VREF1可以等于或高于位線感測(cè)放大器121的第一閾值電壓，而第二參考電壓VREF2可以等于或低于位線感測(cè)放大器121的第二閾值電壓。

當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)“1”時(shí)，位線BL的電壓電平可以等于或高于第一參考電壓VREF1，并且當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)“0”時(shí)，位線BL的電壓電平可以等于或低于第二參考電壓VREF2。當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)“X”時(shí)，位線BL的電壓電平可以低于第一參考電壓VREF1并且高于第二參考電壓VREF2。當(dāng)位線BL的電壓電平低于第一參考電壓VREF1并且高于第二參考電壓VREF2時(shí)，后感測(cè)電路122可以確定單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)“X”并且激活充電信號(hào)BLCS。充電電路123可以響應(yīng)于充電信號(hào)BLCS而將預(yù)充電電壓VBL施加在位線BL和互補(bǔ)位線BLB。因此，位線BL的電壓電平可以是1/2VCC。

因?yàn)樵邳c(diǎn)t4處選擇信號(hào)CS被激活，所以位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓可以在時(shí)段TP4期間被輸出。在預(yù)定的時(shí)間段之后，在點(diǎn)t6處，位線BL和互補(bǔ)位線BLB可以被再次預(yù)充電。存儲(chǔ)器器件100a(圖3)可以基于在點(diǎn)t4處輸出的位線BL的電壓電平或者位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平的組合，來確定存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MC中的單元數(shù)據(jù)CD的狀態(tài)。當(dāng)位線BL的電壓電平是VCC時(shí)，存儲(chǔ)器器件100a可以確定單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)；當(dāng)位線BL的電壓電平是VSS時(shí)，存儲(chǔ)器器件100a可以確定單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)；當(dāng)位線BL的電壓電平是1/2VCC時(shí)，存儲(chǔ)器器件100a可以確定單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)。

圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的感測(cè)電路120的電路圖。為了方便例示，存儲(chǔ)器單元MC也被示出。

參考圖5，感測(cè)電路120a可以包括位線感測(cè)放大器121a、后感測(cè)電路122a、和充電電路123a。

位線感測(cè)放大器121a可以包括第一反相器INV1和第二反相器INV2，并且感測(cè)位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差，并且放大電壓差。在字線啟用電壓被施加到字線WL并且電荷共享在存儲(chǔ)器單元MC和位線BL之間被執(zhí)行之后，諸如第一電源電壓VCC和第二電源電壓VSS的驅(qū)動(dòng)電壓可以被施加到第一電源線LA和第二電源線LAB。第一反相器INV1和第二反相器INV2可以基于第一電源電壓VCC和第二電源電壓VSS執(zhí)行反相操作。

第一反相器INV1可以包括一對(duì)晶體管，其包括PMOS晶體管MP1和NMOS晶體管MN1，并且可以將經(jīng)由位線BL接收的輸入電壓反相，并且將反相后的電壓輸出到互補(bǔ)位線BLB。

第二反相器INV2可以包括一對(duì)晶體管，其包括PMOS晶體管MP2和NMOS晶體管MN2，并且可以將經(jīng)由互補(bǔ)位線BLB接收的輸入電壓反相，并且將反相后的電壓輸出到位線BL。

位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差可以經(jīng)由第一反相器INV1和第二反相器INV2的反相操作而被感測(cè)和放大。位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以被放大到VCC或者VSS。

因?yàn)榈谝环聪嗥鱅NV1和第二反相器INV2的輸入和輸出是根據(jù)彼此，所以當(dāng)在位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間生成電壓差時(shí)，第一反相器INV1和第二反相器INV2可以通過彼此交互而放大位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差。如果位線BL的電壓與互補(bǔ)位線BLB的電壓相同，或者如果位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差小于根據(jù)第一反相器INV1和第二反相器INV2的物理特性(例如，晶體管之間的失配)的閾值，則第一反相器INV1和第二反相器INV2的輸出可以彼此相同或者相似，并且因此，第一反相器INV1和第二反相器INV2可以不執(zhí)行反相放大操作。

在位線感測(cè)放大器121a的放大操作被執(zhí)行之前，互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以是1/2VCC。當(dāng)位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差等于或高于閾值時(shí)，位線BL的電壓電平可以等于或高于第一閾值電壓或者等于或低于第二閾值電壓。第一閾值電壓高于1/2VCC，而第二閾值電壓低于1/2VCC。當(dāng)位線BL的電壓電平低于第一閾值電壓并且高于第二閾值電壓時(shí)，位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差可以小于閾值，從而第一反相器INV1和第二反相器INV2可以不執(zhí)行反相放大操作。因此，位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以與1/2VCC相同或者相似。

后感測(cè)電路122a可以包括第一比較器CMP1、第二比較器CMP2、和第一邏輯門LG1。后感測(cè)電路122a可以響應(yīng)于啟用信號(hào)PSEN而操作?？梢栽隍?qū)動(dòng)電壓被施加到位線感測(cè)放大器121a之后的預(yù)定的時(shí)間段之后，換句話說，在感測(cè)點(diǎn)處，激活啟用信號(hào)PSEN。

第一比較器CMP1可以響應(yīng)于激活的啟用信號(hào)PSEN而對(duì)第一參考電壓VREF1和位線BL的電壓進(jìn)行比較，并且輸出比較結(jié)果。當(dāng)位線BL的電壓低于第一參考電壓VREF1時(shí)，第一比較器CMP1可以輸出第一邏輯電平，例如，邏輯高信號(hào)，并且當(dāng)位線BL的電壓等于或高于第一參考電壓VREF1時(shí)，第一比較器CMP1可以輸出第二邏輯電平，例如，邏輯低信號(hào)。

第二比較器CMP2可以響應(yīng)于激活的啟用信號(hào)PSEN而對(duì)第二參考電壓VREF2和位線BL的電壓進(jìn)行比較，并且輸出比較結(jié)果。當(dāng)位線BL的電壓低于第二參考電壓VREF2時(shí)，第二比較器CMP2可以輸出邏輯低信號(hào)，并且當(dāng)位線BL的電壓等于或高于第二參考電壓VREF2時(shí)，第二比較器CMP2可以輸出邏輯高信號(hào)。

可以通過考慮到預(yù)充電電壓VBL以及位線感測(cè)放大器121a的第一閾值電壓和第二閾值電壓來設(shè)定第一參考電壓VREF1和第二參考電壓VREF2。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，第一參考電壓VREF1可以是第一閾值電壓和第一電源電壓之間的電壓，而第二參考電壓VREF2可以是第二閾值電壓和第二電源電壓之間的電壓。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，第一參考電壓VREF1可以是第一閾值電壓和預(yù)充電電壓VBL之間的電壓，而第二參考電壓VREF2可以是第二閾值電壓和預(yù)充電電壓VBL之間的電壓。

第一邏輯門LG1可以基于第一比較器CMP1和第二比較器CMP2的輸出而生成充電信號(hào)BLCS。例如，第一邏輯門LG1可以是“與”門。當(dāng)?shù)谝槐容^器CMP1的輸出是邏輯高并且第二比較器CMP2的輸出是邏輯高時(shí)，第一邏輯門LG1可以激活充電信號(hào)BLCS。因此，當(dāng)位線BL的電壓低于第一參考電壓VREF1并且高于第二參考電壓VREF2時(shí)，充電信號(hào)BLCS可以被激活。

充電電路123a可以響應(yīng)于均衡信號(hào)BLEQ或者充電信號(hào)BLCS而將預(yù)充電電壓VBL施加在位線BL和互補(bǔ)位線BLB。充電電路123a可以通過基于在關(guān)于存儲(chǔ)器單元MC的讀取操作之前被激活的均衡信號(hào)BLEQ而將預(yù)充電電壓VBL施加在位線BL和互補(bǔ)位線BLB，來對(duì)位線BL和互補(bǔ)位線BLB預(yù)充電。此外，當(dāng)從后感測(cè)電路122a輸出的充電信號(hào)BLCS被激活時(shí)，充電電路123a可以將預(yù)充電電壓VBL施加在位線BL和互補(bǔ)位線BLB。因此，位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以各自為1/2VCC。

充電電路123a可以包括多個(gè)晶體管MN3、MN4、和MN5以及第二邏輯門LG2。例如，所述晶體管是NMOS晶體管。當(dāng)均衡信號(hào)BLEQ或者充電信號(hào)BLCS是邏輯高時(shí)，第二邏輯門LG2可以輸出邏輯高信號(hào)。例如，第二邏輯LG2可以是“或”門。

NMOS晶體管MN3和MN4可以串聯(lián)連接在位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間，并且NMOS晶體管MN5可以連接在位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間。NMOS晶體管MN3、MN4、和MN5可以根據(jù)第二邏輯門LG2的輸出而被導(dǎo)通或者截止。當(dāng)?shù)诙壿嬮TLG2的輸出是邏輯高時(shí)，NMOS晶體管MN3和MN4可以被導(dǎo)通以便將預(yù)充電電壓VBL施加在位線BL和互補(bǔ)位線BLB，并且NMOS晶體管MN5可以被導(dǎo)通以便均衡位線BL和互補(bǔ)位線BLB。

圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的感測(cè)電路120b的電路圖。為了方便描述，存儲(chǔ)器單元MC也被示出。

參考圖6，感測(cè)電路120b可以包括位線感測(cè)放大器121a、后感測(cè)電路122b、和充電電路123a。圖6的位線感測(cè)放大器121a和充電電路123a與圖5的位線感測(cè)放大器121a和充電電路123a相同。因此，將省略對(duì)位線感測(cè)放大器121a和充電電路123a的描述。

參考圖6，后感測(cè)電路122b可以通過使用包括在后感測(cè)電路122a內(nèi)部的元件的物理特性來感測(cè)位線BL的電壓電平，并且生成充電信號(hào)BLCS。后感測(cè)電路122b可以包括多個(gè)開關(guān)晶體管MP3、MP4、MN6、和MN7、反相器INV、和傳遞元件TG。

PMOS晶體管MP3和NMOS晶體管MN6可以根據(jù)位線BL的電壓電平而被導(dǎo)通或者截止。當(dāng)位線BL的電壓電平等于或高于第一參考電壓時(shí)，NMOS晶體管MN6可以被導(dǎo)通，并且當(dāng)位線BL的電壓電平等于或低于第二參考電壓時(shí)，PMOS晶體管MP3可以被導(dǎo)通。第一參考電壓和第二參考電壓是晶體管MP3和MN6在其被導(dǎo)通的閾值電壓，并且可以基于預(yù)充電電壓VBL以及PMOS晶體管MP3和NMOS晶體管MN6的閾值電壓來確定。第一參考電壓可以由于NMOS晶體管MN6的閾值電壓而高于1/2VCC，所述1/2VCC是預(yù)充電電平VBL的電壓電平，并且第二參考電壓可以由于PMOS晶體管MP3的閾值電壓而低于1/2VCC。

當(dāng)NMOS晶體管MN6或者PMOS晶體管MP3被導(dǎo)通時(shí)，預(yù)充電電壓VBL可以被施加在節(jié)點(diǎn)N1，從而節(jié)點(diǎn)N1的電壓電平可以是1/2VCC。當(dāng)位線BL的電壓電平低于第一參考電壓并且高于第二參考電壓時(shí)，PMOS晶體管MP3和NMOS晶體管MN6可以被截止，并且節(jié)點(diǎn)N1可以被浮置。

當(dāng)啟用信號(hào)PSEN被去激活時(shí)，互補(bǔ)啟用信號(hào)PSENB被激活。NMOS晶體管MN7可以響應(yīng)于互補(bǔ)啟用信號(hào)PSENB而被導(dǎo)通，以便將接地電壓施加到節(jié)點(diǎn)N2。節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平可以是0V。

當(dāng)啟用信號(hào)PSEN被激活時(shí)，響應(yīng)于互補(bǔ)啟用信號(hào)PSENB，NMOS晶體管MN7可以被截止，并且PMOS晶體管MP4可以被導(dǎo)通。當(dāng)節(jié)點(diǎn)N1的電壓電平是1/2VCC時(shí)，節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平可以從0V改變?yōu)?/2VCC。當(dāng)節(jié)點(diǎn)N1被浮置時(shí)，節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平可以維持在0V。

當(dāng)輸入電壓是0V時(shí)，反相器INV可以輸出邏輯高信號(hào)，并且當(dāng)輸入電壓是1/2VCC時(shí)，反相器INV可以輸出邏輯低信號(hào)。當(dāng)啟用信號(hào)PSEN被激活時(shí)，傳遞元件TG可以輸出反相器INV的輸出作為充電信號(hào)BLCS。

如上所述，當(dāng)啟用信號(hào)PSEN被去激活時(shí)，后感測(cè)電路122b可以輸出被去激活的充電信號(hào)BLCS，并且當(dāng)啟用信號(hào)PSEN被激活時(shí)，可以基于位線BL的電壓電平而將充電信號(hào)BLCS去激活或者激活。當(dāng)位線BL的電壓電平低于第一參考電壓并且高于第二參考電壓時(shí)，后感測(cè)電路122b可以輸出被激活的邏輯高充電信號(hào)BLCS。

以上參考圖5和圖6具體地描述了感測(cè)電路120a和120b。然而，本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例不限于此。例如，以與圖5和圖6的感測(cè)電路120a和120b相同或者相似的方式操作的感測(cè)電路可以在本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例中被采用。另外，圖5和圖6的感測(cè)電路120a和120b可以以各種方式來修改。

圖7A和圖7B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的用于描述圖5和圖6的感測(cè)電路120a和120b的操作的時(shí)序圖。圖7A是當(dāng)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MC中的單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)HS時(shí)第二電路120b的操作的時(shí)序圖，而圖7B是當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)MS時(shí)感測(cè)電路120b的操作的時(shí)序圖。

參考圖7A，均衡信號(hào)BLEQ可以在點(diǎn)t1之前被激活，并且可以通過充電電路123b的預(yù)充電操作對(duì)位線BL和互補(bǔ)位線BLB預(yù)充電。位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以各自為1/2VCC。

當(dāng)在點(diǎn)t1處字線啟用電壓被施加到字線WL時(shí)，充電共享在存儲(chǔ)器單元MC和位線BL之間被執(zhí)行，以便增大位線BL的電壓電平。

當(dāng)在點(diǎn)t2處第一電源電壓VCC和第二電源電壓VSS經(jīng)由第一電源線LA和第二電源線LAB被施加到位線感測(cè)放大器121a時(shí)，位線感測(cè)放大器121a可以感測(cè)和放大位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差dVBL。當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)HS時(shí)，位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差dVBL可以等于或高于位線感測(cè)放大器121a的閾值，并且因?yàn)槲痪€感測(cè)放大器121a執(zhí)行放大操作，所以位線BL可以被放大到VCC，而互補(bǔ)位線BLB可以被放大到VSS。

在點(diǎn)t3處，當(dāng)啟用信號(hào)PSEN被激活時(shí)，后感測(cè)電路122a或者122b可以基于第一參考電壓VREF1和第二參考電壓VREF2來感測(cè)位線BL的電壓電平，以便生成充電信號(hào)BLCS。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，第一參考電壓VREF1和第二參考電壓VREF2可以是從后感測(cè)電路122a的外部施加的電壓。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，第一參考電壓VREF1和第二參考電壓VREF2可以在后感測(cè)電路122b內(nèi)部生成。

由于位線BL的電壓電平高于第一參考電壓VREF1和第二參考電壓VREF2，所以后感測(cè)電路122a或者122b可以輸出作為邏輯低的充電信號(hào)BLCS。均衡信號(hào)BLEQ和充電信號(hào)BLCS兩者都是邏輯低，并且因此充電電路123a不執(zhí)行預(yù)充電操作，并且位線BL的電壓可以維持為VCC。

在點(diǎn)t4處，位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓可以被輸出。由于位線BL的電壓是VCC，所以單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第一狀態(tài)HS。接下來，由于讀取操作完成，所以均衡信號(hào)BLEQ可以被再次激活，從而位線BL和互補(bǔ)位線BLB被再次預(yù)充電。

當(dāng)參考圖7B時(shí)，當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)MS時(shí)，位線BL的單元電平和電壓電平與預(yù)充電電壓VBL的電壓電平相同，并且因此，在時(shí)段TP1中，換句話說，在電荷共享時(shí)段期間，位線BL的電壓電平可以幾乎不改變。當(dāng)在點(diǎn)t2處第一電源電壓VCC和第二電源電壓VSS被施加在位線感測(cè)放大器121a時(shí)，位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電勢(shì)差小，并且可以低于閾值電壓差。在這種情況下，位線感測(cè)放大器121a可以不執(zhí)行正常的放大操作，并且位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以幾乎不被放大。位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差可以由于位線感測(cè)放大器121a的內(nèi)部元件之間的失配而僅僅逐步地增大。

在圖7B的點(diǎn)t3處，當(dāng)啟用信號(hào)PSEN被激活時(shí)，后感測(cè)電路122a和122b可以將位線BL的電壓電平與第一參考電壓VREF1和第二參考電壓VREF2中的每一個(gè)進(jìn)行比較。因?yàn)槲痪€BL的電壓電平低于第一參考電壓VREF1并且高于第二參考電壓VREF2，所以后感測(cè)電路122a和122b可以輸出邏輯高充電信號(hào)BLCS。由于充電信號(hào)BLCS是邏輯高，所以充電電路123a可以將預(yù)充電電壓VBL施加在位線BL和互補(bǔ)位線BLB。在點(diǎn)t3之后，位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以是1/2VCC。

在圖7B的點(diǎn)t4處，位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平可以被輸出。1/2VCC可以作為位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓電平被輸出。因此，單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第三狀態(tài)MS。

當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)LS時(shí)，感測(cè)電路120a的操作類似于當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)HS時(shí)感測(cè)電路120a的操作。因此，將省略單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)LS的情況的描述。

圖7A和圖7B還示出了第二邏輯門LG2的輸出。例如，在圖7A中，在t1之前和t6之后，第二邏輯門LG2的輸出為高，并且在t1之后直至t6，第二邏輯門LG2的輸出為低。在圖7B中，第二邏輯門LG2的輸出為低。

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的位線感測(cè)放大器121b的電路圖。

當(dāng)從圖3、圖5、和圖6的后感測(cè)電路122、122a、或者122b輸出的充電信號(hào)BLCS被激活時(shí)，圖8的位線感測(cè)放大器121b可以停止反相放大操作。

參考圖8，位線感測(cè)放大器121b可以包括第一反相器INV1和第二反相器INV2以及操作控制器OPC。

操作控制器OPC可以控制位線感測(cè)放大器121b的反相放大操作。操作控制器OPC可以包括邏輯門LG、第三反相器INV3、以及開關(guān)晶體管MN31和MN32。

第三反相器INV3可以將充電信號(hào)BLCS反相，并且輸出反相后的充電信號(hào)BLCS作為互補(bǔ)充電信號(hào)BLCSB。邏輯門LG可以基于互補(bǔ)充電信號(hào)BLCSB和外部放大啟用信號(hào)APENE來生成放大啟用信號(hào)APEN。當(dāng)互補(bǔ)充電信號(hào)BLCSB和外部放大啟用信號(hào)APENE為邏輯高時(shí)，邏輯門LG可以輸出邏輯高放大啟用信號(hào)APEN。

操作控制器OPC可以包括分別連接到位線BL和互補(bǔ)位線BLB的開關(guān)晶體管MN31和MN32。開關(guān)晶體管MN31和MN32可以是NMOS晶體管。NMOS晶體管MN31和MN32可以響應(yīng)于放大啟用信號(hào)APEN而被導(dǎo)通或者截止。當(dāng)放大啟用信號(hào)APEN是邏輯高時(shí)，NMOS晶體管MN31可以連接第一反相器INV1的輸出節(jié)點(diǎn)和第二反相器INV2的輸入節(jié)點(diǎn)，并且NMOS晶體管MN32可以連接第二反相器INV2的輸出節(jié)點(diǎn)和第一反相器INV1的輸入節(jié)點(diǎn)。

當(dāng)操作控制器OPC的開關(guān)晶體管MN31和MN32被導(dǎo)通時(shí)，第一反相器INV1和第二反相器INV2可以分別地接收位線BL和互補(bǔ)位線BLB的電壓，并且經(jīng)由相互反相操作來放大位線BL和互補(bǔ)位線BLB之間的電壓差。圖8的位線感測(cè)放大器121b是圖5的位線感測(cè)放大器121a的修改的示例，并且圖8的第一反相器INV1和第二反相器INV2的操作與圖5的位線感測(cè)放大器121a的第一反相器INV1和第二反相器INV2的操作相同，并且因此，將省略重復(fù)的描述。

在存儲(chǔ)器單元和位線BL之間執(zhí)行電荷共享之后，外部放大啟用信號(hào)APENE可以從邏輯低過渡到邏輯高。在位線BL的電壓被輸出之后，外部放大啟用信號(hào)APENE可以從邏輯高過渡到邏輯低。例如，在圖7A和圖7B的時(shí)段TP2、TP3、和TP4期間，外部放大啟用信號(hào)APENE可以是邏輯高。在圖7A和圖7B的時(shí)段TP3和TP4期間，互補(bǔ)充電信號(hào)BLCSB可以根據(jù)單元數(shù)據(jù)而為邏輯低。例如，如圖7A中所示，當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)HS或者第二狀態(tài)LS時(shí)，充電信號(hào)BLCS可以具有低電平，并且互補(bǔ)充電信號(hào)BLCSB可以是高電平。因此，在關(guān)于存儲(chǔ)器單元的讀取操作期間，在執(zhí)行電荷共享之后，位線感測(cè)放大器121b的反相放大操作可以被執(zhí)行。然而，如圖7B中所示，當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)MS時(shí)，位線感測(cè)放大器121b的反相放大操作可以響應(yīng)于作為高電平的充電信號(hào)BLCS而被停止。

圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器器件的方法的流程圖。

圖9的操作存儲(chǔ)器器件的方法對(duì)應(yīng)于將單元數(shù)據(jù)寫入圖2的存儲(chǔ)器器件100或者圖3的存儲(chǔ)器器件100a的存儲(chǔ)器單元MC以及從其讀取單元數(shù)據(jù)的方法。參考圖1到圖8提供的描述可以應(yīng)用在根據(jù)本示范性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器器件的方法。

參考圖9，在操作S210，單元數(shù)據(jù)可以被寫入存儲(chǔ)器單元。單元數(shù)據(jù)可以具有至少三個(gè)狀態(tài)之一。當(dāng)字線電壓被施加在連接到存儲(chǔ)器單元的字線以使得存儲(chǔ)器單元和位線彼此連接時(shí)，分別與所述單元數(shù)據(jù)的所述至少三個(gè)狀態(tài)之一相對(duì)應(yīng)的至少三個(gè)電壓之一可以被施加在位線，由此寫入單元數(shù)據(jù)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，單元數(shù)據(jù)可以具有第一狀態(tài)到第三狀態(tài)之一：第一電源電壓可以響應(yīng)于單元數(shù)據(jù)的第一狀態(tài)而被施加在位線；第二電源電壓可以響應(yīng)于單元數(shù)據(jù)的第二狀態(tài)而被施加在位線；而第三電源電壓可以響應(yīng)于單元數(shù)據(jù)的第三狀態(tài)而被施加在位線。第三電源電壓可以是第一電源電壓和第二電源電壓的均值。

在單元數(shù)據(jù)被寫入之后，在操作S220，位線和互補(bǔ)位線可以被預(yù)充電。通過將預(yù)充電電壓施加在位線和互補(bǔ)位線，位線可以被預(yù)充電。互補(bǔ)位線也可以被預(yù)充電。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，作為第一電源電壓和第二電源電壓之間的中間電平的第三電源電壓可以被用作預(yù)充電電壓。

接下來，可以執(zhí)行下面的操作以便從存儲(chǔ)器單元讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的單元數(shù)據(jù)。

在操作S230，電荷共享可以在存儲(chǔ)器單元和位線之間被執(zhí)行。當(dāng)字線啟用電壓被施加到字線時(shí)，存儲(chǔ)器單元和位線被連接，并且電荷共享可以在存儲(chǔ)器單元和位線之間被執(zhí)行。存儲(chǔ)器單元的電壓電平可以等于根據(jù)單元數(shù)據(jù)的狀態(tài)(例如，第一狀態(tài)到第三狀態(tài)之一)而施加在位線的電壓的電壓電平。存儲(chǔ)器單元的電壓電平可以根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的單元數(shù)據(jù)而高于或低于預(yù)充電的位線的電壓電平，或者可以等于預(yù)充電的位線的電壓電平。如果存儲(chǔ)器單元的電壓電平高于或低于位線的電壓電平，則位線的電壓電平可以通過電荷共享而被增大或減小。因此，可以在位線和互補(bǔ)位線之間生成電壓差。

在操作S240，位線和互補(bǔ)位線之間的電壓差可以被感測(cè)和放大。當(dāng)位線的電壓電平等于或高于第一閾值電壓或者等于或低于第二閾值電壓時(shí)，位線和互補(bǔ)位線之間的電壓差等于或高于閾值。因此，位線的電壓電平可以被放大到第一電源電壓或者第二電源電壓，并且互補(bǔ)位線的電壓電平可以被放大到第二電源電壓或者第一電源電壓。

在操作S250，位線的電壓電平可以被感測(cè)，并且位線的電壓電平是否被包括在多個(gè)電壓范圍當(dāng)中的中間電壓范圍中可以被確定?？梢曰诘谝粎⒖茧妷汉偷诙⒖茧妷簛砀袦y(cè)位線的電壓電平。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，所述多個(gè)電壓范圍可以包括第一電壓范圍、第二電壓范圍、和第三電壓范圍。第一到第三電壓范圍可以基于第一參考電壓和第二參考電壓來區(qū)分。第一電壓范圍是在第一參考電壓和第二參考電壓之間的電壓范圍。第二電壓范圍可以是在第一電源電壓和第一參考電壓之間的電壓范圍。第三電壓范圍可以是在第二參考電壓和第二電源電壓之間的電壓范圍。第一電壓范圍可以是中間電壓范圍。位線的電壓電平是否被包括在第一電壓范圍中，換句話說，位線的電壓電平是否低于第一參考電壓和高于第二參考電壓，可以被確定。當(dāng)位線的電壓電平被包括在多個(gè)電壓范圍當(dāng)中的中間電壓范圍中時(shí)，單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第三狀態(tài)。否則，單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第一狀態(tài)或者第二狀態(tài)。

當(dāng)位線的電壓電平被包括在中間電壓范圍中時(shí)，在操作S260，預(yù)充電電壓可以被施加到位線。預(yù)充電電壓可以是第一電源電壓和第二電源電壓之間的中間電平。如果位線的電壓電平不被包括在中間電壓范圍中，換句話說，如果位線的電壓電平等于或高于第一參考電壓或者等于或低于第二參考電

壓，則施加預(yù)充電電壓的操作S260可以被省略，并且操作S270可以在操作S250之后被立即執(zhí)行。

接下來，在操作S270，可以通過輸出位線的電壓來輸出單元數(shù)據(jù)。如果位線的電壓電平被包括在第二電壓范圍或者第三電壓范圍中，則位線的電壓電平可以被放大到第一電源電壓或者第二電源電壓。位線的輸出電壓電平可以是VCC或者VSS，并且單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第一狀態(tài)或者第二狀態(tài)。當(dāng)位線的電壓電平被包括在第一電壓范圍中時(shí)，因?yàn)轭A(yù)充電電壓被施加，所以位線的輸出電壓電平可以是1/2VCC，并且單元數(shù)據(jù)可以被確定為處于第三狀態(tài)。

圖10是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的、操作存儲(chǔ)器器件的方法的流程圖。圖10的操作存儲(chǔ)器器件的方法對(duì)應(yīng)于將單元數(shù)據(jù)寫入圖2的存儲(chǔ)器器件100或者圖3的存儲(chǔ)器器件100a的存儲(chǔ)器單元MC以及從所述存儲(chǔ)器單元MC讀取單元數(shù)據(jù)的方法。因此，參考圖1到圖9提供的描述可以應(yīng)用在根據(jù)本示范性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器器件的方法。

參考圖10，在操作S310，當(dāng)對(duì)于存儲(chǔ)器單元的讀取被請(qǐng)求時(shí)，電荷共享可以在存儲(chǔ)器單元和位線之間被執(zhí)行。在執(zhí)行電荷共享之前，位線和互補(bǔ)位線的電壓電平可以是相同的。位線的電壓電平可以由于電荷共享而改變，并且因此，可以在位線和互補(bǔ)位線之間生成電壓差。

在電荷共享之后，在操作S320，位線感測(cè)放大器(例如，圖3的位線感測(cè)放大器121)可以被開啟。例如，第一電源電壓和第二電源電壓可以作為驅(qū)動(dòng)電壓被施加在位線感測(cè)放大器，并且位線感測(cè)放大器被電連接至位線和互補(bǔ)位線，并且因此位線感測(cè)放大器可以被開啟。位線感測(cè)放大器可以感測(cè)和放大位線和互補(bǔ)位線之間的電壓差。

在操作S330，位線的電壓電平是否低于第一參考電壓并且高于第二參考電壓可以被確定。換句話說，可以確定單元數(shù)據(jù)是否處于第三狀態(tài)。后感測(cè)電路(例如，圖3的后感測(cè)電路122)可以將通過使用位線感測(cè)放大器來放大的位線的電壓電平與第一參考電壓和第二參考電壓中的每一個(gè)進(jìn)行比較，以便確定位線的電壓電平是否是在第一參考電壓和第二參考電壓之間的電壓電平。當(dāng)位線的電壓電平低于第一參考電壓和高于第二參考電壓時(shí)，后感測(cè)電路可以生成激活的位線充電信號(hào)。

當(dāng)位線的電壓電平低于第一參考電壓并且高于第二參考電壓時(shí)，在操作S340，預(yù)充電電壓可以被施加到位線。響應(yīng)于激活的位線充電信號(hào)，充電電路(例如，圖3的充電電路123)可以將預(yù)充電電壓施加在位線和互補(bǔ)位線。

此外，在操作S350，位線感測(cè)放大器可以被關(guān)閉。由于位線感測(cè)放大器響應(yīng)于激活的位線充電信號(hào)而從位線和互補(bǔ)位線斷開電連接，所以位線感測(cè)放大器可以被關(guān)閉。如果位線的電壓電平等于或高于第一參考電壓或者等于或低于第二參考電壓，則位線感測(cè)放大器可以繼續(xù)執(zhí)行放大操作。

關(guān)閉位線感測(cè)放大器的操作S350可以在施加預(yù)充電電壓的操作S340之前被執(zhí)行。此外，關(guān)閉位線感測(cè)放大器的操作S350和施加預(yù)充電電壓的操作S340可以被同時(shí)執(zhí)行。

接下來，在操作S360，位線的電壓電平可以被輸出。在先前的操作中，如果位線的電壓電平等于或高于第一參考電壓或者等于或低于第二參考電壓，換句話說，如果單元數(shù)據(jù)處于第一狀態(tài)或者第二狀態(tài)，則位線的電壓可以被放大到第一電源電壓或者第二電源電壓。如果位線的電壓電平低于第一參考電壓并且高于第二參考電壓，換句話說，如果單元數(shù)據(jù)處于第三狀態(tài)，則位線的電壓可以是預(yù)充電電壓，例如，第三電源電壓。因此，第一電源電壓、第二電源電壓、和第三電源電壓之一的電壓電平可以被輸出。例如，VCC、VSS、和1/2VCC之一可以被輸出。單元數(shù)據(jù)的狀態(tài)可以基于輸出電壓來確定。

圖11是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件100b的框圖。

參考圖11，存儲(chǔ)器器件100b可以包括存儲(chǔ)器單元陣列110、讀/寫電路150、和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160。存儲(chǔ)器器件100b可以從外部接收N位數(shù)據(jù)BIT[N:1]，并且將所述N位數(shù)據(jù)BIT[N:1]存儲(chǔ)在M個(gè)存儲(chǔ)器單元MC1到MCm中。M是等于或大于2的自然數(shù)，而N是大于M的自然數(shù)。

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160可以將N位數(shù)據(jù)BIT[N:1]轉(zhuǎn)換為M條單元數(shù)據(jù)CD[M:1]或者將M條單元數(shù)據(jù)CD[M:1]轉(zhuǎn)換為N位數(shù)據(jù)BIT[N:1]。N位數(shù)據(jù)BIT[N:1]是數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT，而數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT可以具有兩個(gè)狀態(tài)‘0’和‘1’之一。單元數(shù)據(jù)CD可以是具有至少三個(gè)狀態(tài)之一的多級(jí)數(shù)據(jù)。單元數(shù)據(jù)CD的狀態(tài)的數(shù)量多于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT的狀態(tài)的數(shù)量，并且因此，單元數(shù)據(jù)CD的條數(shù)小于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT的條數(shù)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，單元數(shù)據(jù)CD可以具有第一狀態(tài)HS、第二狀態(tài)LS、或者第三狀態(tài)MS，并且數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160可以將三位數(shù)據(jù)BIT[3:1]轉(zhuǎn)換為兩條單元數(shù)據(jù)CD[2:1]、以及將兩條單元數(shù)據(jù)CD[2:1]轉(zhuǎn)換為三位數(shù)據(jù)BIT[3:1]。下面將參考圖12和圖13更詳細(xì)地描述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160的轉(zhuǎn)換操作。

寫/讀電路150可以將單元數(shù)據(jù)CD寫入存儲(chǔ)器單元MC或者從存儲(chǔ)器單元MC讀取單元數(shù)據(jù)CD。存儲(chǔ)器單元MC可以是用于存儲(chǔ)多級(jí)數(shù)據(jù)的多級(jí)存儲(chǔ)器單元。每個(gè)存儲(chǔ)器單元MC可以具有與單元數(shù)據(jù)CD相對(duì)應(yīng)的至少三個(gè)狀態(tài)之一。如上參考圖2A所述，寫/讀電路150可以通過將與單元數(shù)據(jù)CD的狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的電壓施加在位線BL來將單元數(shù)據(jù)CD寫入存儲(chǔ)器單元MC。此外，寫/讀電路150可以通過使用根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MC中的單元數(shù)據(jù)CD的狀態(tài)的位線BL的電壓電平的變化速度、以及如上參考圖1到圖10所述的位線感測(cè)放大器的放大特性，來讀取單元數(shù)據(jù)CD。為此目的，寫/讀電路150可以包括以上參考圖2A到圖8所述的感測(cè)電路120、120a、或者120b。感測(cè)電路120、120a、或者120b可以連接到位線BL(1)到BL(M)中的每一個(gè)。

如上所述，由于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160將接收到的N位數(shù)據(jù)BIT[N:1]轉(zhuǎn)換為M條單元數(shù)據(jù)(M:1)，并且寫/讀電路150將M條單元數(shù)據(jù)(M:1)寫入M個(gè)存儲(chǔ)器單元MC(1)到MC(M)，所以N位數(shù)據(jù)BIT[N:1]可以被存儲(chǔ)在M個(gè)存儲(chǔ)器單元MC(1)到MC(M)中。此外，由于寫/讀電路150從M個(gè)存儲(chǔ)器單元MC(1)到MC(M)讀取M條單元數(shù)據(jù)(M:1)，并且數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160將M條單元數(shù)據(jù)(M:1)轉(zhuǎn)換為N位數(shù)據(jù)BIT[N:1]，所以N位數(shù)據(jù)BIT[N:1]可以從M個(gè)存儲(chǔ)器單元MC(1)到MC(M)被輸出。

根據(jù)本示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件100b，通過將多級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元MC中，存儲(chǔ)容量可以增加或者存儲(chǔ)器單元陣列的布局區(qū)域可以減小。

圖12是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件100c的框圖。

參考圖12，存儲(chǔ)器器件100c可以包括存儲(chǔ)器單元陣列110c、讀電路151、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160、和緩沖器170。存儲(chǔ)器器件100c可以基于從兩個(gè)存儲(chǔ)器單元MC1和MC2輸出的單元數(shù)據(jù)CD1和CD2生成第一到第三三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3。

存儲(chǔ)器單元陣列110c可以包括多個(gè)單位單元(unit cell)UCELL，并且寫入操作或者讀取操作可以在所述單位單元UCELL中的每一個(gè)上單獨(dú)地執(zhí)行。單位單元UCELL可以包括第一存儲(chǔ)器單元MC1和第二存儲(chǔ)器單元MC2。在本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)器單元MC1和第二存儲(chǔ)器單元MC2可以彼此相鄰，或者可以是被包括在相同的存儲(chǔ)塊中的非相鄰的存儲(chǔ)器單元。第一存儲(chǔ)器單元MC1和第二存儲(chǔ)器單元MC2可以對(duì)應(yīng)于圖2A中所示的存儲(chǔ)器單元MC。在圖12中，T1對(duì)應(yīng)于晶體管。

讀電路151可以包括分別地連接到第一位線BL1和第二位線BL2的第一感測(cè)電路120_1和第二感測(cè)電路120_2，并且可以從單位單元UCELL讀取第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2。第一感測(cè)電路120_1和第二感測(cè)電路120_2可以是參考圖2A到圖8描述的感測(cè)電路120、120a、或者120b。

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160可以組合第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2的三個(gè)狀態(tài)HS、LS、和MS，以便生成第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3，并且可以輸出第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3。第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3可以被存儲(chǔ)在緩沖器170中。

在圖12中，單元數(shù)據(jù)CD的三個(gè)狀態(tài)被指示為‘1’、‘0’、和‘X’第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3可以根據(jù)第一單元數(shù)據(jù)CD1的三個(gè)狀態(tài)和第二單元數(shù)據(jù)CD2的三個(gè)狀態(tài)的組合而生成。當(dāng)?shù)谝粏卧獢?shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2兩者都處于第三狀態(tài)(‘X’)時(shí)，不存在相應(yīng)的第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3。當(dāng)?shù)谝粏卧獢?shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2兩者都處于第三狀態(tài)(‘X’)時(shí)，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160可以確定讀取錯(cuò)誤發(fā)生。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160可以輸出讀取錯(cuò)誤生成信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160可以輸出圖12中所示的第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3的八個(gè)組合之一，而不管讀取錯(cuò)誤的發(fā)生。

圖13是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160a的框圖。根據(jù)本示范性實(shí)施例的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160a可以是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。如上參考圖2A到圖8所述，位線的電壓電平，諸如VCC、VSS、和1/2VCC，可以作為被單元數(shù)據(jù)CD輸出。如圖13中所示，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160a可以將分別代表第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2的第一單元數(shù)據(jù)電壓VCD1和第二單元數(shù)據(jù)電壓VCD2的組合轉(zhuǎn)換為第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3。圖13中的表格示出了第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2的值以及與第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2相對(duì)應(yīng)的第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3的值。

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160b的框圖。

參考圖14，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160b可以包括ADC 161和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換邏輯162。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160b可以將第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2中的每一個(gè)轉(zhuǎn)換為兩位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。第一單元數(shù)據(jù)CD1可以被轉(zhuǎn)換為第一轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD1[1:0]，而第二單元數(shù)據(jù)CD2可以被轉(zhuǎn)換為第二轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD2[1:0]。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換邏輯162可以將第一轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD1[1:0]和第二轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD2[1:0]轉(zhuǎn)換為第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3。

圖15A和圖15B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的圖14的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)161的電路圖。

參考圖15A，ADC 161a可以包括第一比較器CMP21和第二比較器CMP22。第一比較器CMP21可以將單元數(shù)據(jù)CD與第一比較電壓VCMP1進(jìn)行比較以輸出比較結(jié)果CCD[1]，并且第二比較器CMP22可以將單元數(shù)據(jù)CD與第二比較電壓VCMP2進(jìn)行比較以輸出比較結(jié)果CCD[0]。

第一比較電壓VCMP1的電壓電平可以是2/3VCC，而第二比較電壓VCMP2的電壓電平可以是1/3VCC。因此，當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)“1”時(shí)，轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD[1:0]可以被輸出為‘11’，而當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)“0”時(shí)，轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD[1:0]可以輸出為‘00’，并且當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)“X”時(shí)，轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD[1:0]可以輸出為‘01’。這被反映在圖15A的表格中。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，ADC 161a可以順序地接收單元數(shù)據(jù)CD1和單元數(shù)據(jù)CD2，然后順序地輸出第一轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD[1:0]和第二單元數(shù)據(jù)CD2。

參考圖15B，ADC 161b可以包括第一比較器CMP21和第二比較器CMP22。不同于圖15A，圖15B的ADC 161b可以基于單一比較電壓VCMP將單元數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為兩位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。第一比較器CMP21和第二比較器CMP22中的每一個(gè)可以接收單元數(shù)據(jù)CD和互補(bǔ)單元數(shù)據(jù)CDB作為輸入。單元數(shù)據(jù)CD可以是位線BL的電壓電平，而互補(bǔ)單元數(shù)據(jù)CDB可以是互補(bǔ)位線BLB的電壓電平。

第一比較器CMP21可以將單元數(shù)據(jù)CD與比較電壓VCMP進(jìn)行比較以輸出比較結(jié)果CCD[1]，而第二比較器CMP22可以將互補(bǔ)單元數(shù)據(jù)CDB與比較電壓VCMP進(jìn)行比較以輸出比較結(jié)果CCD[0]。

比較電壓VCMP的電壓電平可以是2/3VCC。因此，當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第一狀態(tài)“1”時(shí)，轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD[1:0]可以被輸出為‘10’，而當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第二狀態(tài)“0”時(shí)，轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD[1:0]可以輸出為‘01’，并且當(dāng)單元數(shù)據(jù)CD處于第三狀態(tài)“X”時(shí)，轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD[1:0]可以輸出為‘00’。這被反映在圖15B的表格中。

再次參考圖14，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換邏輯162可以組合第一轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD1[1:0]和第二轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)CCD2[1:0](其每一個(gè)具有三個(gè)值之一)以生成第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3。

雖然以上參考圖15A和圖15B描述了ADC的示例，但是這些僅僅是示范性是，并且本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，圖15A和圖15B的ADC電路可以以各種方式修改。

圖16是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件100d的框圖。

參考圖16，存儲(chǔ)器器件100d可以包括核心區(qū)R_CORE和外圍區(qū)R_PERI。核心區(qū)R_CORE可以包括：存儲(chǔ)器單元陣列110d，其包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC1和MC2；讀電路151d，其包括多個(gè)感測(cè)電路120_1和120_2；數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160d；以及本地緩沖器170d。在圖16中，兩個(gè)存儲(chǔ)器單元MC1和MC2、兩個(gè)感測(cè)電路121_1和121_2、一個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160d、和一個(gè)本地緩沖器170d被示出以方便描述。輸入/輸出感測(cè)放大器180d和輸入輸出緩沖器190d可以排列在外圍區(qū)R_PERI中。

讀電路151d可以從第一存儲(chǔ)器單元MC1和第二存儲(chǔ)器單元MC2讀取第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2，并且數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160d可以將所讀取的第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2轉(zhuǎn)換為第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3。本地緩沖器170d可以緩沖第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3，并且將緩沖的位數(shù)據(jù)發(fā)送到排列在外圍區(qū)R_PERI中的輸入/輸出感測(cè)放大器180d。

輸入/輸出感測(cè)放大器180d可以從本地緩沖器170d接收多條數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT1到BITn。輸入/輸出感測(cè)放大器180d可以放大接收到的多條數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT1到BITn的電壓電平，并且將放大的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT1到BITn的電壓電平發(fā)送到輸入輸出緩沖器190d。輸入輸出緩沖器190d可以臨時(shí)存儲(chǔ)多條數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT1到BITn，并且可以經(jīng)由襯墊PAD將多條數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT1到BITn作為多條讀取數(shù)據(jù)D1到Dn輸出。

圖17是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件100e的框圖。

參考圖17，存儲(chǔ)器器件100d可以包括核心區(qū)R_CORE和外圍區(qū)R_PERI。核心區(qū)R_CORE可以包括：存儲(chǔ)器單元陣列110e，其包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC1和MC2；和讀電路151e，其包括多個(gè)感測(cè)電路120_1和120_2。在圖17中，兩個(gè)存儲(chǔ)器單元MC1和MC2和兩個(gè)感測(cè)電路120_1和120_2被示出以方便描述。然而，更多的存儲(chǔ)器單元和感測(cè)電路可以被包括在核心區(qū)R_CORE中，如信號(hào)CDm-1和CDm的輸出所表明的。輸入/輸出感測(cè)放大器180e、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160e、和輸入輸出緩沖器190e可以排列在外圍區(qū)R_PERI中。不同于圖16的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160d，圖17的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160e可以排列在外圍區(qū)R_PERI中。

讀電路151e可以通過使用第一感測(cè)電路120_1和第二感測(cè)電路120_2從第一存儲(chǔ)器單元MC1和第二存儲(chǔ)器單元MC2讀取第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2，并且可以將所讀取的第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2發(fā)送到排列在外圍區(qū)R_PERI中的輸入/輸出感測(cè)放大器180e。

輸入/輸出感測(cè)放大器180e可以接收多條單元數(shù)據(jù)CD1到CDm，并且可以緩沖多條單元數(shù)據(jù)CD1到CDm、或者放大所述多條單元數(shù)據(jù)CD1到CDm的電壓電平，并且將所緩沖的單元數(shù)據(jù)CD1到CDm或者具有放大后的電壓電平的單元數(shù)據(jù)CD1到CDm發(fā)送到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160e。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160e可以將多條單元數(shù)據(jù)CD1到CDm轉(zhuǎn)換為多條數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT1到BITn。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160e可以將第一單元數(shù)據(jù)CD1和第二單元數(shù)據(jù)CD2轉(zhuǎn)換為第一到第三位數(shù)據(jù)BIT1、BIT2、和BIT3。因此，多個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT到BITn的條數(shù)可以多于多個(gè)單元數(shù)據(jù)CD1到CDm的條數(shù)。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160e可以向輸入輸出緩沖器190e發(fā)送多條單元數(shù)據(jù)BIT到BITn，并且輸入輸出緩沖器190e可以經(jīng)由襯墊PAD將多條數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)BIT到BITn作為多條讀取數(shù)據(jù)D1到Dn輸出。

圖18是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器器件的方法的流程圖。

圖18描述了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的上述示范性實(shí)施例的、通過使用存儲(chǔ)器器件來寫入和讀取數(shù)據(jù)的方法。因此，以上參考參考圖1到圖16提供的描述也可以應(yīng)用于根據(jù)本示范性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器器件的方法。

參考圖18，在操作S410，存儲(chǔ)器器件可以接收N位數(shù)據(jù)，并且可以在操作S420將N位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為M條單元數(shù)據(jù)。M可以是等于或大于2的自然數(shù)，而N可以是大于N的自然數(shù)，并且單元數(shù)據(jù)可以具有至少三個(gè)狀態(tài)之一。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，通過將三位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為兩條單元數(shù)據(jù)，N位數(shù)據(jù)可以被轉(zhuǎn)換為M條單元數(shù)據(jù)。

在操作S430，M條單元數(shù)據(jù)可以分別地寫入M個(gè)存儲(chǔ)器單元。換句話說，M條單元數(shù)據(jù)被寫入相應(yīng)的M個(gè)存儲(chǔ)器單元。根據(jù)操作S410到操作S430，存儲(chǔ)器器件可以將N位數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在M個(gè)存儲(chǔ)器單元中。

數(shù)據(jù)以下面的方式從存儲(chǔ)器單元被讀取。首先，在操作S440，可以從存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)。可以根據(jù)參考圖1到圖10描述的讀取方法來讀取單元數(shù)據(jù)?？梢酝ㄟ^使用根據(jù)單元數(shù)據(jù)的狀態(tài)的位線的電壓電平的變化速度和位線感測(cè)放大器的放大特性，來讀取多級(jí)數(shù)據(jù)，例如，具有三個(gè)電平之一的單元數(shù)據(jù)。接下來，在操作S450，從M個(gè)存儲(chǔ)器單元讀取的M條單元數(shù)據(jù)可以被轉(zhuǎn)換為N位數(shù)據(jù)，并且在操作S460，N位數(shù)據(jù)被輸出。這里，通過將兩條單元數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為三位數(shù)據(jù)，M條單元數(shù)據(jù)可以被轉(zhuǎn)換為N位數(shù)據(jù)。根據(jù)操作S440到操作S460，存儲(chǔ)器器件可以從M個(gè)存儲(chǔ)器單元輸出N位數(shù)據(jù)。

圖19是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件200的框圖。

參考圖19，存儲(chǔ)器器件200可以包括存儲(chǔ)器單元陣列210、寫/讀電路250、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路260、控制邏輯220、地址緩沖器230、和電壓發(fā)生器290。存儲(chǔ)器器件200還可以包括行解碼器240、列解碼器270、和輸入/輸出緩沖器280。

存儲(chǔ)器單元陣列210可以包括排列在其中多個(gè)位線BL和多個(gè)字線WL彼此交叉的區(qū)中的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器單元可以是用于存儲(chǔ)具有至少三個(gè)狀態(tài)之一的多級(jí)數(shù)據(jù)的多位單元。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，多個(gè)存儲(chǔ)器單元可以作為單位單元操作。例如，兩個(gè)存儲(chǔ)器單元可以作為單位單元操作。寫入和讀取操作可以在包括在單位單元中的存儲(chǔ)器單元上同時(shí)執(zhí)行。

控制邏輯220可以包括命令解碼器221和模式寄存器222，并且可以控制存儲(chǔ)器器件200的一般操作。命令解碼器221可以解碼從外部接收的命令信號(hào)CMD，例如，芯片選擇信號(hào)/CS、行地址選通/RAS、列地址選通/CAS、寫入啟用信號(hào)/WE、和時(shí)鐘啟用信號(hào)CKE，并且在內(nèi)部生成解碼的命令信號(hào)。模式寄存器222可以響應(yīng)于用于指定存儲(chǔ)器器件200的操作模式的模式寄存器信號(hào)和地址選擇信號(hào)ADDR來設(shè)定內(nèi)部寄存器。

地址緩沖器230可以臨時(shí)存儲(chǔ)從外部接收的地址選擇信號(hào)ADDR。接下來，地址緩沖器230可以將行地址X-ADD發(fā)送到行解碼器240，并且將列地址Y-ADDR發(fā)送到列解碼器270。

行解碼器240和列解碼器270可以包括多個(gè)開關(guān)。行解碼器240可以響應(yīng)于行地址而選擇字線WL，并且列解碼器270可以響應(yīng)于列地址而選擇位線BL。

輸入/輸出緩沖器280可以將從數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路260接收的數(shù)據(jù)輸出到外部，或者可以向數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路260提供從外部接收的數(shù)據(jù)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，存儲(chǔ)器器件200還可以包括連接到數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路260和輸入/輸出緩沖器280的輸入/輸出感測(cè)放大器。輸入/輸出感測(cè)放大器可以放大從數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路260接收的數(shù)據(jù)的電壓電平，并且將所述數(shù)據(jù)發(fā)送到輸入/輸出緩沖器280。

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路260可以將從存儲(chǔ)器器件200的外部接收的輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為單元數(shù)據(jù)，或者可以將從存儲(chǔ)器單元陣列210讀取的單元數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為輸出數(shù)據(jù)，所述輸出數(shù)據(jù)被輸出到存儲(chǔ)器器件200的外部。所述輸入數(shù)據(jù)和所述輸出數(shù)據(jù)可以是具有兩個(gè)狀態(tài)之一的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，并且單元數(shù)據(jù)是具有至少三個(gè)狀態(tài)之一的多級(jí)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路260可以將N位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為M條單元數(shù)據(jù)(M是等于或大于2的自然數(shù)，而N是大于M的自然數(shù))。

寫/讀電路250可以將從數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路260接收的單元數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器單元，或者從存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)并且將所讀取的單元數(shù)據(jù)提供給數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路260。寫/讀電路250可以通過將與單元數(shù)據(jù)的狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的電壓施加到位線，來將單元數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器單元。此外，寫/讀電路250可以通過使用根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的單元數(shù)據(jù)的狀態(tài)的位線的電壓電平的變化速度、和位線感測(cè)放大器的放大特性，來讀取具有多級(jí)的單元數(shù)據(jù)。

電壓發(fā)生器290可以生成在存儲(chǔ)器器件200中使用的各種電壓。具體地，電壓發(fā)生器290可以生成在寫/讀電路250的寫入或者讀取操作中使用的操作電壓Vop1，例如，第一到第三電源電壓VCC、VSS、和HVCC、預(yù)充電電壓VBL、第一參考電壓VREF1、或者第二參考電壓VREF2。電壓發(fā)生器290可以生成在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路260中使用的操作電壓Vop2，例如，第一比較電壓VCMP1、第二比較電壓VCMP2、或者比較電壓VCMP。

圖20是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000的框圖。

參考圖20，存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000可以包括存儲(chǔ)器控制器20和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10。

存儲(chǔ)器控制器20可以向半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10提供用于控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10的各種信號(hào)，例如，命令信號(hào)CMD和地址選擇信號(hào)ADDR。存儲(chǔ)器控制器20可以向半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10發(fā)送數(shù)據(jù)DATA或者從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10接收數(shù)據(jù)DATA。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10可以基于從存儲(chǔ)器控制器20接收的信號(hào)，將數(shù)據(jù)DATA存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣列110中，或者將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣列110中的數(shù)據(jù)提供給存儲(chǔ)器控制器20。

要求高處理速度的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器可以作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10而被包括。作為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10可以包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)單元。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10可以是包括DRAM單元的DRAM芯片。此外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10可以包括其它可隨機(jī)存取的存儲(chǔ)器單元，諸如磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)單元、自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM(STT-MRAM)單元、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)單元、或者電阻型隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)單元。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10可以包括存儲(chǔ)器單元陣列110、寫/讀電路150、和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160。參考圖19描述的存儲(chǔ)器器件200可以作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10被應(yīng)用。

存儲(chǔ)器單元陣列110可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，并且每個(gè)存儲(chǔ)器單元可以是用于存儲(chǔ)至少多級(jí)數(shù)據(jù)的多級(jí)單元。從存儲(chǔ)器控制器20接收的數(shù)據(jù)DATA是N位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160可以將N位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為將被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的M條單元數(shù)據(jù)。單元數(shù)據(jù)可以具有至少三個(gè)狀態(tài)之一。寫/讀電路150可以將M條單元數(shù)據(jù)寫入M個(gè)存儲(chǔ)器單元。此外，寫/讀電路150可以從存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)，并且數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160可以將所讀取的單元數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路160可以將M條單元數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為N位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10可以將N位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)發(fā)送到存儲(chǔ)器控制器20。

如上所述，根據(jù)本示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)1000，可以在存儲(chǔ)器控制器20和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10之間發(fā)送或者接收數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，并且半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件10可以經(jīng)由數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換將轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)(換句話說，單元數(shù)據(jù))寫入存儲(chǔ)器單元或者從存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)。

圖21是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器控制器的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)2000的框圖。參考圖21，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)2000包括處理器2100、系統(tǒng)控制器2200、和存儲(chǔ)器系統(tǒng)2300。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)2000還可以包括處理器總線2510、擴(kuò)展總線2520、輸入設(shè)備2410、輸出設(shè)備2420、和存儲(chǔ)設(shè)備2430。存儲(chǔ)器系統(tǒng)2300包括至少一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件2320和存儲(chǔ)器控制器2310。存儲(chǔ)器控制器2310可以被包括在系統(tǒng)控制器2200中。

處理器2100可以運(yùn)行各種計(jì)算功能，諸如用于運(yùn)行預(yù)定的計(jì)算或者任務(wù)的預(yù)定軟件的運(yùn)行。例如，處理器2100可以是微處理器或者中央處理單元。處理器2100可以經(jīng)由包括地址總線、控制總線、和/或數(shù)據(jù)總線的處理器總線2510連接到系統(tǒng)控制器2200。系統(tǒng)控制器2200連接到擴(kuò)展總線2520諸如外圍組件互連(PCI)。因此，處理器2100可以控制：至少一個(gè)輸入設(shè)備2410，諸如鍵盤或者鼠標(biāo)；至少一個(gè)輸出設(shè)備2420，諸如顯示設(shè)備；或者至少一個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備2430，諸如硬盤驅(qū)動(dòng)器、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器、或者光盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)。

存儲(chǔ)器控制器2310可以控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件2320以執(zhí)行由處理器2100提供的命令。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件2320可以存儲(chǔ)從存儲(chǔ)器控制器2310接收的數(shù)據(jù)，并且將所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)提供給存儲(chǔ)器控制器2310。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件2320可以通過轉(zhuǎn)換從存儲(chǔ)器控制器2310接收的數(shù)據(jù)來生成單元數(shù)據(jù)，并且將所述單元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中。此外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件2320可以從存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)，并且將轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)提供給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件2320。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件2320可以將具有兩個(gè)狀態(tài)之一的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為具有至少三個(gè)狀態(tài)之一的單元數(shù)據(jù)，或者可以將單元數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件2320可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器芯片，諸如DRAM、SRAM、或者非易失性存儲(chǔ)器芯片。

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)2000可以是，例如，桌上型計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)、工作站、手持設(shè)備。

圖22是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器控制器的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000的框圖。參考圖22，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000可以包括電連接至系統(tǒng)總線3100的中央處理單元3200、用戶接口3300、調(diào)制解調(diào)器3400、和存儲(chǔ)器系統(tǒng)3500。包括在存儲(chǔ)器系統(tǒng)3500中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件3520可以包括諸如DRAM單元的非易失性存儲(chǔ)器單元或者諸如STT-MRAM單元的非易失性存儲(chǔ)器單元。

存儲(chǔ)器系統(tǒng)3500可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件3520和存儲(chǔ)器控制器3510。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件3520中，由中央處理單元3200處理的數(shù)據(jù)或者從外部接收的數(shù)據(jù)可以被存儲(chǔ)。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件3520可以用作用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000中的大容量數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存器或者用于存儲(chǔ)要求快速存取的數(shù)據(jù)(諸如系統(tǒng)數(shù)據(jù))的主存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件3520可以將從存儲(chǔ)器控制器3510接收的N位數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為M條單元數(shù)據(jù)(M是等于或大于2的自然數(shù)，而N是大于M的自然數(shù))，并且可以將所述M條單元數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在M個(gè)存儲(chǔ)器單元中。此外，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件3520可以從存儲(chǔ)器單元讀取單元數(shù)據(jù)，轉(zhuǎn)換單元數(shù)據(jù)，并且將轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)提供給存儲(chǔ)器控制器3510。應(yīng)用芯片組、相機(jī)圖像處理器(例如，CMOS圖像傳感器(CIS))、輸入/輸出設(shè)備等等還可以被包括在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)3000中。

圖23A和圖23B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例的存儲(chǔ)器控制器和存儲(chǔ)器模塊的框圖。

參考圖23A，存儲(chǔ)器系統(tǒng)4000a包括存儲(chǔ)器模塊4100a和存儲(chǔ)器控制器4200a。存儲(chǔ)器模塊4100a包括印刷電路板4110a、多個(gè)存儲(chǔ)器芯片4120a、和連接器4130a。所述多個(gè)存儲(chǔ)器芯片4120a可以耦合到印刷電路板4110a的上表面和下表面。連接器4130a經(jīng)由導(dǎo)線來電連接至多個(gè)存儲(chǔ)器芯片4120a。此外，連接器4130a可以連接到外部主機(jī)的插槽。

多個(gè)存儲(chǔ)器芯片4120a可以包括諸如DRAM單元的易失性存儲(chǔ)器或者諸如STT-MRAM單元的非易失性存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器芯片4120a可以像操作存儲(chǔ)器或者高速緩沖存儲(chǔ)器那樣短期地或者臨時(shí)地存儲(chǔ)存儲(chǔ)器系統(tǒng)4000a的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器控制器4200a可以與輸出命令的操作并行地將命令排隊(duì)或者相應(yīng)于命令而執(zhí)行檢測(cè)缺陷的操作。在存儲(chǔ)器系統(tǒng)4000a中，DRAM接口可以應(yīng)用在存儲(chǔ)器控制器4200a和存儲(chǔ)器模塊4100a之間。

在圖23A的存儲(chǔ)器系統(tǒng)4000a中，存儲(chǔ)器控制器4200a被示出為與存儲(chǔ)器模塊4100a分開地被包括，但是存儲(chǔ)器控制器4200a也可以被包括在存儲(chǔ)器模塊4100a中。存儲(chǔ)器控制器4200a可以耦合到印刷電路板4110a的上表面或者下表面，并且可以經(jīng)由導(dǎo)線與存儲(chǔ)器芯片4120a通信。

另外，如圖23B中所示，存儲(chǔ)器系統(tǒng)4000b包括存儲(chǔ)器模塊4100b和存儲(chǔ)器控制器4200b，并且存儲(chǔ)器模塊4100b可以包括至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片(每個(gè)半導(dǎo)體芯片包括單元陣列)和用于管理所述單元陣列上的存儲(chǔ)器操作的管理芯片4110b。存儲(chǔ)器控制器4200b的一些功能可以在管理芯片4110b中執(zhí)行。

雖然圖23B示出了存儲(chǔ)器控制器的一些功能在低負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)型存儲(chǔ)器模塊中執(zhí)行，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，當(dāng)完全緩沖的雙列直插內(nèi)存模塊(FBDIMM)型存儲(chǔ)器模塊被使用時(shí)，高級(jí)內(nèi)存緩沖芯片可以作為管理芯片被安裝在存儲(chǔ)器模塊4100B中。此外，另一類型的存儲(chǔ)器模塊可以被使用，并且存儲(chǔ)器控制器4200B的功能中的至少一些可以在存儲(chǔ)器模塊中執(zhí)行。

雖然已經(jīng)參考本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例具體地示出和描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是將理解，可以在這里做出各種形式和細(xì)節(jié)上的改變，而不脫離如所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍。