亚洲狠狠干,亚洲国产福利精品一区二区,国产八区,激情文学亚洲色图

以氧化鈦為主要成分的薄膜和以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶的制作方法

文檔序號:6747706閱讀:344來源:國知局
專利名稱:以氧化鈦為主要成分的薄膜和以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及具有高折射率且具有低消光系數(shù)的以氧化鈦為主要成分的薄膜,以及適于制造該薄膜的以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶。
背景技術(shù)
近年來,開發(fā)出作為可在不需要磁頭的情況下進(jìn)行擦寫的高密度光信息記錄介質(zhì)的高密度記錄光盤技術(shù),并迅速商品化。特別是1977年⑶-RW作為可擦寫的⑶出現(xiàn),現(xiàn)在已成為最普及的相變光盤。該⑶-RW的擦寫次數(shù)約為1000次。另外,開發(fā)了 DVD用的DVD-RW并已經(jīng)商品化,但是該磁盤的層結(jié)構(gòu)基本上與⑶-RW 相同或類似。其擦寫次數(shù)為1000次 10000次左右。這些記錄光盤通過照射光束使記錄材料的透射率、反射率等產(chǎn)生光學(xué)變化從而進(jìn)行信息的記錄、再生、補(bǔ)寫,是迅速普及的電子部件。一般而言,⑶-RW或DVD-RW等所使用的相變光盤具有以SiS-SW2等高熔點電介質(zhì)的保護(hù)層夾著Ag^n-Sb-Te系或Ge-Sb-Te系等的記錄薄膜層的兩側(cè),再設(shè)置銀或銀合金或者鋁合金反射膜而得到的四層結(jié)構(gòu)。另外,為了提高重復(fù)次數(shù),根據(jù)需要進(jìn)行在存儲層與保護(hù)層之間增加界面層等設(shè)置。對于反射層和保護(hù)層,除了要求具有增大記錄層的非晶部與晶體部的反射率之差的光學(xué)功能以外,還要求具有記錄薄膜的耐濕性和防止由熱引起變形的功能、以及控制記錄時的熱條件的功能(參考非專利文獻(xiàn)1)。近來,為了使大容量、高密度的記錄成為可能,提出了一種單面雙層光記錄介質(zhì) (參考專利文獻(xiàn)1)。該專利文獻(xiàn)1中記載到,從激光的入射方向起,具有形成于基板1上的第一信息層和形成于基板2上的第二信息層,它們隔著中間層以信息膜相向的方式貼合。此時,第一信息層由記錄層和第1金屬反射層構(gòu)成,第二信息層由第1保護(hù)層、第 2保護(hù)層、記錄層、第2金屬反射層構(gòu)成。此外,可以任選形成用于保護(hù)信息層使其免受劃痕、污損等的硬質(zhì)涂層、熱擴(kuò)散層等層。另外,對這些保護(hù)層、記錄層、反射層等提出了各種材料。由高熔點電介質(zhì)構(gòu)成的保護(hù)層,需要對升溫和冷卻引起的反復(fù)的熱應(yīng)力具有耐性,并且不使這些熱影響波及到反射膜或其它部位,且需要其自身薄,具有低反射率且具有不變質(zhì)的強(qiáng)韌度。從上述意義而言,電介質(zhì)保護(hù)層具有重要的作用。另外,記錄層、反射層、 干涉膜層等在上述的CD、DVD等電子部件中當(dāng)然也發(fā)揮各自的功能,從該意義上而言這些層也當(dāng)然同樣重要。這些具有多層結(jié)構(gòu)的各薄膜通常通過濺射法形成。該濺射法的原理為使包含正電極和負(fù)電極的基板與靶相對,在惰性氣體氣氛下在這些基板和靶之間施加高電壓從而產(chǎn)生電場,此時,電離的電子與惰性氣體撞擊而形成等離子體,該等離子體中的陽離子撞擊到靶(負(fù)電極)表面上擊出靶構(gòu)成原子,該飛出的原子附著到相向的基板表面從而形成膜。
在該過程中,提出了將使用氧化鈦(TiOx)的靶作為用于形成熱射線反射膜、防反射膜的濺射靶(參考專利文獻(xiàn)幻。此時,為了穩(wěn)定濺射時的放電,將電阻率值設(shè)定為 0. 35 Ω cm以下,從而能夠進(jìn)行DC濺射,可以得到高折射率的膜。但是,由于膜的透射率下降,因此采用了使氧含量為35重量%以上而進(jìn)一步引入氧的對策。另外,由于氧的引入造成成膜速度下降,因此通過添加金屬氧化物來實現(xiàn)成膜速度的提高,但是在作為要求折射率更高且吸收更少的膜的精密光學(xué)構(gòu)件或電子部件的應(yīng)用時存在問題。特別是,在400nm附近的短波長側(cè)存在問題?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-79710號公報專利文獻(xiàn)2 日本專利第3836163號公報非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)1 技術(shù)雜志《光學(xué)》第沈卷第1期、第9 15頁

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而進(jìn)行的,其目的在于得到具有高折射率且具有低消光系數(shù)的以氧化鈦為主要成分的薄膜,以及適于制造該薄膜的以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶,同時,其課題還在于得到透射率優(yōu)良、反射率的下降少、作為光信息記錄介質(zhì)的干涉膜或保護(hù)膜有用的薄膜。另外,該薄膜也可以應(yīng)用于玻璃基板,即可以作為熱射線反射膜、 防反射膜、干涉濾光片使用。為了解決上述的課題,本發(fā)明人進(jìn)行了廣泛深入的研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),在氧化鈦中添加銅、鉬等金屬是極其有效的,并且能夠得到不損害作為光信息記錄介質(zhì)的干涉膜或保護(hù)膜的特性、能夠保持透射率、防止反射率下降的材料?;谠摪l(fā)現(xiàn),提供以下的發(fā)明。1) 一種以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,含有鈦、氧和銅,11為四.0原子%以上、34. 0原子%以下,Cu為0. 003原子%以上、7. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且氧成分與金屬成分之比0Λ2 +0. 5Cu)為0. 96以上。2) 一種以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,含有鈦、氧和鉬,Ti為29. 0原子%以上、34. 0原子%以下,Pt為0. 003原子%以上、5. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且氧成分與金屬成分之比0A2Ti+Pt)為0.95以上。3) 一種以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,含有鈦、氧和選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M,Ti為29. 0原子%以上、34. 0原子%以下,M為0. 003原子%以上、 7. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且氧成分與金屬成分之比0Λ2 +Μ)為 0. 95以上。4)如上述1) 3)中任一項所述的以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,在 400 410nm的波長區(qū)域內(nèi)的折射率為2. 60以上。5)如上述1) 4)中任一項所述的以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,在 400 410nm的波長區(qū)域內(nèi)的消光系數(shù)為0. 1以下。6)如上述5)所述的以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,在400 410nm的波長區(qū)域內(nèi)的消光系數(shù)為0. 05以下。7)如上述1) 6)中任一項所述的以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,為用于光干涉膜或保護(hù)膜的薄膜。8)如上述1) 6)中任一項所述的以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,為作為光記錄介質(zhì)使用的薄膜。另外,本申請?zhí)峁┮韵碌陌l(fā)明。9) 一種以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶,含有銅且余量包含鈦、氧和不可避免的雜質(zhì),其特征在于,各成分具有(Ti02_m) ^nCun (其中,0 ^m^ 0.5,0. 0001 ^ η ^ 0. 2) 的組成比,電阻率為IOOQcm以下。10) 一種以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶,含有鉬且余量包含鈦、氧和不可避免的雜質(zhì),其特征在于,各成分具有(TiCVJhPtJ其中,0彡m彡0.5、0. 0001彡η彡0. 15) 的組成比,電阻率為IOOQcm以下。11) 一種以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶,含有選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M且余量包含鈦、氧和不可避免的雜質(zhì),其特征在于,各成分具有(Ti02_m) i_nMn(其中, 0彡m彡0. 5,0. 0001彡η彡0. 2)的組成比,電阻率為100 Ω cm以下。發(fā)明效果如以上所述,本發(fā)明為具有高折射率且具有低消光系數(shù)的以氧化鈦為主要成分的薄膜,以及適于制造該薄膜的以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶,根據(jù)本發(fā)明得到的薄膜作為光信息記錄介質(zhì)的膜/層具有顯著的效果。另外,同時,本發(fā)明的薄膜透射率優(yōu)良、 反射率的下降少,作為光信息記錄介質(zhì)的干涉膜或保護(hù)膜特別有用。高熔點電介質(zhì)保護(hù)層需要對升溫和冷卻引起的反復(fù)的熱應(yīng)力具有耐性,并且不使這些熱影響波及到反射膜或其它部位,且需要其自身薄,具有低反射率且具有不變質(zhì)的強(qiáng)韌度,本申請發(fā)明的以氧化鈦為主要成分的薄膜具備可適用于這樣的材料的特性。另外,由于可以在含量少的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)濺射中的氧量,因此還具有能夠抑制成膜速度下降的效果。
具體實施例方式本發(fā)明的以氧化鈦為主要成分的薄膜,如上所述,除鈦和0成分以外,還含有銅或鉬或者選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M。含有銅時,為11為四.0原子%以上、34.0原子%以下,Cu為0.003原子%以上、7. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且具有氧成分與金屬成分之比0/ (2Τ +0. 5Cu)為0. 96以上的組成比的以氧化鈦為主要成分的薄膜。另外,含有鉬時,為Ti為四.0原子%以上、34.0原子%以下,Pt為0.003原子% 以上、5. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且具有氧成分與金屬成分之比0/ (2Ti+Pt)為0.95以上的組成比的以氧化鈦為主要成分的薄膜。另外,含有選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M時,為Ti為四.0原子%以上、 34. 0原子%以下,M為0. 003原子%以上、7. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì), 并且具有氧成分與金屬成分之比0Λ2 +Μ)為0.95以上的組成比的以氧化鈦為主要成分
的薄膜。
銅或鉬或者選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M的存在,具有提高薄膜的折射率的效果。含量低于0.003原子%時,它們的添加效果小,另外,超過7.7原子% (添加銅或選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M時)或5.7原子% (添加鉬時)時,薄膜的消光系數(shù)有增大的傾向,因此,可以說,薄膜中的銅或鉬或者金屬M的存在量優(yōu)選設(shè)定為0. 003原子%以上、7.7原子%以下(添加鉬時5. 7原子% )。折射率提高的理由并不明確,但認(rèn)為這是因為,銅或鉬或者選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M以微小粒子(納米粒子等)的形式分散到氧化鈦的非晶膜中。根據(jù)情況,這些添加金屬的一部分也有時以金屬氧化物的形式存在,象這樣一部分以氧化物的形式存在時,也沒有特別的問題,同樣觀察到折射率提高。這樣得到的高折射率材料提高了多層光學(xué)膜的設(shè)計自由度,是更合適的材料。這些薄膜為非晶膜,且可以得到在400 410nm的波長區(qū)域內(nèi)的折射率為2. 60以上的膜。另外,可以得到在400 410nm的波長區(qū)域內(nèi)的消光系數(shù)為0. 1以下、進(jìn)而消光系數(shù)為0. 05以下的薄膜。上述400 410nm的波長區(qū)域為藍(lán)色激光的波長區(qū)域,在該波長區(qū)域中,如上所述,折射率為2. 60以上,且該折射率越高越好。另外,消光系數(shù)可以達(dá)到0. 1以下,進(jìn)一步可以達(dá)到0. 05以下,該消光系數(shù)越低則越適于多層化。該以氧化鈦為主要成分的薄膜作為干涉膜或保護(hù)膜有用,特別是作為光記錄介質(zhì)有用。在使用含有銅或選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M且余量包含鈦、氧和不可避免的雜質(zhì)的以氧化鈦為主要成分的靶時,上述薄膜可以通過使用各成分具有 (TiO2J !_nMn(其中,0彡m彡0. 5,0. 0001彡η彡0. 2)的組成比、電阻率為100 Ω cm以下的以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶來制造;或者,在使用含有鉬且余量包含鈦、 氧和不可避免的雜質(zhì)的以氧化鈦為主要成分的靶時,上述薄膜可以通過使用各成分具有 (TiO2J ^nPtn (其中,0彡m彡0. 5,0. 0001彡η彡0. 15)的組成比、電阻率為100 Ω cm以下的以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶來制造。此時的濺射,特別是添加的金屬量多時,通過以向濺射氣體中引入氧的方式進(jìn)行調(diào)節(jié),可以得到消光系數(shù)低的以氧化鈦為主要成分的薄膜。本發(fā)明的燒結(jié)體靶與薄膜的成分組成近似,但是并不相同。即,靶的基本成分包含 Ti、添加金屬(01、?丨、0)、附、?(^11)、0這些成分,各成分具有上述的組成比。并且,該靶具有IOOQcm以下的電阻率。上述中,m超過0.5時,氧缺位變得過大,消光系數(shù)有增大的傾向,因此,可以說,m 優(yōu)選為0.5以下。另外,η小于0.0001時,Cu、Pt、Co、Ni、Pd、Au的添加效果小,并且,超過 0. 2 (其中,Pt的情況下為0. 15)時,所述成膜時的消光系數(shù)有增大的傾向,因此,可以說,η 優(yōu)選為0.0001以上、0.2(其中,Pt的情況下為0.15)以下。為了提高濺射效率,靶需要具有導(dǎo)電性,本申請發(fā)明的靶具備該條件,可以進(jìn)行DC濺射。燒結(jié)體濺射靶中存在的Cu、Pt、Co、Ni、Pd、Au相以微小粒子的形式均勻地分散時, 可以發(fā)揮防止異常放電的效果,因此,可以說,平均粒徑優(yōu)選為20μπι以下。使用該燒結(jié)體濺射靶,在含有0. 1 16%的氧的氬氣氣氛中進(jìn)行濺射,由此可以在基板上形成含有Cu、Pt、Co、Ni、Pd、Au和/或它們的金屬氧化物的氧化鈦薄膜。制造薄膜時,可以通過使用具有上述的組成比、電阻率為IOOQcm以下的燒結(jié)體濺射靶,在含有0. 1 16%的氧的氬氣氣氛中進(jìn)行濺射來制造。S卩,由此,可以在基板上形成含有鈦、氧和銅,Ti為四.0原子%以上、34.0原子% 以下,Cu為0. 003原子%以上、7. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且氧成分與金屬成分之比0Λ2 +0. 5Cu)為0. 96以上的以氧化鈦為主要成分的薄膜;或者,可以在基板上形成含有鈦、氧和鉬,Ti為四.0原子%以上、34.0原子%以下,Pt為0.003原子%以上、5.7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且氧成分與金屬成分之比0/ (2Ti+Pt)為0.95以上的以氧化鈦為主要成分的薄膜;或者,可以在基板上形成含有鈦、氧和選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M,Ti為四.0原子%以上、34.0原子%以下,M為 0. 003原子%以上、7. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且氧成分與金屬成分之比0Λ2 +Μ)為0.95以上的以氧化鈦為主要成分的薄膜。此時,可以通過直流濺射進(jìn)行成膜。制造靶時,作為原料,優(yōu)選使用高純度(通常4N以上)且平均粒徑10 μ m以下的氧化鈦(TiO2)和高純度(通常3N以上)且平均粒徑20 μ m以下的銅或鉬或者選自鈷、鎳、 鈀、金的一種以上的金屬M的粉末。將上述原料進(jìn)行調(diào)合以得到本申請發(fā)明的組成比。然后,使用濕式球磨機(jī)或干式混合機(jī)進(jìn)行混合,使這些選擇的添加金屬均勻地分散在氧化鈦粉末中?;旌虾?,填充到碳制的模具中,然后進(jìn)行熱壓。熱壓的條件可以根據(jù)組成成分進(jìn)行改變,通常在800 1100°C的范圍內(nèi),在面壓力100 500kgf/cm2的范圍內(nèi)進(jìn)行。但是該條件表示代表性條件,其選擇是任意的,沒有特別限制。燒結(jié)后,對燒結(jié)體進(jìn)行機(jī)械加工從而精加工為靶形狀。由此,可以得到靶的基本成分包含鈦、銅或鉬或者選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M以及氧這些成分,各成分具有上述的組成比,銅或鉬或者選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M和/或它們的氧化物以微小粒子的形式分散在氧化鈦基質(zhì)中的靶。實施例以下,基于實施例和比較例進(jìn)行說明。另外,本實施例只不過表示合適的例子,本申請發(fā)明并不受到這些例子的限制。即,本發(fā)明僅受專利權(quán)利要求書限制,并包含本發(fā)明所含的實施例以外的各種變形。(實施例1 8)作為原料,使用平均粒徑3 μ m、純度4N(99. 99% )的氧化鈦(TiO2)和平均粒徑 15口111、純度3則99.9(%)的銅粉。將其進(jìn)行調(diào)合、混合以得到表1所示的靶組成。使用濕式球磨機(jī)將該混合粉末Ikg進(jìn)行混合,使銅均勻地分散在氧化鈦粉末中。 然后,將蒸發(fā)水分而干燥后的混合粉末填充到碳制的模具中并進(jìn)行熱壓。熱壓的條件設(shè)定為970°C、面壓 200kgf/cm2。對得到的燒結(jié)體進(jìn)行機(jī)械加工,得到Φ 152mm、5mmt的靶。結(jié)果,得到密度97%以上、電阻率如表1所示為0.01 10 Ω cm的靶。濺射中無異常放電。該結(jié)果如表1所示。靶組成電阻率濺射成β速度(A/秒/kWi0|1(原子%10(原子%)0/(2Ti+0.5C >折射率消光系數(shù)實施例1 02 Ou = 90 10原子%0.8 Q cmAi^4 8020.7323.564.50.982.650.02實施例27102:0(1 = 05:5原子%3QcmAr-Z 602132.81.765.5OS92,640.01實施例3Τ 02:0υ = 99:1 %7QcmAr-2%020933. 0.466.51.002.620.007實施例4·Τ 02 Cu = 99 1 原了%7QomArIJ33.40.460.20J82.660.03實施例5Ti02 Cu = 99.9 0.1 原子%IOQomArt.e33.30.0466.661.002.620.006實施例6Ti01.5:Cu = 99 ■[原子%OOtQcmAr-iOW20.433.90.465.70.97Ζβ10.06實施例7Ti02:Cu = 80:20JS %0^13 Ω cmAr-tOKG2OJ30.57J6t.90J62,680.Q1實施例8Ti01.5 Cu = 99.99 O.Ot原子%IOQcmArt.e33.30,00366.6971.0023D.005 比較例1Γι02 = 100 MOOQcmAr-2$02OJ33.2066.81.012.590.0Θ4比較例2"002:011 = 99:5原子%3QcmArI_833.5T.864.70.952.70_2比較例3"Π02 Cu = 70 30原子%0.0005 Q cmAr-t 02OJ2912.358.70.922.610.2比較例4Tf02 Cu = 99.995 0.005原子%20 Q cmArU33.30,00266.638t.002.590.005比較例5TKM.5:Gu = 99: 1 原0.01 QcmAr1339,50.460.T0.762.55Q,5
膜組成

〔0066〕 n^ssls.琳鉺蕩±逮鉺_進(jìn)満。羊咎媧1筇鄰, ArjjftmArj-p G 10% ) AA^^^Am.O·宅?虜賽敦 S :50sccnK8tIjJ 供
Oz 102325920 >
^S M^ 6/19 χ500 IOOOw的條件下實施DC濺射。結(jié)果,可以沒有問題地實施DC濺射,且可以確認(rèn)該靶具有導(dǎo)電性。在玻璃基板上形成了 Iym的濺射膜。成膜速度、使用EPMA (在Cu濃度低的區(qū)域使用SIMQ分析得到的膜的組成分別表示在表1中。0為配平表示。如該表1所示,0/ ^Ti+0.5Cu)為0.96 1.00。對該濺射膜的折射率和消光系數(shù)進(jìn)行測定。折射率和消光系數(shù)使用405nm的光波長,通過橢圓偏振計進(jìn)行測定。這些結(jié)果同樣表示在表1中。以上的結(jié)果是折射率升高為2. 6 2. 68,并且消光系數(shù)下降為0. 005 0. 08。 均可以形成合適的光記錄介質(zhì)的干涉膜或保護(hù)膜。(比較例1 5)作為原料,使用平均粒徑3 μ m、純度4N(99. 99% )的氧化鈦(TiO2)和平均粒徑 15口111、純度3則99.9(%)的銅粉末。將其進(jìn)行調(diào)合、混合以得到表1所示的靶組成。另外, 比較例1為未添加銅粉的情況。使用濕式球磨機(jī)將該混合粉末Ikg進(jìn)行混合,使銅均勻地分散在氧化鈦粉末中。 然后,將蒸發(fā)水分而干燥后的混合粉末填充到碳制的模具中并進(jìn)行熱壓。熱壓的條件設(shè)定為970°C、面壓 200kgf/cm2。對得到的燒結(jié)體進(jìn)行機(jī)械加工,得到Φ 152mm、5mmt的靶。結(jié)果,密度為95 98%。 如表1所示,靶的電阻率> 100 Qcm 0. 0005 Ω Cm。然后,使用這樣制造的濺射靶,在玻璃基板上形成濺射膜。濺射條件如表1所示, 在Ar氣或Ar氣-O2 O 10% )氣、氣壓0. 5Pa、氣體流量50sccm、濺射功率:500 IOOOw 的條件下實施DC濺射。在玻璃基板上形成了 1 μ m的濺射膜。成膜速度、使用EPMA(Cu濃度低的區(qū)域使用 SIMS)分析得到的膜的組成分別表示在表1中。如該表1所示,0/(2Ti+0. 5Cu)為0. 76 1. 00。對該濺射膜的折射率和消光系數(shù)進(jìn)行測定。折射率和消光系數(shù)使用405nm的光波長, 通過橢圓偏振計進(jìn)行測定。這些結(jié)果同樣表示在表1中。以上的結(jié)果是比較例1為未添加Cu的氧化鈦靶。雖然消光系數(shù)下降為0. 004, 但是折射率減小為2. 59。結(jié)果,不適合作為光記錄介質(zhì)的干涉膜或保護(hù)膜。就比較例2而言,氧成分與金屬成分之比0Λ2 +0. 5Cu)為0. 95,不滿足本申請發(fā)明的條件。此時,雖然折射率升高為2. 7,但是相反地,消光系數(shù)增大為0.2。結(jié)果,不適合作為光記錄介質(zhì)的干涉膜或保護(hù)膜。就比較例3而言,Cu量過多,氧成分與金屬成分之比0Λ2 +0. 5Cu)為0. 92,不滿足本申請發(fā)明的條件。此時,雖然折射率升高為2. 61,但是相反地,消光系數(shù)增大為0. 2。 結(jié)果,不適合作為光記錄介質(zhì)的干涉膜或保護(hù)膜。就比較例4而言,Cu量少,為0.002原子%,不滿足本申請發(fā)明的條件。此時,雖然消光系數(shù)減小為0. 005,但是相反地,折射率降低為2. 59。結(jié)果,不適合作為光記錄介質(zhì)的干涉膜或保護(hù)膜。就比較例5而言,氧成分與金屬成分之比0Λ2 +0. 5Cu)小,為0. 76,不滿足本申請發(fā)明的條件。此時,折射率低至2. 55,消光系數(shù)也增大為0.5。結(jié)果,不適合作為光記錄介質(zhì)的干涉膜或保護(hù)膜。(實施例9 15)
作為原料,使用平均粒徑3 μ m、純度4N(99. 99% )的氧化鈦(TiO2)和平均粒徑 25口111、純度3則99.9(%)的鈀(Pd)粉末。將其進(jìn)行調(diào)合、混合以得到表2所示的靶組成。使用濕式球磨機(jī)將該混合粉末Ikg進(jìn)行混合,使Pd均勻地分散在氧化鈦粉末中。 然后,將蒸發(fā)水分而干燥后的混合粉末填充到碳制的模具中并進(jìn)行熱壓。熱壓的條件設(shè)定為970°C、面壓 200kgf/cm2。對得到的燒結(jié)體進(jìn)行機(jī)械加工,得到Φ 152mm、5mmt的靶。結(jié)果,得到密度95%以上、電阻率如表2所示為0. 01 30 Ω cm的靶。
權(quán)利要求
1.一種以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,含有鈦、氧和銅,Ti為四.0原子%以上、34. 0原子%以下,Cu為0. 003原子%以上、7. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且氧成分與金屬成分之比0Λ2 +0. 5Cu)為0. 96以上。
2.一種以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,含有鈦、氧和鉬,Ti為四.0原子%以上、34. 0原子%以下,Pt為0. 003原子%以上、5. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且氧成分與金屬成分之比0A2Ti+Pt)為0.95以上。
3.一種以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,含有鈦、氧和選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M,Ti為四.0原子%以上、34.0原子%以下,M為0. 003原子%以上、7. 7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且氧成分與金屬成分之比0/ (2Τ +Μ)為0. 95 以上。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,在 400 410nm的波長區(qū)域內(nèi)的折射率為2. 60以上。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項所述的以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,在 400 410nm的波長區(qū)域內(nèi)的消光系數(shù)為0. 1以下。
6.如權(quán)利要求5所述的以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,在400 410nm的波長區(qū)域內(nèi)的消光系數(shù)為0. 05以下。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項所述的以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,為用于光干涉膜或保護(hù)膜的薄膜。
8.如權(quán)利要求1 6中任一項所述的以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,為作為光記錄介質(zhì)使用的薄膜。
9.一種以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶,含有銅且余量包含鈦、氧和不可避免的雜質(zhì),其特征在于,各成分具有(TiO2J ^nCun (其中,0.5、0. 0001 SnS 0.2)的組成比,電阻率為IOOQcm以下。
10.一種以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶,含有鉬且余量包含鈦、氧和不可避免的雜質(zhì),其特征在于,各成分具有(TiO2-J Jtn(其中,0彡m彡0. 5,0. 0001 ^ η ^ 0. 15)的組成比,電阻率為100 Ω cm以下。
11.一種以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶,含有選自鈷、鎳、鈀、金的一種以上的金屬M且余量包含鈦、氧和不可避免的雜質(zhì),其特征在于,各成分具有(Ti02_m) i_nMn(其中, 0彡m彡0. 5,0. 0001彡η彡0. 2)的組成比,電阻率為100 Ω cm以下。
全文摘要
一種以氧化鈦為主要成分的薄膜,其特征在于,含有鈦、氧和銅,Ti為29.0原子%以上、34.0原子%以下,Cu為0.003原子%以上、7.7原子%以下,余量包含氧和不可避免的雜質(zhì),并且氧成分與金屬成分之比O/(2Ti+0.5Cu)為0.96以上。本發(fā)明的課題在于,得到具有高折射率且具有低消光系數(shù)的以氧化鈦為主要成分的薄膜、適于制造該薄膜的以氧化鈦為主要成分的燒結(jié)體濺射靶;得到透射率優(yōu)良、反射率的下降少、作為光信息記錄介質(zhì)的干涉膜或保護(hù)膜有用的薄膜;以及得到可以應(yīng)用于玻璃基板,即可以作為熱射線反射膜、防反射膜、干涉濾光片使用的薄膜。
文檔編號G11B7/254GK102325920SQ20108000686
公開日2012年1月18日 申請日期2010年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月5日
發(fā)明者矢作政隆, 高見英生 申請人:吉坤日礦日石金屬株式會社
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1