專利名稱：復(fù)合型閃存固態(tài)盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，更具體的來講，涉及MLC(多層式儲(chǔ)存即Multi Level Cell)與SLC(單層式儲(chǔ)存即Single Level Cell)閃存的閃存固態(tài)盤。
背景技術(shù)：
閃存因?yàn)槠渚哂懈呙芏?、大容量、較低的讀寫操作耗時(shí)，非易失性等特點(diǎn)而越來越 廣的被用于各種領(lǐng)域；和機(jī)械磁盤相比，使用閃存固態(tài)盤的一個(gè)主要好處在于它本身的優(yōu) 越的抗震動(dòng)性，另一個(gè)主要好處在于它的顯著改善的系統(tǒng)性能，主要表現(xiàn)在更快的隨機(jī)存 取速度(每秒10兆字節(jié))，同時(shí)它只需更低的耗電量，并可應(yīng)用在更大的操作溫度范圍。但 是，閃存芯片自身存在的一些缺陷限制了這類存儲(chǔ)器的應(yīng)用。其一，由于閃存芯片單片密度 (通常只有幾千個(gè)兆字節(jié))還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于機(jī)械磁盤(通常幾十萬個(gè)兆字節(jié))，所以大容量的 閃存固態(tài)盤必須由很多閃存芯片(閃存陣列)組成，才可以用來作為主要數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，以替 代機(jī)械磁盤。 盡管現(xiàn)有閃存固態(tài)盤的存取速度已經(jīng)比機(jī)械磁盤快了很多，但單片閃存芯片或單 個(gè)閃存總線的讀寫速度大約受限于每秒25兆字節(jié)，同存儲(chǔ)媒體的接口技術(shù)(光纖接口每秒 200至400兆字節(jié)，串行ATA接口每秒150至300兆字節(jié)，串行SCSI接口每秒300至600兆 字節(jié))相比，還相差甚遠(yuǎn)。另外，在寫閃存芯片之前，閃存芯片必須被擦除并確認(rèn)其成功的 擦除，寫閃存芯片相對比較慢，這也會(huì)顯著的降低系統(tǒng)的性能。 閃存芯片有SLC(Single Level Cell)和MLC(Multi-Level Cell) 二種，SLC的每 個(gè)儲(chǔ)存單元只儲(chǔ)存1比特信息，而MLC的每個(gè)儲(chǔ)存單元可以儲(chǔ)存2或更多比特信息，2比特 的MLC閃存芯片比較常見。在設(shè)計(jì)上，SLC閃存和MLC閃存很相近，但利用charge placement 技術(shù)，其原理是將兩個(gè)位的信息存入一個(gè)浮動(dòng)?xùn)?Floating Gate，閃存存儲(chǔ)單元中存放電 荷的部分)，然后利用不同電位的電荷，透過內(nèi)存儲(chǔ)存格的電壓控制精準(zhǔn)讀寫，在同樣大小 的硅晶圓片上，MLC閃存的儲(chǔ)存容量可以是SLC閃存容量的兩倍，MLC閃存的單位成本價(jià)格 更低。SLC閃存和MLC閃存的讀取速度很接近，因?yàn)殚W存讀取是用電壓比較器來比較輸出 電壓和一個(gè)域值，其速度不受SLC和MLC結(jié)構(gòu)的影響。但MLC的寫入速度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)慢于SLC。 由于MLC閃存Si材料性能的下降，SLC閃存的耐久性是MLC閃存的十倍，所以，MLC閃存通 常被用作消費(fèi)類的儲(chǔ)存器，而SLC閃存被用于工業(yè)級(jí)的儲(chǔ)存器。 閃存芯片由多個(gè)塊存儲(chǔ)單元組成，而每個(gè)塊存儲(chǔ)單元由多個(gè)頁存儲(chǔ)單元組成。閃 存芯片的擦除以閃存塊為單元，而讀寫則以閃存頁為單元。每個(gè)閃存塊單元只有有限的擦 除和寫入的次數(shù)，這次數(shù)基本上決定了閃存固態(tài)盤的壽命。所以， 一個(gè)閃存系統(tǒng)通常采用一 種均衡算法，致使閃存芯片內(nèi)的所有閃存塊具有大約一致的擦除和寫入次數(shù)，以避免過分 擦除和寫入部分閃存塊，從而達(dá)到延長閃存固態(tài)盤壽命的目的。 閃存芯片的某些塊單元可能在閃存廠家出廠時(shí)已受到損壞，不能用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)， 在閃存芯片的使用過程中，也可能受到損壞，所以，一個(gè)閃存系統(tǒng)通常需要管理受到損壞的 閃存塊單元。閃存系統(tǒng)需要有效的管理閃存陣列，以提高閃存固態(tài)盤的性能和容量， 并同時(shí)提高可靠性和壽命。 正在申請的美國專利(60,875,328)提供了一種有效的閃存陣列管理辦法。該專 利系統(tǒng)主要包括一個(gè)微處理器、閃存陣列控制器、內(nèi)部高速緩存和閃存芯片陣列。不同的閃 存控制器用來控制不同的閃存列，而每個(gè)閃存控制器用一個(gè)共享的閃存總線，通過芯片片 選來控制這列之內(nèi)的所有行閃存芯片。 這類閃存陣列通常由同種閃存芯片組成，或是SLC、或是MLC。SLC組成的閃存陣列 可以提供更高的可靠性和更長的壽命，但其儲(chǔ)存容量較??；MLC組成的閃存陣列可以提供 比較大的容量，但其可靠性較差，壽命較短。 有很多現(xiàn)有的專利技術(shù)運(yùn)用同類閃存芯片來設(shè)計(jì)儲(chǔ)存系統(tǒng)。 閃存芯片陣列的管理通常由許多管理表格組成，如本專利的申請者正在申請的美 國專利(60,875,328)中所述。該管理系統(tǒng)采用了諸多的閃存數(shù)據(jù)管理表格，這包括以下表 格 1 、邏輯地址到物理地址之影射表 2、物理地址表，用于管理閃存塊單元的均衡算法 3、閃存塊擦除隊(duì)列，用于存儲(chǔ)將需要擦除的閃存塊單元 4、閃存塊就緒隊(duì)列，用于存儲(chǔ)可以寫入新數(shù)據(jù)的閃存塊單元 5、冗余閃存塊清單，用于替換損壞的閃存塊單元 6、損壞的閃存塊單元清單，用于管理已損壞的閃存塊單元 由于主機(jī)用邏輯地址對數(shù)據(jù)進(jìn)行塊操作，閃存管理系統(tǒng)對主機(jī)的文件系統(tǒng)沒有任 何維護(hù)，所以，閃存數(shù)據(jù)管理表格任何損壞，可能損壞諸多的系統(tǒng)或用戶文件。在一個(gè)閃存 管理系統(tǒng)中， 一個(gè)很重要的任務(wù)就是維護(hù)好閃存數(shù)據(jù)管理表格，使之不受到損壞，或是如果 受到損壞，閃存管理系統(tǒng)應(yīng)該提供一種辦法可以恢復(fù)受到損壞的表格。維護(hù)好閃存數(shù)據(jù)管 理表格，對提高閃存固態(tài)盤的可靠性起著決定性的作用。 由于閃存內(nèi)部和外部的因素，閃存塊存儲(chǔ)單元在使用過程中會(huì)受到損壞，其錯(cuò)碼 率可能超過ECC的糾錯(cuò)能力，甚至?xí)艿接谰玫膿p壞，在此情況下，軟件將讀取不到正確的 閃存數(shù)據(jù)管理表格。SLC閃存芯片通常用于要求高性能、高可靠性和長壽命的領(lǐng)域，但單位 價(jià)格相對較高、容量較?。籑LC閃存芯片通常多用于對單位價(jià)格比較敏感的領(lǐng)域。使用SLC 架構(gòu)的閃存固態(tài)盤雖然在使用性能上具有一定的優(yōu)勢，但是制造成本較高，同時(shí)容量比較 ?。欢褂肕LC構(gòu)架雖然具有成本低廉、單片容量較SLC成倍增大，但是MLC的寫入速度要 慢于SLC，同時(shí)由于閃存Si材料性能的下降，MLC的使用期限沒有SLC長。因此如何在控制 成本的前提下，進(jìn)一步增加閃存固態(tài)盤的容量并提高可靠性便成為本領(lǐng)域需研究解決的問 題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種復(fù)合型閃存固態(tài)盤，其可以在控制成本 的前提下，進(jìn)一步增加復(fù)合型閃存固態(tài)盤的容量并具有高可靠性和更長的使用壽命。 為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所述的復(fù)合型閃存固態(tài)盤是一種由MLC閃存 芯片和SLC閃存芯片混合組成的大容量閃存系統(tǒng)，其包括通過閃存總線連接的至少一個(gè)
4微處理器，至少一個(gè)主機(jī)接口 ，至少一個(gè)內(nèi)部緩存，多個(gè)閃存控制器和閃存芯片陣列，閃存 陣列被分成數(shù)行數(shù)列，不同閃存控制器控制不同的閃存列，而每個(gè)閃存控制器用一個(gè)共享 的閃存總線，通過芯片片選控制這列之內(nèi)的所有行閃存芯片，所述閃存芯片的陣列是N列 M+P (M， N， P皆為自然數(shù))行的結(jié)構(gòu)，其中N列M行閃存芯片由MLC閃存芯片組成，第M+l行 至第M+P行由SLC閃存芯片組成。 作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述閃存芯片的陣列為N列M+l行，N列M行閃 存芯片由MLC閃存芯片組成，第M+l行由SLC閃存芯片組成。 作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述N列M行的MLC閃存芯片作為用戶區(qū)，其余 SLC閃存芯片作為系統(tǒng)區(qū)。 作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述N列M行的MLC閃存芯片使用連續(xù)的低位 地址空間，其余SLC閃存芯片使用連續(xù)的高位地址空間。 作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述的閃存芯片的行數(shù)與列數(shù)為2的指數(shù)次 本實(shí)用新型主要用于以下閃存存儲(chǔ)裝置，這包括一個(gè)微處理器、一個(gè)或多個(gè)主機(jī) 接口、內(nèi)部高速緩存、多個(gè)閃存控制器和閃存芯片陣列。閃存存儲(chǔ)裝置通過主機(jī)接口接收到 主機(jī)應(yīng)用程序發(fā)來的操作命令，然后接口把命令傳給接口控制器，由接口控制器中的嵌入 式軟件以及微控制器把主機(jī)命令解析成底層的操作命令，然后發(fā)給閃存控制器，最后閃存 控制器把命令解析成閃存控制信號(hào)，來控制閃存陣列的操作。閃存陣列被分成數(shù)行數(shù)列，不 同的閃存控制器用來控制不同的閃存列，而每個(gè)閃存控制器用一個(gè)共享的閃存總線，通過 芯片片選來控制這列之內(nèi)的所有行閃存芯片。每行每列上的基本閃存存儲(chǔ)單元由一或二片 閃存芯片組成。 閃存陣列通常由同種閃存芯片組成，閃存陣列由閃存行和閃存列組成，對其任何 一行或任何一列都可以進(jìn)行并行讀寫，所以閃存陣列的讀取速度將取決于同時(shí)讀取的閃存 陣列行或列中最慢的閃存芯片。對于并行讀寫閃存陣列行或列的結(jié)構(gòu)，顯而易見，用同種閃 存芯片組成的陣列具有最佳的并行讀寫性能。為了簡化主機(jī)邏輯地址的譯碼，陣列的行數(shù) 和列數(shù)通常是2的指數(shù)次冪，比如N列M行，N = 2'n， M = 2'm. 本實(shí)用新型顯示了一種新的N列M+l行的閃存陣列結(jié)構(gòu)，其中N列M行閃存芯片
由MLC閃存芯片組成，最后一行由SLC閃存芯片組成，該實(shí)用新型具有以下特點(diǎn)可擴(kuò)展的
閃存陣列結(jié)構(gòu)，可以保持像MLC閃存芯片組成的閃存系統(tǒng)的大容量的特點(diǎn)，又可以具有像
SLC閃存芯片組成的閃存系統(tǒng)的高可靠性和高性能的特點(diǎn)，使閃存系統(tǒng)的性能價(jià)格比達(dá)到
最佳；可以最佳的分配系統(tǒng)區(qū)和用戶區(qū)，即用戶區(qū)由所有MLC閃存芯片組成，系統(tǒng)區(qū)由所有
SLC閃存芯片組成。系統(tǒng)區(qū)通常用于儲(chǔ)存和儲(chǔ)存器相關(guān)的重要數(shù)據(jù)，比如以前描述過的諸多
的閃存數(shù)據(jù)管理表格、操作系統(tǒng)及其數(shù)據(jù)、以及經(jīng)常被讀取的數(shù)據(jù)，比如操作系統(tǒng)的數(shù)據(jù)交
換區(qū)。對這類數(shù)據(jù)，不但要求盡快的讀取速度，而且要求讀取的高可靠性。 在邏輯地址的映射上，系統(tǒng)區(qū)和用戶區(qū)可以很容易被分開，用戶區(qū)占用連續(xù)的低
位地址空間，系統(tǒng)區(qū)占用連續(xù)的高位地址空間，這樣，用戶區(qū)或系統(tǒng)區(qū)的閃存陣列的行和列
可以被并行讀取，就像僅由MLC或SLC閃存芯片組成的陣列。 為了降低由于閃存數(shù)據(jù)管理表格損壞而造成的閃存系統(tǒng)或用戶數(shù)據(jù)的丟失，閃存 管理系統(tǒng)應(yīng)對閃存數(shù)據(jù)管理表格進(jìn)行特殊處理。本實(shí)用新型就是將閃存數(shù)據(jù)管理表格儲(chǔ)存于更可靠的儲(chǔ)存體中，對一個(gè)MLC組成的閃存陣列，將數(shù)據(jù)管理表格儲(chǔ)存于SLC閃存芯片 中。閃存數(shù)據(jù)管理表格被經(jīng)常存取，所以加速其存取的速度，會(huì)直接提高儲(chǔ)存器的讀取性 能，在一個(gè)由MLC組成的大容量閃存系統(tǒng)中，利用SLC來存儲(chǔ)閃存數(shù)據(jù)管理表格是一種提高 其可靠性的辦法。由于使用高可靠性的SLC閃存芯片來儲(chǔ)存系統(tǒng)數(shù)據(jù)，這種系統(tǒng)可以達(dá)到 像SLC閃存系統(tǒng)一樣的高可靠性和長壽命，同時(shí)具有像MLC閃存系統(tǒng)同樣的大容量。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

圖1是現(xiàn)有的閃存存儲(chǔ)器系統(tǒng)的構(gòu)成示意圖。 圖2是現(xiàn)有的閃存存儲(chǔ)器陣列的組成結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3是現(xiàn)有的邏輯地址到閃存陣列的行列映射示意圖。 圖4是本實(shí)用新型中的混合MLC和SLC閃存存儲(chǔ)器陣列的組成結(jié)構(gòu)示意圖。 圖5是本實(shí)用新型中的邏輯地址到閃存陣列的行列映射示意圖。 圖6是本實(shí)用新型中的閃存存儲(chǔ)器陣列的組成結(jié)構(gòu)的概括化示意圖。
具體實(shí)施方式圖1可以最佳的來解釋本實(shí)用新型的應(yīng)用，以達(dá)到更加優(yōu)越的存儲(chǔ)性能。被展示 的存儲(chǔ)設(shè)備100包括一個(gè)嵌入式微處理器IIO，一個(gè)主機(jī)接口 160和一個(gè)主機(jī)接口控制器 161，一個(gè)緩沖存儲(chǔ)器120，一個(gè)內(nèi)部總線130，閃存列控制器140，和一個(gè)閃存芯片陣列150。 閃存列控制器的數(shù)量和在每個(gè)列模塊中閃存芯片的數(shù)量是依賴于系統(tǒng)而配置的。 嵌入式微處理器110實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器100的計(jì)算和控制功能。特別是，微處理器IIO接 收從主機(jī)接口 160發(fā)來的存儲(chǔ)信號(hào)，解碼并執(zhí)行命令。為了完成主機(jī)的命令，微處理器IIO 需根據(jù)最佳系統(tǒng)性能的要求去控制何時(shí)和如何將數(shù)據(jù)用閃存列控制器140a到140h里的 FlashDMA傳送于閃存存儲(chǔ)器陣列150和緩沖存儲(chǔ)器120之間；控制何時(shí)和如何將數(shù)據(jù)用主 機(jī)接口控制器160里的HostDMA傳送于緩沖存儲(chǔ)器120和主機(jī)接口 160之間。 閃存控制器140包括一系列列模塊控制器140a到140h。每一個(gè)列模塊控制器和 它的FlashDMA，通過共享的閃存總線，控制著一個(gè)閃存列(150a or 150bor… or 150h)，每 個(gè)列模塊包括一系列閃存行單元。在現(xiàn)有的閃存存儲(chǔ)器中，每個(gè)閃存行都是一個(gè)獨(dú)立的物 理存儲(chǔ)器芯片。列模塊控制器通過芯片片信號(hào)把數(shù)據(jù)傳輸?shù)矫總€(gè)閃存器件上。當(dāng)某個(gè)閃存 行的數(shù)據(jù)傳輸已結(jié)束，并且該行的數(shù)據(jù)還在忙于寫入時(shí)，閃存芯片允許其片選信號(hào)被取消 掉。因而，所有需要傳輸至每一個(gè)閃存列的數(shù)據(jù)能被流水線式的排列于列模塊控制數(shù)據(jù)總 線上。 圖2顯示了現(xiàn)有的閃存存儲(chǔ)器陣列的組成結(jié)構(gòu)。閃存陣列被組織成具有行和列的 矩陣形式，不同的閃存控制器用來控制不同的閃存列，而每個(gè)閃存控制器用一個(gè)共享的閃 存總線，通過芯片片選來控制這列之內(nèi)的所有行閃存芯片。每行每列上的基本閃存存儲(chǔ)單 元由一或二片閃存芯片組成。為了簡化主機(jī)邏輯地址的譯碼，陣列的行數(shù)和列數(shù)通常是2 的指數(shù)次冪，比如N列M行，N = 2'n，M = 2'm。為了使閃存列能夠被并行讀取，以及流水式 的讀取每個(gè)列上的所有行閃存芯片，并達(dá)到最佳的系統(tǒng)性能，這些NxM個(gè)閃存芯片應(yīng)該具 有同樣的類型。[0042] 圖3顯示了現(xiàn)有的技術(shù)是如何將邏輯地址映射到閃存陣列的行與列。在這個(gè)例子 中，復(fù)合型閃存固態(tài)盤的總?cè)萘渴?56G字節(jié)，閃存頁的大小是2K字節(jié)，閃存陣列有4行4 列，圖中顯示了二種不同的映射 (1)歹lj地址=邏輯地址位3到2 ，行地址=邏輯地址位5到4 (1)歹l」地址=邏輯地址位5到4 ，行地址=邏輯地址位3到2 圖4顯示了本實(shí)用新型中的混合MLC和SLC閃存存儲(chǔ)器陣列的組成結(jié)構(gòu)。圖中保 留了 NxM個(gè)MLC閃存組成的陣列，但增加了一個(gè)新行，用SLC閃存芯片組成，該新增加的行 用一個(gè)新增加的片選來選擇，這一結(jié)構(gòu)保留了 MLC閃存陣列的大容量低成本的特點(diǎn)。 SLC閃存的總擦除次數(shù)是MLC閃存的十倍，利用混合復(fù)合型閃存固態(tài)盤中的SLC閃 存來儲(chǔ)存復(fù)合型閃存固態(tài)盤中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)和經(jīng)常讀取的數(shù)據(jù)，比如復(fù)合型閃存固態(tài)盤的管 理數(shù)據(jù)、經(jīng)常讀取的交換區(qū)數(shù)據(jù)，可以提高復(fù)合型閃存固態(tài)盤的可靠性和經(jīng)久性?；旌蠌?fù)合 型閃存固態(tài)盤中的MLC閃存可以用來儲(chǔ)存大容量的用戶數(shù)據(jù)。 將MLC閃存和SLC閃存混合在同一復(fù)合型閃存固態(tài)盤內(nèi)，達(dá)到最佳的平衡，使其容
量和成本和MLC復(fù)合型閃存固態(tài)盤相近，可靠性和經(jīng)久性和SLC閃存相近。 圖5顯示了本實(shí)用新型如何將邏輯地址映射到閃存陣列的行和列上。在這個(gè)所示
的例子中，由MLC閃存組成的256G字節(jié)陣列保留在了低256G字節(jié)地址，由SLC閃存組成的
區(qū)域被映射到高于256G字節(jié)的地址。由于MLC閃存組成的256G字節(jié)陣列在連續(xù)的邏輯地
址空間上，行和列的并行讀取能力被保留了下來。 圖6顯示了本實(shí)用新型中的閃存存儲(chǔ)器陣列的組成結(jié)構(gòu)的概括化。不同于只增加 一行SLC閃存，可以增加二行或更多行SLC閃存，以增加系統(tǒng)區(qū)的容量，或可以用部分SLC 閃存區(qū)域來儲(chǔ)存用戶數(shù)據(jù)。
權(quán)利要求一種復(fù)合型閃存固態(tài)盤，包括通過閃存總線連接的至少一個(gè)微處理器，至少一個(gè)主機(jī)接口，至少一個(gè)內(nèi)部緩存，多個(gè)閃存控制器和閃存芯片陣列，閃存陣列被分成數(shù)行數(shù)列，不同閃存控制器控制不同的閃存列，而每個(gè)閃存控制器用一個(gè)共享的閃存總線，通過芯片片選控制這列之內(nèi)的所有行閃存芯片，其特征在于所述閃存芯片的陣列是N列M+P行的結(jié)構(gòu)，M，N，P皆為自然數(shù)，其中N列M行閃存芯片由MLC閃存芯片組成，第M+1行至第M+P行由SLC閃存芯片組成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的復(fù)合型閃存固態(tài)盤，其特征在于所述閃存芯片的陣列為N列M+l行，N列M行閃存芯片由MLC閃存芯片組成，第M+l行由SLC閃存芯片組成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合型閃存固態(tài)盤，其特征在于所述N列M行的MLC閃存芯片作為用戶區(qū)存儲(chǔ)用，其余SLC閃存芯片作為系統(tǒng)區(qū)存儲(chǔ)用。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合型閃存固態(tài)盤，其特征在于所述N列M行的MLC閃存芯片使用連續(xù)的低位地址空間，其余SLC閃存芯片使用連續(xù)的高于低位地址的高位地址空間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合型閃存固態(tài)盤，其特征在于所述由MLC閃存組成的256G字節(jié)陣列保留在低256G字節(jié)地址，由SLC閃存組成的區(qū)域被映射到高于256G字節(jié)的地址。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合型閃存固態(tài)盤，其特征在于所述的閃存芯片的行數(shù)與列數(shù)為2的指數(shù)次冪。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種復(fù)合型閃存固態(tài)盤，該實(shí)用新型可擴(kuò)展閃存陣列結(jié)構(gòu)，可以保持像MLC閃存芯片組成的閃存系統(tǒng)的大容量的特點(diǎn)，又可以具有像SLC閃存芯片組成的閃存系統(tǒng)的高可靠性和高性能的特點(diǎn)，使閃存系統(tǒng)的性能價(jià)格比達(dá)到最佳；同時(shí)可以最佳的分配系統(tǒng)區(qū)和用戶區(qū)，即用戶區(qū)由所有MLC閃存芯片組成，系統(tǒng)區(qū)由所有SLC閃存芯片組成，系統(tǒng)區(qū)通常用于儲(chǔ)存重要數(shù)據(jù)。
文檔編號(hào)G11C7/10GK201527801SQ20092003959
公開日2010年7月14日 申請日期2009年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月17日
發(fā)明者莊志青, 黃明 申請人:常州南基天盛科技有限公司;蘇州亮智科技有限公司