專利名稱：集成閃存式硬盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硬盤(pán)結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種多種存儲(chǔ)介質(zhì)共存、共用的硬盤(pán)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
硬盤(pán)是廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、電腦、數(shù)碼產(chǎn)品等儀器的一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，現(xiàn)有的普通硬盤(pán)都是將全部的數(shù)據(jù)以磁性信號(hào)的形式存儲(chǔ)在硬盤(pán)內(nèi)的磁性盤(pán)片上的，因此，無(wú)論對(duì)硬盤(pán)上數(shù)據(jù)的讀/寫(xiě)、修改量的大小，都需要使整個(gè)盤(pán)片保持持續(xù)的勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，且由磁頭進(jìn)行多次反復(fù)的尋道、尋址操作。
實(shí)際上，硬盤(pán)上往往存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)，而這些數(shù)據(jù)的使用/修改頻率也往往相差很多。往往有少數(shù)一些數(shù)據(jù)的使用/修改量要占到整塊硬盤(pán)內(nèi)全部數(shù)據(jù)使用/修改量的絕大部分，比如電腦硬盤(pán)中的操作系統(tǒng)數(shù)據(jù)。
這樣便存在這以下兩個(gè)問(wèn)題一、硬盤(pán)盤(pán)片局部因?yàn)榻?jīng)常過(guò)于頻繁的工作，會(huì)比較容易老化，甚至出現(xiàn)壞道，導(dǎo)致硬盤(pán)頻繁的出現(xiàn)故障，甚至過(guò)早的損壞。
二、由于使用頻繁的數(shù)據(jù)往往不是連續(xù)數(shù)據(jù)，所以，經(jīng)常因?yàn)橐獙ぶ芬幌盗泻苄〉臄?shù)據(jù)而消耗相對(duì)較多的時(shí)間，而讀取這些數(shù)據(jù)本身卻只需要相對(duì)較少的時(shí)間。也就是無(wú)端的浪費(fèi)大量的時(shí)間由磁頭進(jìn)行尋址操作，而非有效的讀/寫(xiě)操作。
實(shí)用新型內(nèi)容為了彌補(bǔ)以上不足，本實(shí)用新型提供一種集成閃存存儲(chǔ)單元的新式硬盤(pán)結(jié)構(gòu)。
在硬盤(pán)上增加集成一個(gè)閃存式存儲(chǔ)單元，這樣，硬盤(pán)就具備了兩種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)——閃存和磁性盤(pán)片。
因?yàn)殚W存的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作是純電流的工作，而非機(jī)械工作，所以不會(huì)因?yàn)檫^(guò)于頻繁的工作而導(dǎo)致機(jī)械老化或損壞，所以集成閃存式硬盤(pán)的故障率將比傳統(tǒng)硬盤(pán)更低，且擁有更長(zhǎng)的使用壽命。
因?yàn)殚W存的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作是純電流的工作，而非機(jī)械工作，所以不需要浪費(fèi)時(shí)間進(jìn)行尋址操作就可以直接進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作，所以，可以有效的減少整個(gè)讀寫(xiě)操作的耗時(shí)，提高硬盤(pán)的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)(存儲(chǔ))速率。
因?yàn)殚W存的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作所消耗的能量比傳統(tǒng)磁頭從磁性盤(pán)片上進(jìn)行讀寫(xiě)操作所消耗的能量要小的多，所以，集成閃存式硬盤(pán)的能量消耗將比傳統(tǒng)硬盤(pán)要低一些。
因?yàn)榧砷W存可以提供比傳統(tǒng)硬盤(pán)上集成的緩存更大的容量，所以，還可以由全部或部分的集成閃存作為硬盤(pán)的擴(kuò)展緩存，大幅度提高硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速率。
此外，閃存還可以通過(guò)多通道讀寫(xiě)技術(shù)，進(jìn)一步增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸?；進(jìn)一步提高其數(shù)據(jù)讀寫(xiě)(存儲(chǔ))速率，提高硬盤(pán)的整體性能。
本實(shí)用新型提供的集成閃存式硬盤(pán)比傳統(tǒng)硬盤(pán)的優(yōu)勢(shì)主要有四個(gè)方面一、更低的故障率；二、更長(zhǎng)的使用壽命；三、更快的數(shù)據(jù)傳輸率；四、更低的能量消耗。


圖1為本實(shí)用新型的集成閃存?zhèn)}式硬盤(pán)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的電路板板載集成閃存顆粒式硬盤(pán)結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型的擴(kuò)展接口擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器式硬盤(pán)結(jié)構(gòu)示意圖(未安裝“擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器”的狀態(tài))；圖4為本實(shí)用新型的擴(kuò)展接口擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器式硬盤(pán)結(jié)構(gòu)示意圖(安裝一個(gè)“擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器”的狀態(tài))；其中1硬盤(pán)2硬盤(pán)的磁性盤(pán)片3閃存?zhèn)}6硬盤(pán)的外部電路板7閃存顆粒11擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器倉(cāng)12第一擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器聯(lián)接接口13第二擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器聯(lián)接接口14集成閃存存儲(chǔ)器具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖說(shuō)明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
。
如圖1所示的集成閃存?zhèn)}式硬盤(pán)結(jié)構(gòu)，硬盤(pán)1、硬盤(pán)的磁性盤(pán)片2、閃存?zhèn)}3。閃存?zhèn)}3設(shè)置在硬盤(pán)1的內(nèi)部，閃存?zhèn)}3內(nèi)部可以安裝若干顆閃存顆粒，通過(guò)數(shù)據(jù)通路，為硬盤(pán)提供閃存存儲(chǔ)單元。
如圖2所示的電路板板載集成閃存顆粒式硬盤(pán)結(jié)構(gòu)，包括有硬盤(pán)1、硬盤(pán)的磁性盤(pán)片2、硬盤(pán)的外部電路板6和閃存顆粒7。閃存顆粒7直接集成安裝在硬盤(pán)的外部電路板6上，通過(guò)數(shù)據(jù)通路，為硬盤(pán)提供閃存存儲(chǔ)單元。
如圖3所示的擴(kuò)展接口擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器式硬盤(pán)結(jié)構(gòu)，包括有硬盤(pán)1、硬盤(pán)的磁性盤(pán)片2、擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器倉(cāng)11、第一擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器聯(lián)接接口12、第二擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器聯(lián)接接口13。在硬盤(pán)1上設(shè)置擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器倉(cāng)11(敞口)；第一擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器聯(lián)接接口12設(shè)置在擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器倉(cāng)11的合適位置上，第二擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器聯(lián)接接口13也設(shè)置在擴(kuò)展集成閃存存儲(chǔ)器倉(cāng)11的合適位置上(如果有必要，可以設(shè)置更多或更少的標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)展接口，如USB 2.0、CF、CF2、SM、SD、MMC等)；如圖4所示，在聯(lián)接上若干個(gè)集成閃存存儲(chǔ)器14(比如閃盤(pán)、記憶卡、記憶棒等)時(shí)，便可以由集成閃存存儲(chǔ)器為硬盤(pán)提供閃存存儲(chǔ)單元。
權(quán)利要求1.集成閃存式硬盤(pán)的結(jié)構(gòu)，包括基本的磁盤(pán)式硬盤(pán)和集成的閃存式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，其特征在于在所述的硬盤(pán)上，安裝或集成了閃存式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的集成閃存式硬盤(pán)的結(jié)構(gòu)，其特征是在傳統(tǒng)硬盤(pán)上通過(guò)設(shè)置專門(mén)的閃存?zhèn)}單元安裝閃存顆?；蛑苯釉谟脖P(pán)的控制電路板上集成安裝閃存顆粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的集成閃存式硬盤(pán)的結(jié)構(gòu)，其特征是在傳統(tǒng)硬盤(pán)上通過(guò)設(shè)置一種或多種標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)展接口，使得傳統(tǒng)硬盤(pán)可以通過(guò)這些擴(kuò)展接口接駁基于閃存介質(zhì)的存儲(chǔ)器，并共同完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)工作。
專利摘要本實(shí)用新型集成閃存式硬盤(pán)結(jié)構(gòu)是在傳統(tǒng)磁盤(pán)式硬盤(pán)的基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，為硬盤(pán)增加集成一個(gè)閃存存儲(chǔ)單元。在新型集成閃存式硬盤(pán)上，同時(shí)裝置了磁性盤(pán)片和閃存兩種存儲(chǔ)介質(zhì)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息，可以在成本相對(duì)傳統(tǒng)硬盤(pán)增加不多的情況下，大幅度地提升硬盤(pán)的各種性能，還可以增加硬盤(pán)的使用壽命和適用范圍。
文檔編號(hào)G11B23/20GK2879352SQ20062000804
公開(kāi)日2007年3月14日 申請(qǐng)日期2006年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月16日
發(fā)明者楊帥 申請(qǐng)人:楊帥