專利名稱：氮化物類半導(dǎo)體激光元件和光拾取裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氮化物類半導(dǎo)體激光元件和光拾取裝置，尤其涉及在諧振器端面形成 有電介質(zhì)多層膜的氮化物類半導(dǎo)體激光元件和光拾取裝置。
背景技術(shù)：
近年來，作為高密度光盤系統(tǒng)的光源，期望實(shí)現(xiàn)激光的短波長化和高輸出化，因此 開發(fā)有采用氮化物類半導(dǎo)體材料的振蕩波長A為約405nm的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器。
在現(xiàn)有的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，在構(gòu)成一對(duì)諧振器端面的光射出側(cè)端面和 光反射側(cè)端面上，以使得光反射側(cè)端面的反射率比光射出側(cè)端面的反射率更高的方式分別 形成有電介質(zhì)多層膜(端面覆蓋膜)。 尤其是，形成于光反射側(cè)端面的端面覆蓋膜大多利用將由Si02、Al203、Si3^和Zi^ 等其中的兩種電介質(zhì)形成的層以入/4的光學(xué)膜厚(=膜厚X折射率)交替層疊而成的反 射膜，以得到高的反射率。而且，在該反射膜和光反射側(cè)端面之間，為了防止反射膜的剝離、 氮化物類半導(dǎo)體與反射膜的反應(yīng)，形成有與反射膜不同的電介質(zhì)層。這樣的氮化物類半導(dǎo) 體激光元件，例如在(日本)特開2007-059897號(hào)公報(bào)、(日本)特開2007-109737號(hào)公報(bào) 及(日本)特開2007-243023號(hào)公報(bào)已公開。 在上述(日本)特開2007-059897號(hào)公報(bào)記載的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，例 如，在光反射側(cè)端面形成具有20nm的膜厚的由AlxOy形成的電介質(zhì)膜和具有40nm的膜厚 的由AlxOy形成的電介質(zhì)膜后，形成有將具有67nm的膜厚的Si02和具有44nm的膜厚的Zr02 交替層疊六對(duì)而成的反射鏡。 另外，在上述(日本)特開2007-109737號(hào)公報(bào)記載的氮化物類半導(dǎo)體激光裝置 中，例如，在光反射側(cè)端面形成具有51nm的膜厚的氮化硅層后，將具有69nm的膜厚的氧化 物層和具有51nm的膜厚的氮化硅層交替形成12層，最后形成有具有137nm的膜厚的氧化 物層。 另外，在上述(日本)特開2007-243023號(hào)公報(bào)記載的氮化物類半導(dǎo)體激光元件 中，例如，在光反射側(cè)端面形成具有80nm的膜厚的非結(jié)晶的氧化鋁后，交替形成有4層具有 71nm的膜厚的氧化硅膜和具有46nm的膜厚的氧化鈦膜。 但是，在上述(日本)特開2007-059897號(hào)公報(bào)、(日本)特平2007-109737號(hào)公 報(bào)及(日本)特開2007-243023號(hào)公報(bào)所公開的現(xiàn)有技術(shù)的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中， 在光輸出大的情況下，容易發(fā)生光反射側(cè)的端面覆蓋膜的劣化、剝離，尤其是熱能量和光能 量相對(duì)較大的接近光反射側(cè)端面的一側(cè)的端面覆蓋膜容易發(fā)生劣化。另外，當(dāng)端面覆蓋膜 的一部分發(fā)生劣化時(shí)，存在如下問題發(fā)生了折射率的變動(dòng)及光吸收的增加的劣化區(qū)域容易向周圍擴(kuò)展，容易對(duì)端面覆蓋膜整體的光學(xué)特性產(chǎn)生影響。其結(jié)果是，存在激光元件的動(dòng) 作特性的穩(wěn)定性和可靠性下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明者經(jīng)過銳意的研究，發(fā)現(xiàn)通過令現(xiàn)有技術(shù)的端面覆蓋膜中的形成 于反射膜和半導(dǎo)體元件之間的電介質(zhì)多層膜為下述的結(jié)構(gòu)，即使在進(jìn)行高輸出動(dòng)作時(shí)，也 能夠得到充分的可靠性。 S卩，本發(fā)明的第一方面的氮化物類半導(dǎo)體激光元件包括氮化物類半導(dǎo)體元件層， 其具有光射出側(cè)端面和光反射側(cè)端面；以及端面覆蓋膜，其包括形成在光反射側(cè)端面上的 變質(zhì)防止層和形成在變質(zhì)防止層上的反射率控制層，反射率控制層由交替層疊的高折射率 層和低折射率層構(gòu)成，變質(zhì)防止層層疊有兩層以上的層，并且各層分別由利用氮化物、氧化 物或氮氧化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成，變質(zhì)防止層具有與光反射側(cè)端面相接的由利用氮化物 形成的電介質(zhì)層構(gòu)成的第一層，構(gòu)成變質(zhì)防止層的各層的厚度小于高折射率層的厚度，并 且小于低折射率層的厚度。 另外，在本發(fā)明中，"光射出側(cè)端面"和"光反射側(cè)端面"根據(jù)在形成于氮化物類半
導(dǎo)體激光元件的一對(duì)諧振器端面，從各個(gè)端面射出的激光的光強(qiáng)度的大小關(guān)系進(jìn)行區(qū)別。
即，從端面射出的激光的光強(qiáng)度相對(duì)較大的一方為光射出側(cè)端面，相對(duì)較小的一方為反射
側(cè)端面。另外，在本發(fā)明中，所謂"反射率控制層"，實(shí)質(zhì)上是指反射激光的層的廣義的概念。
另外，在本發(fā)明中，關(guān)于"高折射率"及"低折射率"，構(gòu)成反射率控制層的兩種電介質(zhì)層中，
折射率相對(duì)較大的一方為高折射率層，折射率相對(duì)較小的一方為低折射率層。 在本發(fā)明的第一方面的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，如上所述，通過在光反射側(cè)
端面和反射率控制層之間形成變質(zhì)防止層，能夠分開反射率控制層和光反射側(cè)端面的距
離，因此能夠減少作用于反射率控制層的熱能量及光能量。其結(jié)果是，構(gòu)成反射率控制層的
各層不容易變質(zhì)或劣化，故在進(jìn)行高輸出動(dòng)作時(shí)，也能夠抑制端面覆蓋膜從光反射側(cè)端面
的剝離、及端面覆蓋膜的特性反射率的變化，能夠提高氮化物類半導(dǎo)體激光元件的動(dòng)作特
性的穩(wěn)定性及可靠性。 此時(shí)，在變質(zhì)防止層中，在光反射側(cè)端面上層疊有多個(gè)比高折射率層的膜厚小并 且比低折射率的膜厚也小的層。由此，在容易劣化的諧振器端面?zhèn)?，即使在變質(zhì)防止層中的 一層發(fā)生變質(zhì)或劣化的情況下，其劣化也容易在各層的界面停止，因此能夠抑制周圍的層 變質(zhì)或劣化。另外，變質(zhì)防止層由于構(gòu)成變質(zhì)防止層的層的膜厚如上所述那樣設(shè)定得較小， 所以不易對(duì)端面覆蓋膜整體的反射特性產(chǎn)生影響。而且，如上所述，即使在變質(zhì)防止層中的 一層發(fā)生變質(zhì)或劣化的情況下，由于其區(qū)域小，所以也能夠抑制變質(zhì)防止層整體的折射率 的變動(dòng)。由此，能夠使得難以對(duì)端面覆蓋膜整體的反射特性產(chǎn)生影響。 另外，由于構(gòu)成變質(zhì)防止層的各層的膜厚如上所述較小，所以能夠?qū)⒏鲗拥膽?yīng)力 抑制得較小。由此，不易引起各層間的剝離，而且，也能夠充分緩和形成于其上的厚的反射 率控制層的應(yīng)力。 另外，由于構(gòu)成變質(zhì)防止層的各層由氮化物、氧化物或氮氧化物構(gòu)成，所以各層的 變質(zhì)不易進(jìn)一步向周圍擴(kuò)展。尤其在由氮化物或氮氧化物形成的層中，由于不容易發(fā)生在 氧化物的情況下可能發(fā)生的氧從層中的脫離，所以優(yōu)選利用由氮化物或氮氧化物形成的
5層。 另外，通過利用由氮化物構(gòu)成的電介質(zhì)層構(gòu)成變質(zhì)防止層的與反射側(cè)端面相接的
第一層，能夠抑制外部的氣氛、端面覆蓋膜中所含的氧向氮化物類半導(dǎo)體元件層的擴(kuò)散。由
此，因?yàn)榈镱惏雽?dǎo)體元件層的光反射側(cè)端面不易氧化，所以在光反射側(cè)端面不容易產(chǎn)
生成為激光的吸收及發(fā)熱的原因的非發(fā)光再結(jié)合能級(jí)。其結(jié)果是，能夠抑制光反射側(cè)端面
處的破壞性的光學(xué)損傷(COD -Catastrophic OpticalDamage)的發(fā)生。 在上述第一發(fā)明的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，優(yōu)選變質(zhì)防止層還具有和第一層
的與光反射側(cè)端面相反的一側(cè)相接的由利用氧化物或氮氧化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成的第
二層。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)橛杀鹊谝粚拥膽?yīng)力小的材料形成的第二層與第一層相接，所以
利用與第一層相接的第二層，能夠容易地緩和由氮化物構(gòu)成的第一層所具有的應(yīng)力。 在此情況下，優(yōu)選變質(zhì)防止層還具有與第一層分別地形成的、并且和第二層的與
第一層相反的一側(cè)相接的由利用氮化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成的第三層。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，
因?yàn)樵谧冑|(zhì)防止層中包括多個(gè)(第一層和第三層這兩層)由氮化物形成的電介質(zhì)層，所以
能夠進(jìn)一步抑制外部的氣氛、端面覆蓋膜中所含的氧向氮化物類半導(dǎo)體層的擴(kuò)散。另外，即
使在由這些氮化物形成的電介質(zhì)層之間進(jìn)一步形成有由氧化物或氮氧化物形成的電介質(zhì)
層(第二層)，由于氧難以從由該氧化物或氮氧化物形成的電介質(zhì)層擴(kuò)散，所以能夠抑制由
該氧化物或氮氧化物形成的電介質(zhì)層的變質(zhì)，并且，還能夠抑制其它的電介質(zhì)層的變質(zhì)及
光反射側(cè)端面的氧化。 在上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，優(yōu)選第一層為A1N。根據(jù)這樣的結(jié) 構(gòu)，利用由A1N構(gòu)成的氮化膜，能夠容易地抑制外部的氣氛、端面覆蓋膜中所含的氧向氮化 物類半導(dǎo)體元件層(光反射側(cè)端面)的擴(kuò)散。 在具有上述第三層的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選第二層為Al203或A10N。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于 利用作為氧化膜的A1203或作為氮氧化膜的A10N，能夠緩和施加在由氮化物形成的第一層 和第三層之間的應(yīng)力，所以能夠抑制第一層和第三層的剝離。 在具有上述第三層的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選第三層為A1N。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，利用由A1N構(gòu) 成的氮化膜，能夠容易地抑制外部的氣氛中含有的氧向第二層的擴(kuò)散。由此，能夠進(jìn)一步抑 制外部的氣氛、端面覆蓋膜中所含的氧向氮化物類半導(dǎo)體元件層(光反射側(cè)端面)的擴(kuò)散， 因此能夠容易抑制變質(zhì)防止層從光反射側(cè)端面的剝離。 在具有上述第三層的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選變質(zhì)防止層還具有和第三層的與第二層相反的 一側(cè)相接的由利用氧化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成的第四層。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠借助于由 氧化物形成的第四層，容易地在變質(zhì)防止層的與光反射側(cè)端面相反的一側(cè)的表面上形成光 反射率控制層。 在上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，優(yōu)選端面覆蓋膜還包括形成于變 質(zhì)防止層和反射率控制層之間的、由氧化物或氮氧化物形成的界面層。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能 夠?qū)⒎瓷渎士刂茖雍凸夥瓷鋫?cè)端面的距離分開界面層的厚度的量，因此能夠減少作用于反 射率控制層的熱能量及光能量。其結(jié)果是，能夠使構(gòu)成反射率控制層的各層不易變質(zhì)。另 外，因?yàn)槔媒缑鎸?，能夠緩和施加于變質(zhì)防止層和反射率控制層之間的應(yīng)力，所以能夠抑 制變質(zhì)防止層和反射率控制層的剝離。 在此情況下，優(yōu)選界面層由與反射率控制層相接的層和與變質(zhì)防止層相接的層形成。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)槟軌蚶眠m于實(shí)現(xiàn)與反射率控制層和變質(zhì)防止層的各自的層的 緊貼性的材料形成界面層，所以能夠抑制反射率控制層、變質(zhì)防止層的各自的層與界面層 的剝離。 在上述界面層由與反射率控制層、變質(zhì)防止層的各自的層相接的層形成的結(jié)構(gòu) 中，優(yōu)選與反射率控制層相接的構(gòu)成界面層的層含有與反射率控制層相同的元素。根據(jù)這 樣的結(jié)構(gòu)，能夠容易地提高與反射率控制層相接的構(gòu)成界面層的層和反射率控制層之間的 緊貼性。 在此情況下，優(yōu)選與反射率控制層相接的構(gòu)成界面層的層由Si02形成。根據(jù)這樣 的結(jié)構(gòu)，能夠容易地形成能夠提高與反射率控制層的緊貼性的層(構(gòu)成界面層的層)，同時(shí) 能夠抑制光學(xué)的、熱的劣化，因此能夠進(jìn)一步提高氮化物類半導(dǎo)體激光元件的動(dòng)作特性的
可靠性。 在上述界面層由與反射率控制層和變質(zhì)防止層的各自的層相接的層形成的結(jié)構(gòu) 中，優(yōu)選與變質(zhì)防止層相接的構(gòu)成界面層的層含有與變質(zhì)防止層相同的金屬元素。根據(jù)這 樣的結(jié)構(gòu)，能夠容易地提高與變質(zhì)防止層相接的構(gòu)成界面層的層和變質(zhì)防止層之間的緊貼 性。 在此情況下，優(yōu)選與變質(zhì)防止層相接的構(gòu)成界面層的層由八1203形成。根據(jù)這樣的 結(jié)構(gòu)，能夠容易地形成能夠提高與變質(zhì)防止層的緊貼性的層(構(gòu)成界面層的層)。
在上述端面覆蓋膜包括界面層的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選氮化物類半導(dǎo)體元件層還具有發(fā)光 層，在發(fā)光層發(fā)出的激光的波長為A的情況下，構(gòu)成界面層的層的光學(xué)膜厚設(shè)定為A/4以 上。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)一步提高氮化物類半導(dǎo)體激光元件的動(dòng)作特性的可靠性。
在上述端面覆蓋膜包括界面層的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選構(gòu)成界面層的層的厚度大于構(gòu)成變 質(zhì)防止層的各層的厚度。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠容易使反射率控制層和光反射側(cè)端面的距 離較大。 在上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，優(yōu)選構(gòu)成變質(zhì)防止層的各層含有 相同的金屬元素。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠提高構(gòu)成變質(zhì)防止層的各層間的緊貼性。
在上述第二層為A1203或A10N的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選第二層由A10N形成，并且，由A10N 形成的第二層的氮的組成比大于氧的組成比。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由氮氧化物形成的電介質(zhì) 層(第二層)與氧化物、氮化物相比，其膜密度高，且元素的結(jié)合狀態(tài)也牢固，因此難以變 質(zhì)。由此，能夠進(jìn)一步抑制外部的氣氛、端面覆蓋膜中所含的氧的擴(kuò)散。另外，由于A10N的 氮的組成比大于氧的組成比，所以能夠抑制第二層所含的氧向第一層、第三層擴(kuò)散的量。
在上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，優(yōu)選氮化物類半導(dǎo)體元件層還具 有發(fā)光層，在發(fā)光層發(fā)出的激光的波長為A的情況下，構(gòu)成變質(zhì)防止層的由電介質(zhì)層形成 的各層的光學(xué)膜厚分別設(shè)定為入/4以下。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠減小變質(zhì)防止層中的 應(yīng)力，所以能夠抑制變質(zhì)防止層中的各層相互剝離。另外，從光反射側(cè)端面射出的激光不受 變質(zhì)防止層的厚度影響地透過并到達(dá)反射率控制層。由此，能夠容易地抑制被設(shè)定為具有 希望的反射率的反射率控制層的反射率控制功能受到變質(zhì)防止層的影響。
在上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，優(yōu)選構(gòu)成變質(zhì)防止層的由電介質(zhì) 層形成的各層分別具有約10nm以上且約30nm以下的范圍的厚度。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于 能夠?qū)⒆冑|(zhì)防止層中的各層的應(yīng)力抑制得較小，所以能夠抑制變質(zhì)防止層中的各層相互剝離的情況。 在上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，優(yōu)選低折射率層由氧化物或氮氧 化物形成，并且，高折射率層由氮化物或氮氧化物形成。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，氧難以從由高折 射率層夾著的低折射率層擴(kuò)散，其中，該高折射率層由氮化物或氮氧化物形成，該低折射率 層由氧化物形成。其結(jié)果是，能夠抑制低折射率層的變質(zhì)，并且還能夠抑制光反射側(cè)端面的 氧化。 另外，在上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，優(yōu)選構(gòu)成反射率控制層的 高折射率層和低折射率層的光學(xué)膜厚分別為根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使反射率控制層 的反射率最大化。 另外，在上述第一方面的氮化物類半導(dǎo)體激光元件中，優(yōu)選低折射率層和高折射 率層為多結(jié)晶。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵诙嘟Y(jié)晶狀態(tài)下，元素的結(jié)合狀態(tài)更牢固，所以各層 的散熱性變得更高，并且相對(duì)于光能量及熱能量更穩(wěn)定，因此各層的膜質(zhì)更不容易變化。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提高進(jìn)行高輸出動(dòng)作時(shí)的氮化物類半導(dǎo)體激光元件的動(dòng)作特性 的穩(wěn)定性及可靠性。 本發(fā)明的第二方面的光拾取裝置包括氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其包括具有光 射出側(cè)端面和光反射側(cè)端面的氮化物類半導(dǎo)體元件層、以及端面覆蓋膜，該端面覆蓋膜包 括形成于光反射側(cè)端面上的變質(zhì)防止層和形成于變質(zhì)防止層上的反射率控制層；光學(xué)系 統(tǒng)，其控制氮化物類半導(dǎo)體激光元件的射出光；和光檢測部，其對(duì)射出光進(jìn)行檢測，反射率 控制層由交替地層疊的高折射率層和低折射率層形成，變質(zhì)防止層層疊有兩層以上的層， 并且，各層分別由利用氮化物、氧化物或氮氧化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成，變質(zhì)防止層具有與 光反射側(cè)端面相接的由利用氮化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成的第一層，構(gòu)成變質(zhì)防止層的各層 的厚度小于高折射率層的厚度，并且小于低折射率層的厚度。 在該第二方面的光拾取裝置中，因?yàn)榫邆淙缟纤鰳?gòu)成的氮化物類半導(dǎo)體激光元 件，所以在氮化物類半導(dǎo)體激光元件進(jìn)行高輸出動(dòng)作的情況下，也能夠抑制端面覆蓋膜從 光反射側(cè)端面的剝離、以及端面覆蓋膜的特性反射率的變化，因此能夠?qū)崿F(xiàn)氮化物類半導(dǎo) 體激光元件的動(dòng)作特性的穩(wěn)定性和可靠性得到提高的光拾取裝置。


圖1是用于說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件的結(jié)構(gòu)的示意 圖。 圖2是沿圖1的A-A線的截面圖。 圖3是用于說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件的結(jié)構(gòu)的截面 圖。 圖4是用于說明本發(fā)明的第6實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件的結(jié)構(gòu)的截面 圖。 圖5是用于說明本發(fā)明的第7實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件的結(jié)構(gòu)的截面 圖。 圖6是用于說明本發(fā)明的第8實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件的結(jié)構(gòu)的截面 圖。
圖7是表示安裝有本發(fā)明的第9實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件的激光裝置 的概略結(jié)構(gòu)的外觀立體圖。 圖8是安裝有本發(fā)明的第9實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件的激光裝置的卸 下殼封裝的蓋體后的狀態(tài)下的俯視圖。 圖9是內(nèi)置有安裝有本發(fā)明的第9實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件的激光裝 置的光拾取裝置的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。 [OOM](第1實(shí)施方式) 首先，參照?qǐng)D1及圖2，對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件100 的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。其中，圖1是氮化物類半導(dǎo)體激光元件100的截面圖，表示與激光的射出 方向(L方向)平行的截面。另外，圖1表示沿圖2的B-B線的截面。 本發(fā)明的第1實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件100具有約405nm的振蕩波長 入，如圖l及圖2所示，包括形成于由n型GaN構(gòu)成的基板l的上表面((OOOl)Ga面)上 的由氮化物類半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體元件層2 ;形成于半導(dǎo)體元件層2上的p側(cè)電極3 ;和形 成于基板l的下表面((OOOl)N面)上的n側(cè)電極4。另外，相對(duì)于激光的射出方向(L方 向)分別垂直地形成的半導(dǎo)體元件層2的光射出側(cè)端面2a和光反射側(cè)端面2b構(gòu)成一對(duì)諧 振器端面。 基板1具有約100 ii m的厚度，摻雜有具有約5X 1018cm—3的載流子濃度的氧。另 外，形成于基板1的上表面上的半導(dǎo)體元件層2由從基板1側(cè)開始依次形成的n型緩沖層 20、n型包(clad)層21、n型載流子阻擋22、n側(cè)導(dǎo)光層23、活性層24、p側(cè)導(dǎo)光層25、蓋層 26、p型包層27和p側(cè)接觸層28、以及形成于p型包層27上的電流狹窄層29構(gòu)成。另外， 在第1實(shí)施方式中，由n型載流子阻礙層22、n側(cè)導(dǎo)光層23、活性層24、p側(cè)導(dǎo)光層25和蓋 層26構(gòu)成本發(fā)明的"發(fā)光層"。 n型緩沖層20、n型包層21、n型載流子阻礙層(carrier blockinglayer) 22和n 側(cè)導(dǎo)光層23分別由具有約lOOnm的厚度的n型CaN、具有約2 y m的厚度的n型Al。.。7Ga。.93N、 具有約5nm的厚度的n型Al。. 16Ga。.84N和具有約lOOnm的厚度的非摻雜CaN構(gòu)成。另外，在 上述n型的各層20 22中摻雜有約5X 1018cm—3的Ge，具有約5X 1018cm—3的載流子濃度。
活性層24具有MQW結(jié)構(gòu)，該MQW結(jié)構(gòu)交替疊層有具有約20nm的厚度的由非摻雜 In。.。2Ga。.98N形成的4層的障壁層和具有約3nm的厚度的由非摻雜InaiGa。.9N形成的3層的 阱層。 p側(cè)導(dǎo)光層25、蓋層26和p側(cè)接觸層28分別由具有約lOOnm厚度的非摻雜GaN、 具有約20nm厚度的非摻雜Al。.化Ga。.84N、和具有約lOnm厚度的非摻雜In。.。2Ga。.98N構(gòu)成。
p型包層27摻雜有約4X 1019cm—3的Mg，由具有約5 X 1017cm—3的載流子濃度的p型 Al。.。7Ga。jN形成。另外，p型包層27包括具有約80nm厚度的平坦部27a、和具有約320nm 的高度及約1. 5 m的寬度且從平坦部27a突出的凸部27b。凸部27b形成為條狀，在與光 射出側(cè)端面2a和光反射側(cè)端面2b垂直的L方向([1-100]方向)上延伸。另外，p側(cè)接觸 層28僅形成在凸部27b上，由p型包層27的凸部27b和p側(cè)接觸層28形成有脊部2c。另
9外，如圖2所示，脊部2c形成于從元件中央偏向一方的側(cè)面?zhèn)鹊奈恢?，氮化物類半?dǎo)體激光 元件100具有左右非對(duì)稱的截面形狀。另外，在p型包層27的平坦部27a的上表面上及脊 部2c的側(cè)面上形成有具有約250nm的厚度、由Si02構(gòu)成的電流狹窄層29。
在半導(dǎo)體元件層2上形成有由p側(cè)歐姆電極31和p側(cè)墊電極32構(gòu)成的p側(cè)電極 3，該p側(cè)歐姆電極31形成于從電流狹窄層29露出的p側(cè)接觸層28上，該p側(cè)墊電極32 形成于P側(cè)歐姆電極31和電流狹窄層29上。p側(cè)歐姆電極31由從p側(cè)接觸層28側(cè)起依 次形成的具有約10nm厚度的Pt層和具有約100nm厚度的Pd層構(gòu)成。另外，p側(cè)墊電極32 由從P側(cè)歐姆電極31和電流狹窄層29側(cè)起依次形成的具有約100nm厚度的Ti層、具有約 100nm厚度的Pd層、以及具有約3 ii m厚度的Au層構(gòu)成。另外，在p型包層27的平坦部27a 的上方形成有P側(cè)墊電極32的引線接合部32a。 另外，n側(cè)電極4由從基板1側(cè)開始依次形成于基板1的下表面上的具有約10nm 厚度的Al層、具有約20nm厚度的Pd層、以及具有約300nm厚度的Au層形成。
在光射出側(cè)端面2a上形成有層疊有多個(gè)電介質(zhì)層的第一端面覆蓋膜5。第一端面 覆蓋膜5由從光射出側(cè)端面2a側(cè)起依次形成的具有約10nm厚度的由AlN構(gòu)成的第一變質(zhì) 防止層51、和具有約82nm厚度的由A1203形成的第一反射率控制層52構(gòu)成。另外，第一端 面覆蓋膜5的反射率通過上述結(jié)構(gòu)被設(shè)定為約8%。 在此，在第l實(shí)施方式中，在光反射側(cè)端面2b上形成有層疊有多個(gè)電介質(zhì)層的第 二端面覆蓋膜6。第二端面覆蓋膜6由從光反射側(cè)端面2b側(cè)開始依次形成的第二變質(zhì)防止 層61、具有約140nm厚度的由Si02形成的界面層62、和第二反射率控制層63構(gòu)成。其中， 界面層62的光學(xué)膜厚設(shè)定為A /4 (在令界面層62的折射率為n的情況下，界面層62的物 理膜厚為入/(4Xn))以上。其中，第二端面覆蓋膜6為本發(fā)明的"端面覆蓋膜"的一例，第 二變質(zhì)防止層61及第二發(fā)射率控制層63分別是本發(fā)明的"變質(zhì)防止層"及"反射率控制 層"的一例。 另外，在第1實(shí)施方式中，第二變質(zhì)防止層61由從光反射側(cè)端面2b側(cè)開始依次形 成的、具有約10nm厚度的由AlN構(gòu)成的第一層61a、具有約10nm厚度的由A1203構(gòu)成的第 二層61b、具有約10nm厚度的由AlN構(gòu)成的第三層61c、和具有約10nm厚度的由A1203構(gòu)成 的第四層61d構(gòu)成。另外，第二反射率控制層63具有交替各疊層有6層從第二變質(zhì)防止層 61側(cè)開始依次形成的、具有約70nm厚度的由Si02構(gòu)成的低折射率層63a、和具有約50nm厚 度的由Zr02構(gòu)成的高折射率層63b的結(jié)構(gòu)。在此，第一層61a 第四層61d的各層的光學(xué) 膜厚設(shè)定為入/4(在令各層的折射率為n的情況下，各層的物理膜厚為A/(4Xn))以下。 另外，低折射率層63a和高折射率層63b各自的光學(xué)膜厚設(shè)定為A /4(在令各層的折射率 為n的情況下，各層的物理膜厚為A/(4Xn))。其中，第一層61a、第二層61b、第三層61c 及第四層61d為本發(fā)明的"電介質(zhì)層"及"構(gòu)成變質(zhì)防止層的各層"的一例。
利用上述結(jié)構(gòu)，第二端面覆蓋膜6的反射率被設(shè)定為約98%。而且，第一端面覆蓋 膜5的反射率設(shè)定為比第二端面覆蓋膜6的反射率小，因此從第一端面覆蓋膜5側(cè)射出的 激光的強(qiáng)度大于從第二端面覆蓋膜6側(cè)射出的激光的強(qiáng)度。 接著，對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件100的制造工藝進(jìn)行 說明。 在氮化物類半導(dǎo)體激光元件100的制造工藝中，參照?qǐng)D1及圖2，首先利用有機(jī)金
10屬氣相外延(M0VPE)法，在具有約400iim厚度的基板l上依次形成n型緩沖層20、n型包層 21、 n型載流子阻礙層22、 n側(cè)導(dǎo)光層23、活性層24、 p側(cè)導(dǎo)光層25、蓋層26、具有約400nm 厚度的P型包層27及p側(cè)接觸層28后，進(jìn)行p型化退火處理。 接著，在利用真空蒸鍍法形成條狀的p側(cè)歐姆電極31后，將形成有p側(cè)歐姆電極 31的區(qū)域之外的p側(cè)接觸層28和p型包層27蝕刻到約320nm的深度。由此，將p型包層 27的平坦部27a形成為約80nm的厚度，并且形成由p型包層27及p側(cè)接觸層28構(gòu)成的條 狀的脊部2c。另外，在p型包層27的平坦部27a的上表面上及脊部2c的側(cè)面上形成電流 狹窄層29。 接著，利用真空蒸鍍法，在p側(cè)歐姆電極31及電流狹窄層29上形成p側(cè)墊電極32。 另外，在通過對(duì)基板1的下面?zhèn)冗M(jìn)行研磨等令基板1的厚度為約lOOym后，在基板1的下 表面上，通過真空蒸鍍法形成n側(cè)電極4。 接著，將形成有上述各層的基板l沿相對(duì)于條狀脊部2c延伸的方向(L方向)垂直 的方向劈開分離，由此將基板1加工成桿(bar)狀。利用通過該劈開工序得到的相互平行 的一對(duì)劈開面，形成構(gòu)成各激光元件的諧振器端面的光射出側(cè)端面2a及光反射側(cè)端面2b。
接著，在上述劈開面形成第一端面覆蓋膜5及第二端面覆蓋膜6。首先，將上述桿 狀的基板1導(dǎo)入電子回旋加速器共鳴(ECR)濺射成膜裝置，將ECR等離子體向由劈開面形 成的光射出側(cè)端面2a照射。由此，凈化光射出側(cè)端面2a。此時(shí)，ECR等離子體在N2氣體氛 圍中產(chǎn)生，不對(duì)濺射靶施加RF功率。 之后，利用ECR濺射法，在光射出側(cè)端面2a上形成由AIN構(gòu)成的第一變質(zhì)防止層 51。此時(shí)，在Ar和N2的氣體氛圍中施加微波功率，由此產(chǎn)生ECR等離子體，同時(shí)對(duì)Al靶施 加RF功率而進(jìn)行濺射。 接著，通過ECR濺射法，在第一變質(zhì)防止層51上形成由A1^3構(gòu)成的第一反射率控 制層52。此時(shí)，在Ar和02的氣體氛圍中施加微波功率，產(chǎn)生ECR等離子體，同時(shí)對(duì)Al靶施 加RF功率而進(jìn)行濺射。 接著，與光射出側(cè)端面2a的凈化工藝一樣，進(jìn)行光反射側(cè)端面2b的凈化之后，通 過ECR濺射法，在光反射側(cè)端面2b上依次形成由A1N構(gòu)成的第一層61a、由A1203構(gòu)成的第 二層61b、由A1N構(gòu)成的第三層61c及由A1203構(gòu)成的第四層61d。其中，由A1N構(gòu)成的第一 層61a及第三層61c的形成條件與同樣由AIN構(gòu)成的第一變質(zhì)防止層51的形成條件相同。 另外，由A1203構(gòu)成的第二層61b及第四層61d的形成條件與同樣由A1203構(gòu)成的第一反射 率控制層52的形成條件相同。這樣，在發(fā)射側(cè)端面2b上形成由第一層61a 第四層61d 構(gòu)成的第二變質(zhì)防止層61。 接著，利用ECR濺射法，在第二變質(zhì)防止層61上形成由Si02構(gòu)成的界面層62。此 時(shí)，在Ar和02的氣體氛圍中通過施加微波功率而產(chǎn)生ECR等離子體，同時(shí)對(duì)Si靶施加RF 功率而進(jìn)行濺射。 接著，通過ECR濺射法，在界面層62上交替地各形成6層由Si02構(gòu)成的低折射率 層63a和由Zr02構(gòu)成的高折射率層63b。其中，由Si02構(gòu)成的低折射率層63a的形成條件 同樣與由同SiOj勾成的界面層62的形成條件相同。另外，在高折射率層63b的形成時(shí)，在 Ar和02的氣體氛圍中通過施加微波功率而產(chǎn)生ECR等離子體，同時(shí)對(duì)Zr靶施加RF功率而 進(jìn)行濺射。這樣，在界面層62上形成由低折射率層63a和高折射率層63b構(gòu)成的第二反射率控制層63。 最后，通過將桿狀的基板1沿相對(duì)于條狀脊部2c延伸的方向(L方向)平行的方 向分離，形成第1實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件100。 在第1實(shí)施方式中，如上所述，通過在光反射側(cè)端面2b和第二反射率控制層63之 間形成第二變質(zhì)防止層61 ，能夠?qū)⒌诙瓷渎士刂茖?3和光反射側(cè)端面2b的距離分開，因 此能夠降低作用于第二反射率控制層63的熱能量及光能量。其結(jié)果是，構(gòu)成第二反射率控 制層63的各層63a及63b不易變質(zhì)或劣化，即使在進(jìn)行高輸出動(dòng)作時(shí)，也能夠控制第二端 面覆蓋膜6從光反射側(cè)端面2b的剝離，以及第二端面覆蓋膜6的特性反射率的變化，能夠 提高氮化物類半導(dǎo)體激光元件100的動(dòng)作特性的穩(wěn)定性及可靠性。 此時(shí)，在第二變質(zhì)防止層61，層疊有各層的膜厚在光反射側(cè)端面2b上小于高折射 率層63b的膜厚且小于低折射率層63a的膜厚的第一層61a 第四層61d。由此，在容易劣 化的光反射側(cè)端面2b側(cè)，即使在構(gòu)成第二變質(zhì)防止層61的第一層61a 第四層61d中的一 層發(fā)生了變質(zhì)或劣化的情況下，其劣化也容易在第一層61a 第四層61d的各層的界面停 止，因此能夠抑制周圍的層發(fā)生變質(zhì)或劣化。另外，第二變質(zhì)防止層61由于第一層61a 第四層61d的各層的膜厚如上所述設(shè)定得較小，所以不易對(duì)第二端面覆蓋膜6整體的反射 特性造成影響。而且，即使在如上所述構(gòu)成第二變質(zhì)防止層61的第一層61a 第四層61d 中的一層發(fā)生了變質(zhì)或劣化的情況下，也由于其區(qū)域小，因此能夠抑制第二變質(zhì)防止層61 整體的折射率的變動(dòng)。由此，還能夠使得不易對(duì)第二端面覆蓋膜6整體的反射特性施加影 響。 尤其是，令第一層61a和第三層61c為A1N，由此，利用由A1N構(gòu)成的氮化膜，能夠 容易地抑制外部的氣氛、第二端面覆蓋膜6中所含的氧向光反射側(cè)端面2b的擴(kuò)散。另外， 通過令?yuàn)A在第一層61a和第三層61c之間的第二層61b為A1203，能夠緩和施加于由A1N構(gòu) 成的第一層61a及第三層61c之間的應(yīng)力，因此能夠抑制第一層61a及第三層61c的剝離。 進(jìn)一步，通過令第四層61d為A1203，能夠借助于第四層61d緩和施加于由A1N構(gòu)成的第三 層61c和界面層62之間的應(yīng)力。由此，能夠容易地抑制第二變質(zhì)防止層61從光反射側(cè)端 面2b的剝離。 另外，因?yàn)闃?gòu)成第二變質(zhì)防止層61的第一層61a 第四層61d的各層的膜厚如上 所述形成得較小，所以能夠?qū)⒌谝粚?1a 第四層61d的各層的應(yīng)力抑制得較小。由此，第 一層61a 第四層61d的各層間也不容易發(fā)生剝離，而且，還能夠充分地緩和形成于其之上 的厚的第二反射率控制層63的應(yīng)力。另外，因?yàn)榈谝粚?1a 第四層61d的各層的膜厚均 為10nm，構(gòu)成第二變質(zhì)防止層61的各層的光學(xué)膜厚分別為A /4以下，所以能夠減小第二變 質(zhì)防止層61的應(yīng)力。由此，能夠使得第二變質(zhì)防止層61的剝離也不容易發(fā)生。而且，從光 反射側(cè)端面2b射出的激光不受構(gòu)成第二變質(zhì)防止層61的第一層61a 第四層61d的各層 的厚度的影響地透過并到達(dá)第二反射率控制層63。由此，能夠容易地抑制設(shè)定成具有所希 望的反射率的第二反射率控制層63的反射率控制功能被第二變質(zhì)層61影響的情況。
另外，由于構(gòu)成第二變質(zhì)防止層61的第一層61a 第四層61d的各層由氮化物或 氧化物形成，所以第一層61a 第四層61d的各層的變質(zhì)不易進(jìn)一步向周圍擴(kuò)展。尤其是， 在由氮化物構(gòu)成的第一層61a和第三層61c中，也不會(huì)發(fā)生氧從層中脫離的現(xiàn)象。
進(jìn)一步，通過利用由氮化物(A1N)形成的電介質(zhì)層構(gòu)成第二變質(zhì)防止層61的與光反射側(cè)端面2b相接的第一層61a，能夠抑制包含在外部的氣氛、第二端面覆蓋膜6中的氧向 半導(dǎo)體元件層2擴(kuò)散。由此，半導(dǎo)體元件層2的光反射側(cè)端面2b變得不易氧化，因此在光 反射側(cè)端面2b不易發(fā)生成為激光的吸收及發(fā)熱的原因的非發(fā)光再結(jié)合能級(jí)。其結(jié)果是，能 夠抑制光反射側(cè)端面2b的C0D的發(fā)生。 另外，在第1實(shí)施方式中，在第二變質(zhì)防止層61中，作為由氮化物(A1N)形成的電 介質(zhì)層，除第一層61a之外，第三層61c也包含，因此能夠進(jìn)一步抑制包含在外部的氣氛、第 二端面覆蓋膜6中的氧向半導(dǎo)體元件層2的擴(kuò)散。另外，因?yàn)橛裳趸飿?gòu)成的第二層61b 形成在由氮化物構(gòu)成的第一層61a和第三層61c之間，所以氧難以從第二層61b擴(kuò)散，從而 能夠抑制第二層61b的變質(zhì)，并且也能夠抑制其它的電介質(zhì)層的變質(zhì)和光反射側(cè)端面2b的 氧化。 另外，在第1實(shí)施方式中，因?yàn)樵诘诙冑|(zhì)防止層61和第二反射率控制層63之間 形成有由氧化物(Si02)構(gòu)成的界面層62，所以能夠?qū)⒌诙瓷渎士刂茖?3和光反射側(cè)端 面2b之間的距離分開界面層62的厚度的量。由此，能夠減少作用于第二反射率控制層63 的熱能量和光能量，因此構(gòu)成第二反射率控制層63的低折射率層63a和高折射率層63b變 得不易變質(zhì)。由此，界面層62能夠抑制對(duì)第二端面覆蓋膜6的光反射特性的影響。另外，因 為通過界面層62能夠緩和施加于第二變質(zhì)防止層61和第二反射率控制層63之間的應(yīng)力， 所以能夠抑制第二變質(zhì)防止層61和第二反射率控制層63的剝離。另外，因?yàn)槔糜蒘i02 構(gòu)成的界面層62提高第二變質(zhì)防止層61和第二反射率控制層63的緊貼性，同時(shí)能夠抑制 光學(xué)上的、熱的劣化，所以能夠進(jìn)一步提高氮化物類半導(dǎo)體激光元件100的動(dòng)作特性的可 靠性。 另外，在第1實(shí)施方中，與第二反射率控制層63(低折射率層63a)相接的界面層 62含有與低折射率層63a相同的Si元素，由此能夠提高界面層62和低折射率層63a之間 的緊貼性。 另外，在第1實(shí)施方中，將界面層62的厚度(約140nm)構(gòu)成為比構(gòu)成第二變質(zhì)防 止層61的第一層61a 第四層61d的各層的厚度(約10nm)大，由此能夠容易使第二反射 率控制層63和光反射側(cè)端面2b的距離遠(yuǎn)。 另外，在第1實(shí)施方中，因?yàn)楦哒凵渎蕦?3b使用容易成為多結(jié)晶的Zr02，所以散 熱性變得更高，并且相對(duì)于光能量及熱能量更穩(wěn)定，高折射率層63b的膜質(zhì)不易發(fā)生變化。
另外，在第1實(shí)施方中，由于構(gòu)成第二反射率控制層63的高折射率層63b及低折 射率層63a的光學(xué)膜厚分別為A /4，所以能夠使第二反射率控制層63的反射率最大化。
在此，對(duì)該氮化物類半導(dǎo)體激光元件100，在450mW的脈沖光輸出(脈沖寬度 30nm、占空比50%、80°C )的條件下進(jìn)行了壽命試驗(yàn)，結(jié)果是能夠抑制動(dòng)作電流的上升，且 能夠?qū)崿F(xiàn)3000小時(shí)以上的平均無故障時(shí)間(MTTF)。以上的結(jié)果是，能夠確認(rèn)，在本實(shí)施方 式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件100中，即使在進(jìn)行高輸出動(dòng)作時(shí)，也能夠抑制第二端面覆 蓋膜6從光反射側(cè)端面2b的剝離、以及第二端面覆蓋膜6的特性反射率的變化，能夠提高 動(dòng)作特性的穩(wěn)定性和可靠性。
(第2實(shí)施方式) 在本發(fā)明的第2實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件200中，參照?qǐng)Dl，第二變質(zhì) 防止層61中的第二層61b由具有約30nm厚度的A10xNy(其中，x < y)形成，由A1N構(gòu)成
13的第三層61c具有約30nm的厚度。 另外，通過以下方式進(jìn)行由AlOxNy構(gòu)成的第二層61b的形成，在Ar、 02及N2的氣 體氣氛中通過施加微波功率而產(chǎn)生ECR等離子體，同時(shí)對(duì)Zr靶施加RF功率而對(duì)Zr靶進(jìn)行 除此之外的氮化物類半導(dǎo)體激光元件200的結(jié)構(gòu)和制造工藝與氮化物類半導(dǎo)體 激光元件100結(jié)構(gòu)和制造工藝相同。 如上所述，在第2實(shí)施方式中，第二變質(zhì)防止層61中的第二層61b由膜濃度比氧 化物、氮化物高的氮氧化物(AlOxNy)構(gòu)成。由此，元素的結(jié)合狀態(tài)也更牢固，不易變質(zhì)，而 且，能夠進(jìn)一步抑制包含于外部的氣氛及第二端面覆蓋膜6中的氧的擴(kuò)散。
另外，在第2實(shí)施方式中，因?yàn)榈诙?1b的AlOxNy的氮的組成比(y)大于氧的 組成比(x)，所以能夠抑制包含于第二層61b的氧向第一層61a、第三層61c擴(kuò)散的量。
此外，第2實(shí)施方式的其它的效果與上述第1實(shí)施方式相同。另外，對(duì)該氮化物類 半導(dǎo)體激光元件200在與上述第1實(shí)施方式相同的條件下進(jìn)行了壽命試驗(yàn)，結(jié)果能夠確認(rèn) 到，能夠抑制動(dòng)作電流的上升，并且能夠得到3000小時(shí)以上的MTTF。 [OO"](第3實(shí)施方式) 參照?qǐng)D1和圖3，對(duì)第3實(shí)施方式進(jìn)行說明。其中，圖3是用于說明本發(fā)明的3實(shí) 施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件300的結(jié)構(gòu)的截面圖，表示與激光的射出方向平行的截 面。另外，對(duì)與圖l(第1實(shí)施方式)相同的結(jié)構(gòu)，在圖3中也標(biāo)注相同的符號(hào)。
在本發(fā)明的第3實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件300中，在第二變質(zhì)防止層 61的結(jié)構(gòu)中，不形成第三層61c，而是在第二層61b上直接形成有第四層61d。除此之外的 氮化物類半導(dǎo)體激光元件300的結(jié)構(gòu)及制造工藝與氮化物類半導(dǎo)體激光元件200相同。
在第3實(shí)施方式中，如上所述，因?yàn)榈诙冑|(zhì)防止層61由第一層61a、第二層61b 及第四層61d這三層構(gòu)成，所以與氮化物類半導(dǎo)體激光元件200(參照?qǐng)D1)中的由四層構(gòu) 成的第二變質(zhì)防止層61相比，能夠容易地形成。 此外，第3實(shí)施方式的其它的效果與上述第二實(shí)施方式相同。另外，對(duì)該氮化物類 半導(dǎo)體激光元件300在與上述第1實(shí)施方式相同的條件下進(jìn)行了壽命試驗(yàn)，結(jié)果能夠確認(rèn) 到能夠抑制動(dòng)作電流的上升，并且能夠得到3000小時(shí)以上的MTTF。
(第4實(shí)施方式) 在本發(fā)明的第4實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件400中，參照?qǐng)Dl，第二反射
率控制層63中的高折射率層63b由具有約53nm厚度的A10xNy(其中，x < y)形成。 另外，由A10xNy構(gòu)成的高折射率層63b的形成條件與上述第2實(shí)施方式的同樣由
A10xNy構(gòu)成的第二層61b的形成條件相同。除此之外的氮化物類半導(dǎo)體激光元件400的結(jié)
構(gòu)及制造工藝與氮化物類半導(dǎo)體激光元件100的結(jié)構(gòu)及制造工藝相同。 在第4實(shí)施方式中，如上所述，高折射率層63b由與由氧化物、氮化物構(gòu)成的電介
質(zhì)層相比膜密度更高的氮氧化物構(gòu)成。由此，元素的結(jié)合狀態(tài)也更牢固，不易變質(zhì)，而且，能
夠更進(jìn)一步抑制包含于外部的氣氛及第二端面覆蓋膜6中的氧的擴(kuò)散。 此外，第4實(shí)施方式的其它的效果與上述第1實(shí)施方式相同。另外，對(duì)該氮化物類
半導(dǎo)體激光元件400在與上述第1實(shí)施方式相同的條件下進(jìn)行了壽命試驗(yàn)，結(jié)果能夠確認(rèn)
到，能夠抑制動(dòng)作電流的上升，并且能夠得到3000小時(shí)以上的MTTF。[O109](第5實(shí)施方式) 在本發(fā)明的第5實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件500中，參照?qǐng)D1 ，第二反射 率控制層63中的高折射率層63b由具有約47nm厚度的AlN形成。另外，由A1N構(gòu)成的高 折射率層63b的形成條件與第1實(shí)施方式的同樣由A1N構(gòu)成的第一層61a的形成條件相 同。除此之外的氮化物類半導(dǎo)體激光元件500的結(jié)構(gòu)及制造工藝與氮化物類半導(dǎo)體激光元 件100的結(jié)構(gòu)及制造工藝相同。 在第5實(shí)施方式中，如上所述，高折射率層63b由膜密度比氧化物高的氮氧化物構(gòu) 成。由此，元素的結(jié)合狀態(tài)也變得更牢固，因此不易變質(zhì)，而且，能夠更進(jìn)一步抑制包含于外 部的氣氛及第二端面覆蓋膜6中的氧的擴(kuò)散。 而且，第5實(shí)施方式的其它的效果與上述第1實(shí)施方式相同。另外，對(duì)該氮化物類 半導(dǎo)體激光元件500在與上述第1實(shí)施方式相同的條件下進(jìn)行了壽命試驗(yàn)，結(jié)果能夠確認(rèn) 到能夠抑制動(dòng)作電流的上升，并且能夠得到3000小時(shí)以上的MTTF。
(第6實(shí)施方式) 參照?qǐng)D4，對(duì)第6實(shí)施方式進(jìn)行說明。其中，圖4是用于說明本發(fā)明的6實(shí)施方式 的氮化物類半導(dǎo)體激光元件600的結(jié)構(gòu)的截面圖，表示與激光的射出方向平行的截面。另 外，對(duì)與圖l(第1實(shí)施方式)相同的結(jié)構(gòu)，在圖4中也標(biāo)注相同的符號(hào)。
在本發(fā)明的第6實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件600中，第二變質(zhì)防止層61 由第一層61a、具有約30nm厚度的由A1203構(gòu)成的第二層61b、和第三層61c這三層構(gòu)成。而 且，在第二變質(zhì)防止層61和第二反射率控制層63之間形成有層疊有多層(兩層)氧化膜 的界面層65。 S卩，界面層65在第二變質(zhì)防止層61(由AlN構(gòu)成的第三層61c)的表面，從光 反射層端面2b側(cè)開始依次層疊有具有約60nm厚度的由A1203構(gòu)成的第一界面層65a、和 具有約140nm厚度的由Si02構(gòu)成的第二界面層65b。另外，第二反射率控制層63的由Si02 構(gòu)成的低折射率層63a與第二界面層65b的與光反射側(cè)端面2b為相反側(cè)的表面相接。另 外，第一界面層65a及第二界面層65b的各層的光學(xué)膜厚設(shè)定為A/4以上。其中，第一界 面層65a為本發(fā)明的"與變質(zhì)防止層相接的層"的一例，第二界面層65b為本發(fā)明的"與反 射率控制層相接的層"的一例。 此外，氮化物類半導(dǎo)體激光元件600的其它的結(jié)構(gòu)與氮化物類半導(dǎo)體激光元件 100的結(jié)構(gòu)相同。另外，氮化物類半導(dǎo)體激光元件600的制造工藝，除利用ECR濺射法在第 二變質(zhì)防止層61上依次層疊由A1203構(gòu)成的第一界面層65a和由Si02構(gòu)成的第二界面層 65b而形成界面層65這點(diǎn)之外，與氮化物類半導(dǎo)體激光元件100的制造工藝相同。
在第6實(shí)施方式中，如上所述，在第二變質(zhì)防止層61和第二反射率控制層63之間 形成有界面層65，因此，與第二反射率控制層63和光反射側(cè)端面2b的距離增加的量相應(yīng)地 使作用于第二反射率控制層63的熱能量及光能量降低，因此，能夠使得構(gòu)成第二反射率控 制層63的低折射率層63a及高折射率層63b不易變質(zhì)。 另外，在第6實(shí)施方式中，因?yàn)榻缑鎸?5由第一界面層65a和第二界面層65b構(gòu) 成，其中，第一界面層65a由A1203構(gòu)成，第二界面層65b由Si02構(gòu)成，所有能夠充分緩和施 加在第二變質(zhì)防止層61和第二反射率控制層63之間的應(yīng)力。由此，能夠抑制第二變質(zhì)防 止層61和第二反射率控制層63相互引起膜脫落的情況。 另外，在第6實(shí)施方式中，第二變質(zhì)防止層61的由A1N構(gòu)成的第三層61c和第一
15界面層65a相接，并且第二界面層65b和第二反射率控制層63的由Si02構(gòu)成的低折射率層 63a相接，由此，第三層61c和第一界面層65a利用相同的Al元素而緊貼性良好，并且第二 界面層65b和低折射率層63a通過具有相同Si元素的Si02膜而提高緊貼性，因此，能夠通 過界面層65可靠地抑制第二變質(zhì)防止層61和第二反射率控制層63相互引起膜脫落的情 況。 此外，第6實(shí)施方式的其它的效果與上述第l實(shí)施方式相同。另外，對(duì)該氮化物類 半導(dǎo)體激光元件600在與上述第1實(shí)施方式相同的條件下進(jìn)行了壽命試驗(yàn)，結(jié)果能夠確認(rèn) 到能夠抑制動(dòng)作電流的上升，并且能夠得到3000小時(shí)以上的MTTF。
(第7實(shí)施方式) 參照?qǐng)D5，對(duì)第7實(shí)施方式進(jìn)行說明。其中，圖5是用于說明本發(fā)明的第7實(shí)施方
式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件700的結(jié)構(gòu)的截面圖，表示與激光的射出方向平行的截面。
另外，對(duì)與圖4 (第6實(shí)施方式)相同的結(jié)構(gòu)，在圖5中標(biāo)注相同的符號(hào)。 在本發(fā)明的第7實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件700中，第二反射控制層66
具有將具有約63nm厚度的由SiOxNy (其中，x < y)構(gòu)成的低折射率層66a和具有約50nm
厚度的由Zr02構(gòu)成的高折射率層63b交替地各層疊七層而成的結(jié)構(gòu)。另外，低折射率層66a
及高折射率層63b各自的光學(xué)膜厚設(shè)定為由此，第二端面覆蓋膜6的反射率設(shè)定為
約94%。其中，第二反射率控制層66為本發(fā)明的"反射率控制層"的一例。 另外，氮化物類半導(dǎo)體激光元件700的其它的結(jié)構(gòu)及制造工藝與氮化物類半導(dǎo)體
激光元件600的結(jié)構(gòu)相同。 在第7實(shí)施方式中，如上所述，因?yàn)榈诙瓷渎士刂茖?6的低折射率層66a利用 膜密度比由氧化物構(gòu)成的電介質(zhì)層高的由氮氧化物形成的電介質(zhì)層(SiOxNy)構(gòu)成，所以 能夠抑制低折射率層66a自身的劣化，而且還能夠抑制從外部的氣氛取入的氧及來自構(gòu)成 高折射率層63b的氧化膜即Zr02的氧從光反射側(cè)端面2b向半導(dǎo)體元件層2的擴(kuò)散。
此外，第7實(shí)施方式的其它的效果與上述第6實(shí)施方式相同。另外，對(duì)該氮化物類 半導(dǎo)體激光元件700在與上述第1實(shí)施方式相同的條件下進(jìn)行了壽命試驗(yàn)，結(jié)果能夠確認(rèn) 到能夠抑制動(dòng)作電流的上升，并且能夠得到3000小時(shí)以上的MTTF。
(第8實(shí)施方式) 參照?qǐng)D6，對(duì)第8實(shí)施方式進(jìn)行說明。其中，圖6是用于說明本發(fā)明的8實(shí)施方式 的氮化物類半導(dǎo)體激光元件800的結(jié)構(gòu)的截面圖，表示與激光的射出方向平行的截面。另 外，對(duì)與圖4 (第6實(shí)施方式)相同的結(jié)構(gòu)，在圖6中標(biāo)注相同的符號(hào)。
在本發(fā)明的第8實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件800中，在第二變質(zhì)防止層 61和第二反射率控制層63之間形成有疊層有氮氧化膜及氧化膜的界面層67。 S卩，界面層 67在第二變質(zhì)防止層61的表面，從光反射側(cè)端面2b側(cè)開始依次層疊有具有約53nm厚度的 由A10xNy(其中，x<y)構(gòu)成的第一界面層67a、和具有約140nm厚度的由Si02構(gòu)成的第 二界面層65b。另外，第一界面層67a的光學(xué)膜厚設(shè)定為A/4以上。 另外，氮化物類半導(dǎo)體激光元件800其它的結(jié)構(gòu)及制造工藝與氮化物類半導(dǎo)體激 光元件600的結(jié)構(gòu)相同。 在第8實(shí)施方式中，如上所述，因?yàn)榻缑鎸?7的第一界面層67a利用膜密度比由 氧化物構(gòu)成的電介質(zhì)層高的由氮氧化物構(gòu)成的電介質(zhì)層(A10xNy)構(gòu)成，所以不僅能夠抑
16制低折射率層66a自身的劣化，而且能夠抑制從外部的氣氛取入的氧及來自構(gòu)成第二界面
層65b的氧化膜即Si02的氧從光反射側(cè)端面2b向半導(dǎo)體元件層2的擴(kuò)散。 此外，第8實(shí)施方式的其它的效果與上述第6實(shí)施方式相同。另外，對(duì)該氮化物類
半導(dǎo)體激光元件800在與上述第1實(shí)施方式相同的條件下進(jìn)行了壽命試驗(yàn)，結(jié)果能夠確認(rèn)
到能夠抑制動(dòng)作電流的上升，并且能夠得到3000小時(shí)以上的MTTF。(第9實(shí)施方式) 參照?qǐng)D2及圖7 圖9，對(duì)具備本發(fā)明的第9實(shí)施方式的激光裝置950的光拾取裝 置900進(jìn)行說明。 本發(fā)明的第9實(shí)施方式的激光裝置950由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，且包括大致圓型的殼 封裝主體953、供電銷951a、951b、951c和952、以及蓋體954。另外，在殼封裝主體953上設(shè) 有上述第1實(shí)施方式的氮化物類半導(dǎo)體激光元件IOO，利用蓋體954密封。在蓋體954上 設(shè)有由透過激光的材料形成的取出口 954a。另外，供電銷952與殼封裝主體953機(jī)械連接 并電連接。供電銷952作為接地端子使用。向殼封裝主體953的外部延伸的供電銷951a、 95lb、951 c、952的一端分別與未圖示的驅(qū)動(dòng)電路連接。 在與殼封裝主體953 —體化而成的導(dǎo)電性的支承部件955上設(shè)有導(dǎo)電性的基座 (submount)955a。支承部件955和基座955a由導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性優(yōu)良的材料構(gòu)成，氮化物類 半導(dǎo)體激光元件100被接合為激光的射出方向X朝向激光裝置950的外側(cè)(取出口 954a 一側(cè))，并且氮化物類半導(dǎo)體激光元件100的發(fā)光點(diǎn)(圖2所示的形成于脊部2c的下方的 波導(dǎo))位于激光裝置950的中心線。 供電銷951a、951b和951c分別通過絕緣環(huán)951z與殼封裝主體953電絕緣。供電 銷951a經(jīng)金屬線971與氮化物類半導(dǎo)體激光元件100的p側(cè)墊電極32 (p側(cè)電極3)的引 線接合部32a的上表面連接。另外，供電銷951c經(jīng)金屬線972與基座955a的上表面連接。
另外，如圖9所示，光拾取裝置900具備安裝有氮化物類半導(dǎo)體激光元件100的 激光裝置950、光學(xué)系統(tǒng)960、和光檢測部970，其中，該光學(xué)系統(tǒng)960具有偏光分離器(偏 光BS)961、準(zhǔn)直透鏡962、光束擴(kuò)展器963、 A /4板964、物鏡965、和圓柱透鏡966。
在光學(xué)系統(tǒng)960中，偏光BS 961使從氮化物類半導(dǎo)體激光元件IOO射出的激光全 透過，并且全反射從光盤980返回的激光。準(zhǔn)直透鏡962將透過偏光BS 961后的來自氮化 物類半導(dǎo)體激光元件100的激光變換成平行光。光束擴(kuò)展器963由凹透鏡、凸透鏡和調(diào)節(jié) 器(actuator)(未圖示)構(gòu)成。調(diào)節(jié)器根據(jù)來自未圖示的伺服電路的伺服信號(hào)使凹透鏡和 凸透鏡的距離變化。由此，校正從氮化物類半導(dǎo)體激光元件IOO射出的激光的波面狀態(tài)。
A /4板964將通過準(zhǔn)直透鏡962變換成大致平行光后的直線偏光的激光變換成 圓偏光。另外，A/4板964將從光盤980返回的圓偏光的激光變換成直線偏光。此情況下 的直線偏光的偏光方向與從氮化物類半導(dǎo)體激光元件100射出的激光的直線偏光的方向 正交。由此，從光盤980返回的激光通過偏光BS 961被大致全反射。物鏡965使透過入/4 板964后的激光集中于光盤980的表面(記錄層)上。另外，物鏡965根據(jù)來自伺服電路 的伺服信號(hào)(跟蹤(tracking)伺服信號(hào)、聚焦伺服信號(hào)及傾斜伺服信號(hào))，利用未圖示的物 鏡調(diào)節(jié)器，能夠在聚焦方向、跟蹤方向及傾斜方向上移動(dòng)。 以沿著被偏光BS 961全反射的激光的光軸的方式配置有圓柱透鏡966和光檢測 部970。圓柱透鏡966對(duì)射入的激光施加像散(astigmatism)作用。光檢測部970基于接收到的激光的強(qiáng)度分布輸出再現(xiàn)信號(hào)。在此，光檢測部970具有規(guī)定的圖形的檢測區(qū)域，以 得到再現(xiàn)信號(hào)、以及聚焦誤差信號(hào)、跟蹤誤差信號(hào)和傾斜誤差信號(hào)。利用聚焦誤差信號(hào)、跟 蹤誤差信號(hào)和傾斜誤差信號(hào)反饋控制光束擴(kuò)展器963的調(diào)節(jié)器和物鏡調(diào)節(jié)器。這樣，構(gòu)成 本發(fā)明的第9實(shí)施方式的光拾取裝置900。 在第9實(shí)施方式中，如上所述，因?yàn)楣馐叭⊙b置900使用上述第1實(shí)施方式的氮化
物類半導(dǎo)體激光元件100，所以在進(jìn)行高輸出動(dòng)作時(shí)，能夠抑制第二端面覆蓋膜6從光反射
側(cè)端面2b的剝離、以及第二端面覆蓋膜6的特性反射率的變化，因此能夠獲得氮化物類半
導(dǎo)體激光元件100的動(dòng)作特性的穩(wěn)定性和可靠性得到提高的光拾取裝置900。 另外，應(yīng)認(rèn)為本次公開的實(shí)施方式在所有方面均是例示，并不是限制。本發(fā)明的范
圍并不由上述的實(shí)施方式的說明表現(xiàn)，而是由發(fā)明內(nèi)容的范圍表示，本發(fā)明的范圍還包括
與發(fā)明內(nèi)容的范圍等同的意思和范圍內(nèi)的所有的變更。 例如，在上述第1 第8實(shí)施方式中，第二變質(zhì)防止層61中的第一層61a 第四層 61d的各層均由相同的元素(Al)的氧化物、氮化物或氮氧化物構(gòu)成，但本發(fā)明并不僅限于 此，也可以由不同元素的氧化物、氮化物或氮氧化物構(gòu)成各層。另外，也可以利用不包括由 氧化物構(gòu)成的層的結(jié)構(gòu)、即只利用由氮化物或氮氧化物形成的層構(gòu)成第二變質(zhì)防止層61。
另外，在上述第1 第9實(shí)施方式中，第二變質(zhì)防止層61由三層或四層構(gòu)成，雖然 利用由氧化物、氮化物或氮氧化物形成的層的層疊膜構(gòu)成，但本發(fā)明并不僅限于此，也可以 采用兩層或五層以上的層疊膜。 另外，在上述第1 第6、第8及第9實(shí)施方式中，第二反射率控制層63具有將低 折射率層63a和高折射率層63b交替地各層疊六層而成的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不僅限于此，也 可以采用六層以外的層疊數(shù)。 另外，在上述第1 第9實(shí)施方式中，作為構(gòu)成第二端面覆蓋膜6的各層的電介質(zhì) 材料，作為氮化物利用了 A1N，作為氧化物利用了 A1203、 Si02或Zr02，作為氮氧化物利用了 A10xNy及SiOxNy，但本發(fā)明并不僅限于此，也可以利用另外的金屬元素的氮化物、氧化物 或氮氧化物。例如，作為各電介質(zhì)材料，氮化物可以利用Si等的氮化物，另外，氧化物、氮氧 化物能夠利用Zr、 Ta、 Hf和Nb等的氧化物、氮氧化物。 另外，在上述第1 第5實(shí)施方式中，利用由Si(^構(gòu)成的氧化膜形成了界面層62， 但本發(fā)明并不見限于此，也可以利用含有Zr、 Ta及Nb等的氧化膜。 另外，在上述第8實(shí)施方式中，構(gòu)成界面層67的第一界面層67a利用了 A10xNy，但 本發(fā)明并不僅限于此，也可以利用含有Si、 Zr、 Ta、 Hf及Nb等的氮氧化膜構(gòu)成第一界面膜 67a。 另外，在上述第1 第9實(shí)施方式中，形成了由一層或兩層構(gòu)成的界面層，但是本 發(fā)明并不僅限于此，也可以利用三層以上的電介質(zhì)層形成界面層。例如，在利用三層構(gòu)成界 面層的情況下，優(yōu)選從變質(zhì)防止層朝向反射率控制層，按氧化膜、氮氧化膜和氧化膜的順序 進(jìn)行層疊而構(gòu)成界面層。 另外，在上述第1 第9實(shí)施方式中，利用ECR噴濺法形成了第一端面覆蓋膜5和 第二端面覆蓋膜6的各層，但本發(fā)明并不僅限于此，也可以利用其它的成膜方法形成。
權(quán)利要求
一種氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，包括氮化物類半導(dǎo)體元件層，其具有光射出側(cè)端面和光反射側(cè)端面；以及端面覆蓋膜，其包括形成在所述光反射側(cè)端面上的變質(zhì)防止層和形成在所述變質(zhì)防止層上的反射率控制層，所述反射率控制層由交替地疊層的高折射率層和低折射率層構(gòu)成，所述變質(zhì)防止層疊層有兩層以上的層，并且各層分別由利用氮化物、氧化物或氮氧化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成，所述變質(zhì)防止層具有與所述光反射側(cè)端面相接的由利用氮化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成的第一層，構(gòu)成所述變質(zhì)防止層的各層的厚度小于所述高折射率層的厚度，并且小于所述低折射率層的厚度。
2. 如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于所述變質(zhì)防止層還具有和所述第一層的與所述光反射側(cè)端面相反的一側(cè)相接的由利 用氧化物或氮氧化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成的第二層。
3. 如權(quán)利要求2所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于所述變質(zhì)防止層還具有與所述第一層獨(dú)立地形成的、并且和所述第二層的與所述第一 層相反的一側(cè)相接的由利用氮化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成的第三層。
4. 如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于 所述第一層為A1N。
5. 如權(quán)利要求3所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于所述第二層為A1A或A10N。
6. 如權(quán)利要求3所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于 所述第三層為A1N。
7. 如權(quán)利要求3所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于所述變質(zhì)防止層還具有和所述第三層的與所述第二層相反的一側(cè)相接的由利用氧化 物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成的第四層。
8. 如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于所述端面覆蓋膜還包括形成于所述變質(zhì)防止層和所述反射率控制層之間的、由氧化物 或氮氧化物形成的界面層。
9. 如權(quán)利要求8所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于所述界面層由與所述反射率控制層相接的層和與所述變質(zhì)防止層相接的層構(gòu)成。
10. 如權(quán)利要求9所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于與所述反射率控制層相接的構(gòu)成所述界面層的層含有與所述反射率控制層相同的元素。
11. 如權(quán)利要求10所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于與所述反射率控制層相接的構(gòu)成所述界面層的層由Si02構(gòu)成。
12. 如權(quán)利要求9所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于與所述變質(zhì)防止層相接的構(gòu)成所述界面層的層含有與所述變質(zhì)防止層相同的金屬元素。
13. 如權(quán)利要求12所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于與所述變質(zhì)防止層相接的構(gòu)成所述界面層的層由A1203形成。
14. 如權(quán)利要求8所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于所述氮化物類半導(dǎo)體元件層還具有發(fā)光層，在所述發(fā)光層發(fā)出的激光的波長為A的情況下，構(gòu)成所述界面層的層的光學(xué)膜厚設(shè)定為A/4以上。
15. 如權(quán)利要求8所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于構(gòu)成所述界面層的層的厚度大于構(gòu)成所述變質(zhì)防止層的各層的厚度。
16. 如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于構(gòu)成所述變質(zhì)防止層的各層含有相同的金屬元素。
17. 如權(quán)利要求5所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于所述第二層由A10N構(gòu)成，并且，由所述A10N構(gòu)成的第二層中的氮的組成比大于氧的組 成比。
18. 如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于所述氮化物類半導(dǎo)體元件層還具有發(fā)光層，在所述發(fā)光層發(fā)出的激光的波長為A的情況下，構(gòu)成所述變質(zhì)防止層的由所述電介質(zhì)層形成的各層的光學(xué)膜厚分別設(shè)定為A/4以下。
19. 如權(quán)利要求1所述的氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其特征在于所述低折射率層由氧化物或氮氧化物構(gòu)成，并且，所述高折射率層由氮化物或氮氧化 物構(gòu)成。
20. —種光拾取裝置，其特征在于，包括氮化物類半導(dǎo)體激光元件，其包括具有光射出側(cè)端面和光反射側(cè)端面的氮化物類半導(dǎo)體元件層、以及端面覆蓋膜，該端面覆蓋膜包括形成于所述光反射側(cè)端面上的變質(zhì)防止層和形成于所述變質(zhì)防止層上的反射率控制層；光學(xué)系統(tǒng)，其控制所述氮化物類半導(dǎo)體激光元件的射出光；禾口光檢測部，其對(duì)所述射出光進(jìn)行檢測，其中所述反射率控制層由交替地疊層的高折射率層和低折射率層構(gòu)成，所述變質(zhì)防止層疊層有兩層以上的層，并且，各層分別由利用氮化物、氧化物或氮氧化 物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成，所述變質(zhì)防止層具有與所述光反射側(cè)端面相接的由利用氮化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成 的第一層，構(gòu)成所述變質(zhì)防止層的各層的厚度小于所述高折射率層的厚度，并且小于所述低折射 率層的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供氮化物類半導(dǎo)體激光元件和光拾取裝置。氮化物類半導(dǎo)體激光元件具備端面覆蓋膜，該端面覆蓋膜包括形成于氮化物類半導(dǎo)體層的光反射側(cè)端面上的變質(zhì)防止層、和形成于變質(zhì)防止層上的反射率控制層。而且，反射率控制層由交替地層疊的高折射率層和低折射率層構(gòu)成，變質(zhì)防止層疊層有兩層以上的層，并且各層分別利用由氮化物、氧化物或氮氧化物形成的電介質(zhì)層構(gòu)成。另外，變質(zhì)防止層具有與光反射側(cè)端面相接的由氮化物構(gòu)成的第一層，構(gòu)成變質(zhì)防止層的各層的厚度小于高折射率層的厚度，并且小于低折射率層的厚度。
文檔編號(hào)G11B7/13GK101741013SQ20091022288
公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2009年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月21日
發(fā)明者龜山真吾 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社