專利名稱：：處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法及其裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明有關于處理讀取光儲存媒體(opticalstoragemedium)所產(chǎn)生的讀回信號(readbacksignal)的方法和裝置。
背景技術：
：光儲存媒體(例如只讀光盤、可錄式光盤或可再寫光盤)已成為當前流行的數(shù)據(jù)載體。通常地，通過向記錄層(recordinglayer)發(fā)射激光束(laserbeam)并接著檢測自該記錄層反射的信號來讀取該記錄層(即反射層)，以對所儲存數(shù)據(jù)進行復制。為保護記錄層(反射層)，通常于記錄層上形成保護層，例如由聚碳酸酯(polycarbonate)組成的保護層。因此，激光二極管(laserdiode)發(fā)射的激光束在到達記錄層(即反射層)前必須穿過保護層；類似地，自記錄層(即反射層)反射的激光束在光傳感器(photosensor)檢測到前必須穿過保護層。因此，光傳感器檢測到的反射激光束的信號質(zhì)量實際上受到保護層的影響。然而，由于保護層表面上的刮痕、灰塵或者指紋，光盤可能存在缺陷區(qū)域。參考圖1，圖1為自光盤反射的信號產(chǎn)生的射頻(radiofrequency,RF)信號示意圖，該光盤由于刮痕具有缺陷區(qū)域。當光盤的保護層具有刮痕時，刮痕可能嚴重損壞保護層的光傳輸特性。如圖所示，當光學讀寫頭向刮痕導致的缺陷區(qū)域發(fā)射激光束時，RF信號RF1的一段信號部分Pl大約消失(即信號幅度相當?shù)?。因此，正確譯碼RF信號的此信號部分Pl非常困難。參考圖2，圖2為光盤的反射信號所產(chǎn)生的射頻信號示意圖，該光盤由于指紋或灰塵具有缺陷區(qū)域。當光盤的保護層具有指紋或灰塵時，指紋或灰塵不會嚴重損壞保護層的光傳輸特性。如圖所示，當光學讀寫頭向指紋或灰塵導致的缺陷區(qū)域發(fā)射激光束時，RF信號RF_2的一段信號部分P2幅度比正常的信號低。因為與圖1的信號部分Pl相比，信號部分P2沒有完全消失(即信號幅度減小但是高于可接受的位準)，因此有可能譯碼信號部分P2以獲得信號部分P2傳輸?shù)男畔?。然而，當信號部分P2的信號質(zhì)量不滿足最低譯碼需求時，也有可能譯碼信號部分P2失敗。參考圖3，圖3為光盤的反射信號所產(chǎn)生的另一射頻信號示意圖，該光盤由于指紋或灰塵具有缺陷區(qū)域。如圖所示，當光學讀寫頭向指紋或灰塵導致的缺陷區(qū)域發(fā)射激光束時，RF信號RF_3的一段信號部分P3有顯著的幅度變形。類似地，因為與圖1的信號部分Pl相比，信號部分P3沒有完全消失(即信號幅度減小但是仍高于可接受的電平)，因此有可能譯碼信號部分P3以獲得信號部分P3傳輸?shù)男畔?。如上所述，受指紋/灰塵影響的RF信號沒有完全消失。因此，如何處理受指紋/灰塵影響的RF信號以允許下面的譯碼過程，得以正確獲得受指紋/灰塵影響的RF信號傳輸?shù)男畔⒊蔀樵O計者的重要難題。換句話說，需要一種改善讀取光儲存媒體上缺陷區(qū)域性能的方法和裝置，尤其是由指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域。
發(fā)明內(nèi)容為了正確獲得受指紋/灰塵影響的RF信號傳輸?shù)男畔?，并改善讀取光儲存媒體上缺陷區(qū)域性能，尤其是由指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域，本發(fā)明提供一種處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法及其裝置。本發(fā)明提供一種處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，包括根據(jù)所述讀回信號實施缺陷檢測并產(chǎn)生缺陷檢測結(jié)果，所述缺陷檢測結(jié)果用于指示所述光儲存媒體上的缺陷區(qū)域；以及根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果，對與處理所述讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準。本發(fā)明另提供一種處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，包括缺陷檢測區(qū)塊，用于根據(jù)所述讀回信號實施缺陷檢測以產(chǎn)生缺陷檢測結(jié)果，所述缺陷檢測結(jié)果用于指示所述光儲存媒體上的缺陷區(qū)域；以及參數(shù)校準區(qū)塊，耦接于所述缺陷檢測區(qū)塊，用于根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果，對與處理所述讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準。本發(fā)明另提供一種處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，包括根據(jù)所述讀回信號獲取所述光儲存媒體的識別信息；對與處理所述讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準，據(jù)此獲取所述至少一個參數(shù)的校準參數(shù)設置；以及記錄所述識別信息指示的所述校準參數(shù)設置至儲存設備。本發(fā)明另提供一種處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，包括光儲存存取區(qū)塊，用于讀取所述光儲存媒體以獲取所述讀回信號，并根據(jù)所述讀回信號獲取所述光儲存媒體的識別信息；參數(shù)校準區(qū)塊，耦接于所述光儲存存取區(qū)塊，用于對與處理所述讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準，據(jù)此獲取所述至少一個參數(shù)的校準參數(shù)設置；儲存設備；以及控制區(qū)塊，耦接于所述參數(shù)校準區(qū)塊、所述光儲存存取區(qū)塊和所述儲存設備，用于記錄所述識別信息指示的所述校準參數(shù)設置至所述儲存設備。利用本發(fā)明能夠正確譯碼讀回信號中包含的信息并改善讀取光儲存媒體上缺陷區(qū)域性能。以下為根據(jù)多個圖式對本發(fā)明較佳實施例進行詳細描述，本領域技術人員閱讀后應可明確了解本發(fā)明的目的。圖1為光盤的反射信號產(chǎn)生的射頻信號示意圖，該光盤由于刮痕具有缺陷區(qū)域。圖2為光盤的反射信號產(chǎn)生的射頻信號示意圖，該光盤由于指紋或灰塵具有缺陷區(qū)域。圖3為光盤的反射信號產(chǎn)生的另一射頻信號示意圖，該光盤由于指紋或灰塵具有缺陷區(qū)域。圖4為根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光儲存裝置的方塊示意圖。圖5為缺陷檢測區(qū)塊實施缺陷檢測的示意圖。圖6為圖4所示的光儲存裝置使用的參數(shù)校準方法的第一實施例流程圖。圖7為當光學讀寫頭存取光儲存媒體上的缺陷區(qū)域時無參數(shù)校準被使能的典型例子示意圖。圖8為當光學讀寫頭存取光儲存媒體上的缺陷區(qū)域時無參數(shù)校準被使能的典型例子示意圖。圖9為圖4所示的光儲存裝置使用的參數(shù)校準方法的第二實施例流程圖。圖10為根據(jù)圖6所示的參數(shù)校準方法相應于缺陷區(qū)域和正常區(qū)域的參數(shù)設置示意圖。圖11為根據(jù)圖9所示的參數(shù)校準方法相應于缺陷區(qū)域和正常區(qū)域的參數(shù)設置示意圖。圖12為根據(jù)本發(fā)明另一典型實施例的光儲存裝置的方塊示意圖。圖13為圖12所示的光儲存裝置使用的參數(shù)校準方法第一實施例的流程圖。圖14為圖12所示的光儲存裝置使用的參數(shù)校準方法第二實施例的流程圖。具體實施例方式在說明書及后續(xù)的申請專利范圍當中使用了某些詞匯來指稱特定的組件。所屬領域技術人員應可理解，硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個組件。本說明書及申請專利權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準則。在通篇說明書及申請專利權(quán)利要求當中所提及的“包含”為一開放式的用語，故應解釋成“包含但不限定于”。以外，“耦接”一詞在此為包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接于該第二裝置，或透過其它裝置或連接手段間接地電性連接至該第二裝置。圖4為根據(jù)本發(fā)明典型實施例的光儲存裝置的方塊示意圖。光儲存裝置300(例如光盤驅(qū)動器)包括轉(zhuǎn)軸馬達(spindlemotor)302、光學讀寫頭304、伺服與功率控制區(qū)塊306、信號產(chǎn)生區(qū)塊308、讀取通道區(qū)塊310、缺陷檢測區(qū)塊312、參數(shù)校準區(qū)塊314和校準控制區(qū)塊316。當光儲存媒體(例如光盤301)加載至光儲存裝置300時，激活轉(zhuǎn)軸馬達302使光盤301以所需旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn)。光學讀寫頭304經(jīng)由操作發(fā)射具有特定讀取功率的激光束至光盤301，以從光盤301讀取數(shù)據(jù)。若光盤301為可錄式光盤或可再寫光盤，光儲存裝置300的光學讀寫頭304可經(jīng)由配置發(fā)射具有特定寫入功率的激光束至光盤301。光學讀寫頭304的操作由伺服與功率控制區(qū)塊306控制。應用至光學讀寫頭304的伺服控制機制和功率控制機制已為本領域的普通技術人員所熟知，這里不再贅述。本實施例中，信號產(chǎn)生區(qū)塊308包括信號合成器(synthesizer)322和信號處理器324，其中信號處理器324包括極值追蹤單元(extremevaluetrackingunit)326和濾波單元328。根據(jù)自光盤301反射并接著由光學讀寫頭304中的光傳感器(圖中未顯示)檢測的信號，信號合成器322產(chǎn)生讀回信號Sl(例如RF信號)。信號處理器324處理讀回信號S1以產(chǎn)生已處理讀回信號(例如已處理RF信號)S2。信號處理器324中，極值追蹤單元326用于追蹤讀回信號Sl的預設類型極值并產(chǎn)生極值追蹤結(jié)果，濾波單元328用于對極值追蹤結(jié)果實施濾波操作以產(chǎn)生已處理讀回信號S2。在一個典型實施例中，極值追蹤單元326可使用峰值保持電路以追蹤讀回信號Sl的峰值，濾波單元328可使用低通濾波器以濾除峰值保持電路輸出中的高頻成分。接著，已處理讀回信號S2進入下面的缺陷檢測區(qū)塊312以進行下一步信號處理，詳述如下。請注意，這里信號處理器324的實施僅為一個例子，本發(fā)明并不限于此。用于處理讀回信號Sl以產(chǎn)生用于缺陷檢測區(qū)塊312的已處理讀回信號的信號處理器324可依據(jù)設計需求來使用。在此典型實施例中，缺陷檢測區(qū)塊312包括第一限幅器(slicer)332、第二限幅器334和決策邏輯(decisionlogic)單元336。第一限幅器332用于依據(jù)第一限幅值SLl對已處理讀回信號S2進行限幅以產(chǎn)生第一限幅結(jié)果SR1，第二限幅器334用于依據(jù)第二限幅值SL2對已處理讀回信號S2進行限幅以產(chǎn)生第二限幅結(jié)果SR2，決策邏輯單元336依據(jù)第一限幅結(jié)果SRl和第二限幅結(jié)果SR2產(chǎn)生缺陷檢測結(jié)果S3?？蓞⒖紙D5，圖5為缺陷檢測區(qū)塊312實施缺陷檢測的示意圖。如上所述，當光學讀寫頭304存取由刮痕導致的缺陷區(qū)域時，信號部分Pl大約消失(即信號幅度相當?shù)?；當光學讀寫頭304存取由指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域時，信號部分P2或P3沒有完全消失(即信號幅度減小但是高于可接受的值)。因此，分別依據(jù)刮痕和指紋/灰塵所導致缺陷區(qū)域的信號特征，第一限幅值SLl配置為低于第二限幅值SL2。第一限幅值SLl特別設計為識別刮痕導致的缺陷區(qū)域，而第二限幅值SL2特別用于識別刮痕或指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域。在本實施例中，決策邏輯單元336對第一限幅結(jié)果SRl和第二限幅結(jié)果SR2實施異或(XOR)運算，據(jù)此產(chǎn)生缺陷檢測結(jié)果S3(即S3=SRlXORSR2)。如圖5所示，缺陷檢測結(jié)果S3可指示僅由指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域。換句話說，依據(jù)特定應用的設計需求，根據(jù)第一限幅器332和第二限幅器334產(chǎn)生的限幅結(jié)果，決策邏輯單元336可配置為能鑒別(discriminate)刮痕導致的缺陷區(qū)域與指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域。然而，本發(fā)明并不僅限于此。使用一個或多個限幅器以識別光儲存媒體上的缺陷區(qū)域的任何應用依然遵從本發(fā)明的精神。在圖4所示的典型實施例中，缺陷檢測區(qū)塊312包括兩個個體限幅器。然而，在一種替代設計中，缺陷檢測區(qū)塊312可修改為包括一個限幅器和決策邏輯單元336。在第一時間段，相應于特定磁道區(qū)(tracksector)限幅器使用第一限幅值SLl對已處理讀回信號S2限幅。第一限幅結(jié)果SRl發(fā)現(xiàn)的任何缺陷區(qū)域由決策邏輯單元336識別為刮痕導致的缺陷區(qū)域。在第二時間段，相應于相同的特定磁道區(qū)限幅器使用第二限幅值SL2對已處理讀回信號S2限幅。第二限幅結(jié)果SR2發(fā)現(xiàn)的任何缺陷區(qū)域由決策邏輯單元336識別為刮痕或指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域。藉此，在缺陷檢測區(qū)塊312中，相同的缺陷檢測結(jié)果可從使用相同的限幅器甚至單個限幅器的兩個連續(xù)的限幅操作中獲得。在另一個替代設計中，缺陷檢測區(qū)塊312可修改為包含第二限幅器334和決策邏輯單元336。也就是說，在該替代設計刪除第一限幅器332，其中第一限幅器332用于產(chǎn)生可指示刮痕導致的缺陷區(qū)域的限幅結(jié)果。藉此，第二限幅結(jié)果SR2直接作為缺陷檢測區(qū)塊312產(chǎn)生的缺陷檢測結(jié)果S3。以使用高通濾波器處理讀回信號(即RF信號)Sl中相應于指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域的信號部分為例。圖1的信號部分Pl可由第二限幅器334識別；然而，由于信號部分Pl的信號幅度相當小，因此信號部分Pl的高通濾波結(jié)果與未經(jīng)濾波的信號部分Pl大約相同。換句話說，即使缺陷檢測結(jié)果是第二限幅結(jié)果SR2而非第一限幅結(jié)果SRl和第二限幅結(jié)果SR2的組合邏輯結(jié)果，高通濾波結(jié)果仍然相同。需注意，使用一個或多個限幅器以發(fā)現(xiàn)刮痕或指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域的上述替代實施例均遵從本發(fā)明精神，并均屬于本發(fā)明所主張范圍。簡言之，依據(jù)設計需求，缺陷檢測結(jié)果S3可設置為組合邏輯結(jié)果(例如第一限幅結(jié)果SRl和第二限幅結(jié)果SR2的XOR結(jié)果)、第一限幅結(jié)果SRl或第二限幅結(jié)果SR2。舉例來說，若對讀回信號Sl進行高通濾波以促進相應于缺陷區(qū)域的信號部分的譯碼時，第一限幅結(jié)果SRl和第二限幅結(jié)果SR2的組合邏輯結(jié)果或第二限幅結(jié)果SR2優(yōu)先選擇為缺陷檢測結(jié)果S3以指示何時啟動調(diào)整高通濾波操作。進一步的詳細描述如下。缺陷檢測區(qū)塊312產(chǎn)生的缺陷檢測結(jié)果S3傳輸至參數(shù)校準區(qū)塊314。參數(shù)校準區(qū)塊314根據(jù)輸入的缺陷檢測結(jié)果S3對與處理讀回信號Sl相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準。光學讀寫頭304存取指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域時，圖5所示的缺陷檢測結(jié)果S3通知參數(shù)校準區(qū)塊314，并且參數(shù)校準區(qū)塊314被使能以依據(jù)設計需求校準至少一個讀取通道參數(shù)、至少一個伺服參數(shù)或讀取通道參數(shù)和伺服參數(shù)的組合。也就是說，參數(shù)校準區(qū)塊314調(diào)整在讀取通道區(qū)塊310中應用的讀取通道參數(shù)和/或在伺服與功率控制區(qū)塊306中應用的伺服參數(shù)。典型的讀取通道參數(shù)可以為限幅器帶寬、維特比(Viterbi)帶寬、鎖相環(huán)帶寬、部分相應最大似然(PartialResponseMaximumLikelihood,PRML)靶標值(targetlevel)、譯碼策略、RF信號高通濾波帶寬或RF信號幅度。伺服參數(shù)可以為聚焦增益(focusgain)或散焦設置(defocussetting)。請注意，上述參數(shù)例子僅用于說明本發(fā)明，并非用于限制本發(fā)明。任何相關于缺陷檢測結(jié)果的實現(xiàn)均遵從本發(fā)明精神，并均屬于本發(fā)明所主張范圍，其中該缺陷檢測結(jié)果用于選擇性使能至少一個參數(shù)的參數(shù)校準。并且，根據(jù)缺陷檢測結(jié)果S3，高通濾波器(high-passfilter,HPF)342也可被選擇性調(diào)整以對讀回信號Sl進行高通濾波，其中高通濾波器342是通常于讀取通道區(qū)塊310中實現(xiàn)的典型組件。通常地，光學讀寫頭304正在對正常區(qū)域或缺陷區(qū)域進行存取時，高通濾波器342用于對輸入信號實施高通濾波；然而，本發(fā)明的一種實現(xiàn)中，光學讀寫頭304正在對缺陷區(qū)域進行存取時，高通濾波器342的濾波特性可以被調(diào)整。舉例來說，當光學讀寫頭304正在對例如指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域進行存取時，則調(diào)整高通濾波器342并且對讀回信號Sl實施高通濾波以產(chǎn)生已濾波讀回信號Si’，接著譯碼器344譯碼從高通濾波器342接收的已濾波讀回信號Si’。換句話說，在一種實現(xiàn)中，當光學讀寫頭304存取根據(jù)缺陷檢測結(jié)果S3識別的缺陷區(qū)域時，可選擇性調(diào)整高通濾波器342并且使能參數(shù)校準區(qū)塊314。如圖2和圖3所示，指紋/灰塵可能導致讀回信號Sl中受影響的信號部分不對稱，這將增加譯碼相應于指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域的信號部分的難度。因此，在本發(fā)明的典型實施例中，高通濾波器342也能夠使讀回信號Sl中受影響的信號部分更對稱，促進相應于指紋/灰塵導致的缺陷區(qū)域的信號部分的譯碼，其中高通濾波器342通常在讀取通道區(qū)塊310中實現(xiàn)并且在缺陷區(qū)域被存取時可以進行調(diào)整。簡言之，通過對讀回信號Sl進行高通濾波并對讀取通道參數(shù)和/或伺服參數(shù)進行參數(shù)校準，圖5所示信號部分P2或P3傳輸?shù)男畔⒖沙晒ψg碼。請注意，根據(jù)缺陷檢測結(jié)果對讀回信號的高通濾波進行選擇性調(diào)整或?qū)χ辽僖粋€參數(shù)(例如讀取通道參數(shù)或伺服參數(shù))進行參數(shù)校準的任何應用均遵從本發(fā)明精神，并均屬于本發(fā)明所主張范圍。在光儲存裝置300中，根據(jù)從處理讀回信號Sl中獲取的信號質(zhì)量指數(shù)S4，校準控制區(qū)塊316控制參數(shù)校準區(qū)塊314。舉例來說，信號質(zhì)量指數(shù)S4可以為從讀回信號Sl中獲取的同步信號的信號質(zhì)量(例如SYNC_0K信號)或與譯碼讀回信號Sl相關的譯碼質(zhì)量(例如錯誤檢測碼EDC或正確譯碼的標識，或譯碼錯誤計數(shù))。以SYNC_0K信號作為信號質(zhì)量指數(shù)S4為例。當讀回信號Sl具有足夠好的信號質(zhì)量，可不間斷地獲得SYNC信號。也就是說，指示SYNC信號狀態(tài)的SYNC_0K信號將得到保持(例如保持在高邏輯電平)。然而，當讀回信號Sl不具有滿足最小需求的信號質(zhì)量時，SYNC信號將具有同步錯誤(syncloss),結(jié)果SYNCOK信號將具有低邏輯電平以指示如此狀況。由于SYNC_0K信號的特定信號特征，SYNC_0K信號可因此作為信號質(zhì)量指數(shù)S4以指示參數(shù)校準是否已使用優(yōu)化參數(shù)設置校準參數(shù)。通常上，當譯碼錯誤計數(shù)超過特定值時，讀回信號(例如RF信號)Sl變得不可糾正，即是說，讀回信號Sl具有較差的信號質(zhì)量并且難以正確譯碼。因此，當光盤301為CD時，C2譯碼錯誤計數(shù)可作為信號質(zhì)量指數(shù)；當光盤301為DVD或HD-DVD時，外碼奇偶校驗(ParityoftheOutercode,P0)譯碼錯誤計數(shù)可作為信號質(zhì)量指數(shù)；當光盤301為藍光光盤(如Blu-raydisc,BD)時，長程碼(LongDistanceCode,LDC)譯碼錯誤計數(shù)可作為信號質(zhì)量指數(shù)。如在相關領域中所熟知的，DVD或HD-DVD的PO譯碼和CD的C2譯碼對信號質(zhì)量更敏感。舉例來說，如果數(shù)據(jù)區(qū)塊的PO譯碼錯誤計數(shù)或C2譯碼錯誤計數(shù)等于1，則可能整個數(shù)據(jù)區(qū)塊的質(zhì)量較差。請注意，即使DVD/HD-DVD的內(nèi)碼奇偶校驗(ParityoftheInnercode,PI)譯碼和CD的Cl譯碼對信號質(zhì)量不如此敏感，并非意味著PI譯碼錯誤計數(shù)/Cl譯碼錯誤計數(shù)不能作為信號質(zhì)量指數(shù)。舉例來說，如果數(shù)據(jù)區(qū)塊的PI譯碼錯誤計數(shù)或Cl譯碼錯誤計數(shù)大于錯誤累積閾值(accumulationthreshold)，則意味著在相同數(shù)據(jù)區(qū)塊中過多的譯碼錯誤，該數(shù)據(jù)區(qū)塊由于讀回信號的較差信號質(zhì)量可能不可校正。因此，PI譯碼錯誤計數(shù)或Cl譯碼錯誤計數(shù)也可作為信號質(zhì)量指數(shù)。圖6為圖4所示的光儲存裝置300使用的參數(shù)校準方法的第一實施例流程圖。請注意，若結(jié)果實質(zhì)上相同，無需嚴格按照圖6所示的順序執(zhí)行步驟。參數(shù)校準操作的流程包括下述步驟步驟6OO:開始。步驟602檢查缺陷檢測結(jié)果以決定光學讀寫頭是否將存取光儲存媒體(例如光盤)上的缺陷區(qū)域。如果是，執(zhí)行步驟604;否則，執(zhí)行步驟602，繼續(xù)監(jiān)視缺陷檢測結(jié)果。步驟604使能參數(shù)校準。步驟606通過指定校準參數(shù)設置校準至少一個參數(shù)，以代替參數(shù)的初始參數(shù)設置，其中至少一個參數(shù)包括讀取通道參數(shù)、伺服參數(shù)或二者的組合。步驟608檢查信號質(zhì)量指數(shù)是否滿足預設標準。如果是，執(zhí)行步驟612；否則執(zhí)行步驟610。步驟610通過對參數(shù)指定另一校準參數(shù)設置以校準參數(shù)。執(zhí)行步驟608。步驟612禁能參數(shù)校準。步驟614保持對參數(shù)的最終校準參數(shù)設置。步驟616檢查光學讀寫頭是否完成存取缺陷區(qū)域。如果是，執(zhí)行步驟618；否則，執(zhí)行步驟616繼續(xù)監(jiān)視。步驟618將參數(shù)從校準參數(shù)設置恢復為初始參數(shù)設置。其中，校準參數(shù)設置由參數(shù)校準(由于存取缺陷區(qū)域而使能)所指定。執(zhí)行步驟602繼續(xù)監(jiān)視缺陷檢測結(jié)果。如圖6的流程所示，參數(shù)校準區(qū)塊314不會停止校準參數(shù)直到信號質(zhì)量指數(shù)滿足預設標準。舉例來說，若SYNC_0K信號作為信號質(zhì)量指數(shù)，只有當SYNC_0K信號沒有同步錯誤時，預設標準才被滿足。參考圖7和圖8。圖7為當光學讀寫頭存取光儲存媒體上的缺陷區(qū)域時無參數(shù)校準被使能的典型例子示意圖。圖8為當光學讀寫頭存取光儲存媒體上的缺陷區(qū)域時有參數(shù)校準被使能的典型例子示意圖。通過對讀取通道參數(shù)和/或伺服參數(shù)實施正確的參數(shù)校準，讀回信號Sl可被正確譯碼以獲得其中包含的信息。如圖4所示的光儲存裝置300使用的參數(shù)校準方法，本領域的技術人員在讀過上述段落后能夠了解圖6所示的參數(shù)校準方法操作。進一步的描述這里不再贅述。參考圖9，圖9為圖4所示的光儲存裝置300使用的參數(shù)校準方法的第二實施例流程圖。請注意，若結(jié)果實質(zhì)上相同，則無需嚴格按照圖9所示的順序執(zhí)行步驟。參數(shù)校準操作的流程包括下述步驟步驟900:開始。步驟902檢查缺陷檢測結(jié)果以決定光學讀寫頭是否將存取光儲存媒體(例如光盤)上的缺陷區(qū)域。如果是，執(zhí)行步驟904;否則，執(zhí)行步驟902，繼續(xù)監(jiān)視缺陷檢測結(jié)果。步驟904使能參數(shù)校準。步驟906通過指定校準參數(shù)設置校準至少一個參數(shù)，以代替參數(shù)的初始參數(shù)設置，其中至少一個參數(shù)包括讀取通道參數(shù)、伺服參數(shù)或二者組合。步驟908檢查信號質(zhì)量指數(shù)是否滿足預設標準。如果是，執(zhí)行步驟912；否則執(zhí)行步驟910。步驟910通過對參數(shù)指定另一校準參數(shù)設置以校準參數(shù)。執(zhí)行步驟908。步驟912禁能參數(shù)校準。步驟914保持對參數(shù)的最終校準參數(shù)設置。步驟916檢查光學讀寫頭是否完成存取與缺陷區(qū)域相關的磁道(track)，并存取正常區(qū)域的至少一部分。如果是，執(zhí)行步驟918；否則，執(zhí)行步驟916繼續(xù)監(jiān)視。步驟918將參數(shù)從校準參數(shù)設置恢復為初始參數(shù)設置。其中校準參數(shù)設置由參數(shù)校準(由于存取缺陷區(qū)域而使能)所指定。執(zhí)行步驟902繼續(xù)監(jiān)視缺陷檢測結(jié)果。圖9所示的典型參數(shù)校準方法與圖6所示的參數(shù)校準方法類似，主要區(qū)別在于將參數(shù)從校準參數(shù)設置恢復為初始參數(shù)設置的時機(即在參數(shù)校準之前的參數(shù)設置被使能)。參考圖10和圖11。圖10為根據(jù)圖6所示的參數(shù)校準方法相應于缺陷區(qū)域和正常區(qū)域的參數(shù)設置示意圖。圖11為根據(jù)圖9所示的參數(shù)校準方法相應于缺陷區(qū)域和正常區(qū)域的參數(shù)設置示意圖。如圖10和圖11所示，在光盤301表面上有指紋FP，其中磁道TKl和TK2受指紋FP影響。為簡潔和清楚起見，形成于光盤301上的螺旋狀磁道以多個同心磁道表示。關于圖6所示的參數(shù)校準方法，校準參數(shù)設置PSl只有在光學讀寫頭304存取指紋FP導致的缺陷區(qū)域時才有效，初始參數(shù)設置PSO在光學讀寫頭304存取除缺陷區(qū)域外的正常區(qū)域時使用。假設光學讀寫頭304順序存取磁道TK1-TK3(即從內(nèi)磁道TKl到外磁道TK3)，并以圖10和圖11中箭頭符號所示的順時針方向沿著光盤301的螺旋狀磁道移動。當光學讀寫頭304進入磁道TKl的缺陷區(qū)域時，使能參數(shù)校準以尋找最佳校準參數(shù)設置PSl；然而，一旦光學讀寫頭304離開缺陷區(qū)域，初始參數(shù)設置PSO立即恢復。類似地，當光學讀寫頭304進入磁道TK2的缺陷區(qū)域時，使能參數(shù)校準以尋找最佳校準參數(shù)設置PSl；然而，一旦光學讀寫頭304離開缺陷區(qū)域，初始參數(shù)設置PSO立即恢復。因為外部磁道TK3不含任何指紋，光學讀寫頭304存取磁道TK3時，使用初始參數(shù)設置PS0。關于圖9所示的參數(shù)校準方法，在光學讀寫頭304離開與缺陷區(qū)域相關的磁道后，仍保持校準參數(shù)設置PSl。舉例來說，當光學讀寫頭304存取緊接著磁道TKl上缺陷區(qū)域的正常區(qū)域時，校準參數(shù)設置PSl(于光學讀寫頭304存取磁道TKl上缺陷區(qū)域時發(fā)現(xiàn))仍然有效。若缺陷檢測區(qū)塊312可精確檢測光儲存媒體的缺陷區(qū)域，可使用圖6所示的參數(shù)校準方法以獲得讀取光儲存媒體缺陷區(qū)域的最佳性能；然而，若缺陷檢測區(qū)塊312不能精確檢測光儲存媒體的缺陷區(qū)域，則可使用圖9所示的參數(shù)校準方法以獲得讀取光儲存媒體缺陷區(qū)域的最佳性能。在一個典型設計中，如圖11所示校準參數(shù)設置PSl對至少一個磁道有效。由于下一個磁道TK2仍然受指紋FP影響，因此當光學讀寫頭304存取磁道TK2(包括缺陷區(qū)域和正常區(qū)域)時不執(zhí)行參數(shù)恢復。當光學讀寫頭304進入外部磁道TK3時，因為缺陷檢測區(qū)塊312產(chǎn)生的缺陷檢測結(jié)果S3將通知參數(shù)校準區(qū)塊314磁道TK3上無缺陷區(qū)域，所以參數(shù)恢復被使能，將參數(shù)從校準參數(shù)設置PSl恢復為初始參數(shù)設置PS0。請注意，圖10和圖11所示的例子僅為說明本發(fā)明，并非用于限制本發(fā)明。替代設計均遵從本發(fā)明的精神，并均屬于本發(fā)明所主張范圍。此外本領域的技術人員在讀過上述段落后能夠充分了解圖9所示的參數(shù)校準方法操作。進一步的描述這里不再贅述。如上所述，參數(shù)校準區(qū)塊314可校準參數(shù)(例如讀取通道參數(shù)和/或伺服參數(shù))為光學讀寫頭304存取的缺陷區(qū)域?qū)ふ易罴褏?shù)設置。在本發(fā)明的典型實施例中，當參數(shù)校準區(qū)塊314被使能以校準與譯碼讀回信號Sl相關的至少一個參數(shù)時，應考慮光儲存媒體上缺陷區(qū)域的缺陷幅度。舉例來說，根據(jù)缺陷檢測結(jié)果S3，參數(shù)校準區(qū)塊314首先識別光儲存媒體(例如光盤301)上缺陷區(qū)域的缺陷幅度。當缺陷幅度與第一電平值相符，參數(shù)校準區(qū)塊314實施參數(shù)校準以校準與處理讀回信號Sl相關的第一參數(shù)；當缺陷幅度與第二電平值相符，參數(shù)校準區(qū)塊314實施參數(shù)校準以校準與處理讀回信號Sl相關的第二參數(shù)。換句話說，被校準的參數(shù)可根據(jù)缺陷幅度動態(tài)選擇。在一種替代實現(xiàn)中，當缺陷幅度與第一電平值相符，參數(shù)校準區(qū)塊314通過第一參數(shù)設置實施參數(shù)校準以校準參數(shù)，當缺陷幅度與第二電平值相符，參數(shù)校準區(qū)塊314通過第二參數(shù)設置實施參數(shù)校準以校準參數(shù)。換句話說，指定給被校準參數(shù)的參數(shù)設置可根據(jù)缺陷幅度動態(tài)選擇。當考慮缺陷幅度時，由于缺陷幅度可提供參數(shù)校準的附加信息，因此用于尋找最佳校準參數(shù)設置的校準時間可縮短。請注意，前述例子僅用于說明本發(fā)明，并非用于限制本發(fā)明。舉例來說，借助信號質(zhì)量指數(shù)，參數(shù)校準可使用實驗-錯誤(try-and-error)方法或其它搜索算法以尋找最佳校準參數(shù)設置。可獲得尋找最佳參數(shù)設置的相同目標。除實施參數(shù)校準以尋找滿足需求的校準參數(shù)設置外，本發(fā)明實施例也用于儲存校準參數(shù)設置，以改善光儲存裝置(例如光盤驅(qū)動器)的讀取性能，其中該校準參數(shù)設置包括與處理讀回信號相關的一個或多個參數(shù)的設置值。舉例來說，至少一個讀取通道參數(shù)或至少一個伺服參數(shù)或二者組合的設置值可使用參數(shù)校準獲得并儲存于儲存器中以備后面使用，其中讀取通道參數(shù)例如限幅器帶寬、維特比帶寬、鎖相環(huán)帶寬、PRML靶標值、譯碼策略、RF信號高通濾波帶寬或RF信號幅度，伺服參數(shù)例如聚焦增益或散焦設置。較佳地，可校準多個參數(shù)使光儲存裝置具有最佳讀取性能，這也同時導致對已加載光儲存媒體(例如光盤)完成初次(first-time)參數(shù)校準花費較長的時間周期。然而，由于光儲存媒體的校準參數(shù)設置記錄于光儲存裝置，當相同的光儲存媒體再次加載至光儲存裝置時，光儲存裝置因此可使用儲存于其中的校準參數(shù)設置改善將被譯碼的讀回信號的信號質(zhì)量。換句話說，參數(shù)校準(當讀回信號的信號質(zhì)量由于光儲存媒體上的缺陷區(qū)域不能滿足需求時，參數(shù)校準被使能以校準與自光儲存媒體讀取數(shù)據(jù)相關的多個參數(shù))有可能導致觀察者可察覺的播放中斷。然而，獲得并儲存對參數(shù)的校準參數(shù)設置后，借助所儲存的由先前參數(shù)校準所獲得的校準參數(shù)設置，加載至光儲存裝置的相同光儲存媒體的接續(xù)播放會變得平滑，詳細操作如下所述。圖12為根據(jù)本發(fā)明另一典型實施例的光儲存裝置的方塊示意圖。光儲存裝置1200(例如光盤驅(qū)動器)包括光儲存存取區(qū)塊1202、控制區(qū)塊1204、參數(shù)校準區(qū)塊1206和儲存設備1208。當光儲存媒體(例如光盤1201)加載至光儲存裝置1200時，可操作光儲存存取區(qū)塊1202以存取記錄在光盤1201上的信息。舉例來說，光儲存存取區(qū)塊1202包括轉(zhuǎn)軸馬達(例如圖4所示的轉(zhuǎn)軸馬達302)、光學讀寫頭(例如圖4所示的光學讀寫頭304)、伺服與功率控制區(qū)塊(例如圖4所示的伺服與功率控制區(qū)塊306)、信號合成器(例如圖4所示的信號合成器322)、讀取通道區(qū)塊(例如圖4所示的讀取通道區(qū)塊310)，其中轉(zhuǎn)軸馬達以所需旋轉(zhuǎn)速率來旋轉(zhuǎn)光盤1201，光學讀寫頭發(fā)射具有特定讀取功率的激光束至光盤1201并檢測反射激光束，伺服與功率控制區(qū)塊控制光學讀寫頭的操作，信號合成器根據(jù)自光盤1201反射并接著由光學讀寫頭中的光傳感器(圖中未顯示)檢測的信號產(chǎn)生讀回信號(例如RF信號)，讀取通道區(qū)塊對讀回信號實施高通濾波以產(chǎn)生已濾波讀回信號并譯碼已濾波讀回信號以獲取儲存于光盤1201的信息。此外，若光儲存裝置1200使用前述參數(shù)校準機制，光儲存存取區(qū)塊1202進一步包含附加組件，例如圖4所示的極值追蹤單元326和濾波單元328。由于光儲存存取區(qū)塊1202可獲取儲存于光盤1201的信息，本實施中的光儲存存取區(qū)塊1202也可自讀回信號中獲取光盤1201的識別信息(identificationinformation)。舉例來說，可自內(nèi)容表(tableofcontent)、控制數(shù)據(jù)區(qū)(datazone)或光盤1201的文件系統(tǒng)獨特特征中獲取識別信息。參數(shù)校準區(qū)塊1206用于實施參數(shù)校準對與處理讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施校準，以獲取校準參數(shù)設置。若光儲存裝置1200可使用前述的參數(shù)校準機制，則參數(shù)校準區(qū)塊1206可通過采用圖4所示的參數(shù)校準區(qū)塊314實現(xiàn)?？刂茀^(qū)塊1204可經(jīng)由配置當滿足特定條件時(例如由于存取光盤1201上的缺陷區(qū)域使得信號質(zhì)量低于可接受的水平)激活參數(shù)校準區(qū)塊1206，并且光盤1201的識別信息和由參數(shù)校準區(qū)塊1206為光盤1201所尋找的校準參數(shù)設置記錄于儲存設備1208(例如具有數(shù)據(jù)儲存能力的內(nèi)存設備或其它組件)。也就是說，控制區(qū)塊1204將光盤1201的識別信息所指示的校準參數(shù)設置記錄于儲存設備1208以備后用。類似地，若光儲存裝置1200可使用前述的參數(shù)校準機制，則圖4所示的校準控制區(qū)塊316和缺陷檢測區(qū)塊312可于控制區(qū)塊1204中實現(xiàn)。圖13為圖12所示的光儲存裝置1200使用的參數(shù)校準方法第一實施例的流程圖。請注意，若結(jié)果實質(zhì)上相同，則無需嚴格按照圖13所示的順序執(zhí)行步驟。參數(shù)校準操作的流程包括下述步驟步驟1300開始。步驟1302獲取光儲存媒體的識別信息；步驟1304參考識別信息以檢查是否已對光儲存媒體實施過至少一次參數(shù)校準。如果是，執(zhí)行步驟1306；否則，執(zhí)行步驟1310。步驟1306根據(jù)識別信息，從儲存設備加載校準參數(shù)設置。步驟1308根據(jù)自儲存設備加載的校準參數(shù)設置，配置與處理讀回信號相關的至少一個參數(shù)。執(zhí)行步驟1316。步驟1310檢查是否應當激活參數(shù)校準。如果是，執(zhí)行步驟1312；否則，繼續(xù)檢查是否應當激活參數(shù)校準。步驟1312對與處理讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準，因此，為光儲存媒體獲取校準參數(shù)設置。步驟1314記錄光儲存媒體的識別信息所指示的校準參數(shù)設置于儲存設備。步驟1316結(jié)束。在多數(shù)情況下，光儲存媒體的識別信息是唯一的。因此，當加載光盤1201時，控制區(qū)塊1204可使用自內(nèi)容表、控制數(shù)據(jù)區(qū)或光盤1201的文件系統(tǒng)獨特特征中獲取的識別信息檢查參數(shù)校準區(qū)塊1206是否對光盤1201實施過至少一次參數(shù)校準(步驟1302和1304)。特別地，當控制區(qū)塊1204激活參數(shù)校準區(qū)塊1206，對與處理讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準時，獲取校準參數(shù)設置(步驟1312)，其中至少一個參數(shù)與處理由讀取光盤1201獲得的讀回信號相關。接著，控制區(qū)塊1204記錄識別信息指示的校準參數(shù)設置至儲存設備1208(步驟1314)。因此，通過比較光盤1201的識別信息與儲存設備1208中記錄的識別信息，控制區(qū)塊1204能夠知道參數(shù)校準區(qū)塊1206之前是否已對光盤1201實施參數(shù)校準。當控制區(qū)塊1204發(fā)現(xiàn)參數(shù)校準區(qū)塊1206已對光盤1201實施過至少一次參數(shù)校準(即意味著儲存設備1208應當包含光盤1201的校準參數(shù)設置)，因此控制區(qū)塊1204自儲存設備1208加載光盤1201的校準參數(shù)設置，并藉由自儲存設備1208載入的校準參數(shù)設置配置光儲存存取區(qū)塊1202的一個或多個參數(shù)，而不管目前正在存取光盤1201的哪些區(qū)域或何時由于讀回信號的差信號質(zhì)量而需求校準參數(shù)設置，其中讀回信號的差信號質(zhì)量導致譯碼錯誤或較高符號錯誤率。舉例來說，在一個實施例中，當光儲存裝置1200存取光盤1201的任何缺陷區(qū)域和正常區(qū)域，光儲存存取區(qū)塊1202使用自儲存設備1208加載的校準參數(shù)設置；然而，在另一個實施例中，只有當光儲存裝置1200存取光盤1201的缺陷區(qū)域時，光儲存存取區(qū)塊1202才使用自儲存設備1208加載的校準參數(shù)設置。當控制區(qū)塊1204發(fā)現(xiàn)參數(shù)校準區(qū)塊1206還未對光盤1201實施參數(shù)校準(即意味著儲存設備1208中沒有光盤1201的校準參數(shù)設置)，因此控制區(qū)塊1204檢查參數(shù)校準是否應當被激活(步驟1304和1310)。舉例來說，當光儲存裝置1200將存取光盤1201的缺陷區(qū)域或讀回信號的信號質(zhì)量較差(也就是說，發(fā)生譯碼錯誤或符號錯誤率高于可接受的值)，控制區(qū)塊1204激活參數(shù)校準區(qū)塊1206，以對與處理讀回信號相關的一個或多個參數(shù)實施參數(shù)校準，據(jù)此獲得校準參數(shù)設置，并且控制區(qū)塊1204將光盤1201的識別信息指示的校準參數(shù)設置記錄于儲存設備1208(步驟1312和1314)。若使用前述的參數(shù)校準機制，可使用圖6所示步驟602以實現(xiàn)步驟1310，且可使用圖6所示步驟604-612以實現(xiàn)步驟1312。在如此實施例中，一旦信號質(zhì)量指數(shù)滿足一個標準，則停止參數(shù)校準。接著，校準參數(shù)設置儲存于儲存設備以備后用。然而，步驟1310中的參數(shù)校準并不限于此典型實施例。舉例來說，光儲存存取區(qū)塊1202包括與處理讀回信號相關的N個參數(shù)P1-Pp參數(shù)校準區(qū)塊1206可經(jīng)由配置為參數(shù)P1-Pn的中每一個尋找最優(yōu)設置。在一個實施例中，控制區(qū)塊1204選擇參數(shù)P1-Pn的所有最優(yōu)設置作為記錄至儲存設備1208的校準參數(shù)設置；在一種替代實施例中，控制區(qū)塊1204選擇參數(shù)P1-Pn的部分最優(yōu)設置作為記錄至儲存設備1208的校準參數(shù)設置。舉例來說，只有參數(shù)PpP3和Pim在信號質(zhì)量中具有有效改善；因此，控制區(qū)塊1204只選擇參數(shù)PpP3*^的最優(yōu)設置作為記錄至儲存設備1208的校準參數(shù)設置。此外，通過檢查光盤1201上相同數(shù)據(jù)區(qū)段(例如相同ECC區(qū)塊或相同磁道)的信號質(zhì)量(為避免信號質(zhì)量錯誤判斷)，參數(shù)校準區(qū)塊1206校準與處理讀回信號相關的一個或多個參數(shù)。并且，參數(shù)校準區(qū)塊1206實施參數(shù)校準的光盤區(qū)域的地址也可被記錄。據(jù)此，當光盤1201再次加載至光儲存裝置1200時，根據(jù)選擇的校準參數(shù)設置，控制區(qū)塊1204配置光儲存存取區(qū)塊1202的一個或多個參數(shù)，其中根據(jù)光儲存存取區(qū)塊1202當前存取的缺陷區(qū)域的地址選擇校準參數(shù)設置。舉例來說，光盤1201可能具有多個缺陷區(qū)域，每個缺陷區(qū)域的地址數(shù)據(jù)和校準參數(shù)設置均記錄至儲存設備1208。在一種替代設計中，光盤1201實際上被分成多個碟區(qū)(discarea)，每個碟區(qū)的地址數(shù)據(jù)和校準參數(shù)設置均記錄至儲存設備1208。在圖13所示的典型實施例中，自儲存設備1208加載的校準參數(shù)設置直接用于配置光儲存存取區(qū)塊1202的一個或多個參數(shù)無需再用其它的參數(shù)。本發(fā)明進一步提出一種替代設計，藉由自儲存設備1208載入的校準參數(shù)設置，該替代設計初始化與處理讀回信號相關的至少一個參數(shù)，實施參數(shù)校準以更新校準參數(shù)設置，并記錄新的校準參數(shù)設置以更新儲存設備1208中光盤1201的識別信息所指示的舊校準參數(shù)設置。因此，即使于上次的參數(shù)校準中發(fā)現(xiàn)的校準參數(shù)設置不是最佳的，當前的參數(shù)校準可很快找到一個較優(yōu)的校準參數(shù)設置，這是因為于當前的參數(shù)校準開始時，于上次的參數(shù)校準中發(fā)現(xiàn)的校準參數(shù)設置可作為初始參數(shù)設置。圖14為圖12所示的光儲存裝置1200使用的參數(shù)校準方法第二實施例的流程圖。請注意，若結(jié)果實質(zhì)上相同，則無需嚴格按照圖14所示的順序執(zhí)行步驟。第二種參數(shù)校準操作的流程包括下述步驟步驟1400開始。步驟1402獲取光儲存媒體的識別信息。步驟1404參考識別信息以檢查是否已對光儲存媒體實施過至少一次參數(shù)校準。如果是，執(zhí)行步驟1406；否則，執(zhí)行步驟1410。步驟1406根據(jù)識別信息，從儲存設備加載校準參數(shù)設置。步驟1408根據(jù)自儲存設備加載的校準參數(shù)設置，配置與處理讀回信號相關的至少一個參數(shù)。步驟1410檢查是否應當激活參數(shù)校準。如果是，執(zhí)行步驟1412；否則，繼續(xù)檢查是否應當激活參數(shù)校準。步驟1412對與處理讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準，因此，為光儲存媒體獲取校準參數(shù)設置。步驟1414記錄光儲存媒體的識別信息所指示的校準參數(shù)設置于儲存設備。步驟1416結(jié)束。本領域的技術人員在讀過上述段落后能夠了解圖13所示的每個操作步驟。進一步的描述這里不再贅述。簡單總結(jié)，圖12所示典型裝置和圖13、圖14所示典型方法的思想為儲存與處理讀回信號相關的一個或多個參數(shù)的校準參數(shù)設置，因此當再次加載相同光儲存媒體用于播放時可節(jié)省校準參數(shù)的時間。請注意，參數(shù)校準區(qū)塊1206實施的參數(shù)校準并不僅限于上述的典型實施方式。參數(shù)校準區(qū)塊1206可經(jīng)由配置以使用任何可行參數(shù)校準機制，只要能夠改善光儲存裝置1200讀取性能的校準參數(shù)設置能夠成功實現(xiàn)。更特別地，無論實際應用何種參數(shù)校準機制以獲取與處理讀回信號相關的一個或多個參數(shù)的校準參數(shù)設置，任何光儲存裝置遵從本發(fā)明精神并屬于本發(fā)明范圍，其中光儲存裝置記錄光儲存媒體的識別信息指示的校準參數(shù)設置于儲存設備。各種變形、修改和所述實施例各種特征的組合均屬于本發(fā)明所主張的范圍，本發(fā)明的權(quán)利范圍應以申請專利權(quán)利要求為準。權(quán)利要求一種處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，包括根據(jù)所述讀回信號實施缺陷檢測并產(chǎn)生缺陷檢測結(jié)果，所述缺陷檢測結(jié)果用于指示所述光儲存媒體上的缺陷區(qū)域；以及根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果，對與處理所述讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，根據(jù)所述讀回信號實施所述缺陷檢測包括處理所述讀回信號產(chǎn)生已處理讀回信號；根據(jù)第一限幅值對所述已處理讀回信號進行限幅，以產(chǎn)生第一限幅結(jié)果；以及根據(jù)所述第一限幅結(jié)果產(chǎn)生所述缺陷檢測結(jié)果。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，根據(jù)所述讀回信號實施所述缺陷檢測進一步包括根據(jù)第二限幅值對所述已處理讀回信號進行限幅，以產(chǎn)生第二限幅結(jié)果；以及根據(jù)所述第一限幅結(jié)果產(chǎn)生所述缺陷檢測結(jié)果包括根據(jù)所述第一限幅結(jié)果和所述第二限幅結(jié)果產(chǎn)生所述缺陷檢測結(jié)果。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，所述至少一個參數(shù)為讀取通道參數(shù)、伺服參數(shù)或二者的一個組合。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，所述讀取通道參數(shù)為限幅器帶寬、維特比帶寬、鎖相環(huán)帶寬、部分相應最大似然靶標值、譯碼策略、射頻信號高通濾波帶寬或射頻信號幅度；所述伺服參數(shù)為聚焦增益或散焦設置。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，對所述至少一個參數(shù)實施所述參數(shù)校準包括根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果識別所述光儲存媒體上缺陷區(qū)域的缺陷幅度；以及根據(jù)所述缺陷幅度實施所述參數(shù)校準。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，進一步包括根據(jù)自處理所述讀回信號獲取的信號質(zhì)量指數(shù)，控制所述參數(shù)校準。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，根據(jù)所述信號質(zhì)量指數(shù)控制所述參數(shù)校準包括檢查所述信號質(zhì)量指數(shù)是否滿足預設標準；若所述信號質(zhì)量指數(shù)滿足所述預設標準，禁能所述參數(shù)校準；以及若所述信號質(zhì)量指數(shù)不滿足所述預設標準，控制所述參數(shù)校準以調(diào)整所述至少一個參數(shù)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，所述信號質(zhì)量指數(shù)包括從所述讀回信號中獲取的同步信號的信號質(zhì)量或與譯碼所述讀回信號相關的譯碼質(zhì)量。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，對所述至少一個參數(shù)實施所述參數(shù)校準包括根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果識別所述光儲存媒體上的缺陷區(qū)域；以及當存取根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果識別的所述缺陷區(qū)域時，使能所述參數(shù)校準以校準所述至少一個參數(shù)；以及所述處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法進一步包括若不存取所述缺陷區(qū)域，將所述至少一個參數(shù)從校準參數(shù)設置恢復為初始參數(shù)設置，其中，所述校準參數(shù)設置是由于存取所述缺陷區(qū)域而使能的所述參數(shù)校準所指定。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，對所述至少一個參數(shù)實施所述參數(shù)校準包括根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果識別所述光儲存媒體上的缺陷區(qū)域；以及當存取根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果識別的所述缺陷區(qū)域時，使能所述參數(shù)校準以校準所述至少一個參數(shù)；以及所述處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法進一步包括當不存取所述光儲存媒體與所述缺陷區(qū)域相關的磁道并且存取正常區(qū)域的至少一部分時，將所述至少一個參數(shù)從校準參數(shù)設置恢復為初始參數(shù)設置，其中所述校準參數(shù)設置是由于存取所述缺陷區(qū)域而使能的所述參數(shù)校準所指定。12.一種處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，包括缺陷檢測區(qū)塊，用于根據(jù)所述讀回信號實施缺陷檢測以產(chǎn)生缺陷檢測結(jié)果，所述缺陷檢測結(jié)果用于指示所述光儲存媒體上的缺陷區(qū)域；以及參數(shù)校準區(qū)塊，耦接于所述缺陷檢測區(qū)塊，用于根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果，對與處理所述讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，進一步包括信號產(chǎn)生區(qū)塊，包括信號合成器，用于根據(jù)自所述光儲存媒體反射的信號產(chǎn)生所述讀回信號；以及信號處理器，耦接于所述信號合成器，用于處理所述讀回信號以產(chǎn)生已處理讀回信號；其中，所述缺陷檢測區(qū)塊包括第一限幅器，耦接于所述信號產(chǎn)生區(qū)塊，用于根據(jù)第一限幅值對所述已處理讀回信號進行限幅，以產(chǎn)生第一限幅結(jié)果；以及決策邏輯單元，耦接于所述第一限幅器，用于根據(jù)所述第一限幅結(jié)果產(chǎn)生所述缺陷檢測結(jié)果。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，所述缺陷檢測區(qū)塊進一步包括第二限幅器，耦接于所述信號產(chǎn)生區(qū)塊和所述決策邏輯單元，用于根據(jù)第二限幅值對所述已處理讀回信號進行限幅，以產(chǎn)生第二限幅結(jié)果，其中所述決策邏輯單元根據(jù)所述第一限幅結(jié)果和所述第二限幅結(jié)果產(chǎn)生所述缺陷檢測結(jié)果。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，由所述參數(shù)校準區(qū)塊校準的所述至少一個參數(shù)為讀取通道參數(shù)、伺服參數(shù)或二者的一個組合。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，所述讀取通道參數(shù)為限幅器帶寬、維特比帶寬、鎖相環(huán)帶寬、部分相應最大似然靶標值、譯碼策略、射頻信號高通濾波帶寬或射頻信號幅度；所述伺服參數(shù)為聚焦增益或散焦設置。17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果所述參數(shù)校準區(qū)塊識別所述光儲存媒體上缺陷區(qū)域的缺陷幅度；并且根據(jù)所述缺陷幅度實施所述參數(shù)校準。18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，進一步包括校準控制區(qū)塊，耦接于所述參數(shù)校準區(qū)塊，用于根據(jù)自處理所述讀回信號獲取的信號質(zhì)量指數(shù)，控制所述參數(shù)校準區(qū)塊。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，所述校準控制區(qū)塊檢查所述信號質(zhì)量指數(shù)是否滿足預設標準；若所述信號質(zhì)量指數(shù)滿足所述預設標準，禁能所述參數(shù)校準；并且若所述信號質(zhì)量指數(shù)不滿足所述預設標準，控制所述參數(shù)校準以調(diào)整所述至少一個參數(shù)。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，所述信號質(zhì)量指數(shù)包括從所述讀回信號中獲取的同步信號的信號質(zhì)量或與譯碼所述讀回信號相關的譯碼質(zhì)量。21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，所述參數(shù)校準區(qū)塊根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果識別所述光儲存媒體上的缺陷區(qū)域；并且當存取根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果識別的所述缺陷區(qū)域時，校準所述至少一個參數(shù)；以及若不存取所述缺陷區(qū)域，所述參數(shù)校準區(qū)塊將所述至少一個參數(shù)從校準參數(shù)設置恢復為初始參數(shù)設置，其中所述校準參數(shù)設置為由于存取所述缺陷區(qū)域而使能的所述參數(shù)校準區(qū)塊所指定。22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，所述參數(shù)校準區(qū)塊根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果識別所述光儲存媒體上的缺陷區(qū)域；以及當存取根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果識別的所述缺陷區(qū)域時，校準所述至少一個參數(shù)；以及當不存取與所述缺陷區(qū)域相關的所述光儲存媒體磁道并且存取正常區(qū)域的至少一部分時，所述參數(shù)校準區(qū)塊將所述至少一個參數(shù)從校準參數(shù)設置恢復為初始參數(shù)設置，其中所述校準參數(shù)設置為由于存取所述缺陷區(qū)域而使能的所述參數(shù)校準區(qū)塊所指定。23.一種處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，包括根據(jù)所述讀回信號獲取所述光儲存媒體的識別信息；對與處理所述讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準，以獲取所述至少一個參數(shù)的校準參數(shù)設置；以及記錄所述識別信息指示的所述校準參數(shù)設置至儲存設備。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，進一步包括參考所述識別信息以檢查是否已對所述光儲存媒體實施過至少一次所述參數(shù)校準；以及若已對所述光儲存媒體實施過至少一次所述參數(shù)校準，根據(jù)所述識別信息從所述儲存設備加載所述校準參數(shù)設置，并且根據(jù)從所述儲存設備載入的所述校準參數(shù)設置配置與處理所述讀回信號相關的所述至少一個參數(shù)，其中當還未對所述光儲存媒體實施所述參數(shù)校準時，實施所述參數(shù)校準的步驟和記錄所述校準參數(shù)設置的步驟。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，其特征在于，根據(jù)從所述儲存設備加載的所述校準參數(shù)設置配置與處理所述讀回信號相關的所述至少一個參數(shù)的步驟進一步包括當需求所述參數(shù)校準時，執(zhí)行實施所述參數(shù)校準的步驟，以更新從所述儲存設備載入的所述校準參數(shù)設置，并且執(zhí)行記錄所述校準參數(shù)設置的步驟，以更新所述儲存設備中所述識別信息指示的所述校準參數(shù)設置。26.—種處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，包括光儲存存取區(qū)塊，用于讀取所述光儲存媒體以獲取所述讀回信號，并根據(jù)所述讀回信號獲取所述光儲存媒體的識別信息；參數(shù)校準區(qū)塊，耦接于所述光儲存存取區(qū)塊，用于對與處理所述讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準，以獲取所述至少一個參數(shù)的校準參數(shù)設置；儲存設備；以及控制區(qū)塊，耦接于所述參數(shù)校準區(qū)塊、所述光儲存存取區(qū)塊和所述儲存設備，用于記錄所述識別信息指示的所述校準參數(shù)設置至所述儲存設備。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，所述控制區(qū)塊進一步參考所述識別信息以檢查所述參數(shù)校準區(qū)塊是否已對所述光儲存媒體實施過至少一次所述參數(shù)校準；若所述參數(shù)校準區(qū)塊已對所述光儲存媒體實施過至少一次所述參數(shù)校準，所述控制區(qū)塊從所述儲存設備加載所述識別信息指示的所述校準參數(shù)設置，并且根據(jù)從所述儲存設備載入的所述校準參數(shù)設置配置與處理所述讀回信號相關的所述至少一個參數(shù)；當所述參數(shù)校準區(qū)塊還未對所述光儲存媒體實施所述參數(shù)校準時，所述控制區(qū)塊激活所述參數(shù)校準以對所述光儲存媒體實施所述參數(shù)校準，并將所述參數(shù)校準區(qū)塊獲取的并由所述光儲存媒體的所述識別信息指示的所述校準參數(shù)設置記錄至所述儲存設備。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的裝置，其特征在于，根據(jù)自所述儲存設備加載的所述校準參數(shù)設置配置與處理所述讀回信號相關的所述至少一個參數(shù)后，當需求所述參數(shù)校準時，所述控制區(qū)塊進一步控制所述參數(shù)校準區(qū)塊以實施所述參數(shù)校準，以更新從所述儲存設備載入的所述校準參數(shù)設置，并且記錄已更新的所述校準參數(shù)設置，以更新所述儲存設備中所述識別信息指示的所述校準參數(shù)設置。全文摘要本發(fā)明提供一種處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法及其裝置。其中處理由讀取光儲存媒體產(chǎn)生的讀回信號的方法，包括根據(jù)所述讀回信號實施缺陷檢測并產(chǎn)生缺陷檢測結(jié)果，所述缺陷檢測結(jié)果用于指示所述光儲存媒體上的缺陷區(qū)域；以及根據(jù)所述缺陷檢測結(jié)果，對與處理所述讀回信號相關的至少一個參數(shù)實施參數(shù)校準。利用本發(fā)明能夠正確譯碼讀回信號中包含的信息并改善讀取光儲存媒體上缺陷區(qū)域性能。文檔編號G11B7/00GK101833957SQ200910148319公開日2010年9月15日申請日期2009年6月15日優(yōu)先權(quán)日2009年3月9日發(fā)明者游志青,粘雅芳,黃英峰申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限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