專利名稱：：信息處理裝置、存取裝置、記錄介質(zhì)、信息處理方法及信息處理程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及對記錄介質(zhì)的特性信息進行判別處理的信息處理裝置、具備該信息處理裝置的存取(access)裝置、利用該存取裝置進行存取的記錄介質(zhì)、和其信息處理方法及信息處理程序。
背景技術(shù)：
：近年來，進行著大容量的信息通信。其結(jié)果，與大容量的光盤相關(guān)的開發(fā)正在不斷發(fā)展。光盤例如包括CD(CompactDisc)、LD(LaserDisc)、DVD(DigitalVersatileDisc)。光盤中，在形成了表示信息的凹凸圖案(例如凹坑(dot)、凹槽(groove))的透明基板上形成有由金屬薄膜(例如鋁)構(gòu)成的反射膜，通過檢測出光的反射大小(level)來進行信息的再生。在記錄型光盤中，通過記錄膜的相變化形成反射率不同的特性圖案。由于光盤裝置只要讀取非晶質(zhì)-結(jié)晶質(zhì)的反射率變化即可，所以，能夠簡單地得到光盤裝置的光學系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。光盤裝置通過檢測出多個記錄部和多個未記錄部之間的反射大小，來再生基于相變化而被記錄的信息。因此，光盤中存在著具有下述兩種特性的光盤，所述兩種特性是指由多個記錄部反射的光的反射率比由多個未記錄部反射的光的反射率大的特性(LtoH特性)、和由多個記錄部反射的光的反射率比由多個未記錄部反射的光的反射率小的特性(HtoL特性)。圖7表示形成于光盤的多個記錄標記與光盤反射的光的反射大小的關(guān)系。圖7A表示在具有HtoL特性的光盤中形成的多個記錄標記和由具有HtoL特性的光盤反射的光的反射大小的關(guān)系。圖7B表示在具有LtoH特性的光盤中形成的多個記錄標記和由具有LtoH特性的光盤反射的光的反射大小的關(guān)系。在具有HtoL特性的光盤(HtoL型光盤)中，形成有光的反射率為1%左右的非晶質(zhì)部(記錄部例如記錄標記)。HtoL型光盤的結(jié)晶部(未記錄部例如間隙(space))其光的反射率為1525%。在具有LtoH特性的光盤(LtoH型光盤)中，形成有光的反射率為2030%的非晶質(zhì)部(記錄部例如記錄標記)。LtoH型光盤的結(jié)晶部(未記錄部例如間隙)其光的反射率為310%(參照圖7B)。由于在HtoL型光盤中未記錄部的反射率大，所以，聚焦與追蹤容易，但由于光的平均反射率大，所以噪聲比LtoH型光盤大。在LtoH型光盤中，由于光的平均反射率小，所以噪聲比HtoL型光盤小，但由于未記錄部的反射率小，所以聚焦與追蹤困難。在專利文獻1中記載了HtoL型光盤和LtoH型光盤相關(guān)的內(nèi)容。專利文獻1:特開2003-323744號公報但是，由于光盤裝置無法判別插入到光盤裝置的光盤是HtoL型光盤還是LtoH型光盤，所以，在將LtoH型光盤插入到對應于HtoL型光盤的光盤裝置時、和將HtoL型光盤插入到對應于LtoH型光盤的光盤裝置時，會產(chǎn)生以下(1)(4)所示的問題。(1)由于HtoL型光盤和LtoH型光盤，其由記錄標記反射的反射光的極性以及由間隙反射的反射光的極性相反，所以，在HtoL型光盤和LtoH型光盤中，邊緣檢測、不對稱檢測或13值檢測中的檢測值的極性(正負)相反。(2)無法恰當?shù)貦z測出光盤的缺陷部分(例如因附著于光盤的垃圾、污垢等而幾乎不反射光的部分)。(3)無法在HtoL型光盤對應的調(diào)制度測定方法中，以LtoH型光盤為對象，適當?shù)販y定調(diào)制度。(4)在將LtoH型光盤插入到與HtoL型光盤對應的裝置時，有時會超過裝置的LSI的動態(tài)范圍的上限。這是因為LtoH型光盤中光的反射大小比HtoL型光盤中光的反射大小大。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述問題而提出，其目的在于，提供一種與記錄介質(zhì)的反射特性(是HtoL型還是LtoH型的特性)無關(guān)，能夠恰當?shù)靥幚碛涗浻谟涗浗橘|(zhì)的信息的信息處理裝置、具備該信息處理裝置的存取裝置、通過該存取裝置而進行存取的記錄介質(zhì)、和其信息處理方法以及信息處理程序。本發(fā)明的信息處理裝置對記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息進行處理，具備特性判別機構(gòu)和處理機構(gòu)。特性判別機構(gòu)判別記錄介質(zhì)的反射特性。處理機構(gòu)根據(jù)判別后的反射特性處理規(guī)定信息。這里，反射特性是指由記錄介質(zhì)的記錄完畢區(qū)域反射的光的反射率(下面稱作第一反射率)比由記錄介質(zhì)的未記錄區(qū)域反射的光的反射率(下面稱作第二反射率)大的第一特性、和第一反射率小于第二反射率的第二特性中的一方。信息處理裝置判別記錄介質(zhì)的反射特性，并根據(jù)該反射特性處理記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息。因此，能夠與記錄介質(zhì)的反射特性無關(guān)地恰當處理記錄于記錄介質(zhì)的信息。另外，上述以及后述的規(guī)定信息例如包括聲音或影像、其他數(shù)據(jù)等的用戶信息、用于暫時記錄特定的信息來進行記錄學習的寫入信息。特性判別機構(gòu)也可以根據(jù)特性信息，即記錄于記錄介質(zhì)的表示第一特性和第二特性中至少任意一方的信息，判別反射特性。而且，記錄介質(zhì)可以具有多個記錄層，對與多個記錄層的各自反射特性對應的特性信息進行記錄?；蛘撸匦耘袆e機構(gòu)可以根據(jù)由記錄介質(zhì)反射的光的反射大小，判別反射特性。處理機構(gòu)可以包括根據(jù)所判別的反射特性來反轉(zhuǎn)規(guī)定信息的極性的極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)。處理機構(gòu)可以包括根據(jù)所判別的反射特性來計算規(guī)定信息的調(diào)制度的調(diào)制度運算機構(gòu)。5處理機構(gòu)可以包括閾值變更機構(gòu)，其根據(jù)所判別的反射特性和由記錄介質(zhì)反射的光的反射大小，來變更對應于反射大小的閾值，即用于檢測記錄介質(zhì)的缺陷部分的閾值。并且，信息處理裝置可以具備反射大小檢測機構(gòu)和缺陷部分檢測機構(gòu)。反射大小檢測機構(gòu)檢測出反射大小。缺陷部分檢測機構(gòu)根據(jù)由閾值變更機構(gòu)變更后的閾值、和由反射大小檢測機構(gòu)檢測到的反射大小，檢測出記錄介質(zhì)的缺陷部分。處理機構(gòu)可以包括根據(jù)所判別的反射特性，來調(diào)整所照射的光的反射大小的反射大小調(diào)整機構(gòu)。本發(fā)明的存取裝置具備對記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息進行讀取的讀取機構(gòu)、和對所讀取的規(guī)定信息進行處理的上述信息處理機構(gòu)。由此，達成了上述目的。本發(fā)明的記錄介質(zhì)具有記錄區(qū)域，記錄區(qū)域是用于記錄表示記錄介質(zhì)特性的特性信息的區(qū)域。特性信息是表示由記錄介質(zhì)的記錄完畢區(qū)域反射的光的反射率(第一反射率)比由記錄介質(zhì)的未記錄區(qū)域反射的光的反射率(第二反射率)大的第一特性、以及第一反射率小于第二反射率的第二特性中至少一方的信息。記錄介質(zhì)具有用于記錄特性信息的區(qū)域。因此，能夠?qū)τ糜谔幚碛涗浻谟涗浗橘|(zhì)的信息的裝置提供特性信息，來進行與特性信息對應的處理。即，與記錄介質(zhì)的特性信息所表示的反射特性無關(guān)，能夠恰當?shù)靥幚碛涗浻谟涗浗橘|(zhì)的信息。記錄介質(zhì)具備多個記錄層，記錄區(qū)域可以記錄與多個記錄層分別對應的特性信息。本發(fā)明的信息處理方法，用于對記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息進行處理，具備特性判別步驟和處理步驟。特性判別步驟判別記錄介質(zhì)的反射特性。處理步驟根據(jù)判別后的反射特性處理規(guī)定信息。這里，反射特性是指由記錄介質(zhì)的記錄完畢區(qū)域反射的光的反射率(第一反射率)，比由記錄介質(zhì)的未記錄區(qū)域反射的光的反射率(第二反射率)大的第一特性、和第一反射率小于第二反射率的第二特性中的一方。由此，可達成上述目的。本發(fā)明的信息處理程序用于在對記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息進行處理的信息處理裝置中執(zhí)行信息處理，具備特性判別步驟和處理步驟。特性判別步驟判別記錄介質(zhì)的反射特性。處理步驟根據(jù)判別后的反射特性處理規(guī)定信息。這里，反射特性是指由記錄介質(zhì)的記錄完畢區(qū)域反射的光的反射率(第一反射率)，比由記錄介質(zhì)的未記錄區(qū)域反射的光的反射率(第二反射率)大的第一特性、和第一反射率小于第二反射率的第二特性中的一方。由此，可達成上述目的。根據(jù)本發(fā)明的信息處理裝置，具備對記錄介質(zhì)的反射特性進行判別的特性判別機構(gòu)、和根據(jù)判別后的所述反射特性來處理記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息的處理機構(gòu)。結(jié)果，可以和記錄介質(zhì)的反射特性無關(guān)地恰當處理記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息。同樣，根據(jù)本發(fā)明的存取裝置、信息處理方法、信息處理程序，由于可以判別本發(fā)明的記錄介質(zhì)的反射特性，并根據(jù)該反射特性處理規(guī)定信息，所以，能夠可靠地處理記錄于記錄介質(zhì)的信息。而且，根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)，記錄有表示第一特性和第二特性中至少一方的特性信息，第一特性是由所述記錄介質(zhì)的記錄完畢區(qū)域反射的光的反射率(第一反射率)比由所述記錄介質(zhì)的未記錄區(qū)域反射的光的反射率(第二反射率)大的特性，第二特性是第一反射率小于第二反射率的特性。因此，可以根據(jù)記錄于記錄介質(zhì)的特性信息，判別記錄介質(zhì)的特性具有第一特性還是具有第二特性。結(jié)果，能夠根據(jù)記錄介質(zhì)的特性，處理記錄于記錄介質(zhì)的信息。圖1表示本發(fā)明實施方式的記錄介質(zhì)100的結(jié)構(gòu)。圖2表示本發(fā)明實施方式的存取裝置200的構(gòu)成。圖3A表示照射于具有第二特性(HtoL特性)的光盤的光的照射大小和由該光盤反射的光的反射大小的關(guān)系。圖3B表示照射于具有第一特性(LtoH特性)的光盤的光的照射大小和由該光盤反射的光的反射大小的關(guān)系。圖4A表示對光盤的記錄部及未記錄部進行再生時的軌道方向和再生振幅的關(guān)系。圖4B表示光盤的記錄功率和調(diào)制度的關(guān)系。圖5表示檢測出的光的反射大小、閾值、接地電平和檢測信號。圖6表示本發(fā)明實施方式的存取處理順序。圖7A表示在具有第二特性(HtoL特性)的光盤中形成的多個記錄標記和由該光盤反射的光的反射大小的關(guān)系。圖7B表示在具有第一特性(LtoH特性)的光盤中形成的多個記錄標記和由該光盤反射的光的反射大小的關(guān)系。圖中100-記錄介質(zhì)，101-Lead-in區(qū)域，102-數(shù)據(jù)區(qū)域，103-lead-out區(qū)域，104-PIC區(qū)域，105-0PC區(qū)域，106-Drive區(qū)域，107-DMA區(qū)域，200-存取裝置，202-光頭部，204-特性判別機構(gòu)，206-信號極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)，208-信號處理機構(gòu)，210-邊緣移動(edgeshift)檢測機構(gòu)，212-不對稱檢測機構(gòu)，214-13值檢測機構(gòu)，216-調(diào)制度運算機構(gòu)，217-閾值變更機構(gòu)，218-缺陷部分檢測機構(gòu)，219-光盤控制器，220-反射大小調(diào)整機構(gòu)。具體實施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。首先，說明本發(fā)明的記錄介質(zhì)(參照"l.記錄介質(zhì)")，接著，對向記錄介質(zhì)進行存取的存取裝置進行說明(參照"2.存取裝置")。最后，說明通過存取裝置執(zhí)行的存取處理順序(參照"3.存取方法")。1.記錄介質(zhì)圖1表示本發(fā)明實施方式的記錄介質(zhì)100的結(jié)構(gòu)。記錄介質(zhì)100包括記錄層。通過在記錄層形成記錄標記，可以在記錄介質(zhì)100上記錄信息。記錄介質(zhì)100包括Lead-in區(qū)域101、數(shù)據(jù)區(qū)域102、Leachout區(qū)域103。數(shù)據(jù)區(qū)域102中記錄有用戶信息。用戶信息例如是聲音信息及影像信息、其他的數(shù)據(jù)等。Lead-in區(qū)域101及Lead-out區(qū)域103中記錄有記錄介質(zhì)100的管理信息和用于缺陷管理的數(shù)據(jù)。Lead-in區(qū)域101包括PIC(PermanentInformationandControldata)區(qū)域104、OPC(OptimumPowerCalibration)區(qū)域105、Drive區(qū)域106禾口DMA區(qū)域107。在PIC區(qū)域104中例如記錄有數(shù)據(jù)區(qū)域102的最大地址及記錄脈沖控制參數(shù)。記錄脈沖控制參數(shù)例如是與用于在記錄介質(zhì)100中形成/刪除多個記錄標記的激光功率相關(guān)的參數(shù)、及與用于記錄多個記錄標記的記錄脈沖寬度相關(guān)的參數(shù)。在PIC區(qū)域104中還記錄有特性信息。特性信息表示作為記錄介質(zhì)100的反射特性的LtoH特性及HtoL特性中的一方。HtoL特性是由多個記錄部(例如多個記錄標記)反射的光的反射率比由多個未記錄部(例如多個間隙)反射的光的反射率小的反射特性。LtoH特性是由多個記錄部(例如多個記錄標記)反射的光的反射率比由多個未記錄部(例如多個間隙)反射的光的反射率大的反射特性。在記錄介質(zhì)100具有HtoL特性的情況下，記錄值'0'作為特性信息。在記錄介質(zhì)100具有LtoH特性的情況下，在記錄介質(zhì)100中記錄值'1'作為特性信息。另外，不限定于表示記錄介質(zhì)100具有LtoH的信息由值'1'表示，表示記錄介質(zhì)100具有HtoL特性的信息由值'0'表示。只要規(guī)定的裝置能夠判別記錄介質(zhì)100的反射特性(具有LtoH特性還是具有HtoL特性)，進行表示的值是任意的。例如，只要規(guī)定的裝置能夠判別記錄介質(zhì)100的反射特性(具有LtoH特性還是具有HtoL特性)，則可以通過至少一個記錄標記與至少一個間隙中的至少一個進行表示。另外，特性信息不限定于由至少一個記錄標記和至少一個間隙中的至少一個表示的方式。只要規(guī)定的裝置能夠根據(jù)特性信息判別記錄介質(zhì)100的反射特性(具有LtoH特性還是具有HtoL特性)，則也可以通過軌道的起伏(wobble)記錄特性信息。而且，在記錄介質(zhì)100中軌道形成為同心圓狀，但只要能夠?qū)⑻匦孕畔⒂涗浻谟涗浗橘|(zhì)IOO，則軌道形成的形狀也可以是螺旋狀。并且，記錄介質(zhì)100不限定于重寫型或追記型。只要能夠記錄特性信息，則也可以是再生專用記錄介質(zhì)。記錄介質(zhì)100例如是CD、BD-RE(Blu-rayDiscRewritableFormat)、DVD-廳(DigitalVersatileDiscRandomAccessMemory)、或者DVD-RW(DigitalVersatileDiscRewritable)。進而，記錄介質(zhì)100的記錄層不拘限于1層。記錄介質(zhì)100的記錄層可以是多層。例如，在記錄介質(zhì)ioo包括第一記錄層和第二記錄層的情況下，可以在第一記錄層或第二記錄層中的一方記錄有特性信息。該情況下，特性信息可以表示第一記錄層和第二記錄層具有HtoL特性(或LtoH特性)。另外，在記錄介質(zhì)100包括第一記錄層和第二記錄層時，可以在第一記錄層中記錄第一特性信息，在第二記錄層中記錄第二特性信息。該情況下，第一特信息表示第一記錄層具有HtoL特性(或LtoH特性)，第二特性信息表示第二記錄層具有HtoL特性(或LtoH)。另外，第一記錄層和第二記錄層不限于具有相同的特性。第一記錄層和第二記錄層可以具有不同的特性。例如，記錄于第一記錄層的第一特性信息表示第一記錄層具有HtoL特性(或LtoH特性)，記錄于第二記錄層的第二特性信息表示第二記錄層具有LtoH特性(或HtoL特性)。而且，多層中的任意一層都可以記錄其他層的特性信息。例如，第一記錄層也可以存儲表示第一記錄層的反射特性的第一特性信息和表示第二記錄層的反射特性的第二特性信息。并且，多層中的任意一層可以記錄各層的特性信息。例如，第一記錄層和第二記錄層中的任意一層都可以存儲第一特性信息和第二特性信息。S卩，在具有多層的記錄介質(zhì)100中，可以在任意一層中記錄表示與多層中的每一層對應的反射特性的信息。并且，記錄有特性信息的區(qū)域不限于PIC區(qū)域104。只要是能夠記錄特性信息、且規(guī)定的裝置可以讀取特性信息，則被記錄的記錄介質(zhì)的位置沒有限定。例如，可以將特性信息記錄于Lead-out區(qū)域103?；蛘撸部梢詫⑻匦孕畔⒂涗浻跀?shù)據(jù)區(qū)域102。特性信息在制造記錄介質(zhì)100時由記錄介質(zhì)制造者進行記錄。在記錄介質(zhì)100是再生專用記錄介質(zhì)的情況下，按照已經(jīng)記錄了數(shù)據(jù)的狀態(tài)出廠。記錄介質(zhì)制造者將特性信息記錄于PIC區(qū)域之后使記錄介質(zhì)出廠。另外，在記錄介質(zhì)100是重寫型記錄介質(zhì)或追記型記錄介質(zhì)的情況下(例如DVD-RAM、DVD-RW)，記錄介質(zhì)制造者也可以在記錄介質(zhì)制造時，將與記錄介質(zhì)相關(guān)的信息記錄到記錄區(qū)域(例如PIC區(qū)域)。此外，特性信息向記錄介質(zhì)100的記錄不限于記錄介質(zhì)100的制造時。例如，能夠在向記錄介質(zhì)100記錄用戶信息時、或再生用戶信息時，通過用戶記錄特性信息。規(guī)定的裝置在對記錄介質(zhì)100進行存取之際(例如向記錄介質(zhì)100記錄用戶信息時、或再生用戶信息時)，讀取特性信息。2.存取裝置圖2表示本發(fā)明實施方式的存取裝置(光盤裝置)200的構(gòu)成。存取裝置200構(gòu)成為能夠插入記錄介質(zhì)100。記錄介質(zhì)100包括能夠記錄特性信息的特性信息區(qū)域，在特性信息區(qū)域中記錄有特性信息。存取裝置200主要包括對記錄于記錄介質(zhì)100的規(guī)定信息進行讀取的光頭部202、和對所讀取的規(guī)定信息進行處理的信息處理裝置225。信息處理裝置225具備對記錄介質(zhì)100的反射特性進行判別的特性判別機構(gòu)204、和按照所判別出的反射特性處理規(guī)定信息的處理機構(gòu)226。處理機構(gòu)226具備信號極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)206、信號處理機構(gòu)208、調(diào)制度運算機構(gòu)216、閾值變更機構(gòu)217、缺陷部分檢測機構(gòu)218、光盤控制器219和反射大小調(diào)整結(jié)構(gòu)220。光頭部202對記錄介質(zhì)100進行訪問，作為信號的讀取機構(gòu)而發(fā)揮功能，從記錄介質(zhì)100的記錄區(qū)域讀取表示被記錄的信息。信息中含有特性信息和用戶信息。用戶信息是聲音信息、影像信息、其他的數(shù)據(jù)等。特性判別機構(gòu)204從光頭部202讀取的信號中檢測特性信息，根據(jù)檢測出的特性信息，判別記錄介質(zhì)100的特性(記錄介質(zhì)100是HtoL型光盤還是LtoH型光盤)。信號極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)206根據(jù)由光頭部202讀取的特性信息，對表示用戶信息的信號的極性進行反轉(zhuǎn)。例如，在記錄介質(zhì)100是HtoL型的情況下，將與記錄標記對應的信號的極性從負反轉(zhuǎn)為正，將與間隙對應的信號的極性從正反轉(zhuǎn)為負。另一方面，在記錄介質(zhì)100是LtoH型光盤的情況下，將與記錄標記對應的信號的極性維持為正，將與間隙對應的信號的極性維持為負。信號處理機構(gòu)208包括邊緣移動檢測機構(gòu)210、不對稱檢測機構(gòu)212、P值檢測機構(gòu)214。通過信號處理機構(gòu)208中包含的這些機構(gòu)，對被輸入的信號進行處理。例如，邊緣檢測機構(gòu)210根據(jù)所輸入的信號檢測出邊緣移動量。不對稱檢測機構(gòu)212根據(jù)所輸入的信號檢測出信號的不對稱。P值檢測機構(gòu)214根據(jù)所輸入的信號檢測出信號的13值。信號極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)206對信號的極性進行控制，以使表示用戶信息的信號中與記錄標記對應的信號的極性為正，表示用戶信息的信號中與間隙對應的信號的極性為負。極性被控制后的信號輸入到信號處理機構(gòu)208。因此，與裝載于存取裝置200的記錄介質(zhì)100是HtoL型光盤還是LtoH型光盤無關(guān)，信號處理機構(gòu)208能夠以與記錄標記對應的信號的極性為正、與間隙對應的信號的極性為負為前提，對所輸入的信號進行處理。結(jié)果，能夠削減系統(tǒng)控制器的開發(fā)負擔，提高排除錯誤效率。調(diào)制度運算機構(gòu)216根據(jù)特性信息計算表示用戶信息的信號的調(diào)制度。例外，對于調(diào)制度運算機構(gòu)216的詳細功能將在后面敘述。缺陷部分檢測機構(gòu)218根據(jù)由光頭部202檢測到的放射光的反射大小和規(guī)定的閾值，檢測出至少一個缺陷部分。例如，有時在記錄介質(zhì)100的記錄區(qū)域附著有異物(垃圾、指紋等)。當對附著有異物的區(qū)域照射光時，因異物的附著會引起反射光發(fā)生散射。因此，幾乎無法從附著有異物的區(qū)域檢測出反射光的反射大小。缺陷部分檢測機構(gòu)218檢測出幾乎無法檢測到反射光的區(qū)域作為缺陷部分。閾值變更機構(gòu)217為了按照特性信息調(diào)整檢測到的反射大小與規(guī)定閾值之差值，對規(guī)定的閾值進行變更。例如，閾值變更機構(gòu)217根據(jù)特性信息變更規(guī)定的閾值，以便能夠通過調(diào)整檢測到的反射大小與規(guī)定閾值的差值，來檢測出被檢測到的反射大小的異常。另外，對于閾值變更機構(gòu)217和缺陷部分檢測機構(gòu)218的詳細功能將在后面進行敘述。光盤控制器219根據(jù)從信號處理機構(gòu)208、調(diào)制度運算機構(gòu)216以及缺陷部分檢測機構(gòu)218中至少一個機構(gòu)輸出的信號，調(diào)整用于將信息記錄于記錄介質(zhì)100的光的照射大小。例如，所調(diào)整的光的照射大小表示寫入功率、刪除功率、最低功率中至少一個。反射大小調(diào)整機構(gòu)220根據(jù)特性信息和由光盤控制器219生成的信號，對用于從記錄介質(zhì)100再生信息的光的反射大小進行調(diào)整。反射大小調(diào)整機構(gòu)220通過調(diào)整光頭部202對記錄介質(zhì)100照射的光的照射大小，來調(diào)整光的反射大小。例如，在特性信息表示記錄介質(zhì)100是LtoH型的情況下，反射大小調(diào)整機構(gòu)220通過減弱光頭部202照射的光的強度，來降低光的反射大小。由此，可以降低由LtoH型光盤反射的光的強度。結(jié)果，能夠高效地使用LSI的動態(tài)范圍。下面，對調(diào)制度運算機構(gòu)216的詳細功能進行說明。調(diào)制度運算機構(gòu)216根據(jù)由光頭部202檢測到的光的反射大小和特性信息，計算規(guī)定信息的調(diào)制度。具體而言，調(diào)制度運算機構(gòu)216根據(jù)由光頭部202檢測出的光的反射大小，檢測出由未記錄區(qū)域(間隙)反射的光的反射大小和由記錄部(記錄標記)反射的光的反射大小，并根據(jù)檢測到的兩個大小計算規(guī)定信息的調(diào)制度。這里，由光頭部202檢測到的光的反射大小表示規(guī)定信息。圖3A和圖3B表示照射于光盤的光的照射大小和由光盤反射的光的反射大小的關(guān)系。圖3A表示照射于HtoL型光盤的光的照射大小和由HtoL型光盤反射的光的反射大小的關(guān)系。橫軸表示照射于HtoL型光盤的光的照射大小?？v軸表示由HtoL型光盤反射的光的反射大小。在由特性信息表示的特性為HtoL特性時，調(diào)制度Mod由(式1)定義。(式1)Mod=(A-B)/A這里，'A'表示由未記錄區(qū)域(間隙)反射的光的反射大小，'B'表示由記錄部(記錄標記)反射的光的反射大小。圖3B表示照射于LtoH型光盤的光的照射大小和由LtoH型光盤反射的光的反射大小的關(guān)系。橫軸表示照射于LtoH型光盤的光的照射大小?？v軸表示由LtoH型光盤反射的光的反射大小。在由特性信息表示的特性為LtoH特性時，調(diào)制度Mod由(式2)定義。(式2)Mod=(B-A)/B調(diào)制度運算機構(gòu)216包括用于運算(式1)的第一運算器和用于運算(式2)的第二運算器。調(diào)制度運算機構(gòu)216通過根據(jù)特信信息切換這兩個運算器，能夠計算規(guī)定信息的調(diào)制度。以往，在具有不同反射特性的光盤中，由于利用同一公式計算調(diào)制度，所以，例如當針對LtoH型光盤以上述(式1)測定調(diào)制度時，存在著調(diào)制度的靈敏度變差的不良情況。但是，如本實施方式這樣，通過根據(jù)光盤的反射特性，切換用于運算(式l)的第一運算器和用于運算(式2)的第二運算器來求取調(diào)制度，可以使調(diào)制的靈敏度相同。在本實施方式中，通過提高調(diào)制度測定的精度，例如可以更加準確地決定最佳的記錄功率。參照圖4A和圖4B對該最佳記錄功率的決定方法進行以下的說明。圖4A是與記錄部的再生振幅減少的HtoL型光盤相關(guān)，對8T間隔(8Ts)、8T標記(8Tm)的單一圖案的反復記錄部和未記錄部進行再生的圖。縱軸表示再生記錄部、未記錄部時的再生振幅大小，橫軸表示軌道方向(時間軸方向)。Atop如圖4A所示，表示再生信號的反射大小的最大值，Abtm表示再生信號的反射大小的最小值。Atop和Abtm是根據(jù)某一基準大小的振幅大小。這里，基準大小可以作為在切斷例如用于再生的激光功率時(激光熄滅時)檢測到的大小。另外，基準大小也可以是檢測再生振幅的電路中的規(guī)定大小。在本實施方式中，為了求取調(diào)制度使用了8T的反復信號，但本發(fā)明不限定于此。如圖4B所示，為了決定最佳的記錄功率Pwo，使記錄功率Pw變化(從高的功率到低的功率)來測定調(diào)制度Mod。圖4B，其縱軸是使記錄功率變化而再生已記錄的軌道時的調(diào)制度Mod，橫軸表示記錄功率Pw的變化。在記錄功率Pw低時，由于再生信號的振幅小，所以調(diào)制度Mod減小。隨著記錄功率Pw變大，由于再生信號的振幅增大，所以調(diào)制度Mod變大。準備了用于按光盤決定記錄功率的參數(shù)。這些參數(shù)被預先記載于盤上，或按盤保持記錄再生裝置。作為其一個例子，有在某一記錄功率(Ptg)時得到的調(diào)制度(Mtg)、開始記錄的(將激光照射于盤時反射量開始變化時的記錄功率)Pth、Pth與Ptg的比例關(guān)系參數(shù)kk、Ptg與Pwo的比例關(guān)系參數(shù)rr。這些參數(shù)滿足Ptg=PthXkk及Pwo=PtgXrr的關(guān)系。Pth可以從以Ptg附近的記錄功率進行記錄時的調(diào)制度曲線的切線得到。最佳記錄功率決定順序首先以Ptg附近的幾個功率測定調(diào)制度，如圖4B所示得到調(diào)制度曲線。使用Mtg附近的調(diào)制度求取切線，求得作為與X軸的交點的Pth。將kk和rr與Pth相乘，算出最佳的記錄功率Pwo。如上所述，在最佳記錄功率Pwo的算出中，使用了調(diào)制度。因此，為了算出最佳的記錄功率Pwo，需要求出恰當?shù)恼{(diào)制度。本實施方式中根據(jù)光盤的反射特性，切換用于運算(式l)的第一運算器和用于運算(式2)的第二運算器來求出調(diào)制度。因此，能夠算出恰當?shù)恼{(diào)制度，并且，能夠算出最佳的記錄功率Pwo。下面，對閾值變更機構(gòu)217和缺陷部分檢測機構(gòu)218的詳細功能進行說明。圖5表示檢測到的光的反射大小、閾值、接地電平和檢測信號。缺陷部分根據(jù)光的反射大小和閾值而檢測出。由LtoH型光盤的間隙(未記錄部)反射的光的反射大小B與接地電平的差值，比由HtoL型光盤的間隙(未記錄部)反射的光的反射大小A與接地電平的差值小。因此，在LtoH型光盤的情況下，需要在反射大小B與接地電平之間正確設定用于檢測缺陷部分的閾值B。例如，在針對LtoH型光盤設定閾值A(chǔ)時，由于閾值A(chǔ)的大小和反射大小B接近，所以，能夠誤檢測出未記錄部(間隙)是缺陷部分。在特性判別機構(gòu)204根據(jù)特性信息判別出光盤的特性是LtoH特性時，閾值變更機構(gòu)217變更閾值，以便能夠檢測出所檢測的反射大小的異常。例如，按照為了增大光的反射大小B與接地電平B的差值而減小閾值B的方式，變更閾值B。閾值變更機構(gòu)217將表示減小的閾值(閾值B)的信息輸出到缺陷部分檢測機構(gòu)218。缺陷部分檢測機構(gòu)218對由信號表示的閾值B和反射大小進行比較，生成表示缺陷部分的檢測信號B。這樣，通過按照能夠檢測出所檢測的反射大小的異常的方式變更閾值，可以根據(jù)光的反射大小B和閾值B正確地檢測出缺陷部分。存取裝置200在缺陷部分檢測期間保持控制動作。通過正確地檢測出缺陷部分，存取裝置200可以正確地識別保持控制動作所必須的期間。該情況下，存取裝置200可以預先記錄檢測到的缺陷部分的區(qū)域，在控制時不對該被記錄的區(qū)域進行控制動作。以上，參照圖2圖5，對本發(fā)明實施方式的存取裝置200進行了說明。例如在參照圖2進行了說明的實例中，光頭部202作為"讀取記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息的讀取機構(gòu)"而發(fā)揮功能，特性判別機構(gòu)204、信號極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)206、信號處理機構(gòu)208、調(diào)制度運算機構(gòu)216、閾值變更機構(gòu)217、缺陷部分檢測機構(gòu)218、光盤控制器219、反射大小調(diào)整機構(gòu)220作為"對被讀取的所述規(guī)定信息進行處理的技術(shù)方案1所記載的信息處理裝置"而發(fā)揮功能。但是，本發(fā)明的存取裝置200不限定于圖2所示的裝置。只要能夠達到上述各機構(gòu)的功能，具有任意構(gòu)成的裝置都包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，在記錄介質(zhì)100是HtoL型時，信號極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)206可以將與記錄標記對應的信號的極性維持為負，將與間隙對應的信號的極性維持為正，并且，在記錄介質(zhì)100是LtoH型光盤時，信號極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)206可以將與記錄標記對應的信號的極性從正反轉(zhuǎn)為負，將與間隙對應的信號的極性從負反轉(zhuǎn)為正。因此，與安裝于存取裝置200的記錄介質(zhì)100是HtoL型光盤還是LtoH型光盤無關(guān)，信號處理機構(gòu)208能夠以與記錄標記對應的信號的極性為負、與間隙對應的信號的極性為正為前提，處理所輸入的信號。結(jié)果，可以削減系統(tǒng)控制器的開發(fā)負擔，提高排除錯誤效率。并且，不限定于通過反射大小調(diào)整機構(gòu)220減弱光頭部202照射的光的強度，來降低光頭部202檢測的光的反射大小。例如，在特性信息表示記錄介質(zhì)100是LtoH型的情況下，通過反射大小調(diào)整機構(gòu)220減弱光頭部202的放射光檢測能力，可以降低光頭部202檢測的光的反射大小。因此，能夠減弱由LtoH型光盤反射的光的強度，結(jié)果，可以有效的使用LSI的動態(tài)范圍。另外，即使在光盤中沒有記載特性信息的情況下，特性判別機構(gòu)204也能夠判別光盤的特性。例如，光頭部202對沒有記載特性信息的光盤的未記錄區(qū)域照射光。光頭部202檢測由未記錄區(qū)域反射的光的反射大小，將表示由未記錄區(qū)域反射的光的反射大小的信號發(fā)送給特性判別機構(gòu)204。特性判別機構(gòu)204能夠根據(jù)由該信號表示的光的反射大小是否大于規(guī)定值，判別該光盤是HtoL型還是LtoH型。這樣的特性判別也可以針對記錄了特性信息的記錄介質(zhì)100進行。此時，當特性判別機構(gòu)204根據(jù)光的反射大小判別的反射特性、與特性判別機構(gòu)204根據(jù)特性信息判別的反射特性發(fā)生矛盾時，能夠采取下述措施，即，特性判別機構(gòu)204再次檢測出光盤的反射大小來判別特性、特性判別機構(gòu)204使特性信息優(yōu)先并進行其后的處理，或者特性判別機構(gòu)204使光盤控制器219動作、禁止向光盤的寫入等。3.存取方法圖6表示本發(fā)明實施方式的存取處理順序。下面，參照圖1、圖2和圖6，按步驟說明本發(fā)明實施方式的存取處理順序。存取處理順序由存取裝置200執(zhí)行。記錄介質(zhì)100被插入在存取裝置200中。步驟302:起動存取裝置200。步驟304:伴隨著存取裝置200的起動，光頭部202對記錄介質(zhì)100的PIC區(qū)域104進行訪問，光頭部202從PIC區(qū)域104讀出特性信息。步驟306:特性判別機構(gòu)204根據(jù)所讀取的特性信息，判別記錄介質(zhì)100是HtoL型光盤還是LtoH型光盤。步驟308:在判別為記錄介質(zhì)100是HtoL型光盤時，特性判別機構(gòu)204對信號極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)206、閾值變更機構(gòu)217、調(diào)制度運算機構(gòu)216以及反射大小調(diào)整機構(gòu)220，進行用于處理從HtoL型光盤讀取的信息的設定。在判別為記錄介質(zhì)100是LtoH型光盤時，特性判別機構(gòu)204對信號極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)206、閾值變更機構(gòu)217、調(diào)制度運算機構(gòu)216以及反射大小調(diào)整機構(gòu)220，進行用于處理從LtoH型光盤讀取的信息的設定。在完成了用于處理從光盤讀取的信息的設定之后，處理進入到步驟310。步驟310:光頭部202對記錄介質(zhì)100的數(shù)據(jù)區(qū)域102進行訪問，光頭部202從數(shù)據(jù)區(qū)域102讀取用戶信息。步驟312:存取裝置200對讀取的用戶信息進行處理。以上，參照圖1、圖2及圖5，對本發(fā)明實施方式的存取處理順序進行了說明。另外，本發(fā)明的存取處理順序不限于圖6所示的順序。只要能夠執(zhí)行上述各順序，則具有任意順序的方法都包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。以上，參照圖1圖6對本發(fā)明的實施方式進行了說明。例如，圖2所示的實施方式中說明過的各機構(gòu)可以通過硬件實現(xiàn)，也可以通過軟件實現(xiàn)，還可以通過硬件和軟件實現(xiàn)。無論是在通過硬件實現(xiàn)的情況下，通過軟件實現(xiàn)的情況下，還是通過硬件和軟件實現(xiàn)的情況下，只要能夠執(zhí)行本發(fā)明的存取處理順序，則可以具有任意的順序。例如，在本發(fā)明的存取裝置中，存儲有用于執(zhí)行存取處理的存取處理程序。存取處理程序可以在計算機出廠時預先存儲到存取裝置所包含的存儲機構(gòu)中?；蛘撸部梢栽谟嬎銠C出廠后，將存取處理程序存儲到存儲機構(gòu)中。例如，用戶可以從互聯(lián)網(wǎng)上特定的網(wǎng)站付費或免費下載存取處理程序，將下載后的程序安裝于計算機。在存取處理程序記錄在軟盤、CD-ROM、DVD-ROM等計算機可讀取的記錄介質(zhì)時，可以利用輸入裝置(例如盤驅(qū)動裝置)將存取處理程序安裝于計算機。安裝后的存取處理程序被存儲在存儲機構(gòu)。信息處理裝置225(參照圖2:包括特性判別機構(gòu)204、信號極性反轉(zhuǎn)機構(gòu)206、信號處理機構(gòu)208、調(diào)制度運算機構(gòu)216、閾值變更機構(gòu)217、缺陷部分檢測機構(gòu)218、光盤控制器219和反射大小調(diào)整機構(gòu)220)可以制造為單芯片化的LSI(半導體集成電路)或作為其一部分而被制造。在信息處理裝置225作為單芯片化的LSI而被制造的情況下，可以使存取裝置的制造工序簡單。另外，也可以使構(gòu)成信息處理裝置25的各部獨立地被制造為LSI，還可以使構(gòu)成信息處理裝置225的一部分獨立地被制造為LSI。另外，舉例說明了在存取裝置200中從記錄有特性信息的記錄介質(zhì)100讀取特性信息的情況，但特性信息的取得路徑不限定于此。例如，也可以是存取裝置200按未圖示的存儲部等預先存儲多個特性信息，從存儲度讀取與搭載于存取裝置200的光盤對應的特性信息，進行使用。而且，存取裝置200也可以從外部，例如互聯(lián)網(wǎng)上的特性網(wǎng)站取得特性信息。如上所述，利用本發(fā)明的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明進行了例示，但不應該解釋為本發(fā)明限定于該實施方式?？衫斫鉃楸景l(fā)明僅由權(quán)利要求的范圍限定其范圍。本領(lǐng)域人員根據(jù)本發(fā)明的記載及技術(shù)常識，可以從本發(fā)明具體的優(yōu)選實施方式的記載實施等價的范圍。應當認為本說明書中引用的專利、專利申請及文獻，其內(nèi)容自身被具體地記載于本說明書，其內(nèi)容作為對本說明書的參考而被引用。權(quán)利要求1.一種信息處理裝置，對記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息進行處理，具備特性判別機構(gòu)，其對所述記錄介質(zhì)的反射特性進行判別；禾口處理機構(gòu)，其根據(jù)判別后的所述反射特性來處理所述規(guī)定信息，所述反射特性，是指由所述記錄介質(zhì)的記錄完畢區(qū)域反射的光的反射率即第一反射率大于由所述記錄介質(zhì)的未記錄區(qū)域反射的光的反射率即第二反射率的第一特性、和所述第一反射率小于所述第二反射率的第二特性中的一方。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息處理裝置，其特征在于，所述特性判別機構(gòu)，根據(jù)特性信息即記錄于所述記錄介質(zhì)的、表示所述第一特性和所述第二特性中至少一方的信息，判別所述反射特性。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信息處理裝置，其特征在于，所述記錄介質(zhì)，具有多個記錄層，對與所述多個記錄層的各個的所述反射特性對應的所述特性信息進行記錄。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息處理裝置，其特征在于，所述特性判別機構(gòu)，根據(jù)由所述記錄介質(zhì)反射的光的反射大小，判別所述反射特性。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息處理裝置，其特征在于，所述處理機構(gòu)包括調(diào)制度運算機構(gòu)，該調(diào)制度運算機構(gòu)按照所判別出的所述反射特性來計算所述規(guī)定信息的調(diào)制度。6.—種光盤裝置，具備讀取機構(gòu)，其對記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息進行讀?。缓炭跈?quán)利要求1所述的信息處理裝置，其對所讀取的所述規(guī)定信息進行處理。7.—種記錄介質(zhì)，是信息被光學地再生的記錄介質(zhì)，具有用于記錄表示所述記錄介質(zhì)的特性的特性信息的特性信息保持區(qū)域，所述特性信息，是表示所述記錄介質(zhì)是具有第一特性的記錄介質(zhì)、或者所述記錄介質(zhì)是具有第二特性的記錄介質(zhì)的信息，所述第一特性為由所述記錄介質(zhì)的記錄完畢區(qū)域反射的光的反射率即第一反射率大于由所述記錄介質(zhì)的未記錄區(qū)域反射的光的反射率即第二反射率，所述第二特性為所述第一反射率小于所述第二反射率。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，具有多個記錄層，所述特性信息保持區(qū)域記錄與所述多個記錄層的每一個對應的所述特性信息。9.一種再生裝置，是用于再生權(quán)利要求7所述的記錄介質(zhì)的再生裝置，包括讀出機構(gòu)，從所述特性信息保持區(qū)域讀出所述記錄介質(zhì)的特性信息；禾口判別機構(gòu)，基于所述特性信息，判別所述記錄介質(zhì)是具有所述第一特性的記錄介質(zhì)、或者是具有所述第二特性的記錄介質(zhì)。10.—種信息處理方法，對記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息進行處理，具備判別所述記錄介質(zhì)的反射特性的特性判別步驟；禾口按照判別出的所述反射特性，處理所述規(guī)定信息的處理步驟，所述反射特性，是指由所述記錄介質(zhì)的記錄完畢區(qū)域反射的光的反射率即第一反射率大于由所述記錄介質(zhì)的未記錄區(qū)域反射的光的反射率即第二反射率的第一特性、和所述第一反射率小于所述第二反射率的第二特性中的一方。11.一種信息處理程序，用于在對記錄于記錄介質(zhì)的規(guī)定信息進行處理的信息處理裝置中執(zhí)行信息處理，具備判別所述記錄介質(zhì)的反射特性的特性判別步驟；禾口根據(jù)判別出的所述反射特性，處理所述規(guī)定信息的處理步驟，所述反射特性，是指由所述記錄介質(zhì)的記錄完畢區(qū)域反射的光的反射率即第一反射率大于由所述記錄介質(zhì)的未記錄區(qū)域反射的光的反射率即第二反射率的第一特性、和所述第一反射率小于所述第二反射率的第二特性中的一方。12.—種記錄介質(zhì)的制造方法，是信息被光學地再生的記錄介質(zhì)的制造方法，具有用于形成信息被光學地再生的記錄層的步驟；禾口在所述記錄層上形成特性信息保持區(qū)域的步驟，所述特性信息保持區(qū)域用于記錄表示所述記錄介質(zhì)的特性的特性信息，所述特性信息，是表示所述記錄介質(zhì)是具有第一特性的記錄介質(zhì)、或者所述記錄介質(zhì)是具有第二特性的記錄介質(zhì)的信息，所述第一特性為由所述記錄介質(zhì)的記錄完畢區(qū)域反射的光的反射率即第一反射率大于由所述記錄介質(zhì)的未記錄區(qū)域反射的光的反射率即第二反射率，所述第二特性為所述第一反射率小于所述第二反射率。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，具有形成多個記錄層的步驟，所述特性信息保持區(qū)域記錄與所述多個記錄層的每一個對應的所述特性信息。14.一種再生裝置，是用于再生由權(quán)利要求12所述的記錄介質(zhì)的制造方法制造的記錄介質(zhì)的再生裝置，包括讀出機構(gòu)，從所述特性信息保持區(qū)域讀出所述記錄介質(zhì)的特性信息；禾口判別機構(gòu)，基于所述特性信息，判別所述記錄介質(zhì)是具有所述第一特性的記錄介質(zhì)、或者是具有所述第二特性的記錄介質(zhì)。全文摘要文檔編號G11B7/005GK101697279SQ20091014703公開日2010年4月21日申請日期2005年10月14日優(yōu)先權(quán)日2004年11月2日發(fā)明者中島鍵,南野順一,宮下晴旬申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社;