專(zhuān)利名稱(chēng)：利用電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的缺陷表制造存儲(chǔ)器模塊的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體而言涉及存儲(chǔ)器模塊的制造。更具體而言，本發(fā)明涉及通過(guò)部份良好
存儲(chǔ)器芯片制造存儲(chǔ)器模塊。
背景技術(shù)：
存儲(chǔ)器模塊廣泛地應(yīng)用于各種電子系統(tǒng)，特別是應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)中。存儲(chǔ)器模 塊是遵照工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定的規(guī)則所構(gòu)建，以確保廣大潛在的市場(chǎng)。高容量生產(chǎn)及競(jìng)爭(zhēng)已大幅 地降低模塊的成本，因而使各種電子系統(tǒng)的購(gòu)買(mǎi)者受益。 存儲(chǔ)器模塊可制造成多種不同的尺寸及容量，例如舊型30支接腳(pin)及72支 接腳的單列存儲(chǔ)器模i央(single-inline memory module, SIMM)以及新型168支接腳、184 支接腳及240支接腳的雙列存儲(chǔ)器模塊(dual inline memory module, DIMM)。這些接腳是 自模塊邊緣所延伸的原始接腳，具有金屬觸板或引線(xiàn)，如今，大多數(shù)的模塊是無(wú)引線(xiàn)的。小 尺寸的模塊的長(zhǎng)約為3至5英寸，高約為1至1. 5英寸。 模塊包含小型印刷電路板(printed-circuit board, PCB)基板，尤其是指具 有玻璃纖維絕熱體(fiberglass insulation)及鋁箔的交互迭層或金屬互連層的多層 板(multi-layer board)。模塊表面上安裝的組件，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)芯片及電容，是被焊接于基板的其中一表面或雙面。
圖1描繪出全緩沖存儲(chǔ)器模塊。存儲(chǔ)器模塊10包含基板，例如多層印刷電路板， 基板的前表面或側(cè)邊則安裝表面貼裝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22，如圖1所示，較多的動(dòng) 態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22，則被安裝至機(jī)板的后側(cè)或后表面(圖未繪示)。存儲(chǔ)器模塊10 可為全緩沖雙列存儲(chǔ)器模塊(fully-bufferd dual-inlinememory module,FB-DI匪)，通過(guò) 存儲(chǔ)器模塊10上的先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖(AdvancedMemory Buffer, AMB)芯片(圖未繪示)來(lái) 達(dá)到全緩沖。先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖芯片使用差分信號(hào)及數(shù)據(jù)包來(lái)達(dá)到高速率傳輸數(shù)據(jù)。
同樣地，不具有先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖芯片的存儲(chǔ)器模塊也會(huì)被制造。這種不具有緩沖 的存儲(chǔ)器模塊通過(guò)觸板12直接將地址、數(shù)據(jù)及控制信號(hào)從母板傳遞至動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器芯片22。有些存儲(chǔ)器模塊使用簡(jiǎn)單緩沖來(lái)緩沖或鎖存部份信號(hào)，而不使用全緩沖雙列存 儲(chǔ)器模塊中較為復(fù)雜的串行數(shù)據(jù)包接口。 金屬觸板12沿著模塊前后兩面的底部邊緣安置，金屬觸板12與模塊插座相抵觸， 使得模塊電氣連接至個(gè)人計(jì)算機(jī)的母板?？?6會(huì)出現(xiàn)在某些種類(lèi)的模塊上，以確保模塊正 確地被安置在插座內(nèi)。缺口 14也用于確保模塊正確地插入。安裝于基板表面的電容或其 它分離的組件則用于過(guò)濾來(lái)自于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22的雜訊。
某些存儲(chǔ)器模塊在存儲(chǔ)器模塊基板上包含串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ) 器(serial-presence-detect electrically-erasable programmable read-onlymemory， SPD-EEPROM)。用于存儲(chǔ)器模塊的配置信息存儲(chǔ)于串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 130中，例如速率、深度及存儲(chǔ)器模塊上的存儲(chǔ)器配置。
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片可具有較大的容量，例如512百萬(wàn)位(Mbits)或一半的 10億位(giga-bit)。大量的存儲(chǔ)器單元、個(gè)別存儲(chǔ)單元的小型化及整體大.面積的動(dòng)態(tài)隨 機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片(die)導(dǎo)致某些常見(jiàn)的制造缺陷。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片在未切割及 封裝前，于晶片上檢測(cè)，但晶片揀選檢測(cè)無(wú)法發(fā)現(xiàn)全部的缺陷。使用探針卡接觸晶片上的各 個(gè)芯片則會(huì)使檢測(cè)環(huán)境相當(dāng)嘈雜。因此晶片揀選檢測(cè)限制住檢測(cè)速度，而阻礙發(fā)現(xiàn)更多缺 陷的較詳盡檢測(cè)。 如此一來(lái)，某些已封裝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片是含有缺陷的。成本有效地快速 執(zhí)行進(jìn)一步檢測(cè)已封裝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，將可在已封裝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片 中識(shí)別出缺陷動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片并丟棄。然而，丟棄已封裝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯 片是有點(diǎn)浪費(fèi)的，因?yàn)橥ǔＶ挥幸粋€(gè)單獨(dú)的缺陷出現(xiàn)。例如一個(gè)缺陷可能只會(huì)導(dǎo)致五億分 之一個(gè)存儲(chǔ)器單元失效。幾乎五億個(gè)存儲(chǔ)器單元正確地工作于具有一缺陷的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取 存儲(chǔ)器芯片上，然而此芯片通常是被丟棄的。 某些動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片是可修復(fù)的。于晶片揀選檢測(cè)期間，芯片上的熔絲 可通過(guò)激光熔化或其它方法。嘗試并執(zhí)行這種修復(fù)，以決定哪個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片 是良好的以及哪個(gè)是不良的，且修復(fù)可以是一個(gè)分離的步驟。當(dāng)修復(fù)成功時(shí)，通常使存儲(chǔ)器 全部面積得以作用。例如修復(fù)512百萬(wàn)位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上不良的存儲(chǔ)器單元可讓 整個(gè)512Mbit得以作用，這是因?yàn)椴涣嫉拇鎯?chǔ)器單元于修復(fù)期間被多余的存儲(chǔ)器單元所取 代。 除了修復(fù)芯片，某些芯片制造業(yè)者會(huì)降低動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的容量，例如 可將部份良好、已封裝且具有缺陷的10億位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片作為512百萬(wàn)位動(dòng)態(tài) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器售出。 存儲(chǔ)器模塊的制造業(yè)者可以購(gòu)買(mǎi)經(jīng)過(guò)多種層次檢測(cè)的已封裝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器。成本將因購(gòu)買(mǎi)未經(jīng)過(guò)全面檢測(cè)已封裝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器而降低。存儲(chǔ)器模塊的制造 業(yè)者可將這些購(gòu)入的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片做更完整的檢測(cè)，以移除具有單一缺陷的動(dòng) 態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。 圖2A-圖2B呈現(xiàn)位于部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片上的缺陷。圖2A中，動(dòng) 態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片具有高地址位A13，高地址位A13將存儲(chǔ)器分為二個(gè)半等份Hl， H2。 二個(gè)半等份Hl， H2可為邏輯上的二等份而非動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片上的分離實(shí)體陣列。 當(dāng)?shù)刂稟13二 1時(shí)，半等份H2被選定，而當(dāng)A13二0時(shí)，半等份H1被選定。當(dāng)A13 = 1時(shí)， 缺陷56出現(xiàn)且位于H2半等份552。因?yàn)楫?dāng)A13 = 0時(shí)，所有位皆是良好的，故Hl半等份 554是可用于存儲(chǔ)器模塊的良好等分。 有時(shí)候會(huì)有二個(gè)或更多的缺陷出現(xiàn)。當(dāng)缺陷出現(xiàn)在二個(gè)半等份552,554時(shí)，二個(gè) 半等分皆不能使用。然而，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片可更進(jìn)一步分成四個(gè)象限。圖2B中， 高地址位A12， A13具有新增的四等份562，564，566，568的四個(gè)可能值，并標(biāo)記Q4， Q3， Q2， Ql。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)存儲(chǔ)器單元地址為A13 = 1且A12 = O，則Q3象限564被選定。
當(dāng)缺陷出現(xiàn)在四個(gè)象限中的其中的二個(gè)象限，剩余的二個(gè)象限可組合成一半大小 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)缺陷出現(xiàn)在Q3及Q2象限564，566，剩余的Q4及Ql 象限562,568可作為一半大小的存儲(chǔ)器使用。 圖3描繪出先前技術(shù)在制造存儲(chǔ)器模塊的芯片制程流程。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片在工廠或晶片制程廠制造，且檢測(cè)及封裝成動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22。某些晶片揀選 檢測(cè)可被執(zhí)行，以決定哪個(gè)芯片需封裝以及決定哪個(gè)芯片需丟棄。 已封裝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22被放入檢測(cè)插座用以初步檢測(cè)，檢測(cè)插座連 接至自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備(automated-test-equipment,ATE)的自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)頭(head) 102。 自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備相當(dāng)昂貴，通常是百萬(wàn)美元的機(jī)器。于自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)頭102上通過(guò)檢測(cè) 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22插入至存儲(chǔ)器芯片預(yù)燒板106上的檢測(cè)插座。當(dāng)裝入較多的 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22時(shí)，存儲(chǔ)器芯片預(yù)燒板106插入預(yù)燒爐104中持續(xù)數(shù)個(gè)小時(shí)、 數(shù)天或數(shù)個(gè)星期的作用應(yīng)力。 于預(yù)燒爐104中，通過(guò)存儲(chǔ)器芯片預(yù)燒板106，應(yīng)力電壓可作用于電源或其它動(dòng)態(tài) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22的接腳上。因此動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22由高溫及高電壓所壓 制，例如125t:及5.5伏特。作用電壓于信號(hào)接腳可切換電壓高低以加入應(yīng)力。
于預(yù)燒爐104 —段時(shí)間后，將存儲(chǔ)器芯片預(yù)燒板106自預(yù)燒爐104移出，以及將動(dòng) 態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22自存儲(chǔ)器芯片預(yù)燒板106上的插座移出。然后動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器芯片22于自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)頭102重新檢測(cè)，且將故障的芯片丟棄。如果放置于預(yù)燒爐 104的時(shí)間充足的話(huà)，故障或稱(chēng)為早期故障可被篩選出，以增加剩余動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯 片22的可靠性。 通過(guò)自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)頭102上后，預(yù)燒檢測(cè)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22于存 儲(chǔ)器模塊10組裝期間焊接至基板。接著，存儲(chǔ)器模塊可通過(guò)自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)頭102或另 外的檢測(cè)機(jī)檢測(cè)，然后裝運(yùn)并送至顧客處。 單一存儲(chǔ)器模塊可包含許多動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，例如一個(gè)模塊具有8個(gè)或 更多個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。在放入于預(yù)燒爐104前，8個(gè)或更多個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器芯片中的每一個(gè)都必須插入至存儲(chǔ)器芯片預(yù)燒板106上的檢測(cè)插座，并自預(yù)燒爐104移 出后，8個(gè)或更多個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片中的每一個(gè)都必須自存儲(chǔ)器芯片預(yù)燒板106 上的檢測(cè)插座移出。將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片插入至存儲(chǔ)器芯片預(yù)燒板106上的檢測(cè)插 座及自其中移出的步驟可由人工執(zhí)行，但這步驟是繁瑣且耗費(fèi)時(shí)間的。
預(yù)燒程序的缺點(diǎn)是每一個(gè)具有8個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器模塊就需 要8次的插入及8次的移出，換言之，具有8個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片模塊總共需要16 次的插入/移出步驟。操作員一次只可能插入或移出一個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。

發(fā)明內(nèi)容
因此，所需要的是可由部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片構(gòu)成的存儲(chǔ)器模塊。也 需要一種制造及檢測(cè)的方法，用以自部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片中制造存儲(chǔ)器模 組。以及，需要一種程序，用以于存儲(chǔ)器模塊上檢測(cè)部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片、存 儲(chǔ)缺陷表及使用部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。 本發(fā)明提供一種通過(guò)部份良好存儲(chǔ)器芯片制造部份良好存儲(chǔ)器模塊的制造方法， 包含接收部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片，其中所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片是未經(jīng)過(guò)全面檢測(cè)探 測(cè)出全部缺陷的封裝片；通過(guò)運(yùn)用于所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片的初步檢測(cè)模式，預(yù)先檢 測(cè)所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片，其中所述初步檢試模式是用于檢測(cè)缺陷存儲(chǔ)塊；計(jì)數(shù)于預(yù) 先檢測(cè)時(shí)通過(guò)初步檢測(cè)模式探測(cè)出的缺陷存儲(chǔ)塊數(shù)量；丟棄預(yù)先檢測(cè)時(shí)缺陷存儲(chǔ)塊數(shù)量大于檢測(cè)閾值的存儲(chǔ)器芯片；將預(yù)先檢測(cè)時(shí)缺陷存儲(chǔ)塊數(shù)量小于檢測(cè)閾值的存儲(chǔ)器芯片視為 部份良好存儲(chǔ)器芯片；對(duì)于所述部份良好存儲(chǔ)器芯片，將所述部份良好存儲(chǔ)器芯片焊接至 存儲(chǔ)器模塊基板上，形成部份良好存儲(chǔ)器模塊；將非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片焊接至所述部份良 好存儲(chǔ)器模塊；通過(guò)模塊檢測(cè)模式檢測(cè)所述部份良好存儲(chǔ)器模塊定位缺陷存儲(chǔ)器位置；創(chuàng) 建缺陷表，所述缺陷表用于表示通過(guò)模塊檢測(cè)模式由所述部份良好存儲(chǔ)器模塊中定位的缺 陷存儲(chǔ)器位置；將所述缺陷表編程到所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片，形成已編程部份良好存儲(chǔ) 器模塊；將所述已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊插入到目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)上的模塊檢測(cè)插座；以及 通過(guò)將所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片的缺陷表初步復(fù)制到所述目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)及通過(guò)于所述目 標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)上初步執(zhí)行檢測(cè)程序，所述目標(biāo)系統(tǒng)檢測(cè)所述可編程部份良好存儲(chǔ)器模塊，所 述檢測(cè)程序于所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)生存取訪問(wèn)，所述目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)重新導(dǎo)向存取訪 問(wèn)，以通過(guò)所述缺陷表識(shí)別所述缺陷存儲(chǔ)器位置；藉此，部份良好存儲(chǔ)器芯片組成所述部份 良好存儲(chǔ)器模塊，目標(biāo)系統(tǒng)從所述部份良好存儲(chǔ)器模塊上的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片讀取所述 缺陷表。 本發(fā)明另提供一種由上述的制造方法所制造部份良好存儲(chǔ)器模塊。 本發(fā)明還提供一種生產(chǎn)部份良好存儲(chǔ)器模塊的方法，包含將具有缺陷存儲(chǔ)塊的
存儲(chǔ)器芯片焊接到基板并將非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片焊接到基板，以裝配存儲(chǔ)器模塊，其中存
儲(chǔ)器芯片于全面檢測(cè)及燒制前焊接到所述基板；通過(guò)讀寫(xiě)所述存儲(chǔ)器模塊中存儲(chǔ)器芯片上
的全部可存取存儲(chǔ)器位置的檢測(cè)模式，檢測(cè)所述存儲(chǔ)器模塊以定位缺陷存儲(chǔ)器位置；創(chuàng)建
缺陷表，所述缺陷表用于表示缺陷存儲(chǔ)器位置；將缺陷表編程到所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片；
以及通過(guò)將所述存儲(chǔ)器模塊插入到目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)模塊插座，以目標(biāo)檢測(cè)所述存儲(chǔ)器
模塊，目標(biāo)系統(tǒng)從非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片讀取所述缺陷表并將讀寫(xiě)無(wú)缺陷存儲(chǔ)器位置的檢測(cè)
模式應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器模塊的存儲(chǔ)器芯片上，其中所述無(wú)缺陷存儲(chǔ)器位置是未被缺陷表識(shí)
別的存儲(chǔ)器位置。


圖1是全緩沖存儲(chǔ)器模塊的示意圖； 圖2A-圖2B是呈現(xiàn)部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片上缺陷的示意圖；
圖3是先前技術(shù)中制造存儲(chǔ)器模組的預(yù)燒檢測(cè)流程圖； 圖4是強(qiáng)調(diào)預(yù)燒已組裝存儲(chǔ)器模塊而非個(gè)別部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片 的檢測(cè)流程圖； 圖5是使用部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的制造程序流程圖； 圖6A-圖6B是兩種存儲(chǔ)于串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的缺陷表，用于
識(shí)別存儲(chǔ)器模塊上部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的缺陷存儲(chǔ)器位置； 圖7是具有部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器模塊示意圖； 圖8是使用無(wú)預(yù)燒部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的簡(jiǎn)單制造程序的流程圖； 圖9是存儲(chǔ)器模塊于預(yù)燒室/檢測(cè)機(jī)的透視圖； 圖10是由個(gè)人計(jì)算機(jī)母板構(gòu)建的存儲(chǔ)器模塊檢測(cè)機(jī)的示意圖；及 圖11是錯(cuò)誤校正自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備的示意圖，其具有由存儲(chǔ)器模塊上的串行存在檢
測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器編程的配置。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明大體而言涉及一種改良的存儲(chǔ)器模塊制造。以下說(shuō)明用以使所屬技術(shù)領(lǐng)域 的技術(shù)人員得以實(shí)施及使用本發(fā)明，如下文所述的實(shí)施態(tài)樣及其需求，在最佳的實(shí)施例的 各種變化可被所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員輕易知悉，以及一般原理可應(yīng)用于其它實(shí)施例中。 故本發(fā)明的實(shí)施方式并非用來(lái)限制本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)根據(jù)在此說(shuō)明的原 理及特征作最寬的解釋。 圖4是強(qiáng)調(diào)預(yù)燒已組裝存儲(chǔ)器模塊而非個(gè)別部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片 的檢測(cè)流程。良好及部份良好晶片動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片封裝成封裝體，例如球柵陣列 封裝(ball-grid-array， BGA)或薄型小尺寸封裝(thin-small outlin印ackages， TS0P)， 并將其運(yùn)送至存儲(chǔ)器模塊制造業(yè)者。已封裝部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片插入至自動(dòng) 檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)頭102上的檢測(cè)插座，接著執(zhí)行初步檢測(cè)。初步檢測(cè)是有限制的，使得每一個(gè) 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片置于自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)頭102上的時(shí)間是最短的，以最小化每一 芯片的檢測(cè)成本。初步檢測(cè)包含直流電檢測(cè)，例如開(kāi)路、短路、功率及一些限制功能檢測(cè)。然 而，具有相當(dāng)多樣化的檢測(cè)模式的全功能檢測(cè)不會(huì)在此階段執(zhí)行。 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片具有10%以下的缺陷存儲(chǔ)器位置是作為部份良好動(dòng)態(tài) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器且和100%良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一起通過(guò)初步檢測(cè)。通過(guò)檢測(cè)的動(dòng)態(tài) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片焊接至模塊基板以構(gòu)建成存儲(chǔ)器模塊10。這些動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯 片還未通過(guò)預(yù)燒檢測(cè)且其中某些具有幾乎10%的缺陷存儲(chǔ)器單元。某些早期失效(infant mortality)可能出現(xiàn)。然而，當(dāng)成品率是高的時(shí)候，即故障數(shù)目夠少，以節(jié)省檢測(cè)成本來(lái)補(bǔ) 償任何的返工成本。將缺陷存儲(chǔ)器單元的位置對(duì)映至缺陷表并編程至存儲(chǔ)器模塊上的串行 存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器內(nèi)。 已組裝存儲(chǔ)器模塊可于簡(jiǎn)易存儲(chǔ)器模塊檢測(cè)機(jī)上檢測(cè)，簡(jiǎn)易存儲(chǔ)器模塊檢測(cè)的成 本相較于自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)頭102是非常低的。將已組裝存儲(chǔ)器模塊插入至存儲(chǔ)器模塊預(yù) 燒板116上的存儲(chǔ)器模塊插槽110。接著將存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板116插入至預(yù)燒爐114，以熱 度及電壓壓制存儲(chǔ)器模塊。 于預(yù)燒爐114 一段時(shí)間后，將存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板116自預(yù)燒爐114中移出，及將存 儲(chǔ)器模塊10自存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板116上移出。接著存儲(chǔ)器模塊10于存儲(chǔ)器模塊檢測(cè)機(jī)上 擴(kuò)大檢測(cè)。執(zhí)行功能檢測(cè)模式作為最后檢測(cè)，功能檢測(cè)模式用以檢測(cè)存儲(chǔ)器模板上全部動(dòng) 態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的全部存儲(chǔ)器位置。 因?yàn)槊恳粋€(gè)存儲(chǔ)器模塊包含數(shù)個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，例如8個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存 取存儲(chǔ)器芯片，這8個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片同時(shí)平行地檢測(cè)。相對(duì)于執(zhí)行相同的檢測(cè) 模式于插在自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)頭102上的個(gè)別動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，平行檢測(cè)將縮短 檢測(cè)時(shí)間。不只如此，基于個(gè)人計(jì)算機(jī)母板的低成本存儲(chǔ)器模塊檢測(cè)機(jī)可取代百萬(wàn)美元等 級(jí)的自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備。因此檢測(cè)成本可以大量地降低。 在此檢測(cè)流程中， 一個(gè)完整的存儲(chǔ)器模塊插入至存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板116上的存儲(chǔ) 器模塊插座110。預(yù)燒只需要一次插入及一次移出的操作動(dòng)作。存儲(chǔ)器模塊包含許多動(dòng)態(tài) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，例如8個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。 一次插入及移出允許動(dòng)態(tài)隨機(jī) 存取存儲(chǔ)器芯片同時(shí)被燒制以及檢測(cè)。相對(duì)之下，如圖3所示，8個(gè)個(gè)別的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片需要自存儲(chǔ)器芯片預(yù)燒板做8次的插入及8次的移出。 因此，使用圖4所示的流程可以比圖2所示的流程減少7次的插入步驟及7次的 移出步驟。這個(gè)結(jié)果可以大量地節(jié)省操作的時(shí)間及處理的成本。即使使用自動(dòng)化插入/移 出裝置，圖4所示的流程依舊可節(jié)省裝置的成本及使用時(shí)間。 于最后功能檢測(cè)的期間，將缺陷存儲(chǔ)器單元的位置對(duì)映至缺陷表。缺陷表被編程 至存儲(chǔ)器模塊上的串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。接著，存儲(chǔ)器模塊于目標(biāo)系統(tǒng) 重新檢測(cè)，通過(guò)目標(biāo)系統(tǒng)自串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器讀取缺陷表并寫(xiě)入及讀 取無(wú)缺陷的存儲(chǔ)器位置。通過(guò)缺陷表識(shí)別出的缺陷存儲(chǔ)器位置則略過(guò)或重新對(duì)映至良好存 儲(chǔ)器位置而不檢測(cè)。 圖5呈現(xiàn)使用部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的制造程序流程圖。于步驟302， 自晶片制程廠或鑄造廠接收部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。這些部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存 取存儲(chǔ)器芯片可于晶片廠經(jīng)先經(jīng)過(guò)初步檢測(cè)，通過(guò)晶片揀選檢測(cè)機(jī)器標(biāo)示或丟棄極差芯片 的，或者盲目地封裝。于步驟304，制造業(yè)者或承包商在輸入交流電/直流電檢測(cè)期間，檢測(cè) 已封裝部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。輸入檢測(cè)包含直流電檢測(cè)，例如開(kāi)路、短路、功 率消耗以及執(zhí)行具有些許個(gè)檢測(cè)模式的簡(jiǎn)易交流電檢測(cè)。 典型的交流電檢測(cè)中，檢測(cè)因第一次故障發(fā)生時(shí)而停止。然而，于步驟304中的交 流電檢測(cè)則持續(xù)進(jìn)行直到找到缺陷存儲(chǔ)器位置，并記錄缺陷存儲(chǔ)器位置的數(shù)量。 一旦檢測(cè) 結(jié)束，將缺陷存儲(chǔ)器位置的數(shù)量與一檢測(cè)閾值(例如10% )比較。當(dāng)缺陷存儲(chǔ)器位置的數(shù) 量大于檢測(cè)閾值(例如10%)時(shí)，將已封裝部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器視為不良并丟棄， 即步驟305。 于步驟314，將具有缺陷小于檢測(cè)閾值的部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片焊接 至存儲(chǔ)器模塊基板以構(gòu)成存儲(chǔ)器模塊。于步驟315，使用一簡(jiǎn)易檢測(cè)預(yù)先檢測(cè)這些具有部份 良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器模塊，簡(jiǎn)易檢測(cè)包含開(kāi)路、短路、功率消耗及其它檢 測(cè)模式，以探測(cè)出缺陷。將找到的缺陷對(duì)映以產(chǎn)生缺陷表并編程至串行存在檢測(cè)電可擦可 編程只讀存儲(chǔ)器內(nèi)。 于步驟306中，將存儲(chǔ)器模塊置入預(yù)燒板，接著置入預(yù)燒爐?？赡軙?huì)使用到圖9所 示的預(yù)燒板、模式生成器及預(yù)燒爐。預(yù)燒爐壓制存儲(chǔ)器模塊以導(dǎo)致早期故障。未故障的存 儲(chǔ)器模塊則擁有較高的可靠性。于一段時(shí)間后，將存儲(chǔ)器模塊自預(yù)燒爐及預(yù)燒板中移出，即 步驟308。置于預(yù)燒爐中的整體時(shí)間可根據(jù)存儲(chǔ)器模塊的預(yù)期可靠性而使其改變。
步驟318 ，于燒制后，將存儲(chǔ)器模塊擴(kuò)大地檢測(cè)并通過(guò)檢測(cè)模式探測(cè)出缺陷存儲(chǔ)器 位置。將缺陷存儲(chǔ)器位置編排至缺陷表中，并編程至串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ) 器。 接著，于目標(biāo)系統(tǒng)重新檢測(cè)存儲(chǔ)器模塊，通過(guò)目標(biāo)系統(tǒng)自串行存在檢測(cè)電可擦可 編程只讀存儲(chǔ)器讀取缺陷表，并根據(jù)缺陷表所識(shí)別出的缺陷存儲(chǔ)器區(qū)塊的地址將存儲(chǔ)器的 存取重新對(duì)映至備用地址位置，即步驟316。功能檢測(cè)可執(zhí)行于基于母板檢測(cè)機(jī)(例如圖 10中所示)。母板被改裝成具有存儲(chǔ)器控制器、操作系統(tǒng)、基本輸入輸出系統(tǒng)(basic input output system, BIOS)或固件，用以自存儲(chǔ)器模塊上的串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存 儲(chǔ)器中讀取缺陷表，然后將存儲(chǔ)器存取重新導(dǎo)向至缺陷存儲(chǔ)器位置。 步驟320，選擇性地執(zhí)行最后環(huán)境檢測(cè)于存儲(chǔ)器模塊。于檢測(cè)期間，溫度及電壓皆可改變。根據(jù)這些檢測(cè)，將存儲(chǔ)器模塊以不同等級(jí)裝箱。當(dāng)缺陷表使用出現(xiàn)故障時(shí)，可重新
讀取缺陷表數(shù)次，然后根據(jù)需求而重新編程，接著自步驟316或320重復(fù)步驟318。 圖6A-圖6B呈現(xiàn)可存儲(chǔ)于串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的兩種不同的
缺陷表，用以識(shí)別存儲(chǔ)器模塊上部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片中的缺陷存儲(chǔ)器位置。
于圖6A，列表中列出不良區(qū)塊的地址。同時(shí)可固定不良區(qū)塊的大小，例如4千個(gè)區(qū)塊，或者
列出不良存儲(chǔ)器位置的范圍。不良區(qū)塊位置可依據(jù)存儲(chǔ)器順序列出或依據(jù)其它順序列出。
之后，主機(jī)系統(tǒng)可將不良區(qū)塊的列表重新排序成序列順序。 于圖6B，區(qū)塊表作為缺陷表使用并存儲(chǔ)于串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 中。在此選擇中，二維度的表得以存儲(chǔ)。在缺陷表中，每一個(gè)X-Y交叉點(diǎn)皆存儲(chǔ)一位(bit)， 用以指出哪一個(gè)區(qū)塊是良好的或者是不良的。在此例子中，0表示此區(qū)塊中至少具有一個(gè)缺 陷位。而l表示具有全部存儲(chǔ)器單元皆良好的良好區(qū)塊。于初始化或開(kāi)機(jī)期間，主機(jī)系統(tǒng) 可自串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器拷貝缺陷表，然后對(duì)缺陷表的副本執(zhí)行查表以 決定哪個(gè)存儲(chǔ)器地址是對(duì)映至不良區(qū)塊。當(dāng)缺陷表具有一個(gè)0且對(duì)映至一地址時(shí)，主機(jī)的 存儲(chǔ)器控制器、操作系統(tǒng)、基本輸入輸出系統(tǒng)或固件將此地址重新對(duì)映至良好區(qū)塊中的備 用地址。 圖7A-圖7B顯示具有部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器模塊。于圖7A， 部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片644與串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器130 —起 焊接于存儲(chǔ)器模塊的基板。因部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片644具有缺陷，因此降低 存儲(chǔ)器模塊610的深度。 舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)存儲(chǔ)器模塊610具有部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片644及64 位的數(shù)據(jù)總線(xiàn)時(shí)，如果部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片644的部份良好范圍為64Mx8至 32Mx8，則存儲(chǔ)器模塊610的部份良好范圍為64Mx64至32Mx64。 在本實(shí)施例中，所有焊接于存儲(chǔ)器模塊610的基板的全部動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯 片皆是部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片644。走線(xiàn)(trace)布局是相當(dāng)簡(jiǎn)單的，因?yàn)獒槍?duì) 全部動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片地址輸入皆是相同的。然而，不良存儲(chǔ)器位置是對(duì)映并存儲(chǔ) 于串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，使得系統(tǒng)不會(huì)存取這些不良位置。
于圖7B，只有一個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片是良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。部 份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片644的部份良好大小與良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片48 的整體大小一致。舉例來(lái)說(shuō)，部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片644可具有部份良好范圍 是從512百萬(wàn)位至256百萬(wàn)位。良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片48 —樣是256Mbit，且具有 與部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片644相同的深度及數(shù)據(jù)寬度。 良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片48比起部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片644可 能需要一些不同的走線(xiàn)布局。當(dāng)只有少數(shù)的部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片644可使用 時(shí)，混合大小的存儲(chǔ)器模塊600是有用的，例如對(duì)于小型制造廠或具有相當(dāng)高成品率的動(dòng) 態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。 圖8顯示簡(jiǎn)易制造程序的流程圖，簡(jiǎn)易制造程序使用未經(jīng)過(guò)預(yù)燒的部份良好動(dòng)態(tài) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。自圖5中將預(yù)燒步驟刪去，以降低制造成本。同時(shí)，也降低完成的存 儲(chǔ)器模塊的可靠性。 于步驟302中，自晶片廠或鑄造廠接收部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。這些
12部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片可于晶片廠先經(jīng)過(guò)初步檢測(cè)，通過(guò)晶片揀選機(jī)器標(biāo)示及 丟棄極差的不良芯片，或者盲目地封裝。于步驟304，存儲(chǔ)器模塊制造業(yè)者或承包商使用輸 入交流電/直流電檢測(cè)來(lái)檢測(cè)已封裝部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。輸入檢測(cè)包含直 流檢測(cè)，例如開(kāi)路、短路、功率消耗以及執(zhí)行具有一些檢測(cè)模試的交流檢測(cè)。
典型的交流電檢測(cè)中，檢測(cè)因第一次故障發(fā)生時(shí)而停止。然而，于步驟304中的交 流電檢測(cè)則持續(xù)進(jìn)行直到找到缺陷存儲(chǔ)器位置，并記錄缺陷存儲(chǔ)器位置的數(shù)量。 一旦檢測(cè) 結(jié)束，將缺陷存儲(chǔ)器位置的數(shù)量與一檢測(cè)閾值(例如10% )比較。當(dāng)缺陷存儲(chǔ)器位置的數(shù) 量大于檢測(cè)閾值(例如10%)時(shí)，將已封裝部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器視為不良并丟棄， 即步驟305。 于步驟314，將具有缺陷數(shù)量小于檢測(cè)閾值的部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片 焊接至存儲(chǔ)器模塊基板以構(gòu)成存儲(chǔ)器模塊。于步驟315，使用一簡(jiǎn)易檢測(cè)預(yù)先檢測(cè)這些具有 部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器模塊，簡(jiǎn)易檢測(cè)包含開(kāi)路、短路、功率消耗及其 它檢測(cè)模式，以探測(cè)出缺陷。將找到的缺陷對(duì)映并產(chǎn)生缺陷表并編程至串行存在檢測(cè)電可 擦可編程只讀存儲(chǔ)器內(nèi)。 于步驟318，將存儲(chǔ)器模塊擴(kuò)大地檢測(cè)并通過(guò)檢測(cè)模式檢測(cè)出缺陷存儲(chǔ)器位置。將 缺陷存儲(chǔ)器位置編排至缺陷表中，并編程至串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。
接著，目標(biāo)系統(tǒng)重新檢測(cè)存儲(chǔ)器模塊，通過(guò)目標(biāo)系統(tǒng)自串行存在檢測(cè)電可擦可編 程只讀存儲(chǔ)器讀取缺陷表，并根據(jù)缺陷表所識(shí)別出的缺陷存儲(chǔ)器區(qū)塊的地址將存儲(chǔ)器的存 取重新對(duì)映至備用地址位置，即步驟316。功能檢測(cè)可執(zhí)行于基于母板檢測(cè)機(jī)(例如圖10 中所示)中。母板改裝成具有存儲(chǔ)器控制器、操作系統(tǒng)、基本輸入輸出系統(tǒng)或固件，用以自 存儲(chǔ)器模塊上的串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器中讀取缺陷表，然后將存儲(chǔ)器存取 重新導(dǎo)向至缺陷存儲(chǔ)器位置。 步驟320，選擇性地執(zhí)行最后環(huán)境檢測(cè)于存儲(chǔ)器模塊。于檢測(cè)期間，溫度及電壓皆 可改變。根據(jù)這些檢測(cè)，將存儲(chǔ)器模塊以不同等級(jí)裝箱。
圖9是存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒室。 圖9是存儲(chǔ)器模塊于預(yù)燒室/檢測(cè)機(jī)的透視圖。預(yù)燒室，如同圖4所示的預(yù)燒爐 114，用以接收插于存儲(chǔ)器預(yù)燒板中的存儲(chǔ)器模塊。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒室也會(huì)執(zhí)行 一些存儲(chǔ)器模塊的檢測(cè)，如同在美國(guó)專(zhuān)利第6，910，162號(hào)所述的預(yù)燒爐內(nèi)。高溫氣體可吹 入至高溫室的底部或側(cè)面，升起通過(guò)的模塊母板30以提高插入于存儲(chǔ)器模塊插座20的存 儲(chǔ)器模塊102的溫度。模塊母板30可相當(dāng)于圖4的存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板。
底板28提供從模式生成器卡44至每一個(gè)模塊母板30的電氣連接，并提供某些程 度的絕熱。泡沫絕緣層附屬于底板28或高溫室86的側(cè)面。通過(guò)底板28將背部區(qū)40與加 熱室86分離，模式生成器卡44保持比模塊母板30冷卻。 冷空氣吹過(guò)模式生成器卡44，然而熱空氣通過(guò)加熱室并吹過(guò)模塊母板30。模式生 成器卡44上的模式生成器42可保持比存儲(chǔ)器模塊10冷卻，使模式生成器42具有更長(zhǎng)的 壽命及更佳的電流驅(qū)動(dòng)。 底板28、模式生成器卡44及模塊母板30可安裝于圍繞加熱室的一機(jī)架上。在較 大型預(yù)燒裝置罩(burn-in unit enclosure)內(nèi)，多個(gè)機(jī)架可互相安裝于彼此的頂部或于另 一個(gè)的側(cè)邊。熱空氣從裝置的底部或側(cè)邊吹入。也可使用局部加熱器、熱電偶或其它溫度傳
13感器利于更好地調(diào)節(jié)及控制加熱。裝置可被轉(zhuǎn)動(dòng)、旋轉(zhuǎn)、翻轉(zhuǎn)或另外重新更改方向。冷卻、 濕度或其它環(huán)境檢測(cè)也可被執(zhí)行。 底板28傳遞電源及接地至所有模式生成器卡44及所有模塊母板30。監(jiān)測(cè)及控制
信號(hào)也可通過(guò)底板傳遞，例如傳遞重置信號(hào)至模式生成器42或自模式生成器傳遞結(jié)果或
狀態(tài)數(shù)據(jù)至主機(jī)的中央控制器或網(wǎng)絡(luò)接口。 圖10是基于個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器模塊檢測(cè)器。 當(dāng)預(yù)燒結(jié)束，存儲(chǔ)器模塊自存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板移出后，于模塊上執(zhí)行大量的功能 性檢測(cè)。圖IO顯示由個(gè)人計(jì)算機(jī)母板所構(gòu)建成的存儲(chǔ)器模塊檢測(cè)器。參考例子可參閱美 國(guó)專(zhuān)利第6， 357， 022號(hào)、第6， 251， 827號(hào)及第6， 642， 144號(hào)。 雖然存儲(chǔ)器模塊可手動(dòng)地插入至檢測(cè)器上的存儲(chǔ)器模塊檢測(cè)插座，使用存儲(chǔ)器處 理機(jī)自動(dòng)插入及移除存儲(chǔ)器模塊才是理想的。處理機(jī)60安裝在使用處理機(jī)擴(kuò)充板50的個(gè) 人計(jì)算機(jī)母板的背部的附近。因?yàn)樘幚頇C(jī)60是個(gè)人計(jì)算機(jī)母板的好幾倍大，而處理機(jī)60 沒(méi)有依照比例繪出。 處理機(jī)60通過(guò)反向附屬而安裝于個(gè)人計(jì)算機(jī)母板的焊接面而非個(gè)人計(jì)算機(jī)母板 的組件面。移除于個(gè)人計(jì)算機(jī)母板的組件面上的存儲(chǔ)器模塊插座，并自背面將處理機(jī)擴(kuò)充 板裝入至個(gè)人計(jì)算機(jī)母板上的孔，作為存儲(chǔ)器模塊插座。處理機(jī)擴(kuò)充板是環(huán)氧玻璃電路板， 被設(shè)計(jì)用以連接處理機(jī)至個(gè)人計(jì)算機(jī)母板。 當(dāng)機(jī)械人手臂76將被檢測(cè)模塊(module-under-test， MUT) 70推入至用于檢測(cè)的 位置，處理機(jī)60中的接觸接腳66鉗住被檢測(cè)模塊70邊緣的無(wú)引線(xiàn)焊接點(diǎn)。接觸接腳66 包含足夠的接腳用于被測(cè)模塊上的電源、接地及輸入輸出引線(xiàn)。 接觸接腳66電性連接至處理機(jī)60背部的連接器。這些連接器是側(cè)邊式的連接器， 通常與高速檢測(cè)器相連接。典型上有兩個(gè)連接器。這些公型連接器嵌入安裝于處理機(jī)擴(kuò)充 板50上的母型連接器54。處理機(jī)擴(kuò)充板50含有金屬布線(xiàn)的走線(xiàn)于其中，用以自連接器54 傳遞信號(hào)至擴(kuò)充接腳52，擴(kuò)充接腳52自處理機(jī)擴(kuò)充板50的另一側(cè)伸出。
擴(kuò)充接腳52可直接焊接于個(gè)人計(jì)算機(jī)母板基板80，利用存儲(chǔ)器模塊插座移除后 的空孔，或者擴(kuò)充接腳52可插入至焊接于個(gè)人計(jì)算機(jī)母板焊接面的母型接腳。母型接腳55 具有可嵌進(jìn)透孔的擴(kuò)充，透孔通過(guò)移除單列存儲(chǔ)器模塊插座所曝露，但依舊具有杯形容器， 用以接收擴(kuò)充接腳52。使用母型接腳55可使處理機(jī)擴(kuò)充板50更方便自底板80移出。
—旦被檢測(cè)模塊70通過(guò)個(gè)人計(jì)算機(jī)母板上的檢測(cè)程式所檢測(cè)完畢，揀選被檢測(cè) 模塊70并下放至良好箱72或不良箱74。揀選是響應(yīng)自個(gè)人計(jì)算機(jī)母板上所執(zhí)行的檢測(cè)程 序的通過(guò)/失敗信號(hào)。 個(gè)人計(jì)算機(jī)母板的底板80是傳統(tǒng)的多層環(huán)氧玻璃纖維電路板。組件92， 94被安 裝至底板80的組件面。存儲(chǔ)器模塊87嵌入存儲(chǔ)器模塊插座88，其具有穿過(guò)基板80上的孔 的金屬接腳。這些接腳焊接于基板80的焊接面，以堅(jiān)固地依附于個(gè)人計(jì)算機(jī)母板的插座。 擴(kuò)充卡96插入至安裝于基板80的組件面82的擴(kuò)充插座。插入于擴(kuò)充卡98的電纜96連 接至周邊設(shè)備，例如用于個(gè)人計(jì)算機(jī)的硬碟機(jī)、視頻顯示器、多媒體設(shè)備。
因?yàn)榇鎯?chǔ)器模塊檢測(cè)器是由廉價(jià)個(gè)人計(jì)算機(jī)母板所構(gòu)建的，所以檢測(cè)器的成本相 對(duì)于自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備的成本是少了好幾位的。因此通過(guò)使用基于個(gè)人計(jì)算機(jī)母板檢測(cè)器，大 量地降低檢測(cè)成本。許多不同的檢測(cè)模式可運(yùn)用于被測(cè)存儲(chǔ)器模塊。于執(zhí)行象限檢測(cè)時(shí)，
14可改變電壓及溫度。熱空氣及冷空氣可通過(guò)噴嘴(圖未繪示)吹入被測(cè)存儲(chǔ)器模塊，然而，
可通過(guò)處理機(jī)擴(kuò)充板50或個(gè)人計(jì)算機(jī)母板調(diào)整運(yùn)用于被測(cè)存儲(chǔ)器模塊的電壓。 圖11顯示錯(cuò)誤校正先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器，具有其配置編程于存儲(chǔ)器模塊中的串行
存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。許多存儲(chǔ)器模塊包含串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀
存儲(chǔ)器130。串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器130存儲(chǔ)用于存儲(chǔ)器模塊的配置訊息，
例如速度、深度及存儲(chǔ)器模塊上的存儲(chǔ)器配置。此外，串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)
器130還用于存儲(chǔ)缺陷表，其指示缺陷位于哪個(gè)存儲(chǔ)器模塊的存儲(chǔ)器空間中。 于初始化期間，主機(jī)處理器自串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器130且通過(guò)
系統(tǒng)管理(system management, SM)總線(xiàn)192讀取配置，如同串行數(shù)據(jù)。缺陷表也一樣自串
行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器130讀取并載入至主機(jī)的存儲(chǔ)器控制器、操作系統(tǒng)、
基本輸入輸出系統(tǒng)或固件，將存儲(chǔ)器存取缺陷表指出的缺陷位置重新對(duì)映至其它未含有缺
陷的存儲(chǔ)器位置。 串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器130也存儲(chǔ)用于存儲(chǔ)器模塊上的錯(cuò)誤校 正碼(error-correcting code)控制器的錯(cuò)誤校正碼。于制造期間，將理想的錯(cuò)誤校正碼 作為錯(cuò)誤校正配置132寫(xiě)于串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器130中。當(dāng)每次存儲(chǔ)器 模塊通電或重新初始化時(shí)，將錯(cuò)誤校正配置132傳送至錯(cuò)誤校正配寄存器768。系統(tǒng)管理總 線(xiàn)接口 134自串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器130且通過(guò)系統(tǒng)管理總線(xiàn)192讀取錯(cuò) 誤校正配置132。 錯(cuò)誤校正先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器100包含動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器控制器750。動(dòng)態(tài)隨機(jī) 存取存儲(chǔ)器控制器750產(chǎn)生動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器控制信號(hào)，以讀取并寫(xiě)入數(shù)據(jù)至存儲(chǔ)器模 塊10(圖1)上的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22，并且自存儲(chǔ)器模塊10上的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存 儲(chǔ)器芯片22讀取及寫(xiě)取數(shù)據(jù)。于傳送期間，數(shù)據(jù)暫時(shí)存儲(chǔ)于先進(jìn)先出(first in first out，F(xiàn)IF0)758。將來(lái)自先進(jìn)先出的數(shù)據(jù)壓縮至幀(frame)，并通過(guò)金屬觸板12內(nèi)不同線(xiàn)路 發(fā)送。在重新傳送之前，重新定時(shí)及重新同步緩沖器(re_timing and re-synchronizing buffer) 754以還原自輸入緩沖器752接收的差分信號(hào)的時(shí)序。輸入緩沖器752及輸出緩沖 器756包含差分接收器及傳送器，用于被重新定時(shí)及重新同步緩沖器754緩沖的往南通道。
通過(guò)錯(cuò)誤校正先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器將所指定的當(dāng)前存儲(chǔ)器模塊的幀拷貝至自先進(jìn) 先出758并處理。例如，于寫(xiě)入架構(gòu)時(shí)，通過(guò)錯(cuò)誤校正先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器將來(lái)自先進(jìn)先出 758的數(shù)據(jù)寫(xiě)入至存儲(chǔ)器模塊上的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22。于讀取幀時(shí)，將自動(dòng)態(tài)隨 機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片22讀取的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于先進(jìn)先出758。錯(cuò)誤校正先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器100建 立幀并將其送達(dá)至往南重新定時(shí)及重新同步緩沖器764及通過(guò)往南通道自差分輸出緩充 器發(fā)送出。輸入緩沖器766及輸出緩沖器762包含差分接收器及傳送器，用于被重新定時(shí) 及重新同步緩沖器754緩沖的往南通道。 當(dāng)錯(cuò)誤校正碼控制器700開(kāi)啟時(shí)，錯(cuò)誤校正碼控制器700檢查先進(jìn)先出758內(nèi)的 寫(xiě)入數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)通過(guò)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器寫(xiě)入至存儲(chǔ)器芯片前。錯(cuò)誤校正碼控制器700產(chǎn) 生用于寫(xiě)入數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤校正碼位，以及寫(xiě)入這些產(chǎn)生的錯(cuò)誤校正碼位至先進(jìn)先出758或另 一存儲(chǔ)器(圖未繪示)或?qū)㈠e(cuò)誤校正碼位送達(dá)至動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器控制器750，使得錯(cuò)誤 校正碼位可被動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器控制器750寫(xiě)入至存儲(chǔ)器芯片。 當(dāng)通過(guò)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器控制器750自存儲(chǔ)器芯片讀取數(shù)據(jù)時(shí)，已存儲(chǔ)的錯(cuò)誤校正碼位也可通過(guò)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器控制器75自存儲(chǔ)器芯片讀取。讀取數(shù)據(jù)及錯(cuò)誤校 正碼位自動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器控制器750送達(dá)至錯(cuò)誤校正碼控制器700，俾使錯(cuò)誤校正碼 控制器700可產(chǎn)生校驗(yàn)子(syndrome)及檢查錯(cuò)誤?？蓢L試錯(cuò)誤校正，且如果成功的話(huà)，通 過(guò)錯(cuò)誤校正碼控制器700將已校正的數(shù)據(jù)寫(xiě)入至先進(jìn)先出758。 另一方面，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器控制器750可將讀取數(shù)據(jù)及錯(cuò)誤校正碼位兩者都 寫(xiě)入先進(jìn)先出758。然后，錯(cuò)誤校正碼控制器700自先進(jìn)先出758讀取此讀取數(shù)據(jù)及錯(cuò)誤校 正碼位及執(zhí)行檢查及校正。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器控制器750及錯(cuò)誤校正碼控制器700可管 道式地于不同的時(shí)間運(yùn)行數(shù)據(jù)。
備選實(shí)施例。 由發(fā)明人所設(shè)想的幾個(gè)其它實(shí)施例。例如，缺陷表內(nèi)存儲(chǔ)器區(qū)塊的容量可為1千 位、4千位、256位或其它值。當(dāng)提及象限時(shí)，可檢測(cè)較小的存儲(chǔ)器分割及為了 l縮減容量而 合并。當(dāng)提及半容量縮減時(shí)，可使用較高的縮減比例，例如從S個(gè)字元縮減至S/4個(gè)字元， 或從S個(gè)字元縮減至S/8個(gè)字元。象限、分割或區(qū)塊不須要符合動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片 內(nèi)的實(shí)體分割，但可為邏輯分割。 雖然標(biāo)示動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片已描述過(guò)，例如打印零件號(hào)或容量于封裝上， 但標(biāo)示不一定要存在。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片可由檢測(cè)結(jié)果控制檢測(cè)器或處理設(shè)備以?huà)?選至分離箱。分離箱內(nèi)的芯片可直接焊接至存儲(chǔ)器模塊的基板，不需通過(guò)小心地記錄分離 箱而標(biāo)示任何一個(gè)芯片。 實(shí)際上的檢測(cè)閾值可自10%變化，例如5%、1%、20%等。檢測(cè)閾值可表示成檢測(cè) 序列中可允許故障的數(shù)目，而不是存儲(chǔ)器單元的百分率。 未通過(guò)功能檢測(cè)的存儲(chǔ)器模塊可被重做或可能地修復(fù)，例如置換動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存 儲(chǔ)器芯片或重新焊接松動(dòng)連接。小部份的模塊，例如1%，可能需要重做。然而，有時(shí)候來(lái) 自晶片廠的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的成品率是低的且故障是更常見(jiàn)的。成品率篩選法 (yield-sampling method)可作為另一選擇，用以探測(cè)偶然收到的一批低成品率動(dòng)態(tài)隨機(jī) 存取存儲(chǔ)器芯片。此篩選法也探測(cè)封裝程序中的問(wèn)題。 串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器130可被并入至先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器或另 一緩沖芯片。重新對(duì)映邏輯線(xiàn)路可被并入先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器或另一緩沖芯片。串行存在檢 測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器130可能不會(huì)出現(xiàn)在某些型式的存儲(chǔ)器模塊。本發(fā)明可運(yùn)用于 不具緩沖的存儲(chǔ)器模塊、緩沖存儲(chǔ)器模塊、全緩沖雙列存儲(chǔ)器模塊及其它種類(lèi)的存儲(chǔ)器模 塊，包含使用未來(lái)標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)器模塊。 雖然已描述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，但可用其它種類(lèi)的存儲(chǔ)器代替，例如靜態(tài)隨 機(jī)存取存儲(chǔ)器(static random access memory, S廳)、非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(麗-volatile memory)或其它種類(lèi)的存儲(chǔ)器。本發(fā)明可結(jié)合制造業(yè)者執(zhí)行的芯片層級(jí)冗余及修復(fù)。機(jī)內(nèi) 檢測(cè)(built-in-self-test, BIST)可用于檢測(cè)。 可使用不同的控制信號(hào)。走線(xiàn)可由金屬走線(xiàn)于存儲(chǔ)器模塊表面上構(gòu)成，或者由多 層印刷電路板內(nèi)層的內(nèi)部走線(xiàn)構(gòu)成。通孔(Vias)、跨接線(xiàn)(wire jumper)或其它接線(xiàn)可構(gòu) 成部份導(dǎo)電通道。可增加電阻、電容或更復(fù)雜濾波器以及其它組件。舉例來(lái)說(shuō)，增加電源至 接地旁路電容(power_to_groimd bypass capacitor)于存儲(chǔ)器模塊。
可增加多路轉(zhuǎn)換器(Mux)及開(kāi)關(guān)(switch)，以使回送檢測(cè)盡可能如同標(biāo)準(zhǔn)操作。未來(lái)存儲(chǔ)器模塊標(biāo)準(zhǔn)及存儲(chǔ)器模塊標(biāo)準(zhǔn)的延伸可由本發(fā)明中獲益。 某些檢測(cè)流程可使用多目標(biāo)轉(zhuǎn)移或檢測(cè)程序中的條件語(yǔ)句而非如圖示的分離步 驟。步驟可依各種方式重新排列及增加額外步驟。部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的初 步預(yù)先篩選以及預(yù)燒可略過(guò)。 上述的實(shí)施例僅用來(lái)描述及說(shuō)明本發(fā)明，并非用來(lái)詳盡無(wú)遺或限制本發(fā)明的確切 型式揭露。諸多修改及變化方式可根據(jù)以上的敘述達(dá)到。本發(fā)明的權(quán)利范圍不局限于此的 詳細(xì)敘述，應(yīng)以申請(qǐng)專(zhuān)利的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種通過(guò)部份良好存儲(chǔ)器芯片制造部份良好存儲(chǔ)器模塊的制造方法，其特征在于包含接收部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片，其中所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片是未經(jīng)過(guò)全面檢測(cè)探測(cè)出全部缺陷的封裝片；通過(guò)運(yùn)用于所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片的初步檢測(cè)模式，預(yù)先檢測(cè)所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片，其中所述初步檢試模式是用于檢測(cè)缺陷存儲(chǔ)塊；計(jì)數(shù)于預(yù)先檢測(cè)時(shí)通過(guò)初步檢測(cè)模式探測(cè)出的缺陷存儲(chǔ)塊數(shù)量；丟棄預(yù)先檢測(cè)時(shí)缺陷存儲(chǔ)塊數(shù)量大于檢測(cè)閾值的存儲(chǔ)器芯片；將預(yù)先檢測(cè)時(shí)缺陷存儲(chǔ)塊數(shù)量小于檢測(cè)閾值的存儲(chǔ)器芯片視為部份良好存儲(chǔ)器芯片；對(duì)于所述部份良好存儲(chǔ)器芯片，將所述部份良好存儲(chǔ)器芯片焊接至存儲(chǔ)器模塊基板上，形成部份良好存儲(chǔ)器模塊；將非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片焊接至所述部份良好存儲(chǔ)器模塊；通過(guò)模塊檢測(cè)模式檢測(cè)所述部份良好存儲(chǔ)器模塊定位缺陷存儲(chǔ)器位置；創(chuàng)建缺陷表，所述缺陷表用于表示通過(guò)模塊檢測(cè)模式由所述部份良好存儲(chǔ)器模塊中定位的缺陷存儲(chǔ)器位置；將所述缺陷表編程到所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片，形成已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊；將所述已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊插入到目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)上的模塊檢測(cè)插座；以及通過(guò)將所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片的缺陷表初步復(fù)制到所述目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)及通過(guò)于所述目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)上初步執(zhí)行檢測(cè)程序，所述目標(biāo)系統(tǒng)檢測(cè)所述可編程部份良好存儲(chǔ)器模塊，所述檢測(cè)程序于所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)生存取訪問(wèn)，所述目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)重新導(dǎo)向存取訪問(wèn)，以通過(guò)所述缺陷表識(shí)別所述缺陷存儲(chǔ)器位置；藉此，部份良好存儲(chǔ)器芯片組成所述部份良好存儲(chǔ)器模塊，目標(biāo)系統(tǒng)從所述部份良好存儲(chǔ)器模塊上的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片讀取所述缺陷表。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于將所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片的缺陷表 初步復(fù)制到所述目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)的步驟包含重新啟動(dòng)所述目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)及于所述目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)上執(zhí)行啟動(dòng)代碼，使所述目標(biāo)檢測(cè) 系統(tǒng)從所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片中讀取所述缺陷表；藉此，所述目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)于重新啟動(dòng)時(shí)讀取所述缺陷表。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于丟棄預(yù)先檢測(cè)時(shí)缺陷存儲(chǔ)塊數(shù)量大于 檢測(cè)閾值的存儲(chǔ)器芯片的步驟包含丟棄10%以上的存儲(chǔ)塊是缺陷存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)器芯片，其中所述檢測(cè)閾值相當(dāng)于存儲(chǔ)器 芯片上全部存儲(chǔ)塊數(shù)量的10%，每個(gè)存儲(chǔ)塊包含多重存儲(chǔ)器單元。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于從所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片的缺陷表 初步復(fù)制到所述目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)的步驟包含從所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片讀取串行數(shù)據(jù)流； 藉此，所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片是串行存儲(chǔ)器。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片是串行存在 檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于所述部份良好存儲(chǔ)器芯片是動(dòng)態(tài)隨機(jī) 存取存儲(chǔ)器。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于還包含將所述已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊插入到存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板上的模塊插座； 將所述存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板放入預(yù)燒爐內(nèi)；于預(yù)燒時(shí)，通過(guò)所述預(yù)燒爐加熱所述已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊，壓制所述已編程部 份良好存儲(chǔ)器模塊及部份良好存儲(chǔ)器芯片，所述部份良好存儲(chǔ)器芯片焊接于所述已編程部 份良好存儲(chǔ)器模塊的存儲(chǔ)器模塊基板上；于預(yù)燒后，從所述預(yù)燒爐移除所述存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板，并從所述存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板抽 出所述已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊，以作為已燒制存儲(chǔ)器模塊；通過(guò)擴(kuò)大檢測(cè)模式，全面檢測(cè)已燒制存儲(chǔ)器模塊；其中所述擴(kuò)大檢測(cè)模式是用于檢測(cè)所述部份良好存儲(chǔ)器芯片的未檢測(cè)可能缺陷； 藉此，部份良好存儲(chǔ)器芯片焊接到已燒制且已全面檢測(cè)的程序部份良好存儲(chǔ)器模塊。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于還包含于所述已燒制存儲(chǔ)器模塊應(yīng)用擴(kuò)大檢測(cè)模式時(shí)，通過(guò)升高已燒制存儲(chǔ)器模塊的溫度及 電壓條件，進(jìn)行環(huán)境檢測(cè)；藉此，燒制已環(huán)境檢測(cè)存儲(chǔ)器模塊。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于還包含于預(yù)燒時(shí)，通過(guò)升高所述已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊的輸入電壓，加熱所述預(yù)燒爐中 的已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊，以電壓壓制所述已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊； 于預(yù)燒時(shí)，將檢測(cè)模式輸入應(yīng)用于所述已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊； 其中所述已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊還通過(guò)檢測(cè)模式輸入壓制，檢測(cè)模式輸入運(yùn)作于 所述已編程部份良好存儲(chǔ)器模塊上的部份良好存儲(chǔ)器芯片。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于全面檢測(cè)已燒制存儲(chǔ)器模塊的步驟 包含將所述已燒制存儲(chǔ)器模塊插入到檢測(cè)插座，所述檢測(cè)插座電氣連接到所述目標(biāo)系統(tǒng)的 適應(yīng)個(gè)人計(jì)算機(jī)母板上的存儲(chǔ)器總線(xiàn)；運(yùn)行所述適應(yīng)個(gè)人計(jì)算機(jī)母板上的檢測(cè)程序，所述檢測(cè)程序通過(guò)所述存儲(chǔ)器總線(xiàn)及所 述檢測(cè)插座讀寫(xiě)存儲(chǔ)器位置，所述存儲(chǔ)器位置位于焊接到所述燒制存儲(chǔ)器模塊的部份良好 存儲(chǔ)器芯片上；藉此，所述適應(yīng)個(gè)人計(jì)算機(jī)母板是用于檢測(cè)所述已燒制存儲(chǔ)器模塊。
11. 根據(jù)權(quán)利要求io所述的制造方法，其特征在于通過(guò)運(yùn)用于部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片的初步檢測(cè)模式，預(yù)先檢測(cè)部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片的步驟還包含通過(guò)插入所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片到自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)機(jī)，對(duì)所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ) 器芯片進(jìn)行初步篩選檢測(cè)，其中所述自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)機(jī)的成本io倍于所述適應(yīng)個(gè)人計(jì) 算機(jī)母板的成本，所述適應(yīng)個(gè)人計(jì)算機(jī)母板是用于檢測(cè)所述已燒制存儲(chǔ)器模塊；藉此，廉價(jià)的檢測(cè)機(jī)是用于檢測(cè)存儲(chǔ)器模塊。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于還包含重做于全面檢測(cè)所述已燒制存儲(chǔ)器模塊時(shí)未通過(guò)擴(kuò)大檢測(cè)模式的存儲(chǔ)器模塊，其中重做存儲(chǔ)器模塊包含將存儲(chǔ)器上的缺陷部份良好存儲(chǔ)器芯片以另一個(gè)部份良好存儲(chǔ)器芯片 取代，以產(chǎn)生裝配存儲(chǔ)器模塊；藉此，于重做時(shí)置換缺陷部份良好存儲(chǔ)器芯片。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于還包含 通過(guò)選取部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片樣本，以抽樣所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片； 全面檢測(cè)所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片樣本并產(chǎn)生成品率，所述成品率是顯示未通過(guò)檢測(cè)的樣本比例；比較所述成品率與成品率閾值；當(dāng)所述成品率小于所述成品率閾值時(shí)，于所述部份已檢測(cè)儲(chǔ)器芯片焊接到所述存儲(chǔ)器 模塊基板前，全面檢測(cè)整批部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片；當(dāng)所述成品率大于所述成品率閾值時(shí)，將所述部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片焊接到所述存儲(chǔ) 器模塊基板，同時(shí)不需全面檢測(cè)整批部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片中剩余的部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯 片；藉此，整批部份已檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片通過(guò)抽樣，決定何時(shí)所述成品率是小于所述成品率 閾值。
14. 一種部份良好存儲(chǔ)器模塊，其特征在于由權(quán)利要求1所述的制造方法所制造。
15. —種生產(chǎn)部份良好存儲(chǔ)器模塊的方法，其特征在于包含將具有缺陷存儲(chǔ)塊的存儲(chǔ)器芯片焊接到基板并將非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片焊接到基板，以 裝配存儲(chǔ)器模塊，其中存儲(chǔ)器芯片于全面檢測(cè)及燒制前焊接到所述基板；通過(guò)讀寫(xiě)所述存儲(chǔ)器模塊中存儲(chǔ)器芯片上的全部可存取存儲(chǔ)器位置的檢測(cè)模式，檢測(cè) 所述存儲(chǔ)器模塊以定位缺陷存儲(chǔ)器位置；創(chuàng)建缺陷表，所述缺陷表用于表示缺陷存儲(chǔ)器位置；將缺陷表編程到所述非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片；以及通過(guò)將所述存儲(chǔ)器模塊插入到目標(biāo)檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)模塊插座，以目標(biāo)檢測(cè)所述存儲(chǔ)器 模塊，目標(biāo)系統(tǒng)從非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片讀取所述缺陷表并將讀寫(xiě)無(wú)缺陷存儲(chǔ)器位置的檢測(cè) 模式應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器模塊的存儲(chǔ)器芯片上，其中所述無(wú)缺陷存儲(chǔ)器位置是未被缺陷表識(shí) 別的存儲(chǔ)器位置。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述生產(chǎn)部份良好存儲(chǔ)器模塊的方法，其特征在于還包含 于目標(biāo)檢測(cè)前預(yù)燒所述存儲(chǔ)器模塊，包含 將所述存儲(chǔ)器模塊插入到存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板上的插座； 將所述存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板放入預(yù)燒爐；通過(guò)提升溫度及電壓，壓制所述預(yù)燒爐的存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板上的存儲(chǔ)器模塊； 將所述存儲(chǔ)器模塊預(yù)燒板從所述預(yù)燒爐移出，并將所述存儲(chǔ)器模塊從所述存儲(chǔ)器模塊 預(yù)燒板上移出。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述生產(chǎn)部份良好存儲(chǔ)器模塊的方法，其特征在于還包含 于焊接到基板前初步篩選存儲(chǔ)器模塊，包含 將初步檢測(cè)模式應(yīng)用于讀寫(xiě)存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器位置； 計(jì)數(shù)于初步檢測(cè)模式時(shí)未通過(guò)檢測(cè)的數(shù)量； 丟棄未通過(guò)檢測(cè)的數(shù)量大于檢測(cè)閾值的存儲(chǔ)器芯片。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述生產(chǎn)部份良好存儲(chǔ)器模塊的方法，其特征在于所述檢測(cè)閾值 包含大于一個(gè)缺陷及小于10%的全部存儲(chǔ)器芯片上的存儲(chǔ)器位置。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述生產(chǎn)部份良好存儲(chǔ)器模塊的方法，其特征在于所述目標(biāo)檢測(cè) 包含于檢測(cè)模式被運(yùn)用時(shí)，加熱所述存儲(chǔ)器模塊到已提高溫度，并運(yùn)用低于標(biāo)準(zhǔn)電源電壓 的下降電源電壓。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述生產(chǎn)部份良好存儲(chǔ)器模塊的方法，其特征在于還包含 選擇存儲(chǔ)器芯片樣本；通過(guò)比初步檢測(cè)模式可檢測(cè)出更多缺陷的檢測(cè)模式，檢測(cè)所述存儲(chǔ)器芯片樣本，初步 檢測(cè)模式是用于部份檢測(cè)所述存儲(chǔ)器芯片，直到初步篩選出包含開(kāi)路及短路接腳的缺陷存 儲(chǔ)器芯片；根據(jù)未通過(guò)檢測(cè)存儲(chǔ)器芯片的數(shù)量，決定樣本的成品率；比較所述成品率與目標(biāo)值，在含有大量樣本的情況下，決定何時(shí)應(yīng)用抽樣檢測(cè)模式檢 測(cè)剩余的存儲(chǔ)器芯片及決定何時(shí)應(yīng)用初步檢測(cè)模式檢測(cè)剩余的存儲(chǔ)器芯片； 藉此，由抽樣得到存儲(chǔ)器芯片的成品率。
全文摘要
本發(fā)明是一種利用電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器的缺陷表制造存儲(chǔ)器模塊的方法，通過(guò)焊接部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片于存儲(chǔ)器模塊基板以制造存儲(chǔ)器模塊。部份良好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片具有數(shù)量低于檢測(cè)閾值(例如10％)的缺陷存儲(chǔ)器單元。已封裝動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片經(jīng)過(guò)隨意地預(yù)先篩選后，當(dāng)發(fā)現(xiàn)缺陷的數(shù)目少于前述檢測(cè)閾值時(shí)，則視為通過(guò)檢測(cè)。在檢測(cè)期間，產(chǎn)生缺陷表并將其寫(xiě)入至存儲(chǔ)器模塊上的串行存在檢測(cè)電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。于開(kāi)機(jī)時(shí)，借助目標(biāo)系統(tǒng)檢測(cè)器讀取缺陷表，存儲(chǔ)器模塊于目標(biāo)系統(tǒng)檢測(cè)器上做最后檢測(cè)，并將存儲(chǔ)器存取缺陷表所識(shí)別的缺陷存儲(chǔ)器位置重新導(dǎo)向。存儲(chǔ)器可通過(guò)燒制或于不同溫度及電壓下檢測(cè)以增加可靠性。
文檔編號(hào)G11C29/00GK101794621SQ20091000380
公開(kāi)日2010年8月4日 申請(qǐng)日期2009年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月1日
發(fā)明者D·孫, M·陳, R·S·柯 申請(qǐng)人:金士頓科技(上海)有限公司