專利名稱：具有調(diào)整飛行高度結(jié)構(gòu)的磁頭驅(qū)動(dòng)器及其磁盤驅(qū)動(dòng)單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種信息記錄磁盤驅(qū)動(dòng)單元，特別地，本發(fā)明涉及調(diào)整磁頭在 磁性存儲(chǔ)介質(zhì)上飛行高度的結(jié)構(gòu)，更具體地涉及控制磁頭飛行高度同時(shí)保護(hù)磁 頭的讀/寫傳感器避免受噪聲干擾和靜電放電的損害的裝置。
背景技術(shù)：
磁盤驅(qū)動(dòng)器是一種常見(jiàn)的信息存儲(chǔ)設(shè)備，其被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電 子產(chǎn)品和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中。所述磁盤驅(qū)動(dòng)器通常包括一 系列可旋轉(zhuǎn)的磁盤或其 它磁性存儲(chǔ)介質(zhì)以及若干磁頭驅(qū)動(dòng)臂組合。每一磁頭驅(qū)動(dòng)臂組合包括具有從磁 盤讀取信息或?qū)懭胄畔⒌酱疟P的讀/寫頭。所述讀/寫頭即通常所知的傳感器內(nèi)嵌 于磁頭并隨磁頭運(yùn)動(dòng)。所述磁頭位于磁盤靠近離散數(shù)據(jù)磁軌的相對(duì)位置，從而 實(shí)現(xiàn)讀/寫操作。為了使所述傳感器相對(duì)磁盤表面適當(dāng)?shù)囟ㄎ?，所述磁頭的空氣 承載面的流動(dòng)氣流提供足夠的支撐力使具有傳感器的磁頭飛行于所述磁盤磁軌 上。高速旋轉(zhuǎn)的磁盤產(chǎn)生所述氣流，并驅(qū)動(dòng)所述氣流沿著磁頭表面平行于所述 磁盤切向速度方向流動(dòng)。所述氣流與所述磁頭的空氣承載面協(xié)同使所述磁頭能 夠飛行于所述旋轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)磁盤上。更確切的說(shuō)，所述磁盤的旋轉(zhuǎn)使所述磁頭漂
浮在從所述存儲(chǔ)磁盤到所述磁頭空氣承載面距離為"h"的位置處。所述距離"h" 被稱為飛行高度或所述空氣承載面與所述旋轉(zhuǎn)磁盤之間的分離間隙，并代表在 磁盤驅(qū)動(dòng)器正常工作中，所述磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述磁頭組合所在的位置。
現(xiàn)在每一存儲(chǔ)磁盤均包括一個(gè)或兩個(gè)磁盤表面，所述磁盤表面被分割成若 干具有不同半徑的狹窄環(huán)形區(qū)域，這些區(qū)域通常稱作數(shù)據(jù)一磁軌。存儲(chǔ)^f茲盤上每 一徑向英寸的磁軌數(shù)(TPI)即是磁軌密度。數(shù)據(jù)信息以磁性轉(zhuǎn)換或者比特的形式 由讀/寫頭記錄于數(shù)據(jù)磁軌上。沿著磁軌每一英寸的比特?cái)?shù)(BPI)即為線性密度。在維持所述磁盤驅(qū)動(dòng)器固定或低制造成本的前提下，為努力提升磁盤驅(qū)動(dòng)器的 存儲(chǔ)容量，磁盤的密度正在必要地持續(xù)增加。
在給定的線性密度下，磁頭到磁盤的間距需要保持在既定的值以確保精確 的數(shù)據(jù)傳輸。然而，在數(shù)據(jù)傳送過(guò)程中，由于環(huán)境的持續(xù)變化，很難保持磁頭 到磁盤的間距一致。更進(jìn)一步的，所述磁頭的飛行高度是影響已裝配的讀/寫頭 的讀和記錄能力的一個(gè)關(guān)鍵因素。磁頭到磁盤飛行高度的大的變化會(huì)導(dǎo)致磁盤 驅(qū)動(dòng)器的可靠性有問(wèn)題。換句話說(shuō)，恒定的飛行高度使傳感器在所述磁盤表面 不同的數(shù)據(jù)比特位置之間能實(shí)現(xiàn)更大的辨析率，從而可以提高數(shù)據(jù)密度和存儲(chǔ) 容量。如果飛行高度正向偏離既定的飛行高度很大，則所述磁頭到磁盤的間距 會(huì)因太大而可能導(dǎo)致無(wú)法準(zhǔn)確可靠的從磁盤讀取信息和寫信息到磁盤。相反地， 如果所述飛行高度反向偏離既定的飛行高度很大，則所述磁頭將會(huì)碰撞所述存 4諸石茲盤的表面。
另外，隨著使用性能可靠、尺寸較小且功能強(qiáng)勁的磁盤驅(qū)動(dòng)器的輕小筆記 本電腦的流行，對(duì)于更低飛行高度的磁盤驅(qū)動(dòng)器的需求也日益增加。其中一些 主要的目標(biāo)是使飛行的磁頭以及附在所述磁頭上的傳感器足夠靠近旋轉(zhuǎn)的磁盤 表面，無(wú)論飛行條件如何改變，都維持恒定的距離。因此，需要提供一種控制 磁頭飛行高度的裝置。
現(xiàn)在磁盤驅(qū)動(dòng)器制造商通常使用的一種方法是動(dòng)態(tài)飛行高度(dynamic flying height, DFH)控制對(duì)磁頭進(jìn)行位置控制，使用熱驅(qū)動(dòng)器(thermal actuator)或者加 熱器(heater)通過(guò)^f茲頭的熱膨脹來(lái)調(diào)節(jié)所述^f茲頭和所述^ 茲盤之間的高度，從而 很好的控制飛行高度。然而，事實(shí)上，這種裝置驅(qū)動(dòng)器不夠有效，因?yàn)槠浞磻?yīng) 慢。
目前， 一些磁盤制造商使用另一種被稱為電性飛行高度(electrical flying height, EFH)控制的裝置。其在所述磁盤和所述磁頭之間設(shè)置靜電驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng) 器通過(guò)電力吸引有效的調(diào)節(jié)飛行高度。這種方式成本更低而且節(jié)約能耗，同時(shí)， 比傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)飛行高度控制反應(yīng)效率快50%。請(qǐng)參考圖1，所述靜電驅(qū)動(dòng)器包含 由所述磁頭600的傳感器610提供的第一驅(qū)動(dòng)器電極611，所述第一驅(qū)動(dòng)器電極611與所述磁頭600的基片620及磁盤500隔離。磁盤500作為具有與所述第一 驅(qū)動(dòng)器電極相等的有效區(qū)域的第二驅(qū)動(dòng)器電極。所述第一驅(qū)動(dòng)器電極611作為 第一電容板，所述第二電極面向所述第一電容板作為第二電容板。所述兩個(gè)電 容板被一氣流間隙即所述飛行高度間隔分隔。當(dāng)控制信號(hào)傳送到電性線路700， 所述兩個(gè)電容板相互電性吸引。當(dāng)高電壓經(jīng)電性線路700施加到所述電極時(shí)， 由于所述兩個(gè)電極之間的電性吸引而會(huì)減小所述氣流間隙，反之亦然。然而， 當(dāng)電性飛行高度控制工作時(shí)，由于是在所述傳感器610的屏蔽層上施加高電壓， 現(xiàn)有設(shè)計(jì)的電性飛行高度控制將會(huì)在屏蔽層上產(chǎn)生很多凹坑(pit)，而且因?yàn)樗?述傳感器610提供的所述第一驅(qū)動(dòng)器電極沒(méi)有接地而是充電的，從而導(dǎo)致靜電 放電毀壞傳感器610的讀傳感器及寫電極。
因此有必要提供一種改進(jìn)的電性飛行高度控制結(jié)構(gòu)，使其能精確的調(diào)節(jié)所 述磁頭的飛行高度以及保護(hù)讀傳感器和所述磁頭的寫電極避免受到噪聲干擾和 靜電放電的損害。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種磁頭，所述磁頭施加控制電壓于磁頭基片， 實(shí)現(xiàn)電性飛行高度控制，同時(shí)，磁頭的屏蔽層接地，從而使所述屏蔽層上不會(huì) 產(chǎn)生凹坑并且防止靜電方丈電。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種可調(diào)節(jié)磁頭的飛行高度的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其 施加控制電壓于磁頭的磁頭基片，實(shí)現(xiàn)電性飛行高度控制，同時(shí)，磁頭的屏蔽 層接地，從而使所述屏蔽層上不會(huì)產(chǎn)生凹坑并且防止靜電放電。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種適于控制其相對(duì)電性傳導(dǎo)存儲(chǔ)介質(zhì)的飛 行高度的磁頭。所述磁頭包括磁頭基片，該磁頭基片具有朝向所述存儲(chǔ)介質(zhì)的 空氣承載面。所述磁頭還包括上屏蔽層、下屏蔽層、夾設(shè)于所述上屏蔽層與所 述下屏蔽層之間的讀傳感器以及寫屏蔽層。其中所述磁頭基片電連接一基片電 性線路，該基片電性線路為所述磁頭基片提供飛行高度控制電壓，由此所述磁 頭基片和所述存儲(chǔ)介質(zhì)形成電容器的兩個(gè)板，該兩個(gè)板被支撐所述磁頭的空氣絕緣層隔開(kāi)。所述下屏蔽層與所述寫屏蔽層均電連接于接地電性線路。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，進(jìn)一步包括加熱器。所述加熱器的一端電連接 所述基片電性線路，該基片電性線路為所述加熱器提供飛行高度控制電壓，所 述加熱器的另 一端與所述接地電性線路電連接。
在本發(fā)明另一實(shí)施例中，進(jìn)一步包括一底板，該底板電連接所述接地電性 線路，所述上屏蔽層也與所述接地電性線路電連接。
在本發(fā)明又一實(shí)施例中，所述寫屏蔽層、所述上屏蔽層以及所述下屏蔽層 與所述接地電性線路之間連接有分流電阻。
可選地，位于所述接地電性線路與所述下屏蔽層及上屏蔽層二者任一之間
的分流電阻的電阻值范圍在1 Ok Ohm到10M Ohm之間。
優(yōu)選地，位于所述接地電性線路與所述寫屏蔽層之間的分流電阻的電阻值 小于lOOhm。
優(yōu)選地，位于所述接地電性線路與所述下屏蔽層及所述上屏蔽層二者任一 之間的分流電阻的電阻值為2M Ohm。
本發(fā)明還提供一種可調(diào)整磁頭飛行高度的磁盤驅(qū)動(dòng)器，包括存儲(chǔ)介質(zhì)以及 磁頭，所述磁頭包括磁頭基片，該磁頭基片具有朝向所述存儲(chǔ)介質(zhì)相對(duì)的空氣 承載面，所述磁頭還包括上屏蔽層、下屏蔽層、夾設(shè)于所述上屏蔽層與所述下 屏蔽層之間的讀傳感器以及寫屏蔽層，其中所述磁頭基片電連接一基片電性線 路，所述基片電性線路為所述磁頭基片提供飛行高度控制電壓，由此所述磁頭 基片和所述存儲(chǔ)介質(zhì)形成電容器的兩個(gè)板，所述電容器的兩個(gè)板被支撐所述磁 頭的空氣絕緣層隔開(kāi)。所述下屏蔽層和所述寫屏蔽層均電連接于接地電性線路。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于施加飛行高度控制電壓到所述磁頭 基片，從而實(shí)現(xiàn)電性飛行高度控制。并因此使所述磁頭的屏蔽層得以接地，從 而使所述磁頭成功地防止在所述屏蔽層上產(chǎn)生凹坑并非常好地抑制所述磁頭中 的靜電》文電。
另外，本發(fā)明所述》茲頭應(yīng)用底板、加熱器以及帶有分流電阻的分流電路進(jìn) 一步優(yōu)化所述磁頭的讀/寫性能，從而更好的避免噪聲和串音以及靜電放電。通過(guò)以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋 本發(fā)明的實(shí)施例。


圖1展示了傳統(tǒng)的磁盤驅(qū)動(dòng)器，高電壓被施加于所述磁盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭的 傳感器的驅(qū)動(dòng)器電極上，用于調(diào)節(jié)所述磁頭的飛行高度。
圖2展示了本發(fā)明磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中的飛行高度控制電壓被施加于所述磁 盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭的磁頭基片上，用于調(diào)節(jié)所述磁頭的飛行高度。 圖3為如圖2所示磁盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭的第一實(shí)施例的剖面圖。 圖4為圖3所示磁頭的空氣承載面的示意圖。
圖5是本發(fā)明磁頭第二實(shí)施例的空氣承載面的示意圖，其中引入了底板且 底板接地。
圖6為圖5所示磁頭的剖面圖。
圖7是本發(fā)明磁頭第三實(shí)施例的空氣承載面的示意圖，其中引入了加熱器 以控制所述磁頭的動(dòng)態(tài)飛行高度。
圖8是本發(fā)明磁頭第四實(shí)施例的空氣承載面的示意圖，其中引入了具有分 流電阻的分流電路以防止噪聲和串音。
圖9是本發(fā)明磁頭第五實(shí)施例的空氣承載面的示意圖，其中引入了底板、 加熱器以及具有分流電阻的分流電路以優(yōu)化所述磁頭的讀/寫性能。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中類似的元件標(biāo)號(hào)代表類似的元 件。如上所述，本發(fā)明旨在提供一種于磁頭的磁頭基片上施加飛行高度控制電 壓并且使磁頭的屏蔽層接地的磁頭。這樣的設(shè)計(jì)確保本發(fā)明磁頭能實(shí)現(xiàn)電性飛 行高度控制并防止在所述磁頭屏蔽層上產(chǎn)生凹坑以及抑制所述磁頭中的靜電放 電，同時(shí)實(shí)現(xiàn)噪聲免疫?？蛇x地，本發(fā)明^磁頭還引入底板、加熱器或具有分流電阻的分流電路，以更好的避免噪聲和串音以及靜電放電，從而優(yōu)化所述磁頭 的的讀/寫性能。
圖2展示了本發(fā)明磁盤驅(qū)動(dòng)器，該磁盤驅(qū)動(dòng)器能調(diào)節(jié)磁頭相對(duì)于電性傳導(dǎo) 存儲(chǔ)介質(zhì)的飛行高度。圖3為圖2所示磁盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭的第一實(shí)施例的剖面 圖。圖4為圖3所示^f茲頭的空氣承載面的示意圖。
參考圖2，所述磁盤驅(qū)動(dòng)器包括磁盤200以及工作于所述磁盤200上的磁頭 100。所述磁盤200為磁性、光學(xué)可讀材料。所述磁盤驅(qū)動(dòng)器利用所述磁頭100 從磁盤200的電性傳導(dǎo)表面注入及/或提取信號(hào)。所述磁盤200和所述磁頭100 被飛行高度間隙140隔開(kāi)。在本實(shí)施例中，所述磁頭100和所述磁盤200之間 飛行高度間隙140的絕緣層(這里是空氣層)支撐所述^F茲頭100于所述磁盤200上 方。所述磁頭IOO以所述飛行高度間隙140定義的飛行高度飛行于所述磁盤200 上。電極121電性控制所述飛行高度間隙140，這將會(huì)在下面的內(nèi)容中做詳細(xì)的 介紹。
所述磁頭100由傳感器IIO和磁頭基片120組成。所述傳感器IIO具有讀傳 感器114以及寫線圈111。所述磁頭100工作時(shí)，所述讀傳感器114被上屏蔽層 113和下屏蔽層115保護(hù)以免遭雜散電磁場(chǎng)的干擾。所述寫線圈111為具有屏蔽 層112的典型感應(yīng)線圈。所述磁頭基片120具有空氣承載面130,所述空氣承載 面130朝向所述磁盤200的電性傳導(dǎo)表面。所述上屏蔽層113、下屏蔽層115以 及讀傳感器114形成于所述磁頭基片120上。
所述磁頭基片120電連接基片電性線路400，該基片電性線路400為所述磁 頭基片120提供飛行高度控制電壓。所述磁頭基片120與所述磁盤200的電性 傳導(dǎo)介質(zhì)表面之間的分界面即所述飛行高度間隙140的絕緣層使所述磁頭基片 120和電性傳導(dǎo)介質(zhì)表面可模仿成一個(gè)類似平行電容器321。所述磁頭基片120 和所述電性傳導(dǎo)介質(zhì)表面分別形成所述電容器321相對(duì)的兩個(gè)板。更具體地， 所述磁頭基片120是作為第一電容器板或第一飛行高度控制電極121,并通過(guò)所 述底板116與所述傳感器110電性隔絕。所述磁盤200的電性傳導(dǎo)介質(zhì)表面面向 所述第一電容器板而作為第二電容器板或者第二飛行高度控制電極221,所述第二電容器板或者第二飛行高度控制電極221的有效區(qū)域與所述第一飛行高度控 制電極121相等。在本實(shí)施例中，所述第一電容器板121和所述第二電容器板 221結(jié)合以實(shí)現(xiàn)電性飛行高度控制。
下面的段落闡釋了本發(fā)明磁頭100相對(duì)于所述磁盤200實(shí)現(xiàn)電性飛行高度 控制的原理。所述飛行高度控制電壓經(jīng)所述基片電性線路400施加于所述磁頭 基片120，并保持一個(gè)恒定低值以調(diào)節(jié)所述飛行高度間隙140。所述飛行高度控 制電壓產(chǎn)生的控制電壓信號(hào)在所述第一電容器板121和第二電容器板221之間 形成不同的電位，這樣就在所述磁頭基片12Q與所述^f茲盤200之間產(chǎn)生靜電吸 引力。所述靜電吸引力使所述第一飛行高度控制電極121和所述第二飛行高度 控制電極221開(kāi)相吸引，從而改變所述磁頭100與所述,茲盤200之間的距離， 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)所述^茲頭100的飛行高度。
電性飛行高度控制操作中，在平行電容器321的運(yùn)作下，所述磁頭-磁盤分 界面的間距即所述飛行高度間隙140可以根據(jù)被施加的控制電壓值增大或減小。 具體地，所述磁頭100與所述磁盤200之間的距離會(huì)隨著電壓的增加而減小， 因?yàn)樵诟唠妷合拢龅谝浑娙萜靼?21與第二電容器板221間的靜電吸引力 增加。換句話說(shuō)，施加控制電壓可以減小所述飛行高度間隙140，這樣就能實(shí)現(xiàn) 靜電調(diào)節(jié)所述飛行高度間隙140的目的，從而維持所述磁頭100的飛行高度在 預(yù)期的設(shè)定點(diǎn)。
在本實(shí)施例中，所述寫屏蔽層112和所述下屏蔽層115均電連接所述接地電 性線路300。在這種情況下，進(jìn)行電性飛行高度操縱時(shí)，由于屏蔽層與大地等電 位，所以電荷只積累在所述》茲頭基片120上，這樣所述傳感器110的屏蔽層上 就不會(huì)出現(xiàn)凹坑。另外，由所述寫屏蔽層接地和所述下屏蔽層接地組成的接地 內(nèi)分流電路還能4艮好的實(shí)現(xiàn)防止靜電放電和噪聲干擾。
本發(fā)明磁頭更為優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)將在下面做詳細(xì)介紹。這樣的設(shè)計(jì)在實(shí)現(xiàn) 電性飛行高度控制的同時(shí)，能更好的避免噪聲和串音，以及達(dá)到最佳的抗噪聲 性能和靜電放電保護(hù)。
圖5是本發(fā)明磁頭100a第二實(shí)施例的空氣承載面的示意圖。圖6為圖5所示磁頭的剖面圖。與圖4所示第一實(shí)施例的磁頭100相比，所述磁頭100a還具 有底板116。所述底板116與所述上屏蔽層113分別電連接所述接地電性線路 300,以耦合噪聲從而實(shí)現(xiàn)噪聲補(bǔ)償效果，這樣能更好的改進(jìn)所述磁頭100a的性 能。
圖7是本發(fā)明磁頭100b第三實(shí)施例的空氣承載面的示意圖。與圖4所示第 一實(shí)施例的磁頭100相比，所述磁頭100b還具有加熱器117。所述加熱器117 產(chǎn)生熱量使所述》茲頭100b熱膨脹，從而調(diào)節(jié)所述飛行高度。更具體地，所述加 熱器117的一端電連接加熱器電性線路(圖中未示)，所述加熱器電性線路為所述 加熱器117提供飛行高度控制電壓。所述加熱器117的另一端電連接所述接地電 性線路300。在本實(shí)施例中，所述加熱器電性線路與所述基片電性線路400電連 接以提供集中的飛行高度控制電壓，從而調(diào)節(jié)所述磁頭的飛行高度。啟動(dòng)所述 加熱器117,該加熱器117產(chǎn)生的熱量使所述磁頭100b靠近所述加熱器的部分 膨脹。在一定的控制方式下，這樣的膨脹將會(huì)導(dǎo)致所述空氣承載面扭曲，使得 所述空氣承載面更靠近所述磁盤表面。當(dāng)需要時(shí)，就可以以這種方式控制所述 飛行高度，這樣所述,茲頭100b就具有良好的讀/寫性能。在本實(shí)施例中，所述加 熱器117為傳導(dǎo)材料線圈結(jié)構(gòu)。最佳地，所述加熱器117為高阻抗的傳導(dǎo)材料。
圖8是本發(fā)明磁頭100c第四實(shí)施例的空氣承載面的示意圖。與所述第二實(shí) 施例的磁頭100a相比，所述磁頭100c還包括具有分流電阻的分流電路，所述分 流電路形成一個(gè)電流通路，從而更好的防止靜電放電及噪聲。所述分流電路包 括位于所述接地電性線路300與所述寫屏蔽層112之間第一分流電阻181、位于 所述接地電性線路300與所述上屏蔽層113之間的第二分流電阻183以及位于 所述接地電性線路300與所述下屏蔽層115之間的第三分流電阻185。這樣的結(jié) 構(gòu)能保證在積累的電荷量足以開(kāi)始放電前，所述讀感應(yīng)器114及其周圍元件接 地。這樣，所述分流電路抑制所述磁頭中的靜電放電，同時(shí)防止所述讀感應(yīng)器 114與所述與其鄰近的寫線圈lll之間的噪聲和串音干擾。更優(yōu)地，所述第一分 流電阻181為低阻值，其值小于10Ohm,所述第二分流電阻183及所述第三分 流電阻185為高阻值，其值近似在10k Ohm到10M Ohm之間。在本實(shí)施例中，所述第二分流電阻183和所述第三分流電阻185的最佳值為2MOhm。
圖9是本發(fā)明磁頭100d第五實(shí)施例的空氣承載面的示意圖。與圖8所示第 四實(shí)施例的石茲頭100c相比，所述磁頭100d還具有加熱器117,并j吏用所述加熱 器117產(chǎn)生的熱量調(diào)節(jié)所述磁頭的飛行高度。在本實(shí)施例中，所述加熱器117 的一端電連接所述基片電性線路300，從而提供集中的飛行高度電壓以調(diào)節(jié)所述 磁頭100e的飛行高度，而所述加熱器117的另一端電連接所述接地電性線路 300。
以上結(jié)合最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本發(fā)明并不局限于以上揭示 的實(shí)施例，而應(yīng)當(dāng)涵蓋各種根據(jù)本發(fā)明的本質(zhì)進(jìn)行的修改、等效組合。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，適于控制其相對(duì)電性傳導(dǎo)存儲(chǔ)介質(zhì)的飛行高度，該磁頭包括磁頭基片，該磁頭基片具有朝向所述存儲(chǔ)介質(zhì)的空氣承載面；上屏蔽層、下屏蔽層及夾設(shè)于所述上屏蔽層與所述下屏蔽層之間的讀傳感器；以及寫屏蔽層；其中所述磁頭基片電連接一基片電性線路，該基片電性線路為所述磁頭基片提供飛行高度控制電壓，由此所述磁頭基片和所述存儲(chǔ)介質(zhì)形成電容器的兩個(gè)板，該兩個(gè)板被支撐所述磁頭的空氣絕緣層隔開(kāi)；其中所述下屏蔽層和所述寫屏蔽層均電連接于一接地電性線路。
2. 如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于進(jìn)一步包括加熱器，所述加熱 器的一端電連接所述基片電性線路，該基片電性線路為所述加熱器提供飛行高 度控制電壓，所述加熱器的另 一端與所述接地電性線路電連接。
3. 如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于進(jìn)一步包括一底板，該底板電 連接所述接地電性線路，所述上屏蔽層也與所述接地電性線路電連接。
4. 如權(quán)利要求3所述的磁頭，其特征在于所述寫屏蔽層、所述上屏蔽層 以及所述下屏蔽層中的至少一個(gè)與所述接地電性線路之間連接有分流電阻。
5. 如權(quán)利要求4所述的磁頭，其特征在于位于所述接地電性線路與所述 下屏蔽層及上屏蔽層二者任一之間的分流電阻的電阻值范圍在10kOhm到10M Ohm之間。
6. 如權(quán)利要求4所述的磁頭，其特征在于位于所述接地電性線路與所述寫屏蔽層之間的分流電阻的電阻值小于lOOhm。
7. 如權(quán)利要求4所述的磁頭，其特征在于位于所述接地電性線路與所述 下屏蔽層及所述上屏蔽層二者任一之間的分流電阻的電阻值為2M Ohm。
8. —種可調(diào)整磁頭飛行高度的磁盤驅(qū)動(dòng)器，包括 存儲(chǔ)介質(zhì)；以及磁頭，所述磁頭包括磁頭基片，該磁頭基片具有朝向所述存儲(chǔ)介質(zhì)的空氣承 載面，所述磁頭還包括上屏蔽層、下屏蔽層、夾設(shè)于上屏蔽層與下屏蔽層之間 的讀傳感器以及寫屏蔽層，其中所述磁頭基片電連接一基片電性線路，所述基 片電性線路為所述磁頭基片提供飛行高度控制電壓，由此所述磁頭基片和所述 存儲(chǔ)介質(zhì)形成電容器的兩個(gè)板，所述電容器的兩個(gè)板被支撐所述磁頭的空氣絕 緣層隔開(kāi)；其中所述下屏蔽層和所述寫屏蔽層均電連接于一接地電性線路。
9. 如權(quán)利要求8所述的^f茲盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于所述^f茲頭進(jìn)一步包括加 熱器，所述加熱器的一端電連接所述基片電性線路，該基片電性線路為所述加 熱器提供飛行高度控制電壓，所述加熱器的另一端與所述接地電性線路電連接。
10. 如權(quán)利要求8所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于所述磁頭進(jìn)一步包括底 板，該底板電連接所述接地電性線路，所述上屏蔽層也與所述接地電性線路電 連接。
11. 如權(quán)利要求10所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于所述寫屏蔽層、所述 上屏蔽層以及所述下屏蔽層中的至少一個(gè)與所述接地電性線路之間連接有分流 電阻。
12. 如權(quán)利要求11所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于位于所述接地電性線 路與所述下屏蔽層及上屏蔽層二者任一之間的分流電阻的電阻值范圍在10k Ohm到10MOhm之間。
13. 如權(quán)利要求11所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于位于所述接地電性線 路與所述寫屏蔽層之間的分流電阻的電阻值小于10 Ohm。
14. 如權(quán)利要去11所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于位于所述接地電性線 路與所述下屏蔽層及所述上屏蔽層二者任一之間的分流電阻的電阻值為2M Ohm。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種磁頭，該磁頭具有磁頭基片、上屏蔽層、下屏蔽層、夾設(shè)于所述上屏蔽層與所述下屏蔽層之間的讀感應(yīng)器以及寫屏蔽層。所述磁頭基片電連接一基片電性線路，該基片電性線路為所述磁頭基片提供飛行高度控制電壓，從而實(shí)現(xiàn)電性飛行高度控制。所述下屏蔽層和所述寫屏蔽層均電連接接地電性線路，從而可以防止在電性飛行高度操作中在所述磁頭屏蔽層上產(chǎn)生凹坑，同時(shí)減少靜電放電和噪聲的損害。為實(shí)現(xiàn)最佳的讀/寫性能，所述磁頭還設(shè)有底板、加熱器以及具有分流電阻的分流電路，從而更好的防止噪聲、串音以及靜電放電。同時(shí)，本發(fā)明還揭露了一種具有所述磁頭的磁盤驅(qū)動(dòng)器。
文檔編號(hào)G11B5/60GK101295509SQ20071010262
公開(kāi)日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2007年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月24日
發(fā)明者黎偉源 申請(qǐng)人:新科實(shí)業(yè)有限公司