專利名稱：磁記錄介質(zhì)及其記錄再生方法和記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)及其記錄再生方法和記錄再生裝置，更具體而 言，涉及能改寫的磁記錄介質(zhì)、或者一邊對介質(zhì)入射光而使溫度上升、一 邊記錄再生信號的磁記錄介質(zhì)，特別是具有伺服信號的磁記錄介質(zhì)及其記 錄再生方法和記錄再生裝置。
背景技術(shù)：
磁記錄介質(zhì)、相變記錄介質(zhì)等光記錄介質(zhì)是大容量、能進(jìn)行高密度記 錄的可移動型記錄介質(zhì)，作為記錄伴隨著近年的多介質(zhì)化的計算機的大容 量文件或動畫的介質(zhì)，需要正在急速增加。光記錄介質(zhì)一般具有在塑料等透明的圓盤狀的基板形成包含記錄膜 的多層膜的結(jié)構(gòu)。對該光記錄介質(zhì)照射激光， 一邊進(jìn)行聚焦伺服，使用引 導(dǎo)溝或凹坑，進(jìn)行跟蹤伺服， 一邊進(jìn)行信息的記錄、刪除，使用激光的反 射光再生信號。光記錄介質(zhì)的記錄密度的界限依存于根據(jù)光源的激光波長(AJ決定 的衍射界限( X/2NA: NA是物鏡的數(shù)值孔徑)。最近，提出把2個物鏡作 為一組，具有0. 8以上的NA的系統(tǒng)，與光記錄介質(zhì)的高密度化有關(guān)的開 發(fā)正在活躍地進(jìn)行。用于記錄再生的激光以往通過基板照射記錄膜，但是 NA越大，光通過基板時的基板的傾斜等引起的象差越增大，所以有必要把 基板厚度變薄。光記錄介質(zhì)中，特別是光磁記錄介質(zhì)以往以施加固定磁場，來刪除信 息后，施加與該固定磁場相反方向的固定磁場，來記錄信息的所謂的光調(diào) 制記錄方式為中心?？墒?，近年，作為能用l旋轉(zhuǎn)記錄信息(直接改寫)， 即使在需要高密度記錄時，也能正確記錄的方式， 一邊照射激光， 一邊按 照記錄圖案，調(diào)制磁場的磁場調(diào)制方式正在實用化。此外，最近，磁記錄
介質(zhì)通過介質(zhì)自身的改良、GMR頭等的實用化，實現(xiàn)更高記錄密度。此外，相變記錄介質(zhì)作為能通過光調(diào)制記錄方式進(jìn)行直接改寫，能用與CD或DVD相同的光學(xué)系統(tǒng)再生的介質(zhì)，引人注目?？墒?，在磁記錄介質(zhì)一般不形成有用于跟蹤引導(dǎo)的引導(dǎo)溝或伺服凹 坑，所以有必要通過伺服記錄器記錄跟蹤用的信號。而例如提出通過磁轉(zhuǎn)印(transfer),形成伺服凹坑的方法(參照專 利文獻(xiàn)l)。專利文獻(xiàn)1:特開平10-40544號公報可是，在這樣的方法中，因為通過伺服記錄器記錄跟蹤用的信號，所 以有必要在每個介質(zhì)中記錄伺服信號，存在花費時間、成本的課題。此外， 在該方法中，在轉(zhuǎn)印磁場和作業(yè)方式上存在問題，有時無法形成完全能經(jīng) 得起使用的伺服信息。由于記錄容量的高密度化，磁道間隔減小時，溫度漂移等周圍環(huán)境的 影響增大，有必要記錄穩(wěn)定的跟蹤信息或者檢測穩(wěn)定的伺服信號。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，不使用伺服記錄器，通過記錄伺服信號等格式信 號，提高格式信號的記錄的簡便化、格式信號的穩(wěn)定性，跟蹤特性和信號 特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)的記錄再生方法。此外，其目的在于，提供適合在這樣的記錄再生方法中使用的磁記錄 介質(zhì)的記錄再生裝置、進(jìn)行磁記錄再生的磁記錄介質(zhì)或者一邊照射光而使 記錄膜的溫度上升、 一邊進(jìn)行記錄再生的磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)的記錄再生方法，使用按照使探針掃描磁 記錄介質(zhì)的方式面向該磁記錄介質(zhì)的至少一個探針陣列，在所述磁記錄介質(zhì)記錄格式信號，和/或檢測格式信號；在所述磁記錄介質(zhì)記錄、再生和/或刪除數(shù)據(jù)。此外，根據(jù)本發(fā)明，提供在磁記錄介質(zhì)表面配置按照數(shù)據(jù)和/或格式信 號遮蔽后的掩模，通過掩模加熱或光照射所述磁記錄介質(zhì)，從而在該磁記 錄介質(zhì)上記錄信號。根據(jù)本發(fā)明，提供一種磁記錄介質(zhì)的記錄再生裝置，具有 按照使探針掃描磁記錄介質(zhì)的方式面向該磁記錄介質(zhì)的至少一個探 針陣列；和根據(jù)磁化方向的變化或磁各向異性的變化，記錄數(shù)據(jù)和/或格式信^"的 磁記錄介質(zhì)，其中，所述探針具有檢測所述磁記錄介質(zhì)的格式信號的部件；在所 述磁記錄介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)和/或格式信號的部件；和再生所述磁記錄介質(zhì)的數(shù) 據(jù)的部件，所述記錄再生裝置在所述磁記錄介質(zhì)記錄、再生、刪除數(shù)據(jù)和/或格式 信號。此外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種磁記錄介質(zhì)的記錄再生裝置，具有 根據(jù)磁化方向的變化或磁各向異性的變化，記錄數(shù)據(jù)和/或格式信號的 磁記錄介質(zhì)；配置在所述磁記錄介質(zhì)表面，按照數(shù)據(jù)和/或格式信號遮蔽后的掩模；和通過所述掩模向磁記錄介質(zhì)照射光的光源；經(jīng)過所述掩模向磁記錄介質(zhì)照射來自光源的光，按照數(shù)據(jù)和/或格式信 號，加熱磁記錄介質(zhì)，從而在磁記錄介質(zhì)上寫入信號。根據(jù)本發(fā)明，提供一種磁記錄介質(zhì)，具有基板和由磁性材料構(gòu)成的記 錄膜，其中記錄基于磁化方向的變化或磁各向異性的變化的格式信號。此外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種磁記錄介質(zhì)，具有基板和由磁性材料構(gòu) 成的記錄膜，其中記錄基于由氧化膜形成的凹坑的格式信號。


圖1是表示本發(fā)明第一實施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 圖2是表示本發(fā)明第二實施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 圖3是表示本發(fā)明第三實施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 圖4是表示本發(fā)明第四實施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 圖5 (a)是表示本發(fā)明第五實施方式的磁記錄介質(zhì)及其制造方法的剖視結(jié)構(gòu)圖，(b)是表示本發(fā)明第五實施方式的磁記錄介質(zhì)及其制造方法的立體結(jié)構(gòu)圖。 圖6 (a)是表示本發(fā)明第六實施方式的磁記錄介質(zhì)及其制造方法的剖 視結(jié)構(gòu)圖，(b)是表示本發(fā)明第六實施方式的磁記錄介質(zhì)及其制造方法的 立體結(jié)構(gòu)圖。圖7 (a)是表示本發(fā)明第七實施方式的磁記錄介質(zhì)及其制造方法的剖 視結(jié)構(gòu)圖，(b)是表示本發(fā)明第七實施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的立體結(jié) 構(gòu)圖。圖8是表示本發(fā)明第八實施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的立體圖。 圖9是表示本發(fā)明第一實施方式的磁記錄介質(zhì)及其記錄再生裝置的結(jié) 構(gòu)的圖。圖10是表示本發(fā)明第二實施方式的磁記錄介質(zhì)及其記錄裝置的結(jié)構(gòu) 的圖。圖11是表示本發(fā)明實施方式的磁記錄介質(zhì)的記錄裝置的結(jié)構(gòu)的圖。 圖12 (a)是表示本發(fā)明實施方式的光磁記錄介質(zhì)的記錄膜結(jié)構(gòu)(特 別是磁化方向)的剖視圖，(b)是表示對于再生動作中的光磁記錄介質(zhì)位 置的介質(zhì)內(nèi)部的溫度分布的特性圖，(c)是表示再生層的磁疇壁能量密度 的特性圖，(d)是表示要使再生層的磁疇壁移動的力的特性圖。 符號的說明。10、 20、 30、 40、 50、 60、 70、 80、 90、 110、 120—磁記錄介質(zhì)(磁 盤)；11、 21、 31、 41、 51、 61、 71、 91、 101、 lll一基板；12、 22、 32、 141、 52、 62、 72、 92、 102、 112—格式信號區(qū)域；13、 23、 33、 143、 53、 63、 73、 93、 103、 113—數(shù)據(jù)區(qū)域；14、 24、 34、 44、 54、 64、 74、 94、 106、 116—記錄磁道;16、 26、 36、 46、 56、 78、 96—底層;17、 27、 37、 47、 57、 67、 79、 97—磁性層群;18、 28、 38、 48、 80、 98—保護(hù)層;19、 29、 39、 59、 89、 99一磁頭;76a、 76b、 77—凹坑；83、 100—物鏡;130、 140—光點(light spot); 58、 68、 81—掩模；108、 118—探針;109、 119 一探針陣列；201—磁盤；202—磁頭；203—主軸電動機(spindlemotor); 204—光學(xué)頭；205—激光驅(qū)動電路；206—控制和檢測電路；207—電動機 驅(qū)動電路；208、 209、 210、 211—光學(xué)元件。
具體實施方式
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的記錄再生方法使用按照使探針掃描磁記錄介 質(zhì)的方式面向該磁記錄介質(zhì)的至少一個探針陣列，記錄、再生和/或刪除 信息即格式信號和數(shù)據(jù)(所謂的內(nèi)容)。格式信號意味著數(shù)據(jù)以外的信號， 即包含伺服信號、地址信息等的信號。這里，探針在后面描述的記錄再生裝置中，能代替磁頭和/或光學(xué)頭， 或者能夠與它們一起使用。探針優(yōu)選具有對記錄介質(zhì)賦予磁場和/或熱的 功能，例如優(yōu)選具有在其前端產(chǎn)生磁場的部件(例如線圈等)、加熱磁記 錄介質(zhì)的部件(例如加熱器等)。須指出的是，探針與磁記錄介質(zhì)表面保 持一定的距離， 一邊相對、接觸或輕敲， 一邊掃描磁記錄介質(zhì)上，或者在 磁記錄介質(zhì)的徑向自由可動地裝配在記錄再生裝置中(例如，懸臂、探針 陣列等)。在這樣的記錄再生裝置中，優(yōu)選通過來自探針的磁場，使磁記錄介質(zhì) 的磁化方向變化，記錄和/或檢測格式信號，或者記錄、再生和/或刪除數(shù) 據(jù)。此外，優(yōu)選由探針一邊加熱磁記錄介質(zhì)， 一邊使磁記錄介質(zhì)的磁化方 向或磁各向異性變化，從而記錄、再生和/或刪除數(shù)據(jù)，或者記錄和/或檢 測格式信號。再有，也可由探針一邊加熱磁記錄介質(zhì)， 一邊使磁記錄介質(zhì)的磁化方向或磁各向異性變化，從而形成保護(hù)帶(guard band)?；蛘?，也可由探針一邊加熱磁記錄介質(zhì)， 一邊使磁記錄介質(zhì)氧化，從 而記錄數(shù)據(jù)，或記錄格式信號，或形成保護(hù)帶。通過使用多個探針，能一齊刪除磁記錄介質(zhì)的整個面，或者按磁記錄 介質(zhì)的適當(dāng)大小的各單位區(qū)域刪除。在本發(fā)明的其他記錄再生方法中，代替使用探針，在磁記錄介質(zhì)表面 配置按照數(shù)據(jù)和/或格式信號遮蔽后的掩模，通過掩模加熱或光照射磁記 錄介質(zhì)，能在磁記錄介質(zhì)上記錄信號。這樣，通過加熱，能改變磁記錄介質(zhì)的磁各向異性，結(jié)果，能記錄數(shù) 據(jù)和/或格式信號。此外，也可以同樣形成保護(hù)帶。作為掩模，優(yōu)選按照數(shù)據(jù)和/或格式信號和/或保護(hù)帶，具有光的透過 率不同的區(qū)域，或者具有凹坑等。通過掩模照射光時，對該光源沒有特別限定，但是例如使用氣體激光
器、YAG激光器、半導(dǎo)體激光器等。須指出的是，在使用的磁記錄介質(zhì)的記錄面形成凹凸、基于溝的凹凸 和/或基于凹坑的凹凸等時，優(yōu)選同時加熱記錄面的溝和凹坑。此外，只 在凹凸的凸面記錄、再生和/或刪除數(shù)據(jù)。磁記錄介質(zhì)在記錄面即基板表面和/或記錄膜表面形成凹凸(例如表面粗糙度Ra具有規(guī)定尺寸，希望是0.5nm左右以上，更希望是10nm左右 以下，或者與記錄標(biāo)記對應(yīng)的凹凸、比記錄標(biāo)記的周期小周期的凹凸和/ 或與記錄標(biāo)記的磁疇壁對應(yīng)的凹凸等)、基于溝的凹凸(稱作所謂的凹槽 (groove)和凸區(qū)(land),意味著5 500nm左右/5 500nm左右)禾口/ 或基于凹坑的凹凸等(意味著局部形成的孔，例如直徑10 200nm左右)。 具有這樣的凹凸，表面粗糙度不同的區(qū)域是凹部或凸部的凹坑時， 一邊照 射光而使記錄膜的溫度上升、 一邊進(jìn)行磁記錄再生的記錄介質(zhì)中，能提高 格式信號的穩(wěn)定性和可靠性。須指出的是，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)及其記錄再生方法和記錄再生裝置 并不局限于上述和以下記載的結(jié)構(gòu)，可以是能記錄格式信號(例如，在記 錄膜中使磁特性不同的信號、用于伺服的基準(zhǔn)信號)的磁記錄介質(zhì)及其記 錄再生方法和記錄再生裝置。例如，只要是通過記錄膜的磁化方向的變化進(jìn)行記錄、通過磁各向異 性的變化進(jìn)行記錄、或者通過記錄膜的氧化使磁特性變化來進(jìn)行記錄的即 可，優(yōu)選檢測這樣記錄的信息。通過實現(xiàn)這樣的方法，能大幅度提高磁記 錄介質(zhì)的生產(chǎn)性、成本。此外，能提高信號特性，可得到跟蹤特性和信號 特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。在以高密度記錄數(shù)據(jù)時，能取得穩(wěn)定的格式信號， 能實現(xiàn)優(yōu)異的特性的磁記錄介質(zhì)、記錄再生裝置和記錄再生方法。下面，以實施方式進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明。 (第一實施方式)以下，關(guān)于本實施方式，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明。 圖1是表示本發(fā)明第一實施方式的磁記錄介質(zhì)(以下，稱作磁盤10) 的結(jié)構(gòu)的剖視圖。按順序?qū)盈B由表面研磨加工的玻璃構(gòu)成的透明的基板11、底層16、 具有磁性層群17的記錄膜、保護(hù)記錄膜并且用于使磁頭19滑動的保護(hù)層
18，構(gòu)成磁盤IO。在磁盤10中規(guī)定記錄磁道14 (例如，磁道間隔為0.3nm)，在該記錄 磁道14中形成格式信號區(qū)域12、數(shù)據(jù)區(qū)域13。作為在這樣的磁盤10中記錄格式信號的方法，使用局部探針陣列。 局部探針陣列按照使探針掃描磁盤便面的方式面向磁盤配置，通過來自探 針的磁場，使磁盤的磁化方向變化，從而能在所需的區(qū)域中記錄格式信號。根據(jù)該方法，磁盤10能在記錄磁道14上的格式信號區(qū)域12形成格 式信號(例如，用于跟蹤伺服等的凹坑信號、地址信號等)，能檢測跟蹤 伺服和地址。據(jù)此，不需要使用伺服記錄器，把用于跟蹤伺服等的伺服信號記錄到 每一個磁盤中，能避免對現(xiàn)有的記錄介質(zhì)的時間和成本的增大。此外，高記錄密度化時，跟蹤方向的位置控制變得容易。即沒必要考 慮伺服記錄器和實際的記錄再生裝置的記錄磁道之間的相關(guān)位置、環(huán)境溫 度等的變化引起的半徑方向的位置變動等，能在盤上正確記錄成為基準(zhǔn)的 格式信號(例如，位置信息、伺服凹坑等)，所以以這些格式信號為基準(zhǔn)， 能夠進(jìn)行記錄再生。因此，對溫度變化的穩(wěn)定性優(yōu)異，能防止記錄再生信 號的惡化和再生信號量的下降等，可實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。須 指出的是，格式信號優(yōu)選按照位置信息、伺服凹坑等功能，使磁特性不同。該磁盤10利用記錄再生裝置對旋轉(zhuǎn)的盤的記錄膜的磁性層群17，通 過伴隨著信息信號而調(diào)制的記錄信號，從保護(hù)層18—側(cè)，用磁頭19 (例 如GMR (giant magnetoresistive)頭)調(diào)制，記錄信息。另一方面，在再 生時，可檢測來自記錄磁區(qū)的磁通而進(jìn)行再生，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度記錄的記 錄標(biāo)記的記錄再生。以下詳細(xì)說明磁盤的制作方法。首先，使用由表面研磨的玻璃構(gòu)成的基板，在直流磁控管濺射裝置 (DC magnetron sputtering apparatus)中設(shè)置靶，把基板固定在基板支架后， 用渦輪分子(turbo-molecular)泵對室(chamber)內(nèi)進(jìn)行真空排氣，直到 變?yōu)?X10—6Pa以下的高真空。接著，保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入 Ar氣和N2氣，直到變?yōu)?.3Pa，在0.8Pa的真空氣氛中一邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊通過反應(yīng)性濺射法，形成5nm的由電介質(zhì)例如SiN構(gòu)成的底層。在室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.5Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊使用Tb、 Fe、 Co各個靶，通過DC磁控管濺射法，形成40nm的由TbFeCo膜構(gòu)成 的記錄膜。這里，根據(jù)靶的投入功率比，能適宜調(diào)整TbFeCo的膜組成。 例如，按照補償組成溫度為120°C、居里溫度成為31(TC的方式設(shè)定各靶 的投入功率，調(diào)整組成，形成TbFeCo膜。根據(jù)該組成，室溫下的抗磁力 (coercive force)變?yōu)?koe以下，此外，由磁頭記錄微小磁區(qū)時，能形成 穩(wěn)定的記錄磁區(qū)，即使在由磁頭反復(fù)記錄再生時，也能夠?qū)崿F(xiàn)信號特性優(yōu) 異的記錄再生。接著，在記錄膜上，在Ar和CH4的混合氣氛中，使用C靶，通過反 應(yīng)性RF濺射，形成5nm的由類金剛石碳(DLC: Diamond Like Carbon) 構(gòu)成的層。再向其上涂敷由全氟聚醚(Perfluoropolyether)(以下PFPE) 構(gòu)成的層，形成保護(hù)層18。這樣形成的磁盤10如上所述，使用探針使磁化方向變化，從而能在 記錄膜上記錄格式信號?？墒?，在本實施方式中，可以一邊加熱探針，一 邊記錄格式信號，也可以使用多個探針陣列記錄。此外，在該磁盤10中，如上所述，使用探針記錄再生數(shù)據(jù)(即主信 息)的信號。據(jù)此，能夠進(jìn)一步實現(xiàn)高密度的記錄再生。在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，磁道間隔并不局限于0.3pm，可以是記錄 信息的記錄磁道寬度為0.6pm以下，對記錄信息的最短標(biāo)記長度為0.3pm 以下的記錄領(lǐng)域進(jìn)行記錄的結(jié)構(gòu)，更優(yōu)選記錄磁道寬度為0.2pm以下。因為在信息磁道中，能夠使記錄磁區(qū)成為穩(wěn)定的形狀，所以在記錄再 生時，能降低來自相鄰磁道的交叉寫入和串?dāng)_。 (第二實施方式)圖2是表示本發(fā)明第二實施方式的磁盤的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 按順序?qū)盈B由金屬材料構(gòu)成的基板21、由AlTi的金屬層構(gòu)成的底層26、具有磁性層群27的記錄膜、保護(hù)記錄膜并且用于使磁頭29滑動的保護(hù)層28，構(gòu)成該磁盤20。須指出的是，該磁盤20能應(yīng)用于設(shè)置了具有用于對磁盤20照射光的物鏡的光學(xué)頭130的裝置中?；?1在表面研磨后，形成紋理。為了記錄膜的保護(hù)和基底的調(diào)整面開M;底層。記錄膜如圖12所示，由保持信息的記錄層301、通過磁疇壁
的移動來檢測信息的再生層303、用于控制再生層303和記錄層301之間 的交換結(jié)合的中間層(或者，也稱作中間遮斷層、開關(guān)層)302構(gòu)成。保 護(hù)層28具有絕熱保護(hù)層和提高磁頭的浮出特性的潤滑保護(hù)層的功能。在磁盤20規(guī)定記錄磁道24 (例如，磁道間隔為0.25|Lim)，在該記錄 磁道24形成有格式信號區(qū)域22、數(shù)據(jù)區(qū)域23。作為在這樣的磁盤20記錄格式信號的方法，使用局部探針陣列。局 部探針陣列按照使探針掃描磁盤表面的方式探針的前端面向磁盤配置，加 熱后的探針掃描磁記錄介質(zhì)，從而使磁記錄介質(zhì)的記錄膜的磁各向異性變 化，能記錄格式信號。根據(jù)該方法，磁盤20在記錄磁道14上的格式信號區(qū)域12形成格式 信號(例如，用于跟蹤伺服等的凹坑信號、地址信號等)，能檢測跟蹤伺 服和地址等。據(jù)此，不需要使用伺服記錄器，把用于跟蹤伺服等的伺服信號預(yù)先記 錄到每一個磁盤中，能避免對現(xiàn)有的記錄介質(zhì)的時間和成本的增大。此外，該磁盤20從保護(hù)層一側(cè)對記錄膜照射激光束，由磁頭記錄、 再生檢測信號，從而比再生時的激光點(laser spot)的檢測界限更小的記 錄標(biāo)記的記錄再生成為可能。該磁盤通過基于光束的溫度梯度，使光束到達(dá)的磁疇壁依次移動，由 磁頭檢測該磁疇壁的移動，從而使再生時的磁頭的檢測靈敏度提高，能應(yīng) 用于超分辨再生成為可能的DWDD方式中。利用磁疇壁的移動，增大再生信號的振幅和信號量的方法的一個例子 即DWDD方式(Domain Wall Displacement Detection)例如記載在特開平 6-290496號公報中。能應(yīng)用在該方式中的本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的記錄膜把具有大的界面 飽和抗磁力的磁性膜在記錄層中使用，把具有小的界面飽和抗磁力的磁性 膜在磁疇壁移動的再生層中使用，把具有比較低的居里溫度的磁性膜在用 于切換的中間層中使用。可是，只要是DWDD方式成為可能的磁性膜， 就不會特別限定于該膜結(jié)構(gòu)。參照圖12，說明DWDD方式的再生原理。圖12 (a)是表示正在旋轉(zhuǎn)的磁盤的記錄膜的截面助圖，在盤基板(不
圖示)上層疊再生層303、中間層302、記錄層301等3層，構(gòu)成記錄膜。 雖然未圖示，但是在磁基板上形成有底層即電介質(zhì)層，在記錄膜上形成有 作為潤滑層的保護(hù)層。再生層303使用磁疇壁抗磁力小的磁性膜材料，中間層302使用居里 溫度小的磁性膜，記錄層301使用以小的領(lǐng)域半徑也能保持記錄磁區(qū)的磁 性膜。這里，再生層在記錄磁道之間形成保護(hù)帶，從而形成包含不關(guān)閉的 磁疇壁的磁區(qū)結(jié)構(gòu)。信息信號作為在記錄層被熱磁記錄的記錄磁區(qū)形成。不照射激光點的 室溫下的記錄膜，記錄層、中間層、再生層分別強烈交換結(jié)合，所以記錄 層的記錄磁區(qū)原封不動轉(zhuǎn)印形成到再生層。圖12 (b)表示與(a)的剖視圖對應(yīng)的位置x和記錄膜的溫度T的關(guān) 系。在記錄信號的再生時，盤旋轉(zhuǎn)，沿著磁道，照射基于激光的再生射束 點。這時，記錄膜表現(xiàn)圖12 (b)所示的溫度分布，中間層存在變?yōu)榫永?溫度Tc以上的溫度區(qū)域Ts，遮斷再生層和記錄膜的交換結(jié)合。此外，如果照射再生射束，就如圖12 (c)的對磁疇壁能量密度o的 依存性所示，在與圖12 (a)、 (b)的位置對應(yīng)的盤旋轉(zhuǎn)方向的x方向存在 能量密度ci的梯度，所以如圖12 (d)所示，對位置x的各層的磁疇壁施 加使磁疇壁驅(qū)動的力F。作用于記錄膜的力F按照使磁疇壁向磁疇壁能量密度cj低的一方移動 的方式作用。再生層因為磁疇壁抗磁力小，磁疇壁的移動度大，所以在具 有不關(guān)閉的磁疇壁時的再生層單獨，通過該力F，磁疇壁容易移動。因此， 再生層的磁疇壁如箭頭所示，向溫度更高、磁疇壁能量密度小的區(qū)域瞬時 移動。然后，如果磁疇壁通過再生射束點內(nèi)，點內(nèi)的再生層的磁化在光點 的寬區(qū)域中在相同的方向上一致。結(jié)果，不依賴記錄磁區(qū)的大小，再生磁區(qū)的大小始終為恒定的最大振 幅。因此，在使用GMR頭等磁頭進(jìn)行再生信號時，由于因光束等而使記錄 膜升溫，所以通過擴(kuò)大再生層的轉(zhuǎn)印磁區(qū)，始終成為恒定的最大振幅的信在信息的記錄時，盤旋轉(zhuǎn)， 一邊沿著磁道照射激光射束點， 一邊用磁 頭記錄信息。這時，記錄膜在高溫時，抗磁;^下降，所以磁頭的記錄成為
可能。此外，在信號的再生時，照射激光束， 一邊使溫度上升， 一邊使用所述的DWDD方式， 一邊通過磁疇壁移動來擴(kuò)大轉(zhuǎn)印磁區(qū)， 一邊由GMR頭 來檢測再生磁區(qū)。這時，如果再生層的飽和磁化Ms也是與溫度一起上升 的結(jié)構(gòu)，則在升溫時，再生信號變?yōu)闃O大，所以GMR頭的檢測靈敏度提高， 再生信號進(jìn)一步增大。本發(fā)明對層疊基板、底層、記錄膜和保護(hù)層的磁記錄介質(zhì)， 一邊加熱 探針的前端， 一邊操作記錄膜上，從而使記錄膜的磁各向異性變化，形成 伺服信號等格式信號。據(jù)此，不需要用伺服記錄器記錄伺服信號，能減少 時間和制造成本。此外，在盤上正確記錄成為基準(zhǔn)的位置信息，所以對于 環(huán)境溫度的變化或者在記錄再生時對記錄膜照射激光束時的磁盤的溫度 變化，能取得穩(wěn)定的伺服特性。即能解決對記錄膜照射激光束時，伴隨著 磁盤的溫度上升，伺服特性變動、惡化，記錄再生特性下降等現(xiàn)有的記錄 介質(zhì)中的課題。結(jié)果，通過光束等使記錄膜升溫，即使在使用GMR頭等磁 頭進(jìn)行再生信號時，也能實現(xiàn)耐熱性優(yōu)異，信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。這里，記錄的格式信號(例如，伺服凹坑)的記錄膜因為磁各向異性 Kii變化在lX10Wg/cm2以下，所以磁化的大小變化，由GMR頭檢測。以下，詳細(xì)說明磁盤20的制造方法。首先，研磨由金屬構(gòu)成的基板21的表面，形成紋理。接著，在直流磁控管濺射裝置中設(shè)置靶，把基板固定在基板支架后， 用渦輪分子泵對室內(nèi)進(jìn)行真空排氣，直到變?yōu)?X10-6Pa以下的高真空。 接著，保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.4Pa， 一邊使 基板旋轉(zhuǎn)，把4nm的由AlTi構(gòu)成的金屬膜作為底層，導(dǎo)入Ar氣和N2氣， 在0.2Pa的真空氣氛中，通過反應(yīng)性濺射法，形成由AlTiN構(gòu)成的膜。接著，保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.8Pa， 一 邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊使用TbFeCo的合金靶，通過DC磁控管濺射法，形 成60nm的由TbFeCo構(gòu)成的記錄膜。接著，保持真空排氣的狀態(tài)，移動真空室，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到 變?yōu)?.0Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊使用TbFeCoCr的合金靶，通過DC磁 控管濺射法，形成20nm的由TbFeCoCr膜構(gòu)成的中間層。保持真空排氣 的狀態(tài)，移動真空室，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.8Pa， 一邊使基板旋 轉(zhuǎn)， 一邊使用GdFeCoCr的合金靶，通過DC磁控管濺射法，形成30nm 的GdFeCoCr膜的再生層。這里，根據(jù)合金的靶組成比和成膜條件，能適 宜調(diào)整TbFeCo、 TbFeCoCr、 GdFeCo的膜組成。例如，按照補償組成溫 度為一5CTC、居里溫度成為31(TC的方式調(diào)整膜組成，形成由TbFeCo構(gòu) 成的膜。結(jié)果，可得到從室溫起升溫的同時記錄膜的抗磁力Hc減少的膜 特性。在升溫的狀態(tài)下，抗磁力減小，磁頭的記錄成為可能。接著，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣和N2氣，直到變?yōu)?.3Pa, —邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊通過反應(yīng)性濺射法形成由電介質(zhì)例如SiN構(gòu)成的4nm的保護(hù)層。進(jìn)而，在保護(hù)層上，在Ar和CH4的混合氣氛中，使用等離子體CVD 法或C靶，通過ECR等離子體CVD法(或反應(yīng)性RF濺射)，形成3nm 的由類金剛石碳構(gòu)成的層。在其上涂敷由PFPE構(gòu)成的層(例如，潤滑層)， 形成保護(hù)層。此外，在本實施方式的磁記錄介質(zhì)中，通過照射光束的狀態(tài)下的溫度 梯度，由DWDD方式再生信號，但是再生層在9CTC，飽和磁化Ms變?yōu)闃O大， 具有再生信號的增大效果。根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)，在記錄微小磁區(qū)時，也能形成穩(wěn)定的記錄磁區(qū)，即 使在由磁頭反復(fù)記錄再生時，也能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的記錄再生。這里，如圖10所示，通過使用配置多個探針的探針陣列的結(jié)構(gòu)，能 更高速地記錄格式信號。再有，也可以是使用在掃描磁記錄介質(zhì)的局部探針陣列中安裝的探 針， 一邊加熱記錄膜， 一邊再生主信息的數(shù)據(jù)信號的方法。這時，通過記 錄膜的加熱，形成溫度梯度，在記錄膜的再生層，通過DWDD動作，能進(jìn) 行磁區(qū)擴(kuò)大再生，能取得高密度的高質(zhì)量的再生信號。此外，在本實施方式中，磁道間隔為0.25,，但是如果是記錄信息 的凹槽寬度為0.6,以下的結(jié)構(gòu)，并且對記錄信息的最短標(biāo)記長度為 0.3pm以下的記錄領(lǐng)域進(jìn)行記錄的結(jié)構(gòu)，效果就更大。因為在信息磁道中，記錄磁區(qū)為穩(wěn)定的形狀，所以在記錄再生時，能 降低來自相鄰磁道的交叉寫入和串?dāng)_。 (第三實施方式)下面.，關(guān)于實施方式，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明。
圖3是表示本發(fā)明第三實施方式的磁盤30的結(jié)構(gòu)的剖視圖。按順序?qū)盈B由玻璃構(gòu)成的透明基板31、由AlTi構(gòu)成的底層36、具有 磁性層群37的記錄膜、保護(hù)記錄膜并且用于使磁頭39滑動的保護(hù)層38， 構(gòu)成該磁盤30。須指出的是，該磁盤30能應(yīng)用于設(shè)置具有對磁盤30照射 光的物鏡的光學(xué)頭140的裝置中?；?1在表面研磨后，形成均勻的表面粗糙度。底層36具有保護(hù)記 錄膜和調(diào)整基底的功能，可以由電介質(zhì)形成。記錄膜與第二實施方式同樣， 由保持信息的記錄層301、用于通過磁疇壁的移動來檢測信息的再生層 303、用于控制再生層和記錄層之間的交換結(jié)合的中間層302構(gòu)成。保護(hù) 層38作為記錄膜的保護(hù)、提高磁頭的浮出特性的潤滑保護(hù)層起作用。在磁盤30規(guī)定記錄磁道34 (例如，磁道間隔為0.25prn)，在該記錄 磁道34中形成格式信號區(qū)域32、數(shù)據(jù)區(qū)域33。作為在這樣的磁盤30中記錄格式信號的方法，使用局部探針陣列。 局部探針陣列按照使探針掃描磁盤表面的方式將探針的前端面向磁盤配 置，加熱后的探針掃描磁記錄介質(zhì)，從而使磁記錄介質(zhì)的記錄膜氧化，能 記錄格式信號。此外，在本實施方式中，使探針掃描磁記錄介質(zhì)的磁道之間，在記錄 膜的記錄磁道之間形成保護(hù)帶。根據(jù)該方法，磁盤30能在記錄磁道34上的格式信號區(qū)域12形成格 式信號(例如，用于跟蹤伺服等的凹坑信號、地址信號等)，能檢測跟蹤 伺服和地址等。據(jù)此，能避免對現(xiàn)有的記錄介質(zhì)的時間和成本的增大。即不需要使用 伺服記錄器，把用于跟蹤伺服等的伺服信號預(yù)先記錄到每一個磁盤中。此外，在高記錄密度化時，跟蹤方向的位置控制變得容易。即沒必要 考慮伺服記錄器和實際的記錄再生裝置的記錄磁道之間的相關(guān)位置、環(huán)境 溫度等變化引起的半徑方向的位置變動等，能在盤上正確記錄成為基準(zhǔn)的 格式信號(例如，位置信息、伺服凹坑等)，所以把該格式信號作為基準(zhǔn), 記錄再生成為可能。因此，對溫度變化的穩(wěn)定性優(yōu)異，能減少來自相鄰磁 道的交叉寫入和串?dāng)_，防止記錄再生信號的惡化和再生信號量的下降等， 能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。須指出的是，格式信號可以根據(jù)位置
信息、伺服凹坑等的種類，使磁特性不同。磁盤30旋轉(zhuǎn)，由記錄再生裝置從保護(hù)層38 —側(cè)沿著記錄膜37的磁 道照射激光的射束點，由磁頭39記錄、再生檢測信號。這時，記錄膜因 為在高溫下抗磁力下降，所以用磁頭的記錄成為可能。此外，信號的再生 時，照射激光束， 一邊使溫度上升， 一邊由GMR頭檢測記錄磁區(qū)。據(jù)此， 以高密度記錄的記錄標(biāo)記的記錄再生成為可能。即比再生時的激光點的檢 測界限還小的記錄標(biāo)記的記錄再生成為可能。此外，在信號的再生時，通過具有與第二實施方式同樣的結(jié)構(gòu)的記錄 膜，照射激光束， 一邊使溫度上升， 一邊使用所述的DWDD方式，通過磁 疇壁移動， 一邊擴(kuò)大轉(zhuǎn)印磁區(qū)， 一邊使用GMR頭檢測再生磁區(qū)。這時，如 果是再生層的飽和磁化Ms也與溫度一起上升的結(jié)構(gòu)，則在升溫時，再生 信號變?yōu)闃O大，所以GMR頭的檢測靈敏度提高，再生信號增大。即該磁盤通過光束引起的溫度梯度，使光束到達(dá)的磁疇壁依次移動， 由磁頭檢測該磁疇壁的移動，從而使再生時的磁頭的檢測靈敏度提高，能 應(yīng)用于超分辨再生成為可能的DWDD方式中。結(jié)果，不根據(jù)記錄磁區(qū)的大小，再生磁區(qū)的大小始終成為恒定的最大 振幅。因此，在使用GMR頭等磁頭進(jìn)行再生信號時，由于光束等使記錄膜 升溫，所以通過擴(kuò)大再生層的轉(zhuǎn)印磁區(qū)，始終總成為恒定的最大振幅的信本發(fā)明對層疊基板、底層、記錄膜和保護(hù)層的磁記錄介質(zhì)， 一邊加熱 探針的前端， 一邊操作記錄膜上，能降低垂直磁各向異性，或使記錄膜氧 化，使磁各向異性變化，形成伺服信號等格式信號。據(jù)此，不需要用伺服 記錄器記錄伺服信號。此外，在盤上正確記錄成為基準(zhǔn)的位置信息，所以 對于環(huán)境溫度的變化或者在記錄再生時對記錄膜照射激光束時的磁盤的 溫度變化，把磁特性不同的伺服凹坑作為基準(zhǔn)，記錄再生成為可能，所以 能取得穩(wěn)定的伺服特性。即能解決對記錄膜照射激光束時，伴隨著磁盤的 溫度上升，伺服特性變動、惡化，記錄再生特性下降等現(xiàn)有的記錄介質(zhì)中 的課題。結(jié)果，通過光束等使記錄膜升溫，即使在使用GMR頭等磁頭進(jìn)行 再生信號時，也能實現(xiàn)耐熱性優(yōu)異，信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。這里，所記錄的格式信號(例如，伺服凹坑)的記錄膜因為磁各向異
性Ku變化在1X105erg/cm2以下，所以凹坑和凹坑以外的區(qū)域中磁化的大 小變化，由GMR頭被檢測。以下，詳細(xì)說明磁盤20的制造方法。首先，研磨由透明玻璃構(gòu)成的盤基板31的表面，形成紋理。接著，在直流磁控管濺射裝置中設(shè)置AlTi靶，把基板固定在基板支 架上后，用渦輪分子泵對室內(nèi)進(jìn)行真空排氣，直到變?yōu)?X10—6Pa以下的 高真空。接著，保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.3Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)，形成4nm的由AlTi構(gòu)成的金屬的底層，再導(dǎo)入Ar氣和 N2氣，通過反應(yīng)性濺射，形成由AlTiN構(gòu)成的膜。接著，保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.5Pa， 一 邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊使用TbFeCo的合金靶，通過DC磁控管濺射法，形 成50nm的由TbFeCo膜構(gòu)成的記錄膜。接著，保持真空排氣的狀態(tài)，移動真空室，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到 變?yōu)?.0Pa, —邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊使用TbFeCoCr的合金靶，通過DC磁 控管濺射法，形成15nm的由TbFeCoCr膜構(gòu)成的中間層。保持真空排氣 的狀態(tài)，移動真空室，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.8Pa， 一邊使基板旋 轉(zhuǎn)， 一邊使用GdFeCoCr的合金靶，通過DC磁控管濺射法，形成35nm 的由GdFeCoCr構(gòu)成的再生層。這里，根據(jù)合金的靶組成比和靶的投入功 率比等成膜條件，能適宜調(diào)整TbFeCo、 TbFeCoCr、 GdFeCo的膜組成。 例如，按照補償組成溫度為130°C，居里溫度成為320'C的方式設(shè)定各靶 的投入功率，調(diào)整膜組成，形成由TbFeCo構(gòu)成的膜。根據(jù)該組成，室溫 下的抗磁力變?yōu)?koe以下，此外，由磁頭記錄微小磁區(qū)時，能形成穩(wěn)定 的記錄磁區(qū)，即使在由磁頭反復(fù)進(jìn)行記錄再生時，也能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異 的記錄再生。在記錄膜上，在Ar和CHU的混合氣氛中，使用CVD或C靶，通過 反應(yīng)性RF濺射，形成3nm的由DLC構(gòu)成的層。在其上涂敷由PFPE構(gòu) 成的層(例如，潤滑層)，形成保護(hù)層。由于可得到從室溫起升溫的同時所得到的記錄膜的抗磁力Hc減少的 膜特性。在升溫的狀態(tài)下，抗磁力減小，磁頭的記錄成為可能。此外，在本實施方式的磁記錄介質(zhì)中，通過照射光束的狀態(tài)下的溫度 梯度，由DWDD方式再生信號，但是再生層在9(TC，飽和磁化Ms變?yōu)?極大，具有再生信號的增大效果。根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)，在記錄微小磁區(qū)時，也能形成穩(wěn)定的記錄磁區(qū)，即 使在即使在由磁頭反復(fù)進(jìn)行記錄再生時，也能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的記錄再生。這里，如圖10所示，通過使用配置多個探針的探針陣列的結(jié)構(gòu)，能 更高速地記錄格式信號。也可以是通過加熱在掃描磁記錄介質(zhì)的局部探針陣列中安裝的探針， 使記錄膜氧化，或者使磁特性變化，再生主信息的數(shù)據(jù)信號的方法。據(jù)此， 能實現(xiàn)一次性寫入(one write)型的磁記錄介質(zhì)，高密度的寫入和再生 成為可能。在本實施方式中，磁道間隔為0.35prn，但是如果是記錄信息的凹槽寬度為0.6,以下的結(jié)構(gòu)，并且對記錄信息的最短標(biāo)記長度為0.3pm以下的記錄領(lǐng)域進(jìn)行記錄的結(jié)構(gòu)，效果就更大。因為在信息磁道中，記錄磁區(qū)為穩(wěn)定的形狀，所以在記錄再生時，能降低來自相鄰磁道的交叉寫入和串?dāng)_。 (第四實施方式) 下面，關(guān)于實施方式，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明。 圖4是表示本發(fā)明第四實施方式的磁盤4的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 該磁盤40按順序?qū)盈B由玻璃構(gòu)成的透明基板41、由AlTi構(gòu)成的底層46、具有磁性層群47的記錄膜、保護(hù)記錄膜并且用于使磁頭滑動的保護(hù)層48。須指出的是，在基板41上形成凹槽42和凸區(qū)43，在與后面描述的格 式信號區(qū)域141對應(yīng)的區(qū)域中形成作為格式信號的凹坑(例如，地址凹坑 45、擺動凹坑(wobblepit) 44a、 44b)。這里，磁道間隔為0.4拜，凹坑直徑(pit diameter)為0. 3,。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，本實施方式的磁盤4能通過光學(xué)頭的物鏡照射光， 一邊 加熱， 一邊通過磁頭進(jìn)行信息的記錄再生。須指出的是，基板41通過使用形成凹坑的壓模(stamper)的壓印 (i即finting)，把凹坑或溝轉(zhuǎn)印到基板41表面。這里，壓模采用光致抗
蝕劑(photoresist),形成在凹坑或溝上，通過使用壓印的方法，把所述凹坑或溝從壓模轉(zhuǎn)印到盤基板而形成。此外，基板41的表面在表面研磨后，通過紋理形成均一的表面粗糙 度。例如，使用自己組織化的微粒，使凹坑內(nèi)成為表面粗糙度Ra為0. 5nm 以上和規(guī)定形狀?；蛘?，也可通過在基板表面、凹坑內(nèi)或溝內(nèi)配置微粒， 控制表面粗糙度。底層46具有記錄膜的保護(hù)和調(diào)整基底的功能，可以由電介質(zhì)形成。 磁性層群47的記錄膜與第二實施方式同樣，由保持信息的記錄層301、用 于通過磁疇壁的移動來檢測信息的再生層303、用于控制再生層和記錄層 之間的交換結(jié)合的中間層302構(gòu)成。保護(hù)層48作為記錄膜的保護(hù)、提高 磁頭的浮出特性的潤滑保護(hù)層起作用。在磁盤4規(guī)定記錄磁道(例如，磁道間隔為0.25^im)，在該記錄磁道 中形成格式信號區(qū)域141、數(shù)據(jù)區(qū)域142。作為在這樣的磁盤4中記錄格式信號的方法，使用局部探針陣列。局 部探針陣列按照使探針掃描磁盤表面的方式面向磁盤配置，加熱后的探針 掃描磁記錄介質(zhì)，從而使磁記錄介質(zhì)的記錄膜的磁特性變化，能記錄格式 信號。須指出的是，在基板41上形成基于凹坑、凹槽等的凹凸，但是也能 一邊輕敲， 一邊使探針掃描，使記錄膜的磁各向異性變化，進(jìn)行記錄。此外，在本實施方式中，在磁記錄介質(zhì)的磁道之間掃描探針，在記錄 膜的記錄磁道之間(例如記錄主信息的數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi))形成保護(hù)帶43。再有，通過使探針的加熱溫度和/或探針的前端形狀變化，能改變格 式信號區(qū)域和保護(hù)帶區(qū)域中的記錄膜的磁特性的變化的大小、記錄區(qū)域的 寬度等，進(jìn)行記錄。此外，使用組合這些探針的加熱溫度探針的前端形狀 不同的多個探針的探針陣列，能同時記錄多個磁道，能實現(xiàn)高速的記錄。此外，也可以是用探針加熱，使記錄膜氧化，或者在探針內(nèi)裝備線圈， 一邊通過該線圈施加磁場，使記錄膜的磁化方向變化的方法。據(jù)此，磁盤4在記錄磁道上的格式信號區(qū)域中形成格式信號(例如， 用于跟蹤伺服等的凹坑44a、 44b信號、地址信號等)，能使磁特性或磁化 變化，能檢測跟蹤伺服和地址等。
據(jù)此，不用象現(xiàn)有的記錄介質(zhì)那樣，使用伺服記錄器，把用于跟蹤伺 服等的伺服信號預(yù)先記錄到每一個磁盤中。此外，在高記錄密度化時，跟蹤方向的位置控制變得容易。即沒必要 考慮伺服記錄器和實際的記錄再生裝置的記錄磁道之間的相關(guān)位置、環(huán)境 溫度變化等引起的半徑方向的位置變動等，能在盤上正確記錄成為基準(zhǔn)的 格式信號(例如，位置信息、伺服凹坑等)，所以把該磁特性不同的格式 信號作為基準(zhǔn)，記錄再生成為可能。因此，對溫度變化的穩(wěn)定性優(yōu)異，能 減少來自相鄰磁道的交叉寫入和串?dāng)_，防止記錄再生信號的惡化和再生信 號量的下降等，能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。磁盤40旋轉(zhuǎn)，由記錄再生裝置從保護(hù)層48 —側(cè)沿著記錄膜的磁道照 射激光的射束點，由磁頭記錄、再生檢測信號。這時，記錄膜因為在高溫下抗磁力下降到8koe以下，所以用磁頭的記錄成為可能。此外，信號的 再生時，照射激光束， 一邊使溫度上升， 一邊由GMR頭檢測記錄磁區(qū)。據(jù) 此，以高密度記錄的記錄標(biāo)記的記錄再生成為可能。即比再生時的激光點 的檢測界限還小的記錄標(biāo)記的記錄再生成為可能。此外，在信號的再生時，通過具有與第二實施方式同樣的結(jié)構(gòu)的記錄 膜，照射激光束， 一邊使溫度上升， 一邊使用上述的DWDD方式，通過磁 疇壁移動， 一邊擴(kuò)大轉(zhuǎn)印磁區(qū)， 一邊使用GMR頭檢測再生磁區(qū)。這時，如 果是再生層的飽和磁化Ms也與溫度一起上升的結(jié)構(gòu)，則在升溫時，再生 信號變?yōu)闃O大，所以GMR頭的檢測靈敏度提高，再生信號增大。例如，使 用通過照射激光而飽和磁化Ms與溫度一起上升的特定的記錄膜，如果調(diào) 整為在6(TC變?yōu)闃O大的組成，則GMR頭的檢測靈敏度提高，再生信號增大。也就是，該磁盤通過光束引起的溫度梯度，使光束到達(dá)的磁疇壁依次 移動，由磁頭檢測該磁疇壁的移動，從而使再生時的磁頭的檢測靈敏度提 高，能應(yīng)用于超分辨再生成為可能的DWDD方式中。結(jié)果，不根據(jù)記錄磁區(qū)的大小，再生磁區(qū)的大小始終成為恒定的最大 振幅。因此，在使用GMR頭等磁頭進(jìn)行再生信號時，由于光束等使記錄膜 升溫，所以通過擴(kuò)大再生層的轉(zhuǎn)印磁區(qū)，始終成為恒定的最大振幅的信號本發(fā)明對層疊了基板、底層、記錄膜和保護(hù)層的磁記錄介質(zhì)， 一邊加
熱探針的前端， 一邊操作記錄膜上，使記錄膜的磁各向異性變化，形成伺 服信號等格式信號。據(jù)此，不需要用伺服記錄器記錄伺服信號。此外，因 為是不可逆記錄，所以不會誤刪除。此外，在盤上正確記錄成為基準(zhǔn)的位置信息，所以對于環(huán)境溫度的變 化或者在記錄再生時對記錄膜照射激光束時的磁盤的溫度變化，把磁特性 不同的伺服凹坑作為基準(zhǔn)，記錄再生成為可能，所以能取得穩(wěn)定的伺服特 性。即能解決對記錄膜照射激光束時，伴隨著磁盤的溫度上升，伺服特性 變動、惡化，進(jìn)而記錄再生特性下降等現(xiàn)有的記錄介質(zhì)中的課題。結(jié)果， 通過光束等使記錄膜升溫，即使在使用GMR頭等磁頭進(jìn)行再生信號時，也 能實現(xiàn)耐熱性優(yōu)異，信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。這里，記錄的格式信號(例如，伺服凹坑)的記錄膜因為磁各向異性Ku變化在2Xl()5erg/cm2以下，所以磁化的垂直方向成分的大小變化，由 GMR頭檢測。形成有保護(hù)帶的區(qū)域的記錄膜的再生層因為磁各向異性Ku下降到5 X104erg/cm2以下，所以記錄磁道之間被磁遮斷，再生層的溫度梯度引起 的磁疇壁移動變得順利，基于DWDD動作的穩(wěn)定的信號再生成為可能。以下，詳細(xì)說明磁盤40的制造方法。首先，準(zhǔn)備在與基板41的記錄磁道的格式信號區(qū)域141以及數(shù)據(jù)區(qū) 域142對應(yīng)的區(qū)域形成凹槽、在與格式信號區(qū)域141對應(yīng)的區(qū)域中形成具 有凹凸的凹坑的壓模。該壓模使用光致抗蝕劑形成凹槽和凹坑。接著，使用壓模，通過壓印，把凹坑和凹槽轉(zhuǎn)印到由玻璃構(gòu)成的基板， 形成基板41。須指出的是，預(yù)先研磨基板表面，表面性變得均一。據(jù)此， 在基板上，在記錄磁道的格式信號區(qū)域141形成凹坑，在格式信號區(qū)域141 以及數(shù)據(jù)區(qū)域142形成凹槽42和凸區(qū)43。接著，在直流磁控管濺射裝置中設(shè)置靶，把基板固定在基板支架上后， 用渦輪分子泵對室內(nèi)進(jìn)行真空排氣，直到變?yōu)?X10"Pa以下的高真空。 接著，保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣和02氣，直到變?yōu)?.3Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊通過反應(yīng)性濺射法，形成10nm的由TaO構(gòu)成的底 層。接著，保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.5Pa， 一
邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊使用TbFeCo合金的靶，通過DC磁控管濺射法，形 成60nm的由TbFeCo膜構(gòu)成的記錄膜。接著，保持真空排氣的狀態(tài)，移動真空室，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到 變?yōu)?.0Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)，使用TbFeCoCr的合金靶，通過DC磁控管 濺射法，形成20nm的由TbFeCoCr膜構(gòu)成的中間層。保持真空排氣的狀 態(tài)，移動真空室，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.6Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊使用GdFeCoAl的合金靶，通過DC磁控管濺射法，形成40nm的由 GdFeCoAl膜的再生層。這里，根據(jù)合金的靶組成比和靶的投入功率比等 成膜條件，能適宜調(diào)整TbFeCo、 TbFeCoCr、 GdFeCoAl的膜組成。例如， 按照補償組成溫度為18(TC、居里溫度成為33(TC的方式設(shè)定各靶的投入 功率比并調(diào)整膜組成，形成由TbFeCo構(gòu)成的膜。根據(jù)該組成，室溫下的 抗磁力變?yōu)?koe以下，此外，由磁頭記錄微小磁區(qū)時，能形成穩(wěn)定的記 錄磁區(qū)，即使在由磁頭反復(fù)記錄再生時，也能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的記錄再 生。在記錄膜上，在Ar和CH4的混合氣氛中，使用CVD或C耙，通過 反應(yīng)性RF濺射，形成3nm的由DLC構(gòu)成的層。在其上涂敷由PFPE構(gòu) 成的層(例如，潤滑層)，形成保護(hù)層?？傻玫皆?8(TC以上的溫度下，溫度上升的同時所得到的記錄膜的抗 磁力Hc減少的膜特性，所以在溫度升溫到該溫度以上的狀態(tài)下，抗磁力 減小，磁頭的記錄成為可能。在本實施方式的磁記錄介質(zhì)中，通過照射光束的狀態(tài)下的溫度梯度， 由DWDD方式再生信號，但是再生層在10(TC，飽和磁化Ms變?yōu)闃O大， 進(jìn)而具有再生信號的增大效果。根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)，在記錄微小磁區(qū)時，也能形成穩(wěn)定的記錄磁區(qū)，在 即使在由磁頭反復(fù)進(jìn)行記錄再生時，也能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的記錄再生。如圖10所示，通過使用配置多個探針的探針陣列的結(jié)構(gòu)，能更高速 地記錄格式信號。此外，使用線圈120， 一邊施加磁場， 一邊形成格式信 號，從而能使凹坑的記錄膜的磁化方法變化。此外，在本實施方式中，磁道間隔為0.25pm，但是如果是記錄信息 的凹槽寬度為0.6pm以下的結(jié)構(gòu)，并且對記錄信息的最短標(biāo)記長度為0.3pm以下的記錄領(lǐng)域進(jìn)行記錄的結(jié)構(gòu)，效果就更大。如果磁道間隔為 0.3jim以下的磁道間隔，效果就更大。描述了磁盤40在由壓印形成凹坑和凹槽的由玻璃構(gòu)成的盤基板41形 成記錄膜的結(jié)構(gòu)，但是也可以直接加工玻璃基板，使用基于加熱熔化的轉(zhuǎn) 印(特別是對基于熔化溫度較低的材料的基板)或基于感光性樹脂 (phot叩olymer)的轉(zhuǎn)印等。此外，也可以是使用金屬材料等其他材料， 只形成凹坑或凹槽的結(jié)構(gòu)?；灞砻嫱ㄟ^研磨、蝕刻工序的調(diào)整，形成所需的表面性、表面粗糙 度等適當(dāng)?shù)膮^(qū)域。因為信息磁道中的記錄磁區(qū)形成穩(wěn)定的形狀，所以在記錄再生時，能降低來自相鄰磁道的交叉寫入和串?dāng)_。 (第五實施方式) 下面，關(guān)于實施方式，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明。 圖5表示本發(fā)明第五實施方式的磁盤的結(jié)構(gòu)，(a)是剖視圖，(b)是立體結(jié)構(gòu)圖。該磁盤50在由玻璃構(gòu)成的透明基板51上層疊底層、記錄膜、保護(hù)層。 記錄膜由磁性薄膜構(gòu)成，具有在溫度T上升的同時，抗磁力Hc、飽 和磁化Ms減少的特性。磁盤的磁道間隔是0.4pm。在該磁盤中，在磁盤的記錄膜面一側(cè)配置按照伺服凹坑的形成而遮蔽 的格式用的掩模58，照射光59，通過掩模加熱磁盤，使記錄膜的磁特性 變化，能形成伺服信號等格式信號。根據(jù)該方法，磁盤在記錄磁道54上形成用于伺服信號的凹坑55a、 55b，由格式區(qū)域52、記錄信息的數(shù)據(jù)區(qū)域53構(gòu)成。通過凹坑區(qū)域，能檢 測格式信號(例如，跟蹤伺服和地址檢測)。據(jù)此，對于環(huán)境溫度的變化或者在記錄再生時對記錄膜照射激光束時 的磁盤的溫度變化，防止伺服特性變動、惡化、伺服信號的變動引起的記 錄再生特性的下降等，能取得穩(wěn)定的伺服特性。結(jié)果，通過光束等使記錄 膜升溫，即使在使用GMR頭等磁頭進(jìn)行再生信號時，也能實現(xiàn)耐熱性優(yōu)異， 信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。
此外，該磁盤50從保護(hù)層一側(cè)對記錄膜照射激光束，由磁頭記錄、 再生檢測信號，比再生時的激光點的檢測界限還小的記錄標(biāo)記的記錄再生 成為可能。即該磁記錄介質(zhì)在信息的記錄時，盤旋轉(zhuǎn)，沿著磁道照射激光射束點， 一邊用磁頭進(jìn)行記錄。這時，記錄膜在高溫時抗磁力下降，所以用磁頭的 記錄成為可能。此外，在信號再生時，照射激光束，使溫度上升，通過GMR頭檢測記錄磁區(qū)。這時，飽和磁化Ms與溫度一起上升，在IO(TC變?yōu)闃O大， 所以用GMR頭的檢測靈敏度提高，再生信號增大。 接著詳細(xì)說明磁盤50的制造方法。在由透明的玻璃構(gòu)成的盤基板51上，在直流磁控管濺射裝置中設(shè)置 靶，把盤基板51固定在基板支架后，用渦輪分子泵對室內(nèi)進(jìn)行真空排氣， 直到變?yōu)?Xl(T6Pa以下的高真空。然后保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo) 入Ar氣，直到變?yōu)?.2Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊通過RF磁控管濺射法， 形成10nm的由ZnS/Si02構(gòu)成的底層。保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.0Pa， 一邊使基 板旋轉(zhuǎn)， 一邊使用TbFeCo的合金靶，通過DC磁控管濺射法，形成80nm 的TbFeCo膜。這里，通過調(diào)整合金的靶組成比和成膜條件，能使TbFeCo 的膜組成與所需的膜組成一致。按照補償組成溫度為一40。C、居里溫度成 為31(TC的方式調(diào)整膜組成，形成由TbFeCo膜構(gòu)成的記錄膜。結(jié)果，取 得飽和磁化Ms與溫度一起上升，在12(TC變?yōu)闃O大，此外，可得到從室 溫起升溫的同時抗磁力Hc減少的膜特性。接著，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣和N2氣，直到變?yōu)?.3Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊通過反應(yīng)性濺射法形成2nm的由SiN構(gòu)成的電介質(zhì)的保護(hù)層58。在保護(hù)層58上，在Ar和CH4的混合氣氛中，使用等離子體CVD法 或C靶，通過反應(yīng)性RF濺射，形成2nm的由DLC構(gòu)成的潤滑層。進(jìn)而， 通過涂敷而形成由PFPE構(gòu)成的潤滑保護(hù)層。這里，使用保護(hù)層58照射YAG激光器等的光，能形成凹坑。在本實施方式的磁記錄介質(zhì)中，在照射光束的狀態(tài)的溫度IO(TC，飽 和磁化Ms變?yōu)闃O大，在記錄微小磁區(qū)時，能形成穩(wěn)定的記錄磁區(qū)，即使 在由磁頭反復(fù)進(jìn)行了記錄再生時，也能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的記錄再生。 在所述的本實施方式的磁盤51中，磁道間隔為0.4pm，但是如果是 記錄信息的凹槽寬度為0. 6pm以下的結(jié)構(gòu)，并且對記錄信息的最短標(biāo)記長 度為0.3pm以下的記錄領(lǐng)域進(jìn)行記錄的結(jié)構(gòu)，效果就更大。根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)，以高密度記錄再生時，能取得穩(wěn)定的再生信 號特性。再有，由于信息磁道中的記錄磁區(qū)形成穩(wěn)定的形狀，所以在記錄 再生時，能降低來自相鄰磁道的交叉寫入和串?dāng)_。 (第六實施方式) 下面，關(guān)于實施方式，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明。 圖6是表示本發(fā)明第六實施方式的磁盤的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 該磁盤60在由玻璃構(gòu)成的透明基板61上按順序?qū)盈B底層、記錄膜、 保護(hù)層。磁盤的磁道間隔是O. 35pn]。記錄膜具有在溫度T上升的同時，抗磁力Hc、飽和磁化Ms減少的特性。該磁盤配置形成伺服凹坑等的格式信號的掩模，對磁記錄介質(zhì)照射 光，通過掩模加熱磁記錄介質(zhì)的記錄膜，使磁記錄介質(zhì)的記錄膜的磁各向 異性變化，從而能記錄格式信號。在掩模還形成有用于形成保護(hù)帶的光透 過的圖案。根據(jù)該方法，磁盤在記錄磁道64上形成用于伺服信號的凹坑65a、 65b，由格式區(qū)域、記錄信息的數(shù)據(jù)區(qū)域63構(gòu)成。通過凹坑區(qū)域，能檢測 格式信號(例如，跟蹤伺服和地址檢測)。據(jù)此，能防止在現(xiàn)有的記錄介質(zhì)中，對記錄膜照射激光束時的磁盤的 溫度上升引起的伺服特性變動、惡化、伺服信號的變動引起的記錄再生特 性的下降。也就是，該磁記錄介質(zhì)在磁記錄介質(zhì)的記錄膜面一側(cè)配置按照伺服凹 坑的形成而遮蔽的格式用的保護(hù)層68，照射光69，加熱，從而使記錄膜 的磁特性變化，形成伺服信號等格式信號。這里的掩模也形成與保護(hù)帶64 對應(yīng)的遮蔽，與格式信號對應(yīng)的部分、與保護(hù)帶對應(yīng)的部分、此外的部分 分別光的透過率不同，與保護(hù)帶對應(yīng)的部分的透過率大。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，--保護(hù)帶部分的磁各向異性的變化最大，使用DWDD 方式的再生方式下的再生層的磁疇壁移動變得容易，磁區(qū)的擴(kuò)大再生成為 可能。此外，與格式信號對應(yīng)的部分的透過率也比較大，能形成伺服信號。 根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)的磁盤，在記錄膜作為磁特性的變化檢測，作為伺服 信號，從而即使在環(huán)境溫度的變化或者在記錄再生時對記錄膜照射激光束 時的磁盤的溫度變化時，也能取得穩(wěn)定的伺服特性。結(jié)果，通過光束等使 記錄膜升溫，即使在使用GMR頭等磁頭進(jìn)行再生信號時，也能實現(xiàn)耐熱性 優(yōu)異，信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。此外，在本實施方式中，能形成一齊退火(anneal)的保護(hù)帶，能實 現(xiàn)磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)性、制造成本方面都非常優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)的制造方法。該磁記錄介質(zhì)60從形成有記錄膜的保護(hù)層一側(cè)照射激光束，由磁頭 記錄、再生檢測信號，從而能應(yīng)用于比再生時的激光點的檢測界限還小的 記錄標(biāo)記的記錄再生成為可能的磁記錄介質(zhì)中。該磁記錄介質(zhì)在信息的記錄時，盤旋轉(zhuǎn)，沿著磁道照射激光射束點， 一邊用磁頭記錄。這時，記錄膜在高溫時抗磁力下降，所以用磁頭的記錄 成為可能。此外，在信號的再生時， 一邊照射激光束，使溫度上升， 一邊 通過GMR頭檢測記錄磁區(qū)。這時，飽和磁化Ms與溫度一起上升，在110 "C變?yōu)闃O大，所以用GMR頭的檢測靈敏度提高，再生信號增大。以下詳細(xì)說明磁盤60的制造方法。基板61上，通過基于離子槍的等離子體照射的蝕刻，使表面變平滑， 洗凈雜質(zhì)。接著，在直流磁控管濺射裝置中設(shè)置靶，把該盤基板61固定在基板 支架后，用渦輪分子泵對室內(nèi)進(jìn)行真空排氣，直到變?yōu)?X10—6Pa以下的 高真空。然后保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.4Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊通過DC磁控管濺射法，膜形成6nm的由AgCu構(gòu) 成的金屬基底的電介質(zhì)層66。保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.8Pa， 一邊使基 板旋轉(zhuǎn)， 一邊使用TbFeCo的合金靶，通過DC磁控管濺射法，形成50nm 的TbFeCo的底層66。這里，通過調(diào)整合金的靶組成比和成膜條件，能使 T^FeCo的膜組成與所需的膜組成一致。按照補償組成溫度為一7(TC、居
里溫度成為32(TC的方式調(diào)整膜組成，形成由TbFeCo構(gòu)成的記錄膜。 接著，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣和N2氣，直到變?yōu)?.3Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)，一邊通過反應(yīng)性濺射法形成2nm的由SiN構(gòu)成的電介質(zhì)的保護(hù)層。在保護(hù)層上，在Ar和CH4的混合氣氛中，使用等離子體CVD法或C靶，通過反應(yīng)性RF濺射，形成3nm的由DLC構(gòu)成的保護(hù)層68。這時，蝕刻保護(hù)層68表面，表面粗糙度形成RaO. 7nm以上。通過涂敷而形成由PFPE構(gòu)成的潤滑層。根據(jù)本實施方式的在保護(hù)層表面形成表面粗糙度大的凹凸的結(jié)構(gòu)，能防止磁頭向保護(hù)層表面的吸附，能形成磁頭的滑動特性、浮出特性優(yōu)異的保護(hù)層。結(jié)果，取得飽和磁化Ms與溫度一起上升，在11(TC變?yōu)闃O大，此外， 可得從室溫起溫度上升的同時抗磁力Hc減少的膜特性。在本實施方式的磁記錄介質(zhì)中，在照射光束的狀態(tài)的溫度110°C，飽 和磁化Ms變?yōu)闃O大，在記錄微小磁區(qū)時，能形成穩(wěn)定的記錄磁區(qū)，即使 在由磁頭反復(fù)進(jìn)行記錄再生時，也能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的記錄再生。須指出的是，磁盤中，磁道間隔為0.4,，但是如果是記錄信息的凹 槽寬度為0. 6,以下的結(jié)構(gòu)，并且對記錄信息的最短標(biāo)記長度為0.3|im以 下的記錄領(lǐng)域進(jìn)行記錄的結(jié)構(gòu)，效果就更大。根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)，以高密度記錄再生時，能取得穩(wěn)定的再生信 號特性。再有，由于信息磁道中的記錄磁區(qū)形成穩(wěn)定的形狀，所以在記錄 再生時，能降低來自相鄰磁道的交叉寫入和串?dāng)_。 (第七實施方式)下面，關(guān)于實施方式，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明。圖7表示表示本發(fā)明第七實施方式的磁盤的結(jié)構(gòu)，(a)是剖視圖，(b) 是立體結(jié)構(gòu)圖。該磁盤在由玻璃構(gòu)成的透明的盤基板71上按順序?qū)盈B下層(例如， 電介質(zhì)層)、記錄膜、保護(hù)層。須指出的是，該磁盤能應(yīng)用于設(shè)置了具有 用于對磁盤照射光的物鏡的光學(xué)頭83的裝置中。記錄膜由磁性薄膜形成，具有在溫度T上升的同時，抗磁力Hc、飽和 磁化Ms減少的特性。此外，磁盤的磁道間隔是0.3jLim。
該磁記錄介質(zhì)從保護(hù)層一側(cè)照射激光束，通過磁頭記錄、再生檢測信 號，從而是能應(yīng)用于比再生時的激光點的檢測界限還小的記錄標(biāo)記的記錄 再生成為可能的磁記錄介質(zhì)中的結(jié)構(gòu)。該磁記錄介質(zhì)在該磁記錄介質(zhì)的記錄膜面一側(cè)配置按照伺服凹坑等 格式信號遮蔽后的格式信號用的掩模81，照射光，加熱，使記錄膜的磁特 性即磁各向異性變化，形成伺服信號等格式信號。在掩模81還形成有用 于形成保護(hù)帶的光透過的圖案。根據(jù)該方法，磁盤在記錄磁道上形成用于伺服信號的凹坑76a、 76b、 77，并形成由格式區(qū)域、記錄信息的數(shù)據(jù)區(qū)域73。通過凹坑區(qū)域，能檢測 格式信號(例如，跟蹤伺服和地址檢測)。據(jù)此，能防止在現(xiàn)有的記錄介質(zhì)中，對記錄膜照射激光束時的磁盤的 溫度上升引起的伺服特性變動或惡化、伺服信號的變動引起的記錄再生特 性的下降。也就是，該磁記錄介質(zhì)在環(huán)境溫度的變化或者在記錄再生時對記錄膜 照射激光束時的磁盤的溫度變化中，也能取得穩(wěn)定的伺服特性。結(jié)果，通 過光束等使記錄膜升溫，在使用GMR頭等磁頭89進(jìn)行再生信號時，也能 實現(xiàn)耐熱性優(yōu)異，信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。此外，作為保護(hù)層，在保護(hù)帶區(qū)域中也形成與格式用的凹坑不同透過 率的保護(hù)層，在磁記錄介質(zhì)上形成保護(hù)帶。據(jù)此，能一齊同時形成向磁記錄介質(zhì)的格式信號、保護(hù)帶。本實施方式的磁記錄介質(zhì)在信息的記錄時，盤旋轉(zhuǎn)， 一邊沿著磁道照 射激光射束點， 一邊用磁頭記錄。這時，記錄膜在高溫下抗磁力下降，所 以用磁頭的記錄成為可能。此外，在信號的再生時，照射激光束，使溫度 上升，通過GMR頭檢測記錄磁區(qū)。這時，飽和磁化Ms與溫度一起上升， 在11(TC變?yōu)闃O大，所以用GMR頭的檢測靈敏度提高，再生信號增大。以下詳細(xì)說明磁盤70的制造方法。準(zhǔn)備了在記錄磁道形成有凹槽，在格式信號區(qū)域中形成有基于凹凸的 格式信號的基板71。在這樣的盤基板71上，在直流磁控管濺射裝置中設(shè)置革E，把盤基板 固定在基板支架后，用渦輪分子泵對室內(nèi)進(jìn)行真空排氣，直到變?yōu)?X10—6Pa以下的高真空。然后保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到 變?yōu)?.2Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)， 一邊通過RF磁控管濺射法，形成10nm由 ZnSSi02構(gòu)成的基底電介質(zhì)層78。保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.0Pa， 一邊使基 板旋轉(zhuǎn)， 一邊使用TbFeCo的合金靶，通過DC磁控管濺射法，形成80nm 的TbFeCo的記錄膜。這里，通過調(diào)整合金的靶組成比和成膜條件，能使 TbFeCo的膜組成與所需的膜組成一致。按照補償組成溫度為一4CTC、居 里溫度成為31(TC的方式調(diào)整膜組成，形成由TbFeCo構(gòu)成的記錄膜。結(jié) 果，取得飽和磁化Ms與溫度一起上升，在12(TC變?yōu)闃O大，此外，可得到 從室溫起在溫度上升的同時抗磁力Hc減少的膜特性。進(jìn)而，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣和N2氣，直到變?yōu)?.3Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)， 通過反應(yīng)性濺射法形成2nm的由SiN構(gòu)成的電介質(zhì)的保護(hù)層80。在保護(hù)層80上，在Ar和CH4的混合氣氛中，使用等離子體CVD法 或C靶，通過反應(yīng)性RF濺射，形成2nm的由DLC構(gòu)成的固體潤滑層。 進(jìn)而，通過涂敷而形成由PFPE構(gòu)成的潤滑層，形成保護(hù)層。在本實施方式的磁記錄介質(zhì)中，在照射光束的狀態(tài)的溫度120°C，飽 和磁化Ms變?yōu)闃O大，在記錄微小磁區(qū)時，也能形成穩(wěn)定的記錄磁區(qū)，即 使在由磁頭反復(fù)進(jìn)行記錄再生時，也能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的記錄再生。在本實施方式的磁盤71中，磁道間隔為0.3pm，但是如果是記錄信 息的凹槽寬度為0.6,以下的結(jié)構(gòu)，并且對記錄信息的最短標(biāo)記長度為 0.3nm以下的記錄領(lǐng)域進(jìn)行記錄的結(jié)構(gòu)，則效果就大，如果凹槽寬度為 0.2iLmi以下，則效果就更大。根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)，以高密度記錄再生時，能取得穩(wěn)定的再生信 號特性。再有，信息磁道中的記錄磁區(qū)形成穩(wěn)定的形狀，所以在記錄再生 時，能降低來自相鄰磁道的交叉寫入和串?dāng)_。 (第八實施方式)下面，關(guān)于實施方式，參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明。圖8表示本發(fā)明第八實施方式的磁盤的結(jié)構(gòu)，其中(a)是剖視圖，(b) 是立體結(jié)構(gòu)圖。在基板91上按順序?qū)盈B底層、記錄膜、保護(hù)層，構(gòu)成該磁盤90。保
護(hù)層保護(hù)記錄膜，為了使磁頭99滑動而配置。記錄膜由磁性薄膜形成，具有在溫度T上升的同時，抗磁力HC、飽和磁化Ms減少的特性。此外，磁盤的磁道間隔是0.4(im，在記錄磁道上形成 比記錄標(biāo)記更微細(xì)的凹凸圖案94。須指出的是，該磁盤能應(yīng)用于設(shè)置了具有用于對磁盤照射光的物鏡 IOO的光學(xué)頭的裝置。該磁記錄介質(zhì)對形成有伺服凹坑等的格式信號的掩模進(jìn)行配置，對磁 記錄介質(zhì)照射光，通過掩模加熱磁記錄介質(zhì)的記錄膜，使磁記錄介質(zhì)的記 錄膜的磁各向異性變化，從而能記錄格式信號。在掩模上還形成有用于形 成保護(hù)帶的光透過的圖案。根據(jù)該方法，磁盤在記錄磁道上形成用于伺服信號和地址信息檢測的 凹坑95a、 95b，形成包含這些信號的格式區(qū)域、記錄信息的數(shù)據(jù)區(qū)域93。特別是，由于通過掩模的加熱，向記錄膜形成圖案，所以不受微細(xì)的 凹凸圖案影響，能容易形成格式信號或者保護(hù)帶的信息。這些掩模的圖案 與微細(xì)加工技術(shù)對應(yīng)，高密度的記錄成為可能。即在記錄磁道上形成比記 錄標(biāo)記更微細(xì)的凹凸圖案94，所以對記錄膜記錄微細(xì)的標(biāo)記時，記錄層的 記錄領(lǐng)域的磁疇壁不移動，所以高密度的記錄成為可能。通過這些凹坑區(qū)域，能一邊進(jìn)行伺服， 一邊檢測格式信號(例如，跟 蹤伺服和地址檢測)。據(jù)此，能防止在現(xiàn)有的記錄介質(zhì)中，對記錄膜照射激光束時的磁盤的 溫度上升引起的伺服特性變動和惡化、伺服信號的變動引起的記錄再生特 性的下降。也就是，該磁記錄介質(zhì)在磁記錄介質(zhì)的記錄膜面一側(cè)配置按照伺服凹 坑的形成而遮蔽的掩模，照射光來加熱，使記錄膜的磁特性變化，形成伺 服信號等格式信號，即使在環(huán)境溫度的變化或者在記錄再生時對記錄膜照 射激光束時的磁盤的溫度變化中，也能取得穩(wěn)定的伺服特性。結(jié)果，通過 光束等使記錄膜升溫，即使在使用GMR頭等磁頭進(jìn)行再生信號時，也能實 現(xiàn)耐熱性優(yōu)異，信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。該磁記錄介質(zhì)從保護(hù)層一側(cè)照射激光束，通過磁頭記錄、再生檢測信 號，從而是能應(yīng)用于比再生時的激光點的檢測界限還小的記錄標(biāo)記的記錄
再生成為可能的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。本實施方式的磁記錄介質(zhì)在信息的記錄時，盤旋轉(zhuǎn)， 一邊沿著磁道照 射激光射束點， 一邊用磁頭記錄。這時，記錄膜在高溫時抗磁力下降，所 以用磁頭的記錄成為可能。此外，在信號的再生時，照射激光束，使溫度 上升，通過GMR頭檢測記錄磁區(qū)。這時，飽和磁化Ms與溫度一起上升，在12(TC變?yōu)闃O大，所以用GMR頭的檢測靈敏度提高，再生信號增大。 以下詳細(xì)說明磁盤90的制造方法。如圖8所示，在由透明的玻璃基板構(gòu)成的盤基板91上，在直流磁控 管濺射裝置中設(shè)置靶，把盤基板固定在基板支架后，用渦輪分子泵對室內(nèi) 進(jìn)行真空排氣，直到變?yōu)?X10—6Pa以下的高真空。然后保持真空排氣的 狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.2Pa， 一邊使基板91旋轉(zhuǎn)， 一邊通 過RF磁控管濺射法，膜形成10nm的由ZnSSi02構(gòu)成的基底電介質(zhì)層96。然后，保持真空排氣的狀態(tài)，向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣，直到變?yōu)?.0Pa， 一 邊使基板旋轉(zhuǎn)，使用TbFeCo的合金靶，通過DC磁控管濺射法，形成80nm 的TbFeCo的記錄膜。這里，通過調(diào)整合金的靶組成比和成膜條件，能使 TbFeCo的膜組成與所需的膜組成一致。向室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣和N2氣，直到變?yōu)?.3Pa， 一邊使基板旋轉(zhuǎn)，使用 Si靶，通過反應(yīng)性濺射法形成2nm的由SiN構(gòu)成的電介質(zhì)的保護(hù)層98。在保護(hù)層98上，在Ar和CH4的混合氣氛中，使用等離子體CVD法 或C靶，通過反應(yīng)性RF濺射，形成2nm的由DLC構(gòu)成的固體潤滑保護(hù) 層。進(jìn)而，通過涂敷而形成由PFPE構(gòu)成的潤滑保護(hù)層。這里，由TbFeCo構(gòu)成的磁性層群97按照補償組成溫度為一4(TC、居 里溫度成為31(TC的方式調(diào)整膜組成，進(jìn)行成膜。結(jié)果，取得飽和磁化Ms與溫度一起上升，在120'C變?yōu)闃O大，此外， 可得到從室溫起溫度上升的同時抗磁力Hc減少的膜特性。在本實施方式的磁記錄介質(zhì)中，在照射光束的狀態(tài)的溫度120°C，飽 和磁化Ms變?yōu)闃O大，在記錄微小磁區(qū)時，也能形成穩(wěn)定的記錄磁區(qū)，即 使在由磁頭反復(fù)進(jìn)行記錄再生時，也能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的記錄再生。在本實施方式的磁盤中，磁道間隔為0.4iam，但是如果是記錄信息的 凹槽寬度為0. 6,以下的結(jié)構(gòu)，并且對記錄信息的最短標(biāo)記長度為0.3|im 以下的記錄領(lǐng)域進(jìn)行記錄的結(jié)構(gòu)，效果就更大。此外，在本實施方式中，描述在記錄磁道形成比記錄標(biāo)記更微細(xì)的凹 凸圖案94的結(jié)構(gòu)，但是通過形成與記錄標(biāo)記的圖案對應(yīng)的長度的凹凸、 與記錄標(biāo)記的最短標(biāo)記長度對應(yīng)的凹凸、與記錄標(biāo)記的磁疇壁對應(yīng)的凹 凸、或者比標(biāo)記周期還小周期的凹凸圖案的結(jié)構(gòu)，能實現(xiàn)微細(xì)的記錄標(biāo)記 的穩(wěn)定化，能實現(xiàn)能形成與高密度對應(yīng)的格式信號的磁記錄介質(zhì)及其記錄 方法。如上所述，根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)，在以高密度記錄再生時，能取得 穩(wěn)定的再生信號特性。再有，由于信息磁道中的記錄磁區(qū)形成穩(wěn)定的形狀， 所以在記錄再生時，能降低來自相鄰磁道的交叉寫入和串?dāng)_。 (第九實施方式)說明本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的記錄再生裝置。記錄再生裝置如圖ll所示，至少具有磁記錄介質(zhì)201;具有檢測該 磁記錄介質(zhì)201的格式信號的部件、讀出磁記錄介質(zhì)201的數(shù)據(jù)信號的部件、對磁記錄介質(zhì)201寫入數(shù)據(jù)信號的部件的磁頭202;和主軸電動機203。 磁頭202連接在磁頭的控制和檢測電路206，被磁頭的控制和檢測電 路206所控制。主軸電動機203連接在電動機驅(qū)動和控制電路207，被電動機驅(qū)動和 控制電路207所控制。再有，在與磁盤201對置的位置配置光學(xué)頭204。光學(xué)頭204由從激 光器、光檢測器、棱鏡、視準(zhǔn)透鏡、物鏡或全息元件選擇的光學(xué)元件208、 209、 210、 211構(gòu)成。光學(xué)頭204連接在激光驅(qū)動電路205，被激光驅(qū)動 電路205所控制。此外，光學(xué)頭204連接在光探測器212。須指出的是， 光學(xué)頭204也可以配置在與磁頭相同的一側(cè)。在這樣的結(jié)構(gòu)的記錄再生裝置中，對安裝在主軸電動機203上的磁盤 201，由用磁頭的控制和檢測電路206控制的磁頭202記錄、再生信號。 此外，光學(xué)頭204—邊對盤上照射由激光驅(qū)動電路205控制的激光， 一邊 進(jìn)行用磁頭202的記錄、再生。這時，主軸電動機203通過電動機驅(qū)動和 控制電路207進(jìn)行電動機的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動控制、激光的伺服控制等。此外，光 頭204的反射光由光探測器212檢測，在聚焦伺服控制和跟蹤伺服控制中 利用。須指出的是，在圖11中，代替磁頭和/或光學(xué)頭，或與磁頭和/或光學(xué) 頭結(jié)合，而裝配圖9或圖10所示的在前端具有探針的探針陣列。探針具 有在記錄介質(zhì)上施加磁場和/或熱的功能，具有產(chǎn)生磁場的線圈、加熱磁記 錄介質(zhì)的加熱器。探針支撐為與磁記錄介質(zhì)表面保持一定的距離， 一邊對 置、接觸或輕敲， 一邊掃描磁記錄介質(zhì)上。通過使用這樣的結(jié)構(gòu)的記錄再生裝置，磁盤能記錄、再生格式信號和 /或數(shù)據(jù)。具體而言，對這些磁盤，使用探針，進(jìn)行記錄，或者使用掩模 照射光，從而形成格式信號的凹坑。在該磁盤中，通過來自凹坑的信號， 進(jìn)行跟蹤伺服和地址檢測，以凹坑為基準(zhǔn)，在盤上記錄形成伺服信號，進(jìn) 行磁盤的格式化。再有，能夠通過格式信號(例如，凹坑、在面粗糙度不 同的區(qū)域形成的凹坑等)， 一邊進(jìn)行跟蹤伺服， 一邊進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄再生。通過這樣的記錄再生裝置以高密度進(jìn)行記錄再生時，能檢測穩(wěn)定的伺 服信號，能取得優(yōu)異的記錄再生信號特性。再有，由于信息磁道中的記錄 磁區(qū)形成穩(wěn)定的形狀，所以在記錄再生時，能降低來自相鄰磁道的交叉寫 入和串?dāng)_。(其他實施方式)基板可以是玻璃、金屬、塑料、其他材料?？梢允瞧矫?、形成凹凸的 凹坑或凹槽的形狀、在引導(dǎo)溝內(nèi)形成凹坑的形狀、直接蝕刻基板表面的形 狀、或者其他能形成記錄膜的形狀的基板?；宓挠涗洿诺赖拇诺篱g隔不僅是0. 25pm 0. 4pm，如果是記錄信息 的凹槽寬度為0.6^im以下，并且對記錄信息的最短標(biāo)記長度為0.3pm以 下的記錄領(lǐng)域進(jìn)行記錄的結(jié)構(gòu)，則可以是任意的。如果是能由磁頭檢測來自跟蹤伺服用的凹坑、地址檢測用的凹坑的信 號的結(jié)構(gòu)，凹坑的深度就未特別限定，例如能列舉10nm 200皿的范圍。磁盤也可以是在基板和底層之間形成熱傳導(dǎo)率大的熱吸收層，再形成 熱傳導(dǎo)率小的層，控制盤內(nèi)的溫度分布、熱傳導(dǎo)的結(jié)構(gòu)。描述了記錄膜為單層或使用磁超分辨的多層結(jié)構(gòu)，但是也可以是在層 疊的磁性記錄膜上具有保持記錄信息的記錄層的結(jié)構(gòu)。這時，也可以是由 用于增大再生信息的信號量的再生層和記
合的結(jié)構(gòu)。此外，并不局限于記錄層、中間層、再生層的3層結(jié)構(gòu)，也可 以是形成具有必要的功能的多層膜的結(jié)構(gòu)。記錄膜的材料并未特別限定，例如作為記錄層，是使用稀土類金屬-過渡性金屬合金的磁性層，是包含Tb、 Gd、 Dy、 Nd、 Ho等材料、Fe、 Co、 Ni等過渡性金屬的磁性薄膜。關(guān)于再生層，可以是GdFeCoAl、其他材料組成、或者這些材料的層疊膜。再有，也可以是在記錄膜的TbFeCo的成膜時，通過控制成膜速度、 光盤基板的轉(zhuǎn)速，把Tb和Fe、 Co等過渡性金屬層疊為周期結(jié)構(gòu)的構(gòu)成。 作為這時的層疊周期，至少變?yōu)?.0nm以下的周期的層疊結(jié)構(gòu)，能增大記 錄膜的飽和磁化Ms和抗磁力Hc的積Ms'Hc。實際上，在1.0nm的層疊周 期的實施方式的記錄膜中，能取得4.0X106erg/cm3的大的Ms Hc，在記 錄50nm以下的微小磁區(qū)時，能形成穩(wěn)定的記錄磁區(qū)，即使在反復(fù)進(jìn)行記 錄再生時，也能實現(xiàn)信號特性優(yōu)異的記錄再生。此外，記錄膜并不局限于Tb和FeCo為2. Onm以下的周期的層疊結(jié)構(gòu)， 如果是層疊周期為0. 3皿以上，4nm以下的層疊結(jié)構(gòu)，記錄膜的膜厚為20nm 以上，更優(yōu)選是40nm 200nm的結(jié)構(gòu)，能取得同等的效果。此外，Tb和Fe、 Co等過渡性金屬并不局限于周期的層疊結(jié)構(gòu)，可以 是包含Tb、 Fe、 Co分別不同的靶、或者此外的材料的結(jié)構(gòu)，也可以是具 有2nm以下的層疊周期的記錄膜的結(jié)構(gòu)。此外，由TbFeCo構(gòu)成的記錄膜的居里溫度設(shè)定為29(TC 32(TC，但 是，按照磁頭的特性、基于光頭的溫度上升的條件、環(huán)境溫度的允許范圍， 最好設(shè)定在至少15(TC以上的溫度范圍中。此外，在記錄膜的制造方法中，在記錄膜TbFeCo的成膜時，通過控 制成膜速度、盤基板的轉(zhuǎn)速，能使Tb和Fe、 Co的膜的微結(jié)構(gòu)變化，可以 使用磁各向異性大的非晶質(zhì)的膜結(jié)構(gòu)的磁性薄膜。更具體而言，在TbFeCo 的記錄膜的成膜時，以40ipm進(jìn)行自公轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)，各元素的粒子以 0. 5nm/sec的成膜速度分別成膜，從而所述膜結(jié)構(gòu)是可能的。如上所述，根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)，即使在使用由記錄層、中間層、 再生層構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)的記錄膜時，記錄膜的記錄信息穩(wěn)定，也能由磁頭
檢測，即使在以高密度記錄再生時，也能取得穩(wěn)定的再生信號特性。結(jié)果，在本發(fā)明中，通過在依次層疊可改寫記錄信息的記錄膜、中間 層、再生層的結(jié)構(gòu)的記錄膜上，隔著絕熱層形成作為潤滑層的保護(hù)層的結(jié)構(gòu)，磁道間隔為0.6um以下，并且能穩(wěn)定形成0.3jim以下的微小磁區(qū)，能 增大轉(zhuǎn)印到再生層的再生信號。因為，信息磁道中的記錄磁區(qū)形成穩(wěn)定的 形狀，所以在記錄再生時，能降低來自相鄰磁道的交叉寫入和串?dāng)_。此外，在本實施方式中，描述使用DWDD方式的磁超分辨的磁盤， 但是描述其膜結(jié)構(gòu)是由再生層、中間層、記錄層形成的結(jié)構(gòu)，但是并不局 限于該結(jié)構(gòu)，也可以是RAD、 FAD、 CAD、或者雙掩模方式的磁超分辨 方式、或者M(jìn)AMMOS方式等擴(kuò)大再生轉(zhuǎn)印的磁區(qū)的膜結(jié)構(gòu)的磁盤。此外，描述了對本實施方式的記錄膜在Ar氣的氣氛中進(jìn)行濺射的制 造方法，但是也可采用Ne、 Kr、 Xe等惰性氣體。在這些氣氛氣體中也可 含有&等。再有，在本實施方式中，描述了在磁記錄介質(zhì)的使用探針的記錄再生 方式中，格式信號、保護(hù)帶的形成，但是即使是用探針而且由多個探針構(gòu) 成的探針陣列記錄再生主信息的數(shù)據(jù)信號的方式，也同樣能反復(fù)記錄再 生，以高密度進(jìn)行高傳送速度的記錄再生。此外，應(yīng)用向磁記錄介質(zhì)的使用探針的記錄再生方式或者使用掩模退 火的記錄再生方式，記錄再生主信息的數(shù)據(jù)信號，從而通過磁各向異性的 變化或者氧化膜的形成，寫一次型的磁記錄介質(zhì)及其記錄再生方式成為可 能。這時，高密度、高高傳送速度的寫入型的主信息的記錄成為可能。須指出的是，在本實施方式的磁盤中，描述形成凹凸的凹坑或者面粗 糙度不同的凹坑或凹槽的盤基板，但是也可以是在盤基板具有凹槽或者凸 區(qū)，分離記錄磁道之間的結(jié)構(gòu)?；蛘?，也可以作為用于磁道之間的退火處 理的引導(dǎo)溝使用。如果是這樣的結(jié)構(gòu)，就能實現(xiàn)磁遮斷記錄信息的磁道之 間，轉(zhuǎn)印到再生層的記錄磁區(qū)容易進(jìn)行磁疇壁移動的結(jié)構(gòu)，在所述的DWDD 方式中，能實現(xiàn)信號特性更優(yōu)異的磁盤。此外，如上所述，通過凹槽或者凸區(qū)的凹凸或者與記錄圖案對應(yīng)的微 細(xì)的凹凸，記錄磁道之間的分離也變得容易，結(jié)果，穩(wěn)定形成O. ljum以下 的微小磁區(qū)，能確?；贒WDD方式的轉(zhuǎn)印磁區(qū)的磁疇壁的移動度，能實
現(xiàn)再生信號特性優(yōu)異的磁盤。再有，記錄再生時，能降低來自相鄰磁道的 交叉寫入和串?dāng)_。此外，描述使用紋理形成盤基板表面的結(jié)構(gòu)，但是也可以使用此外的 研磨、表面精加工工序。或者，也可以是形成記錄膜之后，進(jìn)行磁記錄介 質(zhì)的研磨、表面精加工的結(jié)構(gòu)等。作為底層，能使用SiN、 AlTiN、 ZnSSi02、 Ta0、 AlTi、 AgCu; Cr、 Ti、 Ta或其他材料的氧化物、氮化物；硫族化合物等II-VI族、III-V族化合 物；Al、 Cu、 Ag、 Au、 Pt等金屬；包含它們的混合材料等各種材料。它們 可以是單層或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。保護(hù)層能使用與底層同樣的，可以是單層或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。此外，描述了在保護(hù)層上，在Ar和CH4的混合氣氛中，使用C靶， 通過反應(yīng)性RF濺射，形成由DLC構(gòu)成的固體潤滑層的方法，但是，如果 使用CVD等形成DLC膜，更致密的膜的形成就成為可能。描述了涂敷由 全氟聚醚構(gòu)成的潤滑保護(hù)層的結(jié)構(gòu)，但是也可以使用旋轉(zhuǎn)涂敷或浸漬等。使用由環(huán)氧丙烯酸脂構(gòu)成的樹脂、氨基甲酸酯(urethane)系樹脂， 通過旋轉(zhuǎn)涂敷，涂敷5!am左右的均一的膜厚，照射紫外線燈，使其硬化， 形成。此外，本發(fā)明的磁介質(zhì)還追加帶磨光(tape burnishing)處理，采用不損傷表面，除去突起等，從內(nèi)周到外周端部，以7^ii士:^m的良好的膜 厚分布，均一地涂敷保護(hù)涂層的工序。盤基板也可以是兩面型。這時，有必要在兩面形成伺服凹坑，在兩面 上進(jìn)行記錄膜、保護(hù)層的形成。此外，在記錄再生裝置中，有必要采用在 記錄膜兩面安裝磁頭的驅(qū)動結(jié)構(gòu)。也可以是在兩面成膜后，在帶磨光裝置安裝介質(zhì)表面， 一邊旋轉(zhuǎn)，一 邊從內(nèi)周到外周，把兩面進(jìn)行帶磨光，除去異物、突起等的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，磁特性的變化是伴隨著基板或底層的變化的記錄膜的磁 特性，包含抗磁力、飽和磁化、磁通密度、磁各向異性或它們的溫度特性， 如果是用磁頭能檢測的磁特性的變化，就能取得同等的效果。如上所述，在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，是在盤基板上至少在膜面垂直 方向具有記錄膜的結(jié)構(gòu)的磁記錄企—質(zhì)L在進(jìn)行磁記錄再生的磁記錄介質(zhì)
中，對在盤基板上形成的、把使用懸臂的探針陣列接近或接觸記錄膜的、 或者對按照記錄的信息信號遮蔽的掩模，照射光，形成基于記錄膜的磁化、 磁各向異性、膜的氧化不同的區(qū)域的伺服信號和基于凹坑的伺服信號，從 而能提高信號特性，能實現(xiàn)跟蹤特性、信號特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能大幅度提高盤的生產(chǎn)性、成本，取得穩(wěn)定的伺服 特性，能實現(xiàn)優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。能提供在表面粗糙度不同的區(qū)域是凹部或凸部的凹坑時，照射光，一 邊使記錄膜的溫度上升， 一邊進(jìn)行磁記錄再生的記錄介質(zhì)中，能提高伺服 信號的穩(wěn)定性、可靠性，即使在進(jìn)行高密度記錄再生時，也能取得優(yōu)異的 信號特性的磁記錄介質(zhì)及其制造方法、記錄再生方法。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)能進(jìn)行高密度的信息的記錄，所以能應(yīng)用于信息 積蓄設(shè)備和存儲器介質(zhì)等廣泛的記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)的記錄再生方法，使用按照使探針對磁記錄介質(zhì)進(jìn)行掃描的方式面向該磁記錄介質(zhì)的至少一個探針陣列，在所述磁記錄介質(zhì)記錄格式信號，和/或檢測格式信號；在所述磁記錄介質(zhì)記錄、再生和/或刪除數(shù)據(jù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄再生方法，其中探針具有使其前端產(chǎn)生磁場的部件和/或加熱磁記錄介質(zhì)的部件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的記錄再生方法，其中通過來自探針的磁場，使磁記錄介質(zhì)的磁化方向變化，記錄和/或檢測 格式信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的記錄再生方法，其中.-通過來自探針的磁場，使磁記錄介質(zhì)的磁化方向變化，記錄、再生和/或刪除數(shù)據(jù)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的記錄再生方法，其中一邊由探針加熱磁記錄介質(zhì)， 一邊使磁記錄介質(zhì)的磁化方向或磁各向 異性變化，從而記錄、再生和/或刪除數(shù)據(jù)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項所述的記錄再生方法，其中一邊由探針加熱磁記錄介質(zhì)， 一邊使磁記錄介質(zhì)的磁化方向或磁各向 異性變化，從而記錄和/或檢測格式信號。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項所述的記錄再生方法，其中一邊由探針加熱磁記錄介質(zhì)， 一邊使磁記錄介質(zhì)的磁化方向或磁各向 異性變化，從而形成保護(hù)帶。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1 7中任一項所述的記錄再生方法，其中一邊由探針加熱磁記錄介質(zhì)， 一邊使磁記錄介質(zhì)氧化，從而記錄數(shù)據(jù)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項所述的記錄再生方法，其中一邊由探針加熱磁記錄介質(zhì)， 一邊使磁記錄介質(zhì)氧化，從而記錄格式信號。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1 9中任一項所述的記錄再生方法，其中 進(jìn)一步， 一邊由探針加熱磁記錄介質(zhì)， 一邊使磁記錄介質(zhì)氧化，從而 形成保護(hù)帶。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1~10中任一項所述的記錄再生方法，其中 由多個探針一齊刪除磁記錄介質(zhì)的多個磁道。
12. —種磁記錄介質(zhì)的記錄再生方法，在磁記錄介質(zhì)表面配置按照數(shù)據(jù)和/或格式信號遮蔽后的掩模，經(jīng)過掩 模加熱或光照射所述磁記錄介質(zhì)，從而在該磁記錄介質(zhì)上記錄信號。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁記錄介質(zhì)的記錄再生方法，其中 通過加熱，使磁記錄介質(zhì)的磁各向異性變化，記錄數(shù)據(jù)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的磁記錄介質(zhì)的記錄再生方法，其中 通過加熱，使磁記錄介質(zhì)的磁各向異性變化，記錄格式信號。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12~14中任一項所述的磁記錄介質(zhì)的記錄再生方法，射進(jìn)一步，通過加熱，使磁記錄介質(zhì)的磁各向異性變化，從而形成保護(hù)帶。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12 15中任一項所述的磁記錄介質(zhì)的記錄再生方法，其中掩模按照數(shù)據(jù)和/或格式信號，具有光透過率不同的區(qū)域。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1 16中任一項所述的記錄再生方法，其中格式信號包含伺服信號和/或地址信息。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1~17中任一項所述的記錄再生方法，其中在磁記錄介質(zhì)的記錄面形成凹凸、基于溝的凹凸和/或基于凹坑的凹凸。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的記錄再生方法，其中同時加熱記錄面的溝和凹坑。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1 19中任一項所述的記錄再生方法，其中只在形成于磁記錄介質(zhì)的記錄面的凹凸的凸面記錄、再生和/或刪除數(shù)據(jù)。
21. —種磁記錄介質(zhì)的記錄再生裝置，具有按照使探針掃描磁記錄介質(zhì)的方式面向該磁記錄介質(zhì)的至少一個探 針陣列；和根據(jù)磁化方向的變化或磁各向異性的變化，記錄數(shù)據(jù)和/或格式信號的 磁記錄介質(zhì)，其中，所述探針具有檢測所述磁記錄介質(zhì)的格式信號的部件；在所 述磁記錄介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)和/或格式信號的部件；和再生所述磁記錄介質(zhì)的數(shù) 據(jù)的部件，所述記錄再生裝置在所述磁記錄介質(zhì)記錄、再生、刪除數(shù)據(jù)和/或格式乂+ 口
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的記錄再生方法，其中探針具有使其前端產(chǎn)生磁場的部件和/或加熱磁記錄介質(zhì)的部件。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21或22所述的記錄再生裝置，其中探針一邊與磁記錄介質(zhì)表面保持一定的距離或接觸， 一邊掃描磁記錄 介質(zhì)上。
24. 根據(jù)權(quán)利要求2"23中任一項所述的記錄再生裝置，其中 具有多個探針。
25. —種磁記錄介質(zhì)的記錄再生裝置，具有根據(jù)磁化方向的變化或磁各向異性的變化，記錄數(shù)據(jù)和/或格式信號的磁記錄介質(zhì)；配置在所述磁記錄介質(zhì)表面，按照數(shù)據(jù)和/或格式信號遮蔽后的掩模；和通過所述掩模向磁記錄介質(zhì)照射光的光源；經(jīng)過所述掩模向磁記錄介質(zhì)照射來自光源的光，按照數(shù)據(jù)和/或格式信 號，加熱磁記錄介質(zhì)，從而在磁記錄介質(zhì)上寫入信號。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的磁記錄介質(zhì)的記錄再生裝置，其中 掩模具有與數(shù)據(jù)和/或格式信號對應(yīng)的凹坑。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的磁記錄介質(zhì)的記錄再生裝置，其中 掩模具有與數(shù)據(jù)和/或格式信號對應(yīng)的光透過率不同的區(qū)域。
28. 根據(jù)權(quán)利要求25 27中任一項所述的磁記錄介質(zhì)的記錄再生裝置， 其中掩模還包括用于形成保護(hù)帶的透過率不同的區(qū)域。
29. 根據(jù)權(quán)利要求25 28中任一項所述的磁記錄介質(zhì)的記錄再生裝置，射光源是氣體激光器或YAG激光器。
30. —種磁記錄介質(zhì)，具有基板和由磁性材料構(gòu)成的記錄膜，其中 記錄基于磁化方向的變化或磁各向異性的變化的格式信號。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的磁記錄介質(zhì)，其中通過磁各向異性的變化，形成保護(hù)帶。
32. —種磁記錄介質(zhì)，具有基板和由磁性材料構(gòu)成的記錄膜，其中記錄基于由氧化膜形成的凹坑的格式信號。
33. 根據(jù)權(quán)利要求32所述的磁記錄介質(zhì)，其中還具有由氧化膜形成的保護(hù)帶。
34. 根據(jù)權(quán)利要求30 33中任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中 在記錄有格式信號的磁記錄介質(zhì)，通過磁化方向的變化或磁各向異性的變化，記錄數(shù)據(jù)。
35. 根據(jù)權(quán)利要求30 33中任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中 在記錄有格式信號的磁記錄介質(zhì)，通過氧化膜的形成，記錄數(shù)據(jù)。
36. 根據(jù)權(quán)利要求30 35中任一項所述的磁記錄介質(zhì)，其中 在基板表面和/或記錄膜表面形成凹凸、與記錄標(biāo)記對應(yīng)的凹凸、比記錄標(biāo)記的周期小的周期的凹凸和/或與記錄標(biāo)記的磁疇壁對應(yīng)的凹凸、基于 溝的凹凸和/或基于凹坑的凹凸。
37. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的磁記錄介質(zhì)，其中 只在磁記錄介質(zhì)的凸面記錄數(shù)據(jù)。
全文摘要
有在磁記錄介質(zhì)中有必要在每個盤中記錄伺服用凹坑，花費時間、成本的課題。一種光磁記錄介質(zhì)，在盤基板上至少在膜面垂直方向具有記錄膜，使記錄膜的磁化方向或磁各向異性變化，或者把記錄膜氧化為凹坑狀，形成格式信號。根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)，能大幅度提高盤的生產(chǎn)性、成本，取得穩(wěn)定的伺服特性，能實現(xiàn)優(yōu)異的特性的磁記錄介質(zhì)。
文檔編號G11B5/02GK101151661SQ20068001048
公開日2008年3月26日 申請日期2006年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日
發(fā)明者村上元良 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社