專利名稱：使用系統(tǒng)存儲器總線的存儲設(shè)備通信的制作方法
使用系統(tǒng)存儲器總線的存儲設(shè)備通信技術(shù)領(lǐng)域本公開涉及存儲設(shè)備的總線通信，尤其涉及在系統(tǒng)存儲器總線上 傳送存儲器系統(tǒng)參數(shù)和特性。
背景技術(shù)：
諸如RAM (隨機存取存儲器)這樣的半導(dǎo)體存儲器的溫度主要由 其活動水平(讀取和寫入存儲單元的速率)及其環(huán)境決定。如果溫度變 得太高，則保存在存儲器中的數(shù)據(jù)可能被破壞或丟失。此外，在較高 的溫度下，功耗可能增大。此外，隨著固態(tài)存儲器的溫度增加，存儲器以更快的速率丟失電 荷。如果存儲器丟失電荷，則其丟失保存在其存儲單元中的數(shù)據(jù)。 RAM芯片具有自刷新電路，以便定期恢復(fù)所丟失的電荷。隨著溫度 增加，必須增加自刷新速率以避免丟失數(shù)據(jù)。為了保持低刷新速率并防止損壞存儲器或丟失數(shù)據(jù)，必須知道關(guān) 于存儲器溫度的一些信息。溫度信息越準確，就可以允許存儲器越熱 運行并且刷新速率可以越低而沒有數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險。如果溫度信息不 可靠或不準確，則存儲器將以比所需更低的訪問速率或比所需更快的 刷新速率運行，以便提供一些誤差容限。換句話說，通過增加準確性， 可以減少溫度控制的保護間隔。這使得能夠增加存儲器的性能。準確 的溫度信息還可用于控制冷卻風(fēng)扇和其它熱量控制。存儲器通常以模塊來封裝，其中所述模塊包含幾個相似或相同的 IC(集成電路)芯片，諸如DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片。依賴于 其使用水平、可用冷卻及其自己獨有的特性，每個芯片的溫度可以不 同。存儲模塊上的其它設(shè)備也可以具有不同的溫度。為了有效，應(yīng)當 將溫度信息提供給一些用于調(diào)節(jié)存儲器的參數(shù)的系統(tǒng)，所述參數(shù)諸如 數(shù)據(jù)傳輸速率，時鐘速率，熱量控制系統(tǒng)，諸如風(fēng)扇，以及自刷新速 率。為了準確監(jiān)控這樣的存儲模塊的所有方面，必須使用昂貴的資源 向一個設(shè)備傳輸所有溫度信息，其中該設(shè)備能夠解釋該信息并在必要 時執(zhí)行某些動作。溫度讀取量越大并且收集頻率越高，滿足需求所需 資源越大。還有許多關(guān)于錯誤檢測、安全性、使用等的其它系統(tǒng)參數(shù) 和特性需要從存儲器傳送?，F(xiàn)有用于將系統(tǒng)存儲器連到存儲器控制器的通信資源用于發(fā)送要從存儲體(memory bank)讀取或要寫入存儲體 的數(shù)據(jù)。任何額外的電路或通信接口可能顯著增加存儲模塊的成本。


通過閱讀以下的說明書和所附權(quán)利要求，并通過參考下列附圖，本發(fā)明實施例的各種優(yōu)點將對本領(lǐng)域技術(shù)人員變得明顯，其中圖1是計算機系統(tǒng)的一部分的方框圖，該計算機系統(tǒng)包括根據(jù)本發(fā)明一個實施例的存儲模塊和存儲器控制器；圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實施例發(fā)送命令的處理流程圖； 圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例發(fā)送溫度值的處理流程圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的存儲設(shè)備的方框圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的替換的存儲設(shè)備的方框圖；以及 圖6是適用于實施本發(fā)明實施例的計算機系統(tǒng)的方框圖。
具體實施方式
圖1示出存儲單元10，其具有多個存儲設(shè)備12 (12a-12n)以及耦 合到存儲設(shè)備12的溫度測量模塊14。存儲單元10可以是通常用于 筆記本個人計算機(PC)的SO-DIMM (小型雙列直插式存儲模塊)。 SO-DIMM 10可以具有支持64比特傳輸?shù)?40引腳、144引腳、或 72引腳配置，或?qū)?yīng)于DIMM (雙列直插式存儲模塊)結(jié)構(gòu)或其它結(jié) 構(gòu)的任何其它支持不同傳輸速率的各種不同引腳配置?？蛇x地，存儲 單元10可以是微型DIMM、或更通常用于桌面PC的全尺寸DIMM。 此外，存儲設(shè)備12可以是SDRAM (同步動態(tài)隨機存取存儲器)設(shè)備， 其具有相對高的瞬變電流浪涌(current surge transients)并因此易受過 熱影響。但是，本發(fā)明的實施例可應(yīng)用于任何類型的對溫度敏感的存 儲器。存儲單元包括幾個SDRAM設(shè)備12a、 12b、 12c、 12d。雖然只 示出4個SDRAM設(shè)備，但可以使用更多或更少數(shù)量的存儲設(shè)備。溫 度測量模塊14直接或間接測量一個或多個存儲設(shè)備12的內(nèi)部溫度。 該溫度測量模塊可以在一個或多個各種不同位置使用熱傳感器。在一 個實施例中，每個DRAM具有其獨立的溫度傳感器，而不是每個 DRAM共用一個溫度傳感器。在另一個實施例中，溫度傳感器的一 些部分位于每個DRAM上而其它部分位于公共單元中。雖然本發(fā)明 是以承載一組DRAM的DIMM來描述的，但它也可以被應(yīng)用于其它 各種配置。例如， 一個或多個DRAM可以直接耦合到總線，而不使 用承載它們的模塊，或者這些DRAM可以由除了 DIMM以外的其它 一些設(shè)備來承載。存儲單元10通過存儲器總線24耦合到MCH (存儲器控制器集線 器)22，而存儲單元的串行存在檢測(SPD)設(shè)備18通過SMBus 28耦 合到ICH (輸入/輸出控制器集線器)34。 SPD保存基本輸入/輸出系統(tǒng) (BIOS，未示出)在系統(tǒng)啟動時所用的配置信息(例如，模塊大小、數(shù) 據(jù)寬度、速度和電壓)。它通過耦合到SPD設(shè)備18的系統(tǒng)管理總線 (SMBus) 28傳輸數(shù)據(jù)。熱傳感器14可以集成到SPD中或作為單獨部 件實現(xiàn)。在一個實例中，系統(tǒng)管理總線28是I2C (集成電路間)總線(例 如，12C規(guī)范，2.1版，飛利浦半導(dǎo)體，2000年l月)，其能夠在物理 上由兩個有效導(dǎo)線和接地組成。所述有效導(dǎo)線被稱為串行數(shù)據(jù)線 (SDA)和串行時鐘線(SCL)，它們都是雙向的。系統(tǒng)管理總線28還能夠在SMBus框架(例如，SMBus規(guī)范，2.0 版本，SBS實施者論壇，2000年8月)下工作。SMBus接口使用I2C 作為其主干，并支持多個部件來回傳遞消息而非在各個控制線上傳 輸。這種方法對個人計算機體系結(jié)構(gòu)中的系統(tǒng)存儲器尤其有用。ICH耦合到MCH且還耦合到CPU (中央處理單元)36，其中CPU 向系統(tǒng)存儲器10發(fā)送數(shù)據(jù)并從系統(tǒng)存儲器10獲取數(shù)據(jù)。在所述實施 例中，系統(tǒng)存儲器向MCH發(fā)送數(shù)據(jù)并從MCH接收數(shù)據(jù)，MCH控制
存儲器的讀寫周期及其刷新速率。連接MCH和系統(tǒng)存儲器的系統(tǒng)存 儲器總線24可以攜帶命令和地址以及從存儲器讀取的數(shù)據(jù)或?qū)懭氪?儲器的數(shù)據(jù)。ICH將保存的數(shù)據(jù)從系統(tǒng)存儲器傳送到其它設(shè)備(未示出)。這三 個設(shè)備中的一個或多個可以被合并為單個單元。MCH可以被并入 CPU或ICH，并且所有三個設(shè)備的功能可以被組合到單個芯片中。 來自ICH的感應(yīng)溫度可以被發(fā)送到MCH或CPU,然后MCH或CPU 可以調(diào)整刷新速率或執(zhí)行其它動作。對于存儲設(shè)備以及允許對存儲設(shè)備進行讀取和寫入的鏈路，有多 種不同的標準。 一個這樣的標準是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會的DDR2 SDRAMJESD79-2A標準(2004年1月)。這一標準為通信總線的各個 引腳分配了功能并設(shè)置了在總線上進行通信所用的值。其它標準可以 以相似的方法分配功能和值。上述DDR2 SDRAM標準將DRAM芯 片的連接進行如下分配CK時鐘輸入CKE時鐘使能CS芯片選擇CS提供外部存儲列(mnk)選擇 ODT片內(nèi)終結(jié)器RAS，CAS,WE命令輸入定義輸入的命令DM (UDM), (LDM)輸入數(shù)據(jù)屏蔽BA0-BA2存儲體地址輸入A0-A15地址輸入提供命令的行和列地址DQ雙向數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)輸入/輸出DQS數(shù)據(jù)選通NC無連接無內(nèi)部電氣連接VDDQ DQ電源VSSQDQ接地VDDL DLL電源VSSDLDLL接地VDD電源 vss電源接地VREF參考電壓使用這些引腳可以提供各種不同命令和功能。這可能包括存儲 列激活、讀和寫存取模式、預(yù)充電、自動預(yù)充電、刷新、自刷新、下 電、異步CKE低事件、預(yù)充電下電期間輸入時鐘頻率改變、無操作 命令、以及反選擇命令。上述不同的引腳或連接器用于不同的命令。 例如，刷新、自刷新、下電和時鐘命令未使用地址線。此外，對于一 些命令，諸如讀和寫模式，使用數(shù)據(jù)線；而對于其它命令，諸如存儲 列激活和刷新、未使用數(shù)據(jù)線。在本發(fā)明的一個實施例中，DRAM數(shù)據(jù)總線地址線可以用于在 刷新周期中發(fā)出命令，而DRAM數(shù)據(jù)總線輸出可以用于在該刷新周 期中傳遞設(shè)備信息。刷新周期定期進行以維持存儲器的內(nèi)容，但存儲 元件(memorycdl)在該周期中不在數(shù)據(jù)總線上提供任何數(shù)據(jù)。這一可 用的、未用的帶寬可以用于提供來自每個DRAM的其它類型的信息。可用的數(shù)據(jù)總線帶寬可以用來允許每個DRAM提供溫度信息而 不增加新信號或消耗命令帶寬的新DRAM命令。其它類型的DRAM 設(shè)備信息還可以通過命令發(fā)送，諸如寄存器編程。例如，對于目前的 DRAM標準，諸如DDR、 DDR2和DDR3，使用自動刷新命令周期 來命令DRAM存儲元件進行刷新。該命令未向DRAM發(fā)送其它信息 或命令，且DRAM未向存儲器控制器提供信息。通過對DRAM地址線應(yīng)用額外信息，附加的命令可以與自動刷 新命令一起被傳遞至DRAM。該命令可以用于指示應(yīng)當由DRAM設(shè) 備使用適當?shù)臅r隙在數(shù)據(jù)總線上驅(qū)動指定類型的設(shè)備信息。要傳遞的 這類信息可以通過在自動刷新命令傳遞過程中設(shè)置各個地址信號為 邏輯0或1來指定。相似的方法可以用于除自動刷新以外的不需要使 用某些線路的其它命令。更具體地考慮自動刷新命令的實例，這一命令未對BA00-02線路或A0到A15線路的使用設(shè)置任何要求。換句話說，這些線路可以 設(shè)置為任何值而不會影響自動刷新命令。在一個實例中，存儲器控制 器發(fā)送自動刷新命令，然后設(shè)置地址線A10為指定值。地址線A10
可以被定義，以用于告訴DRAM是否要進行正常的自動刷新或在進 行自動刷新前在數(shù)據(jù)總線上發(fā)送熱量數(shù)據(jù)。因此，例如，當A10是 "0"時，DRAM可以將自動刷新命令視為正常。當A10是"1"時， DRAM先在數(shù)據(jù)總線上發(fā)送熱量數(shù)據(jù)以便存儲器控制器讀取，然后 進行自動刷新。這樣，熱量數(shù)據(jù)讀取命令可以在地址線上發(fā)出。通過使用A10來命令DRAM讀出熱量數(shù)據(jù)，熱量數(shù)據(jù)可以由存 儲器控制器獲取，而不影響存儲器的讀和寫訪問時間。此外，使用了 未用的存儲器總線能力，避免了溫度信息對不同或額外總線的需要。 如上所述，雖然在DDR標準的情況下使用自動刷新命令作為實例， 但其它命令也可用于此類或其它類型的存儲器標準?？梢酝ㄟ^使用模 式寄存器設(shè)置命令設(shè)置DRAM中指定的模式寄存器比特來支持其它 命令。模式寄存器設(shè)置命令在DDR存儲器標準中提供，如上所述。存儲設(shè)備接收到提供信息的命令后，所請求的信息可以以各種不 同方式被返回?？梢詾樗埱蟮男畔⑻峁┨厥獾倪B接器或總線，或按 照已成為通信和控制標準一部分的協(xié)議或交換，將該信息與其它信息 一起提供。在一個實施例中，在相關(guān)的數(shù)據(jù)線上，直接響應(yīng)于命令線 上所接收的請求而提供所請求的信息。在DDR標準存儲器總線中， 提供雙向數(shù)據(jù)總線(DQ)。以與所保存的存儲器數(shù)據(jù)發(fā)送到存儲器控制 器相同或相似的方法，來自每個DRAM的溫度信息可以在DQ總線 上直接發(fā)送到存儲器控制器。更新技術(shù)的存儲器數(shù)據(jù)總線允許為每個存儲設(shè)備或DRAM芯片 發(fā)送大量溫度數(shù)據(jù)。溫度數(shù)據(jù)可以是單個溫度、不同時間采集的多個 溫度、 一個芯片中不同位置采集的多個溫度或任何其它溫度信息。如 果使用DDR3存儲器的標準DQ總線，每個DRAM在其64個引腳中 的每一個上每個時鐘發(fā)送4比特。在一個脈沖周期中，有4個時鐘， 因此可以從每個DRAM接收64個8比特字節(jié)的數(shù)據(jù)。64字節(jié)可以 用于表示很高精度的幾個溫度測量結(jié)果。由于DRAM設(shè)備有不同的 數(shù)據(jù)總線寬度(x4、 x8、 x16)，因此有可能選擇多于一個設(shè)備信息字 段在更寬的數(shù)據(jù)總線設(shè)備上傳遞。例如， 一個x8設(shè)備在單個周期中 將分發(fā)一個x4設(shè)備兩倍的數(shù)據(jù)，因此能夠同時提供兩個單獨的8比
特設(shè)備數(shù)據(jù)字段以便單個8比特字段能夠通過x4設(shè)備傳遞。對單列模塊，在每個時鐘上以四位組(nibble)格式接收信息。在 DDR3標準中，對于多數(shù)移動和桌面應(yīng)用， 一個脈沖有8個時鐘，這 允許以每時鐘一個四位組有最多8個數(shù)據(jù)四位組來表示每個DRAM 上熱傳感器的溫度。在每四位組4比特時，使用標準的脈沖以及為不 同存儲器配置所分配的引腳數(shù)量，提供了 32比特。還允許很高的精 度。對于雙列模塊，有兩倍的單獨DRAM設(shè)備。這還允許每個DRAM 有16比特溫度數(shù)據(jù)，達到大于65000個溫度級別?？蛇x地，由于可 能需要許多DRAM的溫度，因此可以通過使用兩個讀周期或一半的 讀周期來維持64比特精度。進行類似的修改，也可以提供其它變型。圖2示出使用存儲器總線獲取溫度數(shù)據(jù)的一般事件流。在方框2 中，存儲模塊在系統(tǒng)存儲器總線上接收到第一命令。第一命令可以是 未使用所有地址線的各種不同命令中的任何一個。這些線路如上被標 為線路A0到A15。典型地，這些命令除讀或?qū)懨钜酝獾娜魏蚊睢?在DDR命令結(jié)構(gòu)中， 一個這種命令是自動刷新命令。在其它命令結(jié) 構(gòu)中可以使用其它命令。在方框3中，第二命令與第一命令一起接收。如上所述，第二命 令可以使用第一命令未使用的線路(諸如地址線)發(fā)出的。在上述特定 實例中，在自動刷新命令中一個這種線路是A10線路，但是，可以 使用其它線路來代替。在方框4中，存儲模塊通過例如進行自動刷新來執(zhí)行第一命令， 在方框5中，存儲模塊通過例如發(fā)送溫度值來執(zhí)行第二命令。取決于 命令的性質(zhì)，這些操作可以以任意順序執(zhí)行。在自動刷新以及讀取溫 度值的實例中，可以先讀取溫度值以便提供更快的響應(yīng)。圖3示出通過系統(tǒng)存儲器總線向外部設(shè)備提供溫度數(shù)據(jù)這一過 程所執(zhí)行的操作?？梢皂憫?yīng)于命令、或者基于內(nèi)部事件或定時提供溫 度信息。在方框6中，從存儲模塊的熱傳感器系統(tǒng)向該存儲模塊的存 儲器數(shù)據(jù)讀緩沖區(qū)提供溫度值。該數(shù)據(jù)讀緩沖區(qū)可以提供到存儲器總 線的接口。在方框7中，以存儲器總線的數(shù)據(jù)格式，從存儲器數(shù)據(jù)讀 緩沖區(qū)向系統(tǒng)存儲器總線提供溫度值。該格式可以包含在數(shù)據(jù)讀脈沖
期間發(fā)送的數(shù)據(jù)四位組。圖4示出存儲設(shè)備的實例，諸如圖1的DRAM芯片12之一，用 于如上結(jié)合圖2和3所述在數(shù)據(jù)總線上提供溫度信息。在圖4中，存 儲設(shè)備40有一組存儲塊41。每個塊有 一組存儲體陣列42，用于保 存數(shù)據(jù)；感應(yīng)放大器44，耦合到存儲器陣列以用于將所保存的數(shù)據(jù) 到驅(qū)動讀線路上；以及I/0(輸入/輸出)門控邏輯46，用于將數(shù)據(jù)傳輸 出DRAM芯片。當所保存的存儲器數(shù)據(jù)被讀取到存儲器總線24以發(fā)送到存儲器 控制器時，I/O門控邏輯將所保存的數(shù)據(jù)應(yīng)用到將數(shù)據(jù)組合為四位組 的多路復(fù)用器以及應(yīng)用到讀緩沖區(qū)50。當讀命令52被選通到多路復(fù) 用器上時，數(shù)據(jù)被應(yīng)用到緩沖區(qū)50，從該緩沖區(qū)中該數(shù)據(jù)被在線路 放大器54中放大并在總線上發(fā)送。緩沖區(qū)50包括DLL(延遲鎖定回 路)和FIFO (先進先出緩沖區(qū))，用于調(diào)節(jié)數(shù)據(jù)選通信號的輸入定時以 及微調(diào)所有輸出信號的定時。緩沖區(qū)有一組延遲元件，其可被校準以 匹配參考時鐘。類似地，來自存儲器控制器的、要寫入DRAM地址的數(shù)據(jù)被在 存儲設(shè)備中由耦合到存儲器總線的放大器56放大，并應(yīng)用到一組寫 緩沖區(qū)58中。數(shù)據(jù)從寫緩沖區(qū)被應(yīng)用到適當?shù)拇鎯K的I/O門控邏 輯。為了在存儲器總線上發(fā)送溫度測量結(jié)果而非所保存的數(shù)據(jù)，可以 將一組溫度寄存器60應(yīng)用于存儲設(shè)備上的同一個多路復(fù)用器48，其 中該多路復(fù)用器從DRAM存儲塊接收數(shù)據(jù)。當接收到發(fā)送溫度數(shù)據(jù) 的命令時，溫度寄存器被讀取并且被耦合到多路復(fù)用器，其中該多路 復(fù)用器進行切換以發(fā)送所保存的溫度測量結(jié)果而非所保存的數(shù)據(jù)。然 后，以處理任何數(shù)據(jù)相似的方式，溫度值可以被應(yīng)用到讀緩沖區(qū)50 而后被放大到存儲器總線上。通過將溫度數(shù)據(jù)應(yīng)用到讀數(shù)據(jù)緩沖區(qū)， 可以使用標準數(shù)據(jù)操作所用的現(xiàn)有定時和信號邏輯。這簡化了存儲設(shè) 備并確保了溫度測量結(jié)果的可靠傳輸。圖4還示出存儲設(shè)備的溫度測量系統(tǒng)一部分的簡化版本。在圖4 中，溫度傳感器和控制塊62從設(shè)備上的一個或多個位置收集溫度信
息。在一個實施例中，從每個DRAM塊上的傳感器測量溫度。這些 溫度被溫度傳感器和控制塊62轉(zhuǎn)換為能夠在存儲器總線24上發(fā)送的 數(shù)字值。該塊還可以將溫度與保存在閾值寄存器64中的閾值進行比 較。閾值比較可以用于生成標志或警告或用于其它監(jiān)控目的。閾值可 以被預(yù)編程，由存儲設(shè)備進行設(shè)置，由存儲模塊進行設(shè)置，或通過存 儲器總線上的命令來遠程設(shè)置。圖5示出存儲設(shè)備的另一個實例，諸如上面結(jié)合圖4所述的用于 在數(shù)據(jù)總線上提供溫度信息的DRAM芯片。在圖5中，存儲設(shè)備70 有一組存儲塊71。每個塊有 一組存儲體陣列72，用于保存數(shù)據(jù)； 一組感應(yīng)放大器74，耦合到存儲器陣列以將所保存的數(shù)據(jù)驅(qū)動到讀 線路上；以及I/O (輸入/輸出)門控邏輯76，用于將數(shù)據(jù)傳出DRAM心片o所保存的存儲器數(shù)據(jù)被從各個存儲元件78讀出，通過隔離晶體 管82，進入到感應(yīng)放大器陣列中的放大器。隔離晶體管82保護各個 存儲元件上的數(shù)據(jù)以防止其被放大器和其它組件中的其它動作破壞。 由向讀緩沖區(qū)90發(fā)送數(shù)據(jù)的I/O門控邏輯將數(shù)據(jù)從感應(yīng)放大器應(yīng)用 到存儲器總線24。數(shù)據(jù)在線路放大器84中放大并通過總線發(fā)送。要 寫入DRAM地址的數(shù)據(jù)在存儲模塊中被耦合到存儲器總線的放大器 86放大，并應(yīng)用到一組寫緩沖區(qū)88。從寫緩沖區(qū)中，它被應(yīng)用到適當?shù)拇鎯K的i/o門控邏輯。存儲設(shè)備還包含溫度傳感器和控制塊92，其耦合到閾值寄存器 94和溫度值寄存器90。當要讀取溫度值寄存器時，它們被應(yīng)用于多 路復(fù)用器78。該多路復(fù)用器插入在各個存儲器比特元件和感應(yīng)放大 器邏輯之間，并可以切換以便以類似于圖4的多路復(fù)用器48的方式 提供所保存的存儲器數(shù)據(jù)或溫度值。通過經(jīng)感應(yīng)放大器而非如圖4中 直接向讀緩沖區(qū)發(fā)送溫度值，可以使用感應(yīng)放大器和I/O門控邏輯的 優(yōu)點。這進一步增強了溫度通信的可靠性并減少了溫度數(shù)據(jù)設(shè)備的重 復(fù)。在圖5的配置中，溫度寄存器可以被做成DRAM存儲器陣列72 的一部分。溫度值可以被保存在擴展存儲元件中，并可以使用特殊地 址以向I/O門控邏輯發(fā)送所述溫度值。可以修改圖4和5的實例以適
合任何具體應(yīng)用。此外，本發(fā)明的實施例可以應(yīng)用于其它類型的存儲 設(shè)備和系統(tǒng)。圖6示出適于合并有本發(fā)明的實施例的計算機系統(tǒng)的實例。MCH 芯片、北橋、或主控制器663將一個或多個CPU (中央處理單元)613、 615與存儲器和I/0設(shè)備接合在一起，并可以提供許多特性，諸如增 強的性能、可靠性、可用性和可服務(wù)性、系統(tǒng)管理以及CPU的熱插 拔。MCH可以包括I/O組、存儲器控制器、監(jiān)聽過濾器、以及許多 用于處理業(yè)務(wù)的邏輯。盡管圖6的實例包括耦合到MCH和ICH (輸 入/輸出控制器集線器)665的微處理器，但是MCH或ICH或兩者或 這些芯片的任何功能都可以被并入到微處理器中。MCH和ICH還可 以整體或部分地合并到微處理器內(nèi)部或外部。在圖6的實例中，MCH 611有一對FSB (前端總線)，每個FSB 耦合到CPU或處理器內(nèi)核613、 615?？梢允褂枚嘤诨蛏儆趦蓚€處理 器內(nèi)核和FSB?？梢允褂萌魏螖?shù)量的不同CPU和芯片組。北橋通過 FSB接收來自處理器內(nèi)核的讀、寫和獲取指令并執(zhí)行這些指令。北橋 還可以有系統(tǒng)存儲器總線，諸如到系統(tǒng)存儲器667的圖1的總線24， 以及到ICH (輸入/輸出控制器集線器)665的接口，其中所述系統(tǒng)存 儲器諸如與圖1中所示相似的DIMM (雙列直插式存儲模塊)，在該 DIMM中保存指令和數(shù)據(jù)。MCH還有一個接口，諸如PCI (外設(shè)組件互連)Express、或AGP (加速圖形端口)接口，以與圖形控制器641相耦合，該圖形控制器又 向顯示器637提供圖形和可能的音頻。PCI Express接口還可用于耦 合到其它高速設(shè)備。在圖6的實例中，示出6條x4 PCI Express線路。 兩條線路連到TCP/IP(傳輸控制協(xié)議/網(wǎng)際協(xié)議)卸載引擎617，其中所 述TCP/IP卸載引擎可連到網(wǎng)絡(luò)或諸如千兆以太網(wǎng)控制器639這樣的 TCP/IP設(shè)備。兩條線路連到I/O處理器節(jié)點619，其中所述I/O處理 器節(jié)點能夠支持使用SCSI (小型計算機系統(tǒng)接口)、 RAID (獨立磁盤 冗余陣列)或其它接口的存儲裝置621。另兩條線路連到PCI轉(zhuǎn)譯集線 器623，其中所述PCI轉(zhuǎn)譯集線器可支持連接PCI-X 625和PCI 627 設(shè)備的接口 。 PCI Express接口可支持比這里所示更多或更少的設(shè)備。
此外，盡管描述了 PCI Express和AGP，但是MCH可用于支持其它 協(xié)議和接口，來替換或補充所描述的那些。ICH665向許多不同設(shè)備提供了可能的連通性。這些連接可使用 已確定的慣例和協(xié)議。這些連接可以包括LAN (局域網(wǎng))端口 669、 USB集線器671、以及本地BIOS (基本輸入/輸出系統(tǒng))閃存673。 SIO (超級輸入/輸出)端口 675可以為具有按鈕和顯示屏的前置面板677、 鍵盤679、鼠標6S1、以及諸如紅外線發(fā)射器或遙控傳感器的紅外設(shè) 備685提供連通性。1/0端口還可以支持軟盤、并行端口、以及串行 端口連接?？蛇x地，任何一個或多個這種設(shè)備可以從USB、 PCI或任 何其它類型的總線或互連得到支持。ICH還可以提供IDE(集成設(shè)備電路)總線或SATA(串行高級技術(shù) 附加裝置)總線，用于連接到盤設(shè)備687、 689或其它大型存儲設(shè)備。 大容量存儲裝置包括硬盤驅(qū)動器和光盤驅(qū)動器。因此，例如，軟件程 序、參數(shù)或用戶數(shù)據(jù)可以被保存在硬盤驅(qū)動器或其它驅(qū)動器上。PCI (外設(shè)組件互連)總線691耦合到ICH并允許多種設(shè)備和端口耦合到 ICH。圖6中的實例包括WAN(廣域網(wǎng))端口 693、無線端口 695，數(shù) 據(jù)卡連接器697、以及視頻適配卡699。有更多設(shè)備可連接到PCI端 口并且有更多可能的功能。PCI設(shè)備可以允許連接到本地設(shè)備、或鄰 近計算機。它們還允許連接到各種外設(shè)，諸如打印機、掃描儀、刻錄 機、顯示器等。它們還允許有線或無線連接到更多遠程設(shè)備或多個不 同接口中的任意接口。任何附接設(shè)備的具體特性可用于該設(shè)備的指定用途。任意的一個 或多個設(shè)備、總線、或互連都可從被該系統(tǒng)中去除，并且可以增加其 它部分。例如，可以通過PCI Express總線或通過主機控制器的集成 圖形部分在PCI總線上、在AGP總線上提供視頻。要明白的是，對于某些實現(xiàn)，比上述實例配備更少或更多的存儲 單元、存儲模塊、熱傳感器、熱量管理、或計算機系統(tǒng)可能是優(yōu)選的。 因此，取決于諸如價格限制、性能需求、技術(shù)改進、或其它環(huán)境等的 多種因素，上面提供的實例的構(gòu)造可以隨具體實現(xiàn)而不同。本發(fā)明的 實施例還可用于除此處所描述的實例以外的其它類型的存儲器系統(tǒng)和其它熱環(huán)境。盡管本發(fā)明描述了在通信總線上請求并發(fā)送存儲器數(shù) 據(jù)，但也可以請求并發(fā)送其它類型的數(shù)據(jù)。 一些其它類型的信息的實 例包括檢錯和修正數(shù)據(jù)，諸如可修正或不可修正的錯誤、允許或限制 訪問存儲器特定部分的命令、模式檢測數(shù)據(jù)、以及訪問日志。本發(fā)明的實施例可以作為計算機程序產(chǎn)品來提供，所述計算機程 序產(chǎn)品可以包括在其上保存有指令的機器可讀介質(zhì)，其中所述指令可 用于對通用計算機、模式分發(fā)邏輯、存儲器控制器或其它電子設(shè)備進 行編程以執(zhí)行處理。機器可讀介質(zhì)可以包括、但不限于軟盤、光盤、 CD-ROM、以及磁光盤、ROM、 RAM、 EPROM、 EEPROM、磁或光 存儲卡、閃存、或適合保存電子指令的其它類型的媒體或機器可讀介 質(zhì)。此外，本發(fā)明的實例還可以作為計算機程序產(chǎn)品來下載，其中可 以以通過通信鏈路(例如，調(diào)制解調(diào)器或網(wǎng)絡(luò)連接)的載波或其它傳播 介質(zhì)中包含的數(shù)據(jù)信號的方式，將程序從遠程計算機或控制器傳輸?shù)?請求的計算機或控制器。在上述說明中，闡述了許多特定細節(jié)。但是，應(yīng)當理解沒有這些 特定細節(jié)也可以實施本發(fā)明的實施例。例如，可以用公知的等價材料 代替這里所述的那些材料，類似地，可以用公知的等價技術(shù)代替所公 開的具體處理技術(shù)。在其它實例中，公知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)并未詳 細示出，以免使本說明書難以理解。盡管本發(fā)明的實施例是針對幾個實例描述的，但本領(lǐng)域技術(shù)人員 可以認識到，本發(fā)明不限于所描述的實施例，而可以在所附權(quán)利要求 的本質(zhì)和范圍內(nèi)用修改或替換來實施。因此該說明書被認為是說明性 而非限制性的。
權(quán)利要求
1、一種方法，包括由存儲設(shè)備在存儲器總線上接收第一命令，所述第一命令是除讀或?qū)懨钜酝獾钠渌?；以及接收與所述第一命令一起的第二命令，所述第二命令是使用所述第一命令未用的線路發(fā)出的。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一命令是自動刷 新命令。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二命令是溫度值 讀取命令。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二命令是通過將 所述第一命令的地址引腳設(shè)置為高或低而發(fā)出的。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二命令是讀取所 述存儲器的溫度值并在所述存儲器總線上提供所述溫度值的命令。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括響應(yīng)于所述第二命令， 在所述存儲器總線上以所述存儲器總線的數(shù)據(jù)格式提供來自所述存 儲設(shè)備的熱傳感器系統(tǒng)的溫度值。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，提供溫度值的步驟包括: 在所述存儲器總線的數(shù)據(jù)讀脈沖周期中，提供數(shù)據(jù)四位組。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，提供溫度值的步驟包括-將耦合在所述存儲設(shè)備的存儲器陣列和數(shù)據(jù)讀緩沖區(qū)之間的多路復(fù) 用器從所述存儲器陣列切換到溫度值保存寄存器。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，提供溫度值的步驟包括: 將耦合在所述存儲設(shè)備的存儲器陣列和所述存儲設(shè)備的感應(yīng)放大器 之間的多路復(fù)用器從所述存儲器陣列切換到溫度值保存寄存器。
10、 一種制品，包括包含數(shù)據(jù)的機器可讀介質(zhì)，所述數(shù)據(jù)當由機器執(zhí)行時，使得所述機器執(zhí)行以下操作，包括由存儲設(shè)備在存儲器總線上接收第一命令，所述第一命令是除讀 或?qū)懨钜酝獾钠渌睿灰约敖邮张c所述第一命令一起的第二命令，所述第二命令是使用所述 第一命令未用的線路發(fā)出的。
11、 根據(jù)權(quán)利要求io所述的制品，其中，所述第二命令是通過將所述第一命令的地址引腳設(shè)置為高或低而發(fā)出的。
12、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的制品，其中，所述第二命令是讀取 所述存儲器的溫度值并在所述存儲器總線上提供所述溫度值的命令。
13、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的制品，還包含數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)當由機 器執(zhí)行時，使得所述機器響應(yīng)于所述第二命令而執(zhí)行進一步的操作， 包括在所述存儲器總線上以所述存儲器總線的數(shù)據(jù)格式提供來自所述存儲設(shè)備的熱傳感器系統(tǒng)的溫度值。
14、 一種裝置，包括存儲設(shè)備，其耦合到存儲器總線，以從所述存儲器總線接收第一命令，所述第一命令是除讀或?qū)懨钜酝獾钠渌?；以及溫度傳感器控制模塊，用于接收第二命令，所述第二命令是使用 所述第一命令未用的線路與所述第一命令一起發(fā)送的。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述第一命令是自動刷新命令。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述溫度傳感器控制 塊還包括溫度值寄存器以保存所測量的溫度值，并且其中，所述溫度 傳感器和控制塊以所述存儲器總線的數(shù)據(jù)格式向所述存儲器總線提 供所述溫度值。
17、 一種裝置，包括 存儲器控制器；存儲器總線，其耦合到所述存儲器控制器；以及存儲設(shè)備，其耦合到所述存儲器總線，以通過所述存儲器總線從所述存儲器控制器接收命令，其中，所述存儲器控制器向所述存儲設(shè)備發(fā)送第一命令以及與所述第一命令一起的第二命令，所述第二命令是使用所述第一命令未用的存儲器總線的線路發(fā)送的。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中，所述第一命令是自動 刷新命令。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中，所述第二命令是溫度 測量結(jié)果讀取命令。
全文摘要
關(guān)于物理參數(shù)和安全的數(shù)據(jù)以及發(fā)送這樣的數(shù)據(jù)的命令可以在存儲設(shè)備(10)和存儲器控制器(22)之間使用連接兩者的存儲器總線(24)進行傳送。在一個實施例中，本發(fā)明包括存儲設(shè)備在存儲器總線上接收第一命令，該第一命令是除讀或?qū)懨钜酝獾钠渌?；以及接收與第一命令一起的第二命令，該第二命令是使用第一命令未用的線路發(fā)出的。
文檔編號G11C5/00GK101133403SQ200680006452
公開日2008年2月27日 申請日期2006年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日
發(fā)明者A·米什拉, B·納萊, D·懷亞特, J·施, S·賈殷, T·斯凱爾頓 申請人:英特爾公司