專利名稱：用于優(yōu)化的寫入策略控制的設備和方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于在記錄處理中優(yōu)化寫入策略的設備和方法， 其中所述記錄處理用于在光盤上記錄信息。本發(fā)明特別涉及優(yōu)化所述 寫入策略中的一個或多個寫入?yún)?shù)。
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對于光學介質記錄所需要的激光功率的最優(yōu)數(shù)量尤其取決于特定 的介質、取決于記錄速度并且可能甚至取決于所述介質上的位置。提 供正確的功率是非常重要的，這是因為不正確的激光功率設置可能會 導致不正確的光學效應，比如過小或過大的效應。由于將被記錄的數(shù)
據(jù)是由所述光學效應在所述介質上的圖案(pattern)所代表的，因此 這可能導致不正確的信息記錄。
在當代的CD和DVD驅動器以及下一代BD驅動器中，必須非常
精確地控制用來在盤上寫入數(shù)據(jù)的激光功率和寫入策略。這在當前可 以按照以下方式進行。在內半徑處對抖動進行了優(yōu)化(OPC，最優(yōu)功
率控制)之后，在所找到的最優(yōu)設置下測量不對稱性。在寫入了幾條 (例如約IOO條)軌道之后，讀回最后一條軌道，并且測量所述不對稱 性。當該軌道看起來比所找到的最優(yōu)設置具有更高的不對稱性時，減 小寫入功率，并且如果該軌道具有過小的不對稱性，則增大寫入功率。 這種對寫入功率進行半連續(xù)適配的方法被稱作步行式OPC (walking OPC),這是因為只在指定的步驟(位置)處修改寫入功率。
因為當前只測量一個參數(shù)(所述不對稱性)，因此只能適配一個 參數(shù)(寫入功率)。這樣，只考慮到從內直徑到外直徑的一次性寫入 堆疊中所需要的寫入功率中的變化。由于所述一次性寫入堆疊中的各 層(例如染料層、鏡面層和電介質層)的厚度變化以及由于不同的線 速度(在CAV模式下不是恒定的)，不僅所需要的功率會發(fā)生變化， 而且最優(yōu)寫入策略也可能會發(fā)生變化。在當前可以買到的設備中并沒 有考慮到這一點(寫入策略由優(yōu)化例程在啟動時固定)。
在已公開的美國申請20O4/0130993中揭示了一種用于優(yōu)化高速寫
入程序的方法和設備?？梢栽L問定義了各種動態(tài)寫入策略情況的表， 并且從而能夠對激光功率電平和/或脈沖邊沿進行動態(tài)調節(jié)。
對于存儲容量和訪問速度的日益增長的需求使得有必要使用精確 的并且能夠做出響應的控制機制。因此，在本技術領域中需要改進的 光學設備以及改進的確保最優(yōu)光學記錄的方式。

發(fā)明內容
本發(fā)明尋求提供一種改進的光學設備，其具有用于在記錄處理期 間確保優(yōu)化的記錄的改進的裝置。優(yōu)選地，本發(fā)明單獨地或者以任意 組合減輕或緩解一個或多個上述缺陷或其他缺陷。
因此，在第一方面，提供一種具有優(yōu)化的寫入策略控制的光學記
錄設備，該設備包括
-輻射源，其用于發(fā)射輻射光束以便在可記錄介質上記錄光學效 應，其中所述輻射光束是根據(jù)包括一個或多個寫入?yún)?shù)的寫入策略而 被發(fā)射的；
-讀取單元，其用于讀取所記錄的效應以便提供讀取信號，該讀 取信號包括從具有第一寬度的笫一區(qū)域反射的笫一部分以及從具有第 二寬度的第二區(qū)域反射的第二部分，其中從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過 渡被標記為前沿，并且從第二區(qū)域到第 一 區(qū)域的過渡被標記為后沿，
其中，在所述讀取信號中確定前沿和/或后沿的平均過渡偏移，并 且在前饋優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略中的所述一個或多個寫入?yún)?shù) 的至少其中之一，該前饋優(yōu)化處理把所述平均過渡偏移納入考慮。
所述讀取信號可以是所測量的光學信號，比如來自一次性寫入或
可重寫CD類型盤、DVD類型盤、BD類型盤等等的所測量的光學信號。
所述讀取信號是已調信號，其中所述調制表示存在于該盤上的二進制
數(shù)據(jù)。在所述盤上，信息被存儲在光學效應(例如被稱作標記)的圖
案中。對于信息的典型的編碼是游程長度編碼，其中信息被存儲在光
學效應、光學效應之間的空間(space)以及所述光學效應和所述空間
的長度中。盤上的比特圖案在所述游程長度編碼中可以由空間與光學
效應之間的過渡偏移的定時序列表示。
因此，所述讀取信號包括對應于光是從第一區(qū)域還是第二區(qū)域反
射的第一部分和笫二部分。在相變類型盤或一次性寫入類型盤中，所
述第 一 區(qū)域和第二區(qū)域可以被分別標識為空間和標記。從第 一 區(qū)域到 第二區(qū)域的過渡被標記為由笫一和第二寬度(也被稱作長度)索引的 前沿，并且從第二區(qū)域到第一區(qū)域的過渡被標記為由第二和第一寬度 (長度)索引的后沿。在相變類型盤中，前沿指代從高反射率區(qū)域到低 反射率區(qū)域的過渡，后沿則指代從低反射率區(qū)域到高反射率區(qū)域的過 渡。
通過根據(jù)寫入策略驅動所述輻射源而把光學效應提供到光學介 質。 一般來說，利用激光脈沖來寫入所述光學效應，所述激光脈沖的 脈沖形狀由多個寫入?yún)?shù)表征，這被稱作寫入策略。典型地，所述寫 入策略可以用多個寫入?yún)?shù)來描述，比如用來接通及關斷激光、把激 光功率設置到特定電平、把激光功率保持給定持續(xù)時間等等的命令。
所述寫入策略可以取決于期望的特定光學效應(即所述效應的長 度)以及在用于寫入特定光學效應的寫入脈沖中的寫入?yún)?shù)?？梢源?在根據(jù)已寫入光學效應的所得到的長度歸類的標準寫入策略，即用于
寫入I2標記的I2策略，用于寫入I3標記的L3策略等等。
由于盤不是完全均質的、所述系統(tǒng)正在加熱等等，因此在把數(shù)據(jù)
記錄在光學可記錄介質上之前以及在記錄的過程中校準(即優(yōu)化)所
述寫入策略可能是重要的，有時甚至可能是必要的。
在其中僅測量所述不對稱性的當前系統(tǒng)中，只能適配寫入功率，
這是因為僅僅測量了一個參數(shù)。然而，通過確定所述讀取信號中的前 沿和/或后沿的平均過渡偏移，提供了多個優(yōu)化參數(shù)，因此在所述寫入 策略中可以優(yōu)化多于一個寫入?yún)?shù)。能夠在所述寫入策略中適配多于 一個參數(shù)是有利的，這是因為可以執(zhí)行更詳細并且更完整的優(yōu)化。例 如可以對一個寫入策略進行1步優(yōu)化，或者甚至可以對所有寫入策略 (例如12到19策略)進行1步優(yōu)化。
所述優(yōu)化處理可以是前饋優(yōu)化處理，其在所述平均過渡偏移的基 礎上優(yōu)化一個或多個寫入?yún)?shù)。如果已經(jīng)優(yōu)化了一個寫入?yún)?shù)，則該 寫入?yún)?shù)被保持，在這種情況下所述優(yōu)化處理從而是用于確定該寫入 參數(shù)是否是最優(yōu)的措施。
本發(fā)明甚至使得有可能優(yōu)化具有高于30GB(比如在30-"GB的范 圍內)的數(shù)據(jù)容量的存儲介質上的記錄處理，這是因為可以對于這種 數(shù)據(jù)密度提供所述平均過渡偏移。這是有利的，因為當前不存在用于
優(yōu)化這種高容量介質上的記錄處理的替換方法。
可以在可記錄介質上記錄一個光學效應序列，并且其中可以在所 述記錄處理的第一部分期間讀取該序列的第一部分，以便獲得所述讀 取信號。可以在本發(fā)明的優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略，并且可以在 該記錄處理的第二部分中使用所述寫入策略。
在當前用在DVD+R和未來的BD+R驅動器中的所述步行式OPC 方法中，每+/-100條軌道檢查一次寫入功率。然而，根據(jù)本發(fā)明的設 備可以包括一個步行式優(yōu)化類型例程，其中可以從內直徑到外直徑優(yōu) 化寫入功率和寫入策略。在根據(jù)本發(fā)明的步行式優(yōu)化類型例程中，記 錄一個光學效應序列(比如多條軌道)。該序列的一部分(例如最后 寫入的軌道)被讀取，并且基于該序列的該部分(即基于該最后一條 軌道)來確定所述平均過渡偏移以及實施優(yōu)化處理。隨后在未來的記 錄處理中使用經(jīng)過優(yōu)化的寫入條件，直到執(zhí)行新的優(yōu)化，例如在已經(jīng) 記錄了 100條軌道(或者任意適當數(shù)量的軌道)之后。這樣，對于整 個記錄處理確保了最優(yōu)的寫入質量。
可以作為在特定過渡之前的該區(qū)域的寬度和/或后面的該區(qū)域的寬 度的函數(shù)來確定所述平均過渡偏移。舉例來說， 一個給定的前沿的定 時可以被確定為特定(或當前)標記的寬度和前一個空間長度的函數(shù)， 并且一個給定的后沿的定時可以被確定為特定(或當前)標記的寬度 和下一個空間的函數(shù)。這可以用2D矩陣來表示，對于前沿是L矩陣， 其具有被設置成(當前標記，前一空間)的矩陣元素，對于后沿則是2D T 矩陣，其具有被設置成(當前標記，下一空間)的矩陣元素。按照這種方 式確定所述前沿和后沿的定時是有利的，這是因為其直接提供存在于 盤上的各種圖案組合的系統(tǒng)特性，從而直接揭示了所述各種圖案組合 的時間定位中的系統(tǒng)誤差。因此，這種矩陣表示法提供了一種簡單有 用的資格系統(tǒng)。
所述一個或多個寫入?yún)?shù)可以包括所述輻射光束中的寫入脈沖的 功率電平和/或電平持續(xù)時間以及定時，所述定時是相對于系統(tǒng)時鐘獲
得的。處理裝置可以評估所述平均過渡偏移，以及根據(jù)規(guī)則優(yōu)化所述 寫入策略中的所述一個或多個寫入?yún)?shù)的至少其中之一。
有利的是能夠把對應于給定過渡的過渡偏移的值與所述寫入脈沖 的功率電平、電平持續(xù)時間或定時直接相關，并且借助于處理裝置根
據(jù)規(guī)則來優(yōu)化所述寫入?yún)?shù)。所述規(guī)則可以包括給定的過渡偏移、該 過渡偏移的值與相應的寫入?yún)?shù)之間的關系。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種用于控制光學記錄設備的集成
電路(IC)，所述IC適于根據(jù)所測量的讀取信號的特定類型的前沿和
/或后沿的所述平均過渡偏移來優(yōu)化寫入策略中的一個或多個寫入?yún)?數(shù)，所述寫入策略在前饋優(yōu)化處理中被優(yōu)化。
所述IC可以被合并在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的設備中，或者可以 被提供作為獨立ic (或芯片組)，其可以被合并在光學記錄設備中，
以便包括本發(fā)明的優(yōu)化處理。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種用于控制光學記錄設備的計算 機可讀代碼，該設備被控制成根據(jù)所測量的讀取信號的特定類型的前 沿和/或后沿的所述平均過渡偏移來優(yōu)化寫入策略中的一個或多個寫入 參數(shù)，所述寫入策略在前饋優(yōu)化處理中被優(yōu)化。
所述計算機可讀代碼可以控制IC從而能夠控制記錄設備，以便包
括本發(fā)明的優(yōu)化處理的功能。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供一種優(yōu)化包括一個或多個寫入?yún)?shù)
的寫入策略的方法，該方法包括以下步猓
-提供所測量的讀取信號，該讀取信號包括從具有第一寬度的第 一區(qū)域反射的第一部分以及從具有第二寬度的第二區(qū)域反射的第二部 分，其中從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過渡被標記為前沿，并且從第二區(qū) 域到笫一區(qū)域的過渡被標記為后沿；
-提供對應于該讀取信號的各調制比特；
-通過比較該讀取信號的定時與所述各調制比特的定時，確定前 沿和/或后沿的平均過渡偏移；
其中，在前饋優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略中的所述一個或多個 寫入?yún)?shù)的至少其中之一，該前饋優(yōu)化處理把所述平均過渡偏移納入 考慮。
所述方法可以實現(xiàn)在根據(jù)第二方面的IC中，并且/或者根據(jù)笫三 方面的計算機代碼可以被適配成執(zhí)行根據(jù)第四方面的各方法步驟。


參照下面描述的實施例，本發(fā)明的這些和其他方面、特征和/或優(yōu)
點將變得顯而易見。下面將參照附圖僅以舉例的方式描述本發(fā)明的實
施例，其中
圖1示意性地示出能夠從/向光學存儲介質讀取/寫入信息的光學 記錄設備；
圖2示意性地示出來自光學信號的一系列通道比特；
圖3示出對應于從標記游程長度到空間游程長度的過渡的矩陣
圖4示出標記寫入策略的示意圖5示出作為第一寫入?yún)?shù)的函數(shù)的邊沿位置(過渡偏移)；
圖6示出作為第二寫入?yún)?shù)的函數(shù)的邊沿位置(過渡偏移)；以
及
圖7示出本發(fā)明的一個實施例的流程圖。
具體實施例方式
圖1中示意性地示出能夠從/向光學存儲介質讀取/寫入信息的光 學存儲設備l。
真實的光學存儲設備包括具有各種功能的大量元件，而在這里僅 僅示出幾個元件。存在電動機裝置8、 IO以用于旋轉盤11以及控制光 學拾取單元5的運動，從而可以把光點3聚焦并且定位在盤上的期望 位置處。該光學拾取單元包括用于發(fā)射激光束的激光器6，所述激光束 可以通過多個光學元件而被聚焦在盤上。所聚焦的激光在記錄模式下 的強度可以足夠高，從而可以向光盤提供物理改變，即把光學效應提 供到盤上。替換地，在讀取模式下的激光功率不足以引起物理改變， 并且反射的激光被光電檢測器7檢測到，以便讀取盤上的光學效應。
在本發(fā)明中，來自所述光學記錄介質的所述讀取信號可以是所述 光電檢測器7所見的信號，該信號可以由專用單元(未示出)或者處
理裝置4轉換成適于進一步處理的形式。
對于所述存儲設備的控制可以通過硬件實現(xiàn)方式來進行，如電動 機控制9和光學器件控制2所示。此外，還存在微處理器控制裝置4。 該微處理器控制裝置(例如集成電路(IC)裝置)可以同時包含硬連 線的處理裝置和軟件處理裝置，從而例如用戶可以通過高級別控制軟 件來影響所述設備的操作。高級別控制設置的例子包括在記錄模式下
控制所發(fā)射的激光功率的寫入策略中的脈沖形狀。
光學效應沿著從中心向外盤旋的軌道被對準。數(shù)據(jù)被存儲在具有 不同游程長度(即效應和空間的不同寬度(長度))的效應和所述效 應之間的空間中。對于給定盤的最佳性能來說，很重要的是所有標記 和空間都類似于整數(shù)步長。當所述標記和空間的長度不是通道比特長 度的整倍數(shù)時，這將被視為與最佳情形有偏差，并且將導致惡化的比 特檢測性能。
圖2示出了來自光學信號的一系列通道比特。該通道比特序列20 包括第一部分21和第二部分22，其中第一部分21對應于從具有第一 寬度211的第一區(qū)域(即空間或高反射率區(qū)域)反射的光，第二部分 22對應于從具有第二寬度221的第二區(qū)域(即標記或低強度區(qū)域)反 射的光。從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過渡被標記為前沿23，從第二區(qū)域 到第一區(qū)域的過渡被標記為后沿24。
在真實的盤上，從高反射率(空間)到低反射率(標記)的過渡
不總是處在正確的位置上。某些過渡太靠左(時間過早=定義為負)， 某些太靠右(過遲=正)。這用虛線27示出，其表示所測量的邊沿位 置。在該圖中，時間軸28被示為水平軸，該時間軸以所謂的1T(-1 通道比特)分辨率被離散化。對于理想的信號，所述過渡應當位于1T 標記處。
下面描述本發(fā)明的實現(xiàn)方式的實施例。從而是具有優(yōu)化的寫入策 略控制的光學記錄設備的實施例。
在寫入策略中可以補償系統(tǒng)性的邊沿偏移(其具有可預測的特 性)。所述標記具有前沿和后沿，所述邊沿可能被偏移。這些邊沿偏
移當然是(當前)標記長度Ucm)的函數(shù)。此外，在前沿的情況下， 例如由于受熱歷史而可能會有前一個空間長度Ups)的影響，這一效
應可以被視為寫入通道中的符號間干擾(isi)。對于所述后沿，可能
會有下一個空間的影響Uns)。所述偏移可以被寫為2D矩陣，其具有
對應于所述前沿的矩陣元素L(cm，ps)和對應于所述后沿的矩陣元素 T(cm，ns)。其中不需要涉及到所述空間，因為它們自動落在所寫入的標 記之間。
可以在光盤上測量標記與前一個/下一個相鄰空間的各種組合的平 均過渡偏移。對于利用標稱寫入策略在一次性寫入盤上得到的測量結
果，在圖3中給出了所述過渡偏移的矩陣表示。在圖3中示出了所有的前沿(圖3A)偏移和后沿(圖3B)偏移， 并且對于當前標記(x軸)與前一個/下一個空間(y軸)的每一種組合 繪出一個點30。當沒有偏移時發(fā)現(xiàn)該點精確地處在交叉點31上，當存 在正偏移(過遲)時該點處在該交叉點的右側32，而當存在負偏移(過 早)時該點處在該交叉點的左側33。圖3中所示出的矩陣圖是從最后 寫入的軌道獲得的，并且所述前沿和后沿的偏移表示在該最后寫入的 軌道上測量的過渡的平均偏移?；谠摐y量，可以補償所述寫入策略。 進行該補償?shù)姆绞饺Q于所述寫入處理的線性/非線性。在步行式優(yōu)化方法中，通常在盤上的一個保留區(qū)域內優(yōu)化所述寫 入策略。接下來，所述系統(tǒng)可以開始寫入。在寫入了例如100條軌道 之后，該系統(tǒng)向回跳一條軌道，并且分析最后寫入的軌道的質量。由 于所述盤不是完全均質的并且該系統(tǒng)正在加熱等等，可能需要略微適 配(adapt)所述寫入策略，以便改進寫入性能。每100條軌道進行一 次該處理，并且這樣可以寫滿一張盤。通常來說只能夠適配寫入功率， 這是因為在讀取該最后寫入的軌道時只測量了一個參數(shù)，然而，通過 提供所有前沿和后沿的過渡偏移，有可能在所述寫入策略中適配許多 參數(shù)。為了獲得關于本發(fā)明的應用的進一步的認識，略微改變所述寫入 策略，并且討論LT矩陣中的效果。首先討論一次性寫入盤上的寫入策略的優(yōu)化。為了補償提早了或 者晚了 x/16的T的前沿/后沿，應當確定所述寫入策略應該被改變多少 以便在盤上把前沿或后沿移動x/T的數(shù)量。為了對此進行研究，改變14 的寫入策略。在圖4A中示出了 14的寫入脈沖40。當所述14標記策略的第一脈沖PiA被改變時，所述14的前沿50 發(fā)生移動，如圖5中所示。在該圖中，對于其中第一脈沖的起始位置 被移動41的情況示出了邊沿位置(過渡偏移)與第一脈沖的開始位置 (相對于標稱)的關系?？梢钥闯觯瑢τ谕砹?1/16T的脈沖開始，導致 盤上的邊沿偏移大約3/16的T。在所述激光驅動器具有足夠分辨率的 情況下(可以達到1/40的T或者更好的分辨率)，有可能把所述前沿 精確地放置在正確的位置處。當?shù)谝幻}沖開始得較晚并且在相同的時 刻停止時，被插入到所述一次性寫入系統(tǒng)中的功率較少。這可能導致
向左移動(在時間上過早)的后沿。這一點被圖5中的標記為51的線 所示出的測量結果所證實。但是，由于該過程的斜率很小，可以幾乎 獨立于后沿來修改前沿。(此外，在其中每一個優(yōu)化步驟之間的邊沿 偏移很小的情況下，串擾也非常小。)發(fā)現(xiàn)了邊沿位置對于第一脈沖 的長度的良好的線性依賴性。與所述線性的小偏差可以被取為對能夠 確定所述邊沿偏移的精確度的量度。此外，所述I4標記策略的最后一個脈沖PLA的長度也可以被改變42。在圖6中示出了所述I4標記的后沿偏移60與該最后一個脈沖的長 度的關系。在該例中，沒有觀察到對所述前沿的串擾(該堆疊不受后 熱的影響)。上面提供了一次性寫入系統(tǒng)的例子，然而也可以以步行式優(yōu)化類 型的方式適配可重寫(RE)寫入策略，從而所述寫入策略可以在恒定 角速度模式下寫入的同時進行適配?？梢园凑障旅娴姆绞将@得對RE上 的寫入策略的補償(在圖4B中提供了 RE寫入策略的一個例子)。通 過移動第一脈沖PlB，可以以一對一的方式補償所述前沿。通過移動最 后一個寫入脈沖PLB以及擦除脈沖電平的起點，可以偏移所述后沿(同樣是以1對1的比值)。在圖7中提供了示出本發(fā)明的一個實施例的流程圖70。在第一步驟71中，提供初始寫入?yún)?shù)(Pini)，這例如是通過在盤上的保留區(qū)域內執(zhí)行測試而實現(xiàn)的。利用這些參數(shù)，所述系統(tǒng)可以開始在盤上寫入數(shù)據(jù)(Wini)，如第二步驟了2所示。所述初始參數(shù)可以從LT方法確定，即通過確定所述過渡偏移來確定。在寫入了多條軌道(例如100條軌道)之后，所述系統(tǒng)在下一步驟73中向回跳一條軌道(Ri)并且讀取該最后一條軌道。通過所述LT方法分析該最后寫入的軌道的質量74。優(yōu)化所述寫入策略75,并且利用經(jīng)過優(yōu)化的寫入?yún)?shù)(WLT)寫入下一個軌道塊(同樣例如是100條)。在76之后，利用所述經(jīng)過優(yōu)化的寫入?yún)?shù)寫入一個軌道塊，所述系統(tǒng)再次讀取最后寫入的軌道73，并且繼續(xù)該優(yōu)化程序，直到所有數(shù)據(jù)都已被提供給所述盤"。雖然已經(jīng)結合各優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明，但是并不意圖把本發(fā)明限制到這里闡述的具體形式。相反，本發(fā)明的范圍僅由所附權利要求書限定。在這一段落中，出于解釋而不是限制的目的闡述了所公開的實施
例的某些具體細節(jié)(比如特定處理步驟、數(shù)據(jù)表示法、特定參數(shù)等等)， 以便提供對本發(fā)明的清晰而透徹的理解。然而本領域技術人員應當很 容易理解，在不嚴重背離本公開內容的精神和范圍的情況下，本發(fā)明 可以在不完全符合這里闡述的細節(jié)的其他實施例中實現(xiàn)。此外，在本 上下文中，為了筒明起見省略了對于公知的設備、電路和方法的具體 描述，以避免不必要的細節(jié)和可能的混淆。在權利要求中包含附圖標記僅僅是為了清楚起見，而不應當被理 解為限制權利要求的范圍。
權利要求
1、具有優(yōu)化的寫入策略控制的光學記錄設備(1)，該設備包括-輻射源(6)，其用于發(fā)射輻射光束以便在可記錄介質(11)上記錄光學效應，其中所述輻射光束是根據(jù)包括一個或多個寫入?yún)?shù)的寫入策略(40，43)而被發(fā)射的；-讀取單元(7)，其用于讀取所記錄的效應以便提供讀取信號，該讀取信號(20)包括從具有第一寬度(211)的第一區(qū)域反射的第一部分(21)以及從具有第二寬度(221)的第二區(qū)域反射的第二部分(22)，其中從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過渡被標記為前沿(23)，并且從第二區(qū)域到第一區(qū)域的過渡被標記為后沿(24)，其中，在所述讀取信號中確定前沿和/或后沿的平均過渡偏移，并且在前饋優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略(40，43)中的所述一個或多個寫入?yún)?shù)的至少其中之一，該前饋優(yōu)化處理把所述平均過渡偏移(30)納入考慮。
2、 根據(jù)權利要求l的設備，其中，在可記錄介質上記錄光學效應 序列，在所述記錄處理的笫一部分期間讀取該序列的第一部分，并且 從該序列的該第 一部分獲得所述讀取信號，并且在所述優(yōu)化處理中優(yōu) 化所述寫入策略，在該記錄處理的第二部分中使用所述經(jīng)過優(yōu)化的寫 入策略。
3、 根據(jù)權利要求l的設備，其中，作為在特定過渡之前的該區(qū)域的寬度和/或后面的區(qū)域的寬度的函數(shù)來確定所述平均過渡偏移。
4、 根據(jù)權利要求l的設備，其中，所述一個或多個寫入?yún)?shù)包括 功率電平和/或電平持續(xù)時間。
5、 根據(jù)權利要求l的設備，其中，所述一個或多個寫入?yún)?shù)包括 所述輻射光束中的寫入脈沖的定時，所述定時是相對于系統(tǒng)時鐘獲得 的。
6、 根據(jù)權利要求l的設備，還包括處理裝置，其用于評估所述平 均過渡偏移以及根據(jù)規(guī)則優(yōu)化所述寫入策略中的所述一個或多個寫入?yún)?shù)的至少其中之一。
7、 用于控制光學記錄設備的集成電路(IC)，所述IC適于根據(jù)所測量的讀取信號的特定類型的前沿和/或后沿的所述平均過渡偏移來 優(yōu)化寫入策略中的一個或多個寫入?yún)?shù)，所述寫入策略在前饋優(yōu)化處 理中被優(yōu)化。
8、 用于控制光學記錄設備的計算機可讀代碼，該設備被控制成根 據(jù)所測量的讀取信號的特定類型的前沿和/或后沿的所述平均過渡偏移 來優(yōu)化寫入策略中的一個或多個寫入?yún)?shù)，所述寫入策略在前饋優(yōu)化 處理中被優(yōu)化。
9、 優(yōu)化包括一個或多個寫入?yún)?shù)的寫入策略的方法，該方法包括 以下步驟-提供所測量的讀取信號(20)，該讀取信號包括從具有第一寬 度(211 )的第一區(qū)域反射的第一部分(21 )以及從具有第二寬度(221) 的第二區(qū)域反射的第二部分(22)，其中從第一區(qū)域到第二區(qū)域的過 渡被標記為前沿(23)，并且從第二區(qū)域到第一區(qū)域的過渡被標記為 后沿(24);-提供對應于該讀取信號的各調制比特；-通過比較該讀取信號的定時與所述各調制比特的定時，確定前 沿和/或后沿的平均過渡偏移(30);其中，在前饋優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略(40， 43)中的所述一個或多個寫入?yún)?shù)的至少其中之一，該前饋優(yōu)化處理把所述平均過 渡偏移納入考慮。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于在記錄處理中優(yōu)化寫入策略中的一個或多個寫入?yún)?shù)的設備和方法。所述優(yōu)化處理可以在步行式類型的優(yōu)化處理中實施，這例如是通過每當已經(jīng)記錄了預定數(shù)量的軌道之后運行一個優(yōu)化處理而實現(xiàn)的。所述設備能夠在可記錄介質上記錄光學效應以及讀取所記錄的效應。該設備包括用于確定所述讀取信號中的前沿和/或后沿的平均過渡偏移的裝置。在前饋優(yōu)化處理中優(yōu)化所述寫入策略中的所述一個或多個寫入?yún)?shù)的至少其中之一，該前饋優(yōu)化處理把所述平均過渡偏移納入考慮。本發(fā)明還涉及用于控制光學設備的IC和計算機代碼。
文檔編號G11B7/125GK101103395SQ200680002200
公開日2008年1月9日 申請日期2006年1月5日 優(yōu)先權日2005年1月12日
發(fā)明者A·帕迪伊, C·M·謝普, R·夫盧特斯 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司