專利名稱：動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及寫入策略修正，且特別涉及動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法及裝置。
背景技術(shù)：
寫入策略的好壞將是影響光驅(qū)的數(shù)據(jù)寫入品質(zhì)的重要因素。光驅(qū)中通常具有一寫入策略表，以儲(chǔ)存多組寫入策略。在將數(shù)據(jù)寫入光盤的前，光驅(qū)將根據(jù)光盤識(shí)別碼(Manufacture ID，MID)，從寫入策略表中選出一特定寫入策略。然而，在寫入數(shù)據(jù)期間，光盤識(shí)別碼對應(yīng)的特定寫入策略并非持續(xù)為最佳的寫入策略。主要原因有(a)光盤的內(nèi)圈及外圈的材料特性不同；(b)不同盤片制造商或不同種類的光盤片卻使用相同光盤識(shí)別碼；(c)機(jī)構(gòu)傾斜或光學(xué)讀取頭的發(fā)光效率在光盤內(nèi)圈和外圈是不一樣的；(d)由環(huán)境溫度造成的寫入策略變異；以及(e)來自于光驅(qū)驅(qū)動(dòng)IC及光盤讀寫頭的變異。由于以上種種原因，將造成制式的寫入策略將不符合動(dòng)態(tài)的寫入環(huán)境需求，因此在寫入期間，需要一動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法以修正制式的寫入策略。某些用以提升數(shù)據(jù)寫入品質(zhì)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法已被揭示，例如于寫入過程期間，光驅(qū)停寫入，并確認(rèn)寫入品質(zhì)，然后根據(jù)該寫入品質(zhì)修正寫入策略。然而，如何根據(jù)該寫入品質(zhì)以修正寫入策略則從未被提及。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，包括根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫入策略將數(shù)據(jù)寫入至一光盤上，每一預(yù)設(shè)寫入策略對應(yīng)一型樣組合(pattern combination)；停止寫入及測量已寫數(shù)據(jù)所對應(yīng)的型樣組合的一品質(zhì)指標(biāo)；根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)，調(diào)整所述型樣組合的預(yù)設(shè)寫入策略，以產(chǎn)生多個(gè)修正寫入策略；以修正的寫入策略寫入數(shù)據(jù)。
根據(jù)該方法，所述品質(zhì)指標(biāo)從包括一平均長度誤差值、一平均上升邊緣誤差值、一平均下降邊緣誤差值、一內(nèi)部校驗(yàn)碼錯(cuò)誤率(PI error rate)、及一時(shí)基誤差值(jitter value)的群組中選出。
根據(jù)該方法，所述預(yù)設(shè)寫入策略及修正寫入策略間的一上升時(shí)間差Tdiff，對應(yīng)于所述平均上升邊緣誤差值ofs_top，被表示如下Tdiff＝X*ofs_top+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
根據(jù)該方法，所述預(yù)設(shè)寫入策略及修正寫入策略間的一下降時(shí)間差Tdiff，對應(yīng)于所述平均下降邊緣誤差值ofs_last，被表示如下Tdiff＝X*ofs_last+Y，其中X及Y為可調(diào)的變量。
根據(jù)該方法，所述型樣組合為一「平面，凹洞」(Land，Pit)或「凹洞，平面」(Pit，Land)組合，而且為一短型樣組合，其中該短型樣的長度包含3T、4T和5T；其中，T為一個(gè)時(shí)脈周期。
根據(jù)該方法，根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫入策略將數(shù)據(jù)寫入光盤之后，還包括選擇該寫入策略的一選擇參數(shù)；決定該選擇參數(shù)的多個(gè)值；根據(jù)該選擇參數(shù)的所述值所對應(yīng)的寫入策略來寫入數(shù)據(jù)。
根據(jù)該方法，所述修正寫入策略通過選擇一最佳品質(zhì)指標(biāo)所對應(yīng)的選擇參數(shù)的一最佳值而產(chǎn)生。
根據(jù)該方法，還包括根據(jù)所述選擇參數(shù)的所述值所對應(yīng)的寫入策略而將數(shù)據(jù)寫入光盤，每筆不同值的寫入策略的寫入，交錯(cuò)一預(yù)設(shè)寫入策略的寫入。
根據(jù)該方法，所述寫入策略的選擇參數(shù)包括一上升時(shí)間、一下降時(shí)間、一寫入功率、一增強(qiáng)功率比、一粗略延遲、及一緩和時(shí)間。
本發(fā)明還提供一種用于光盤寫入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正裝置，該系統(tǒng)具有一讀寫頭以將數(shù)據(jù)寫入光盤，該裝置包括一寫入激光控制單元、一測量單元以及一寫入策略發(fā)展單元；其中，所述寫入激光控制單元，用以根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫入策略控制所述讀寫頭以將數(shù)據(jù)寫入，其中各預(yù)設(shè)寫入策略對應(yīng)至一型樣組合(pattern combination)；及停止寫入，并控制該讀寫頭以讀取數(shù)據(jù)。
測量單元，用以測量已寫數(shù)據(jù)所對應(yīng)的型樣組合的一品質(zhì)指標(biāo)。
寫入策略發(fā)展單元，用以根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)調(diào)整所述型樣組合的預(yù)設(shè)寫入策略，以產(chǎn)生多個(gè)修正寫入策略。其中，所述寫入激光控制單元并根據(jù)修正的寫入策略寫入數(shù)據(jù)。
根據(jù)該裝置，所述品質(zhì)指標(biāo)從包括一平均長度誤差值、一平均上升邊緣誤差值、一平均下降邊緣誤差值、一內(nèi)部校驗(yàn)碼錯(cuò)誤率(PI error rate)、及一時(shí)基誤差值(jitter value)的群組中選出。
根據(jù)該裝置，所述預(yù)設(shè)寫入策略及修正寫入策略間的一上升時(shí)間差Tdiff，對應(yīng)于所述平均上升邊緣誤差值ofs_top，被表示如下Tdiff＝X*ofs_top+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
根據(jù)該裝置，所述預(yù)設(shè)寫入策略及修正寫入策略間的一下降時(shí)間差Tdiff，對應(yīng)于所述平均下降邊緣誤差值ofs_last，被表示如下Tdiff＝X*ofs_last+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
根據(jù)該裝置，所述型樣組合為一「平面，凹洞」(Land，Pit)或「凹洞，平面」(Pit，Land)組合，而且為一短型樣組合，其中短型樣包含3T、4T及5T的型樣；其中，T為一個(gè)時(shí)脈周期。
根據(jù)該裝置，所述寫入激光控制單元還包括選擇所述寫入策略的一選擇參數(shù)；
決定該選擇參數(shù)的多值；根據(jù)該選擇參數(shù)的所述值所對應(yīng)的寫入策略來寫入數(shù)據(jù)。
根據(jù)該裝置，所述修正寫入策略通過所述寫入策略發(fā)展單元選擇一最佳品質(zhì)指標(biāo)所對應(yīng)的選擇參數(shù)的一最佳值而產(chǎn)生。
根據(jù)該裝置，所述寫入激光控制單元還包括根據(jù)所述選擇參數(shù)的所述值所對應(yīng)的寫入策略而將數(shù)據(jù)寫入光盤，每筆不同值的寫入，交錯(cuò)一預(yù)設(shè)寫入策略的寫入。
根據(jù)該裝置，所述寫入策略的選擇參數(shù)包括一上升時(shí)間、一下降時(shí)間、一寫入功率、一增強(qiáng)功率比、一粗略延遲、及一緩和時(shí)間。
本發(fā)明的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，根據(jù)短型樣組合(至少大于3T，當(dāng)應(yīng)用于藍(lán)光技術(shù)時(shí)可至2T)的一測量結(jié)果來修正型樣相關(guān)參數(shù)、以及與型樣無關(guān)的參數(shù)(如寫入功率)，因此能充分提高數(shù)據(jù)的寫入品質(zhì)。


圖1為顯示本發(fā)明一實(shí)施例的一光盤寫入系統(tǒng)方框圖；圖2為顯示理想RF信號、處理后的RF信號、及該寫入策略的波形圖；圖3為顯示依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法流程圖；圖4為將一寫入數(shù)據(jù)依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫入策略修改方法而寫入至光盤的示意圖；圖5為顯示依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法流程圖；圖6為將一寫入數(shù)據(jù)依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫入策略修改方法而寫入至光盤的示意圖；圖7為顯示依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法流程圖。
主要組件符號說明110數(shù)據(jù)段； 120另一數(shù)據(jù)段；800光盤寫入系統(tǒng)； 810盤片；
820讀寫頭； 830測量單元；840寫入策略發(fā)展單元； 850寫入激光控制單元。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明詳細(xì)敘述提供如下。
將數(shù)據(jù)寫入至一盤片上的寫入策略包括了多參數(shù)。一些是與型樣(pattern)相關(guān)，一些則與型樣無關(guān)。與型樣相關(guān)參數(shù)包括上升及下降時(shí)間；與型樣無關(guān)參數(shù)包括寫入功率、增強(qiáng)功率比(OverDrive power ratio，ODpower ration)、粗略延遲、及緩和時(shí)間(cooling time)。于寫入期間，這些參數(shù)并非總是最佳參數(shù)而需要被修正。詳細(xì)敘述提供如下。
請參考圖1，為顯示依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一光盤寫入系統(tǒng)800方框圖。光盤寫入系統(tǒng)800包括一盤片810、一讀寫頭(PUH)820、一測量單元830、一寫入策略發(fā)展單元840、及一寫入激光控制單元850。盤片810為一可寫的記錄媒介，例如DVD+-RW/DVD+-R。于寫入期間，測量單元830根據(jù)讀寫頭820的回饋信號測量寫入數(shù)據(jù)的品質(zhì)而產(chǎn)生一品質(zhì)指標(biāo)。寫入策略發(fā)展單元840根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)選擇一最佳參數(shù)，并且修正一預(yù)設(shè)寫入策略WXR_I(圖中未標(biāo)示)，以產(chǎn)生一修正的寫入策略WXR_II(圖中未標(biāo)示)。寫入激光控制單元850，根據(jù)所述修正寫入策略而控制讀寫頭PUH 820，以將數(shù)據(jù)寫入盤片810。于該光盤寫入系統(tǒng)800中，將重復(fù)上述的寫入策略修正程序直到完成所有數(shù)據(jù)寫入為止。
本實(shí)施例的寫入策略修正方法，修正了用以在光盤片810上寫入各種平面/凹洞(Land/Pit)型樣組合的寫入控制脈沖中的部分型樣相關(guān)參數(shù)(例如上升及下降時(shí)間)。該光盤寫入系統(tǒng)800，根據(jù)一寫入策略WXR_I，將一數(shù)據(jù)段110(例如正常數(shù)據(jù)或測試型樣)寫入至該盤片810。并于一既定位置P1暫停寫入，接著移動(dòng)讀取頭以讀取該數(shù)據(jù)段110而獲得一處理后的RF信號RF_I(Sliced RF signal或稱EFMI)。分析此RF信號可獲得一品質(zhì)指標(biāo)，可據(jù)以修正該寫入策略WXR_I(例如上升及下降時(shí)間)。最后根據(jù)一修正的寫入策略WXR_II，從之前中斷寫入點(diǎn)，即既定位置P1，繼續(xù)將另一段數(shù)據(jù)120寫入至該盤片810。于是由該數(shù)據(jù)120所讀回的片段RF信號RF_II相似于一理想RF信號RF_IDEAL。接下來將詳細(xì)描述寫入策略修正程序。
請參考圖2。圖2是顯示一特定型樣組合(m平面，n凹洞)的該理想RF信號RF_IDEAL、處理后的RF信號RF_I和RF_II、以及該寫入策略WXR_I和WXR_II的波形圖，其中變量m及n均為正整數(shù)。該型樣組合可為(m凹洞，n平面)或(m平面，n凹洞)。請注意各型樣組合包括至少大于3T的型樣，而3T～5T的型樣一般較常見。當(dāng)應(yīng)用于藍(lán)光技術(shù)方面時(shí)，2T型樣也應(yīng)該被包括。換句話說，并非需要測量所有型樣組合的誤差，不過，至少需要測量短型樣的組合(如3T～5T)。其中，T為一個(gè)時(shí)脈周期，當(dāng)光驅(qū)中讀寫頭讀取光盤上一個(gè)平面或凹洞所代表的數(shù)據(jù)信號時(shí)，會(huì)經(jīng)過不定長度的時(shí)脈周期，在紅光技術(shù)每一個(gè)平面或凹洞為3T到14T，一般將3T到5T的平面或凹洞稱為短T，藍(lán)光技術(shù)的則可短至2T。比較該理想RF信號RF_IDEAL與處理后的RF信號RF_I，于一上升邊緣具有一邊緣誤差Ofs_top_I，而于一下降邊緣具有另一邊緣誤差Ofs_last_I。為了補(bǔ)償這些差異，將利用修正后的寫入策略WXR_II以取代該寫入策略WXR_I。修正之后，比較該理想信號RF_IDEAL與根據(jù)修正后的寫入策略WXR_II寫入數(shù)據(jù)而讀回的處理后的RF信號RF_II，該上升邊緣差Ofs_top_II以及下降邊緣差Ofs_last_II均為0。換言之，該片段RF信號RF_II幾乎等于理想信號RF_IDEAL。
以上升邊緣的補(bǔ)償為例，一上升時(shí)間Ttop_I被修正為另一上升時(shí)間Ttop_II。該上升時(shí)間Ttop_II被決定如下Ttop_II-Ttop_I＝Tdiff＝X*ofs_top+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。為了提高實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確性，請注意須重復(fù)測量該邊緣誤差以得到一平均邊緣誤差。值得注意的是，除了該平均邊緣誤差之外，本發(fā)明也可使用一平均長度誤差、于上升及下降邊緣的邊緣誤差、內(nèi)部校驗(yàn)碼(PI)錯(cuò)誤率、或DC(Data-to-Clock；數(shù)據(jù)對時(shí)脈)/DD(Data-to-Data；實(shí)際數(shù)據(jù)對理想數(shù)據(jù))時(shí)基誤差(jitter)作為該品質(zhì)指標(biāo)以修正該寫入策略。
請同時(shí)參考圖1、圖2及圖3。圖3為顯示依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法流程圖。詳細(xì)描述提供如下。
步驟302開始將數(shù)據(jù)寫入光盤。
步驟304于位置P1暫停寫入。
步驟306測量一特定(平面，凹洞)或(凹洞，平面)的型樣組合對應(yīng)的一品質(zhì)指標(biāo)，例如平均長度誤差、上升及下降邊緣的邊緣誤差、PI錯(cuò)誤、或DC/DD時(shí)基誤差，作為特定(平面，凹洞)或(凹洞，平面)的型樣組合。
步驟308若該品質(zhì)指標(biāo)超過一臨界值，進(jìn)行步驟310；不然則進(jìn)入步驟312；步驟310修正所述型樣組合所對應(yīng)的寫入策略。
步驟312用修正的寫入策略于P1恢復(fù)寫入后續(xù)數(shù)據(jù)。
請參考圖4。圖4為將一寫入數(shù)據(jù)400依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫入策略修改方法而寫入至光盤810的示意圖。本實(shí)施例的寫入策略修正方法是用以修正一些與型樣無關(guān)的參數(shù)，例如寫入功率、增強(qiáng)功率(OverDrive Power，OD Power)、粗略延遲以及緩和時(shí)間等。首先一光盤寫入系統(tǒng)800根據(jù)一寫入策略WXR_I，將數(shù)據(jù)段410(例如正常數(shù)據(jù)或測試型樣)寫入至盤片810。并于一既定位置P2暫停寫入，接著移動(dòng)讀取頭以讀取該數(shù)據(jù)段110而獲得一處理后的RF信號RF_I。分析此RF信號可獲得一品質(zhì)指標(biāo)，可據(jù)以修正該寫入策略WXR_I。再根據(jù)一修正后的寫入策略WXR_II，從P2繼續(xù)將另一段數(shù)據(jù)420寫入至盤片810。接下來將詳細(xì)描述上述寫入策略修正程序。
以該增強(qiáng)功率(OD)為例，當(dāng)將數(shù)據(jù)410寫入時(shí)，首先該光盤寫入系統(tǒng)利用一預(yù)設(shè)OD功率比OD_DEFAULT將該數(shù)據(jù)410寫入，并且利用不同OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5，分別將多個(gè)短數(shù)據(jù)412、413、414、415、416寫入。將所述短數(shù)據(jù)(412～416)寫入后，該光盤寫入系統(tǒng)于P2暫停寫入并從所述短數(shù)據(jù)(412～416)讀回時(shí)基誤差J_1、J_2、J_3、J_4、J_5，然后從這些時(shí)基誤差(J_1～J_5)中找出最小值。舉例來說，若該時(shí)基誤差J_3為最小，接著該光盤寫入系統(tǒng)決定使用相對應(yīng)的OD功率比OD_3來取代預(yù)設(shè)OD功率比OD_DEFAULT。換句話說，該光盤寫入系統(tǒng)利用修正的OD功率比，即相等于OD_3，于P2繼續(xù)將該數(shù)據(jù)420寫入。值得注意的是，除了該時(shí)基誤差之外，本發(fā)明也使用一些其它品質(zhì)指標(biāo)，例如平均邊緣誤差、平均長度誤差、上升及下降邊緣的邊緣誤差、PI錯(cuò)誤、或DC/DD時(shí)基誤差等，以修正該寫入策略。
請同時(shí)參考圖4及圖5。圖5為顯示依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法流程圖。詳細(xì)描述提供如下。
步驟502開始將數(shù)據(jù)寫入光盤。
步驟504利用一預(yù)設(shè)策略WXR_I將數(shù)據(jù)寫入光盤。
步驟506準(zhǔn)備一選擇參數(shù)的多個(gè)值(例如OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5)。
步驟508利用該選擇參數(shù)的不同值(OD_1～OD_5)分別將多筆短數(shù)據(jù)(412～416)寫入。
步驟510暫停并移動(dòng)讀寫頭以分別測量寫入所述短數(shù)據(jù)(412～416)的一品質(zhì)指標(biāo)(例如時(shí)基誤差)。
步驟512選擇對應(yīng)于該最佳品質(zhì)指標(biāo)(例如一最小時(shí)基誤差)的一最佳參數(shù)值。
步驟514根據(jù)該最佳參數(shù)以修正該預(yù)設(shè)策略WXR_I，并且利用該修正寫入策略WXR_II繼續(xù)寫入數(shù)據(jù)。
步驟516若寫入完成，進(jìn)行步驟518；不然則進(jìn)入步驟506。
步驟518停止寫入。
請參考圖6。圖6為將一寫入數(shù)據(jù)600依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫入策略修改方法而寫入至光盤810的示意圖。類似于第二實(shí)施例，第三實(shí)施例的寫入策略修正方法修正一些與型樣無關(guān)的參數(shù)(例如寫入功率、增強(qiáng)功率、粗略延遲、緩和時(shí)間)。首先光盤寫入系統(tǒng)800根據(jù)一寫入策略WXR_I，將多個(gè)數(shù)據(jù)610～650寫入至該盤片。在位置P7將數(shù)據(jù)650寫入之后，該系統(tǒng)暫停寫入，并且由所述數(shù)據(jù)610～650讀回多個(gè)RF信號，以修正該寫入策略WXR_I，然后根據(jù)一新寫入策略WXR_II，從P7繼續(xù)將另一段數(shù)據(jù)660寫入該盤片，其中WXR_II為WXR_I的修正寫入策略。寫入策略修正的詳細(xì)描述提供如下。
以修正增強(qiáng)功率(OD)此一參數(shù)為例，當(dāng)依序?qū)⑺鰯?shù)據(jù)610～650寫入時(shí)，該光盤寫入系統(tǒng)利用一預(yù)設(shè)OD功率比OD_DEFAULT將數(shù)據(jù)611、621、631、641、及651寫入，并且利用不同OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5，分別將多個(gè)短數(shù)據(jù)612、622、632、642、652寫入。將數(shù)據(jù)650寫入后，該光盤寫入系統(tǒng)于P7暫停寫入，以從所述短數(shù)據(jù)(612、622、632、642、652)讀回該時(shí)基誤差J_1、J_2、J_3、J_4、J_5，然后從這些時(shí)基誤差(J_1～J_5)中找出最小值。舉例來說，若該時(shí)基誤差J_3為最小，接著該光盤寫入系統(tǒng)決定使用相對應(yīng)的OD功率比OD_3來取代預(yù)設(shè)OD功率比OD_DEFAULT。換句話說，該光盤寫入系統(tǒng)利用修正的OD功率比，即相等于OD_3，于P7繼續(xù)將該數(shù)據(jù)660寫入。值得注意的是，除了該時(shí)基誤差之外，本發(fā)明也使用一些其它品質(zhì)指標(biāo)，例如平均邊緣誤差、平均長度誤差、上升及下降邊緣的邊緣誤差、PI錯(cuò)誤、或DC/DD時(shí)基誤差等，以修正該寫入策略。
請同時(shí)參考圖6及圖7。圖7為顯示依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法流程圖。詳細(xì)描述提供如下。
步驟702開始將數(shù)據(jù)寫入光盤。
步驟704利用一預(yù)設(shè)策略WXR_I將數(shù)據(jù)寫入光盤。
步驟706準(zhǔn)備一選擇參數(shù)的多個(gè)值(例如OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5)。
步驟708通過選擇一之前未被利用的選擇參數(shù)以將一短數(shù)據(jù)寫入。
步驟710暫停并移動(dòng)讀寫頭以分別測量該短數(shù)據(jù)的一品質(zhì)指標(biāo)(例如時(shí)基誤差)。
步驟712該選擇參數(shù)的全部值是否被選擇用來將各自分散的多筆短數(shù)據(jù)寫入？若是，進(jìn)入步驟718；不然則進(jìn)入步驟714。
步驟714將一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)寫入。
步驟716等待一既定時(shí)間或一既定寫入長度。
步驟718根據(jù)該最佳品質(zhì)指標(biāo)(例如一最小時(shí)基誤差)而選擇該選擇參數(shù)的一最佳值。
步驟720根據(jù)該選擇參數(shù)的最佳值來修正該預(yù)設(shè)策略，并且于P7利用該修正寫入策略繼續(xù)寫入。
步驟722若寫入完成，進(jìn)行步驟724；不然則進(jìn)入步驟706。
步驟724停止寫入。
本發(fā)明的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法根據(jù)短型樣組合(至少大于3T，當(dāng)應(yīng)用于藍(lán)光技術(shù)時(shí)可至2T)的一測量結(jié)果來修正型樣相關(guān)參數(shù)，以及與型樣無關(guān)的參數(shù)(如寫入功率)，因此能充分提高數(shù)據(jù)的寫入品質(zhì)。
上述實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，而非用于限定本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，包括根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫入策略將數(shù)據(jù)寫入至一盤片上，每一預(yù)設(shè)寫入策略對應(yīng)一型樣組合；暫停寫入，并測量已寫數(shù)據(jù)所對應(yīng)的型樣組合的一品質(zhì)指標(biāo)；根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)，調(diào)整該型樣組合的預(yù)設(shè)寫入策略，以產(chǎn)生多個(gè)修正寫入策略；及以修正的寫入策略寫入對應(yīng)的型樣組合。
2.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，所述品質(zhì)指標(biāo)從包括一平均長度誤差值、一平均上升邊緣誤差值、一平均下降邊緣誤差值、一內(nèi)部校驗(yàn)碼錯(cuò)誤率、及一時(shí)基誤差值的群組中選出。
3.如權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寫入策略及修正寫入策略間的一上升時(shí)間差Tdiff，對應(yīng)于所述平均上升邊緣誤差值ofs_top，被表示如下Tdiff＝X*ofs_top+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
4.如權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寫入策略及修正寫入策略間的一下降時(shí)間差Tdiff，對應(yīng)于所述平均下降邊緣誤差值ofs_last，被表示如下Tdiff＝X*ofs_last+Y，其中X及Y為可調(diào)的變量。
5.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，所述型樣組合為一「平面，凹洞」或「凹洞，平面」組合，而且為一短型樣組合，其中該短型樣的長度包含3T、4T和5T；其中，T為一個(gè)時(shí)脈周期。
6.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫入策略將數(shù)據(jù)寫入光盤之后，還包括選擇該寫入策略的一選擇參數(shù)；決定該選擇參數(shù)的多個(gè)值；根據(jù)該選擇參數(shù)的所述值所對應(yīng)的寫入策略來寫入數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，所述修正寫入策略通過選擇一最佳品質(zhì)指標(biāo)所對應(yīng)的選擇參數(shù)的一最佳值而產(chǎn)生。
8.如權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，還包括根據(jù)所述選擇參數(shù)的所述值所對應(yīng)的寫入策略而將數(shù)據(jù)寫入光盤，每筆不同值的寫入策略的寫入，交錯(cuò)一預(yù)設(shè)寫入策略的寫入。
9.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，所述寫入策略的選擇參數(shù)包括一上升時(shí)間、一下降時(shí)間、一寫入功率、一增強(qiáng)功率比、一粗略延遲、及一緩和時(shí)間。
10.一種用于光盤寫入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正裝置，該系統(tǒng)具有一讀寫頭以將數(shù)據(jù)寫入光盤，該裝置包括一寫入激光控制單元，用以根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫入策略控制所述讀寫頭以將數(shù)據(jù)寫入，其中各預(yù)設(shè)寫入策略對應(yīng)至一型樣組合；及暫停寫入，并控制該讀寫頭以讀取數(shù)據(jù)；一測量單元，用以測量已寫數(shù)據(jù)所對應(yīng)的型樣組合的一品質(zhì)指標(biāo)；及一寫入策略發(fā)展單元，根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)調(diào)整所述型樣組合的預(yù)設(shè)寫入策略，以產(chǎn)生多個(gè)修正寫入策略；其中，該寫入激光控制單元并根據(jù)修正的寫入策略寫入數(shù)據(jù)。
11.如權(quán)利要求10所述的用于光盤寫入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述品質(zhì)指標(biāo)從包括一平均長度誤差值、一平均上升邊緣誤差值、一平均下降邊緣誤差值、一內(nèi)部校驗(yàn)碼錯(cuò)誤率、及一時(shí)基誤差值的群組中選出。
12.如權(quán)利要求11所述的用于光盤寫入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寫入策略及修正寫入策略間的一上升時(shí)間差Tdiff，對應(yīng)于所述平均上升邊緣誤差值ofs_top，被表示如下Tdiff＝X*ofs_top+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
13.如權(quán)利要求11所述的用于光盤寫入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寫入策略及修正寫入策略間的一下降時(shí)間差Tdiff，對應(yīng)于所述平均下降邊緣誤差值ofs_last，被表示如下Tdiff＝X*ofs_last+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
14.如權(quán)利要求10所述的用于光盤寫入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述型樣組合為一「平面，凹洞」或「凹洞，平面」組合，而且為一短型樣組合，其中短型樣包含3T、4T及5T的型樣；其中，T為一個(gè)時(shí)脈周期。
15.如權(quán)利要求10所述的用于光盤寫入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述寫入激光控制單元還包括選擇所述寫入策略的一選擇參數(shù)；決定該選擇參數(shù)的多值；根據(jù)該選擇參數(shù)的所述值所對應(yīng)的寫入策略來寫入數(shù)據(jù)。
16.如權(quán)利要求15所述的用于光盤寫入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述修正寫入策略通過所述寫入策略發(fā)展單元選擇一最佳品質(zhì)指標(biāo)所對應(yīng)的選擇參數(shù)的一最佳值而產(chǎn)生。
17.如權(quán)利要求15所述的用于光盤寫入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述寫入激光控制單元還包括根據(jù)所述選擇參數(shù)的所述值所對應(yīng)的寫入策略而將數(shù)據(jù)寫入光盤，每筆不同值的寫入，交錯(cuò)一預(yù)設(shè)寫入策略的寫入。
18.如權(quán)利要求10所述的用于光盤寫入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述寫入策略的選擇參數(shù)包括一上升時(shí)間、一下降時(shí)間、一寫入功率、一增強(qiáng)功率比、一粗略延遲、及一緩和時(shí)間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種動(dòng)態(tài)寫入策略修正方法和裝置。該方法包括根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫入策略將數(shù)據(jù)寫入至一盤片上，每一預(yù)設(shè)寫入策略對應(yīng)一型樣組合；暫停寫入，并測量已寫數(shù)據(jù)所對應(yīng)的型樣組合的一品質(zhì)指標(biāo)；根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)，調(diào)整該型樣組合的預(yù)設(shè)寫入策略，以產(chǎn)生多個(gè)修正寫入策略；及以修正的寫入策略寫入對應(yīng)的型樣組合。通過本發(fā)明，根據(jù)短型樣組合(至少大于3T，當(dāng)應(yīng)用于藍(lán)光技術(shù)時(shí)可至2T)的一測量結(jié)果來修正型樣相關(guān)參數(shù)、以及與型樣無關(guān)的參數(shù)(如寫入功率)，因此能充分提高數(shù)據(jù)的寫入品質(zhì)。
文檔編號G11B7/0045GK1941100SQ20061012642
公開日2007年4月4日 申請日期2006年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月31日
發(fā)明者張伯維 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司