專(zhuān)利名稱(chēng)：動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及寫(xiě)入策略修正，且特別涉及動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法及裝置。
背景技術(shù)：
寫(xiě)入策略的好壞將是影響光驅(qū)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入品質(zhì)的重要因素。光驅(qū)中通常具有一寫(xiě)入策略表，以儲(chǔ)存多組寫(xiě)入策略。在將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)的前，光驅(qū)將根據(jù)光盤(pán)識(shí)別碼(Manufacture ID，MID)，從寫(xiě)入策略表中選出一特定寫(xiě)入策略。然而，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)期間，光盤(pán)識(shí)別碼對(duì)應(yīng)的特定寫(xiě)入策略并非持續(xù)為最佳的寫(xiě)入策略。主要原因有(a)光盤(pán)的內(nèi)圈及外圈的材料特性不同；(b)不同盤(pán)片制造商或不同種類(lèi)的光盤(pán)片卻使用相同光盤(pán)識(shí)別碼；(c)機(jī)構(gòu)傾斜或光學(xué)讀取頭的發(fā)光效率在光盤(pán)內(nèi)圈和外圈是不一樣的；(d)由環(huán)境溫度造成的寫(xiě)入策略變異；以及(e)來(lái)自于光驅(qū)驅(qū)動(dòng)IC及光盤(pán)讀寫(xiě)頭的變異。由于以上種種原因，將造成制式的寫(xiě)入策略將不符合動(dòng)態(tài)的寫(xiě)入環(huán)境需求，因此在寫(xiě)入期間，需要一動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法以修正制式的寫(xiě)入策略。某些用以提升數(shù)據(jù)寫(xiě)入品質(zhì)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法已被揭示，例如于寫(xiě)入過(guò)程期間，光驅(qū)停寫(xiě)入，并確認(rèn)寫(xiě)入品質(zhì)，然后根據(jù)該寫(xiě)入品質(zhì)修正寫(xiě)入策略。然而，如何根據(jù)該寫(xiě)入品質(zhì)以修正寫(xiě)入策略則從未被提及。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，包括根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至一光盤(pán)上，每一預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略對(duì)應(yīng)一型樣組合(pattern combination)；停止寫(xiě)入及測(cè)量已寫(xiě)數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的型樣組合的一品質(zhì)指標(biāo)；根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)，調(diào)整所述型樣組合的預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略，以產(chǎn)生多個(gè)修正寫(xiě)入策略；以修正的寫(xiě)入策略寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
根據(jù)該方法，所述品質(zhì)指標(biāo)從包括一平均長(zhǎng)度誤差值、一平均上升邊緣誤差值、一平均下降邊緣誤差值、一內(nèi)部校驗(yàn)碼錯(cuò)誤率(PI error rate)、及一時(shí)基誤差值(jitter value)的群組中選出。
根據(jù)該方法，所述預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略及修正寫(xiě)入策略間的一上升時(shí)間差Tdiff，對(duì)應(yīng)于所述平均上升邊緣誤差值ofs_top，被表示如下Tdiff＝X*ofs_top+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
根據(jù)該方法，所述預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略及修正寫(xiě)入策略間的一下降時(shí)間差Tdiff，對(duì)應(yīng)于所述平均下降邊緣誤差值ofs_last，被表示如下Tdiff＝X*ofs_last+Y，其中X及Y為可調(diào)的變量。
根據(jù)該方法，所述型樣組合為一「平面，凹洞」(Land，Pit)或「凹洞，平面」(Pit，Land)組合，而且為一短型樣組合，其中該短型樣的長(zhǎng)度包含3T、4T和5T；其中，T為一個(gè)時(shí)脈周期。
根據(jù)該方法，根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)之后，還包括選擇該寫(xiě)入策略的一選擇參數(shù)；決定該選擇參數(shù)的多個(gè)值；根據(jù)該選擇參數(shù)的所述值所對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入策略來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
根據(jù)該方法，所述修正寫(xiě)入策略通過(guò)選擇一最佳品質(zhì)指標(biāo)所對(duì)應(yīng)的選擇參數(shù)的一最佳值而產(chǎn)生。
根據(jù)該方法，還包括根據(jù)所述選擇參數(shù)的所述值所對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入策略而將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)，每筆不同值的寫(xiě)入策略的寫(xiě)入，交錯(cuò)一預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略的寫(xiě)入。
根據(jù)該方法，所述寫(xiě)入策略的選擇參數(shù)包括一上升時(shí)間、一下降時(shí)間、一寫(xiě)入功率、一增強(qiáng)功率比、一粗略延遲、及一緩和時(shí)間。
本發(fā)明還提供一種用于光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正裝置，該系統(tǒng)具有一讀寫(xiě)頭以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)，該裝置包括一寫(xiě)入激光控制單元、一測(cè)量單元以及一寫(xiě)入策略發(fā)展單元；其中，所述寫(xiě)入激光控制單元，用以根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略控制所述讀寫(xiě)頭以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入，其中各預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略對(duì)應(yīng)至一型樣組合(pattern combination)；及停止寫(xiě)入，并控制該讀寫(xiě)頭以讀取數(shù)據(jù)。
測(cè)量單元，用以測(cè)量已寫(xiě)數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的型樣組合的一品質(zhì)指標(biāo)。
寫(xiě)入策略發(fā)展單元，用以根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)調(diào)整所述型樣組合的預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略，以產(chǎn)生多個(gè)修正寫(xiě)入策略。其中，所述寫(xiě)入激光控制單元并根據(jù)修正的寫(xiě)入策略寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
根據(jù)該裝置，所述品質(zhì)指標(biāo)從包括一平均長(zhǎng)度誤差值、一平均上升邊緣誤差值、一平均下降邊緣誤差值、一內(nèi)部校驗(yàn)碼錯(cuò)誤率(PI error rate)、及一時(shí)基誤差值(jitter value)的群組中選出。
根據(jù)該裝置，所述預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略及修正寫(xiě)入策略間的一上升時(shí)間差Tdiff，對(duì)應(yīng)于所述平均上升邊緣誤差值ofs_top，被表示如下Tdiff＝X*ofs_top+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
根據(jù)該裝置，所述預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略及修正寫(xiě)入策略間的一下降時(shí)間差Tdiff，對(duì)應(yīng)于所述平均下降邊緣誤差值ofs_last，被表示如下Tdiff＝X*ofs_last+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
根據(jù)該裝置，所述型樣組合為一「平面，凹洞」(Land，Pit)或「凹洞，平面」(Pit，Land)組合，而且為一短型樣組合，其中短型樣包含3T、4T及5T的型樣；其中，T為一個(gè)時(shí)脈周期。
根據(jù)該裝置，所述寫(xiě)入激光控制單元還包括選擇所述寫(xiě)入策略的一選擇參數(shù)；
決定該選擇參數(shù)的多值；根據(jù)該選擇參數(shù)的所述值所對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入策略來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
根據(jù)該裝置，所述修正寫(xiě)入策略通過(guò)所述寫(xiě)入策略發(fā)展單元選擇一最佳品質(zhì)指標(biāo)所對(duì)應(yīng)的選擇參數(shù)的一最佳值而產(chǎn)生。
根據(jù)該裝置，所述寫(xiě)入激光控制單元還包括根據(jù)所述選擇參數(shù)的所述值所對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入策略而將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)，每筆不同值的寫(xiě)入，交錯(cuò)一預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略的寫(xiě)入。
根據(jù)該裝置，所述寫(xiě)入策略的選擇參數(shù)包括一上升時(shí)間、一下降時(shí)間、一寫(xiě)入功率、一增強(qiáng)功率比、一粗略延遲、及一緩和時(shí)間。
本發(fā)明的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，根據(jù)短型樣組合(至少大于3T，當(dāng)應(yīng)用于藍(lán)光技術(shù)時(shí)可至2T)的一測(cè)量結(jié)果來(lái)修正型樣相關(guān)參數(shù)、以及與型樣無(wú)關(guān)的參數(shù)(如寫(xiě)入功率)，因此能充分提高數(shù)據(jù)的寫(xiě)入品質(zhì)。


圖1為顯示本發(fā)明一實(shí)施例的一光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)方框圖；圖2為顯示理想RF信號(hào)、處理后的RF信號(hào)、及該寫(xiě)入策略的波形圖；圖3為顯示依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法流程圖；圖4為將一寫(xiě)入數(shù)據(jù)依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修改方法而寫(xiě)入至光盤(pán)的示意圖；圖5為顯示依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法流程圖；圖6為將一寫(xiě)入數(shù)據(jù)依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修改方法而寫(xiě)入至光盤(pán)的示意圖；圖7為顯示依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法流程圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明110數(shù)據(jù)段； 120另一數(shù)據(jù)段；800光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)； 810盤(pán)片；
820讀寫(xiě)頭； 830測(cè)量單元；840寫(xiě)入策略發(fā)展單元； 850寫(xiě)入激光控制單元。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明詳細(xì)敘述提供如下。
將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至一盤(pán)片上的寫(xiě)入策略包括了多參數(shù)。一些是與型樣(pattern)相關(guān)，一些則與型樣無(wú)關(guān)。與型樣相關(guān)參數(shù)包括上升及下降時(shí)間；與型樣無(wú)關(guān)參數(shù)包括寫(xiě)入功率、增強(qiáng)功率比(OverDrive power ratio，ODpower ration)、粗略延遲、及緩和時(shí)間(cooling time)。于寫(xiě)入期間，這些參數(shù)并非總是最佳參數(shù)而需要被修正。詳細(xì)敘述提供如下。
請(qǐng)參考圖1，為顯示依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)800方框圖。光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)800包括一盤(pán)片810、一讀寫(xiě)頭(PUH)820、一測(cè)量單元830、一寫(xiě)入策略發(fā)展單元840、及一寫(xiě)入激光控制單元850。盤(pán)片810為一可寫(xiě)的記錄媒介，例如DVD+-RW/DVD+-R。于寫(xiě)入期間，測(cè)量單元830根據(jù)讀寫(xiě)頭820的回饋信號(hào)測(cè)量寫(xiě)入數(shù)據(jù)的品質(zhì)而產(chǎn)生一品質(zhì)指標(biāo)。寫(xiě)入策略發(fā)展單元840根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)選擇一最佳參數(shù)，并且修正一預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略WXR_I(圖中未標(biāo)示)，以產(chǎn)生一修正的寫(xiě)入策略WXR_II(圖中未標(biāo)示)。寫(xiě)入激光控制單元850，根據(jù)所述修正寫(xiě)入策略而控制讀寫(xiě)頭PUH 820，以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入盤(pán)片810。于該光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)800中，將重復(fù)上述的寫(xiě)入策略修正程序直到完成所有數(shù)據(jù)寫(xiě)入為止。
本實(shí)施例的寫(xiě)入策略修正方法，修正了用以在光盤(pán)片810上寫(xiě)入各種平面/凹洞(Land/Pit)型樣組合的寫(xiě)入控制脈沖中的部分型樣相關(guān)參數(shù)(例如上升及下降時(shí)間)。該光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)800，根據(jù)一寫(xiě)入策略WXR_I，將一數(shù)據(jù)段110(例如正常數(shù)據(jù)或測(cè)試型樣)寫(xiě)入至該盤(pán)片810。并于一既定位置P1暫停寫(xiě)入，接著移動(dòng)讀取頭以讀取該數(shù)據(jù)段110而獲得一處理后的RF信號(hào)RF_I(Sliced RF signal或稱(chēng)EFMI)。分析此RF信號(hào)可獲得一品質(zhì)指標(biāo)，可據(jù)以修正該寫(xiě)入策略WXR_I(例如上升及下降時(shí)間)。最后根據(jù)一修正的寫(xiě)入策略WXR_II，從之前中斷寫(xiě)入點(diǎn)，即既定位置P1，繼續(xù)將另一段數(shù)據(jù)120寫(xiě)入至該盤(pán)片810。于是由該數(shù)據(jù)120所讀回的片段RF信號(hào)RF_II相似于一理想RF信號(hào)RF_IDEAL。接下來(lái)將詳細(xì)描述寫(xiě)入策略修正程序。
請(qǐng)參考圖2。圖2是顯示一特定型樣組合(m平面，n凹洞)的該理想RF信號(hào)RF_IDEAL、處理后的RF信號(hào)RF_I和RF_II、以及該寫(xiě)入策略WXR_I和WXR_II的波形圖，其中變量m及n均為正整數(shù)。該型樣組合可為(m凹洞，n平面)或(m平面，n凹洞)。請(qǐng)注意各型樣組合包括至少大于3T的型樣，而3T～5T的型樣一般較常見(jiàn)。當(dāng)應(yīng)用于藍(lán)光技術(shù)方面時(shí)，2T型樣也應(yīng)該被包括。換句話說(shuō)，并非需要測(cè)量所有型樣組合的誤差，不過(guò)，至少需要測(cè)量短型樣的組合(如3T～5T)。其中，T為一個(gè)時(shí)脈周期，當(dāng)光驅(qū)中讀寫(xiě)頭讀取光盤(pán)上一個(gè)平面或凹洞所代表的數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，會(huì)經(jīng)過(guò)不定長(zhǎng)度的時(shí)脈周期，在紅光技術(shù)每一個(gè)平面或凹洞為3T到14T，一般將3T到5T的平面或凹洞稱(chēng)為短T，藍(lán)光技術(shù)的則可短至2T。比較該理想RF信號(hào)RF_IDEAL與處理后的RF信號(hào)RF_I，于一上升邊緣具有一邊緣誤差Ofs_top_I，而于一下降邊緣具有另一邊緣誤差Ofs_last_I。為了補(bǔ)償這些差異，將利用修正后的寫(xiě)入策略WXR_II以取代該寫(xiě)入策略WXR_I。修正之后，比較該理想信號(hào)RF_IDEAL與根據(jù)修正后的寫(xiě)入策略WXR_II寫(xiě)入數(shù)據(jù)而讀回的處理后的RF信號(hào)RF_II，該上升邊緣差Ofs_top_II以及下降邊緣差Ofs_last_II均為0。換言之，該片段RF信號(hào)RF_II幾乎等于理想信號(hào)RF_IDEAL。
以上升邊緣的補(bǔ)償為例，一上升時(shí)間Ttop_I被修正為另一上升時(shí)間Ttop_II。該上升時(shí)間Ttop_II被決定如下Ttop_II-Ttop_I＝Tdiff＝X*ofs_top+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。為了提高實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確性，請(qǐng)注意須重復(fù)測(cè)量該邊緣誤差以得到一平均邊緣誤差。值得注意的是，除了該平均邊緣誤差之外，本發(fā)明也可使用一平均長(zhǎng)度誤差、于上升及下降邊緣的邊緣誤差、內(nèi)部校驗(yàn)碼(PI)錯(cuò)誤率、或DC(Data-to-Clock；數(shù)據(jù)對(duì)時(shí)脈)/DD(Data-to-Data；實(shí)際數(shù)據(jù)對(duì)理想數(shù)據(jù))時(shí)基誤差(jitter)作為該品質(zhì)指標(biāo)以修正該寫(xiě)入策略。
請(qǐng)同時(shí)參考圖1、圖2及圖3。圖3為顯示依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法流程圖。詳細(xì)描述提供如下。
步驟302開(kāi)始將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)。
步驟304于位置P1暫停寫(xiě)入。
步驟306測(cè)量一特定(平面，凹洞)或(凹洞，平面)的型樣組合對(duì)應(yīng)的一品質(zhì)指標(biāo)，例如平均長(zhǎng)度誤差、上升及下降邊緣的邊緣誤差、PI錯(cuò)誤、或DC/DD時(shí)基誤差，作為特定(平面，凹洞)或(凹洞，平面)的型樣組合。
步驟308若該品質(zhì)指標(biāo)超過(guò)一臨界值，進(jìn)行步驟310；不然則進(jìn)入步驟312；步驟310修正所述型樣組合所對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入策略。
步驟312用修正的寫(xiě)入策略于P1恢復(fù)寫(xiě)入后續(xù)數(shù)據(jù)。
請(qǐng)參考圖4。圖4為將一寫(xiě)入數(shù)據(jù)400依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修改方法而寫(xiě)入至光盤(pán)810的示意圖。本實(shí)施例的寫(xiě)入策略修正方法是用以修正一些與型樣無(wú)關(guān)的參數(shù)，例如寫(xiě)入功率、增強(qiáng)功率(OverDrive Power，OD Power)、粗略延遲以及緩和時(shí)間等。首先一光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)800根據(jù)一寫(xiě)入策略WXR_I，將數(shù)據(jù)段410(例如正常數(shù)據(jù)或測(cè)試型樣)寫(xiě)入至盤(pán)片810。并于一既定位置P2暫停寫(xiě)入，接著移動(dòng)讀取頭以讀取該數(shù)據(jù)段110而獲得一處理后的RF信號(hào)RF_I。分析此RF信號(hào)可獲得一品質(zhì)指標(biāo)，可據(jù)以修正該寫(xiě)入策略WXR_I。再根據(jù)一修正后的寫(xiě)入策略WXR_II，從P2繼續(xù)將另一段數(shù)據(jù)420寫(xiě)入至盤(pán)片810。接下來(lái)將詳細(xì)描述上述寫(xiě)入策略修正程序。
以該增強(qiáng)功率(OD)為例，當(dāng)將數(shù)據(jù)410寫(xiě)入時(shí)，首先該光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)利用一預(yù)設(shè)OD功率比OD_DEFAULT將該數(shù)據(jù)410寫(xiě)入，并且利用不同OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5，分別將多個(gè)短數(shù)據(jù)412、413、414、415、416寫(xiě)入。將所述短數(shù)據(jù)(412～416)寫(xiě)入后，該光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)于P2暫停寫(xiě)入并從所述短數(shù)據(jù)(412～416)讀回時(shí)基誤差J_1、J_2、J_3、J_4、J_5，然后從這些時(shí)基誤差(J_1～J_5)中找出最小值。舉例來(lái)說(shuō)，若該時(shí)基誤差J_3為最小，接著該光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)決定使用相對(duì)應(yīng)的OD功率比OD_3來(lái)取代預(yù)設(shè)OD功率比OD_DEFAULT。換句話說(shuō)，該光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)利用修正的OD功率比，即相等于OD_3，于P2繼續(xù)將該數(shù)據(jù)420寫(xiě)入。值得注意的是，除了該時(shí)基誤差之外，本發(fā)明也使用一些其它品質(zhì)指標(biāo)，例如平均邊緣誤差、平均長(zhǎng)度誤差、上升及下降邊緣的邊緣誤差、PI錯(cuò)誤、或DC/DD時(shí)基誤差等，以修正該寫(xiě)入策略。
請(qǐng)同時(shí)參考圖4及圖5。圖5為顯示依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法流程圖。詳細(xì)描述提供如下。
步驟502開(kāi)始將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)。
步驟504利用一預(yù)設(shè)策略WXR_I將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)。
步驟506準(zhǔn)備一選擇參數(shù)的多個(gè)值(例如OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5)。
步驟508利用該選擇參數(shù)的不同值(OD_1～OD_5)分別將多筆短數(shù)據(jù)(412～416)寫(xiě)入。
步驟510暫停并移動(dòng)讀寫(xiě)頭以分別測(cè)量寫(xiě)入所述短數(shù)據(jù)(412～416)的一品質(zhì)指標(biāo)(例如時(shí)基誤差)。
步驟512選擇對(duì)應(yīng)于該最佳品質(zhì)指標(biāo)(例如一最小時(shí)基誤差)的一最佳參數(shù)值。
步驟514根據(jù)該最佳參數(shù)以修正該預(yù)設(shè)策略WXR_I，并且利用該修正寫(xiě)入策略WXR_II繼續(xù)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
步驟516若寫(xiě)入完成，進(jìn)行步驟518；不然則進(jìn)入步驟506。
步驟518停止寫(xiě)入。
請(qǐng)參考圖6。圖6為將一寫(xiě)入數(shù)據(jù)600依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修改方法而寫(xiě)入至光盤(pán)810的示意圖。類(lèi)似于第二實(shí)施例，第三實(shí)施例的寫(xiě)入策略修正方法修正一些與型樣無(wú)關(guān)的參數(shù)(例如寫(xiě)入功率、增強(qiáng)功率、粗略延遲、緩和時(shí)間)。首先光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)800根據(jù)一寫(xiě)入策略WXR_I，將多個(gè)數(shù)據(jù)610～650寫(xiě)入至該盤(pán)片。在位置P7將數(shù)據(jù)650寫(xiě)入之后，該系統(tǒng)暫停寫(xiě)入，并且由所述數(shù)據(jù)610～650讀回多個(gè)RF信號(hào)，以修正該寫(xiě)入策略WXR_I，然后根據(jù)一新寫(xiě)入策略WXR_II，從P7繼續(xù)將另一段數(shù)據(jù)660寫(xiě)入該盤(pán)片，其中WXR_II為WXR_I的修正寫(xiě)入策略。寫(xiě)入策略修正的詳細(xì)描述提供如下。
以修正增強(qiáng)功率(OD)此一參數(shù)為例，當(dāng)依序?qū)⑺鰯?shù)據(jù)610～650寫(xiě)入時(shí)，該光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)利用一預(yù)設(shè)OD功率比OD_DEFAULT將數(shù)據(jù)611、621、631、641、及651寫(xiě)入，并且利用不同OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5，分別將多個(gè)短數(shù)據(jù)612、622、632、642、652寫(xiě)入。將數(shù)據(jù)650寫(xiě)入后，該光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)于P7暫停寫(xiě)入，以從所述短數(shù)據(jù)(612、622、632、642、652)讀回該時(shí)基誤差J_1、J_2、J_3、J_4、J_5，然后從這些時(shí)基誤差(J_1～J_5)中找出最小值。舉例來(lái)說(shuō)，若該時(shí)基誤差J_3為最小，接著該光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)決定使用相對(duì)應(yīng)的OD功率比OD_3來(lái)取代預(yù)設(shè)OD功率比OD_DEFAULT。換句話說(shuō)，該光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)利用修正的OD功率比，即相等于OD_3，于P7繼續(xù)將該數(shù)據(jù)660寫(xiě)入。值得注意的是，除了該時(shí)基誤差之外，本發(fā)明也使用一些其它品質(zhì)指標(biāo)，例如平均邊緣誤差、平均長(zhǎng)度誤差、上升及下降邊緣的邊緣誤差、PI錯(cuò)誤、或DC/DD時(shí)基誤差等，以修正該寫(xiě)入策略。
請(qǐng)同時(shí)參考圖6及圖7。圖7為顯示依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法流程圖。詳細(xì)描述提供如下。
步驟702開(kāi)始將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)。
步驟704利用一預(yù)設(shè)策略WXR_I將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)。
步驟706準(zhǔn)備一選擇參數(shù)的多個(gè)值(例如OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5)。
步驟708通過(guò)選擇一之前未被利用的選擇參數(shù)以將一短數(shù)據(jù)寫(xiě)入。
步驟710暫停并移動(dòng)讀寫(xiě)頭以分別測(cè)量該短數(shù)據(jù)的一品質(zhì)指標(biāo)(例如時(shí)基誤差)。
步驟712該選擇參數(shù)的全部值是否被選擇用來(lái)將各自分散的多筆短數(shù)據(jù)寫(xiě)入？若是，進(jìn)入步驟718；不然則進(jìn)入步驟714。
步驟714將一標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)寫(xiě)入。
步驟716等待一既定時(shí)間或一既定寫(xiě)入長(zhǎng)度。
步驟718根據(jù)該最佳品質(zhì)指標(biāo)(例如一最小時(shí)基誤差)而選擇該選擇參數(shù)的一最佳值。
步驟720根據(jù)該選擇參數(shù)的最佳值來(lái)修正該預(yù)設(shè)策略，并且于P7利用該修正寫(xiě)入策略繼續(xù)寫(xiě)入。
步驟722若寫(xiě)入完成，進(jìn)行步驟724；不然則進(jìn)入步驟706。
步驟724停止寫(xiě)入。
本發(fā)明的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法根據(jù)短型樣組合(至少大于3T，當(dāng)應(yīng)用于藍(lán)光技術(shù)時(shí)可至2T)的一測(cè)量結(jié)果來(lái)修正型樣相關(guān)參數(shù)，以及與型樣無(wú)關(guān)的參數(shù)(如寫(xiě)入功率)，因此能充分提高數(shù)據(jù)的寫(xiě)入品質(zhì)。
上述實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明，而非用于限定本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，其特征在于，包括根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至一盤(pán)片上，每一預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略對(duì)應(yīng)一型樣組合；暫停寫(xiě)入，并測(cè)量已寫(xiě)數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的型樣組合的一品質(zhì)指標(biāo)；根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)，調(diào)整該型樣組合的預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略，以產(chǎn)生多個(gè)修正寫(xiě)入策略；及以修正的寫(xiě)入策略寫(xiě)入對(duì)應(yīng)的型樣組合。
2.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，其特征在于，所述品質(zhì)指標(biāo)從包括一平均長(zhǎng)度誤差值、一平均上升邊緣誤差值、一平均下降邊緣誤差值、一內(nèi)部校驗(yàn)碼錯(cuò)誤率、及一時(shí)基誤差值的群組中選出。
3.如權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略及修正寫(xiě)入策略間的一上升時(shí)間差Tdiff，對(duì)應(yīng)于所述平均上升邊緣誤差值ofs_top，被表示如下Tdiff＝X*ofs_top+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
4.如權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略及修正寫(xiě)入策略間的一下降時(shí)間差Tdiff，對(duì)應(yīng)于所述平均下降邊緣誤差值ofs_last，被表示如下Tdiff＝X*ofs_last+Y，其中X及Y為可調(diào)的變量。
5.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，其特征在于，所述型樣組合為一「平面，凹洞」或「凹洞，平面」組合，而且為一短型樣組合，其中該短型樣的長(zhǎng)度包含3T、4T和5T；其中，T為一個(gè)時(shí)脈周期。
6.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，其特征在于，根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)之后，還包括選擇該寫(xiě)入策略的一選擇參數(shù)；決定該選擇參數(shù)的多個(gè)值；根據(jù)該選擇參數(shù)的所述值所對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入策略來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，其特征在于，所述修正寫(xiě)入策略通過(guò)選擇一最佳品質(zhì)指標(biāo)所對(duì)應(yīng)的選擇參數(shù)的一最佳值而產(chǎn)生。
8.如權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，其特征在于，還包括根據(jù)所述選擇參數(shù)的所述值所對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入策略而將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)，每筆不同值的寫(xiě)入策略的寫(xiě)入，交錯(cuò)一預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略的寫(xiě)入。
9.如權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法，其特征在于，所述寫(xiě)入策略的選擇參數(shù)包括一上升時(shí)間、一下降時(shí)間、一寫(xiě)入功率、一增強(qiáng)功率比、一粗略延遲、及一緩和時(shí)間。
10.一種用于光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正裝置，該系統(tǒng)具有一讀寫(xiě)頭以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)，該裝置包括一寫(xiě)入激光控制單元，用以根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略控制所述讀寫(xiě)頭以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入，其中各預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略對(duì)應(yīng)至一型樣組合；及暫停寫(xiě)入，并控制該讀寫(xiě)頭以讀取數(shù)據(jù)；一測(cè)量單元，用以測(cè)量已寫(xiě)數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的型樣組合的一品質(zhì)指標(biāo)；及一寫(xiě)入策略發(fā)展單元，根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)調(diào)整所述型樣組合的預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略，以產(chǎn)生多個(gè)修正寫(xiě)入策略；其中，該寫(xiě)入激光控制單元并根據(jù)修正的寫(xiě)入策略寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
11.如權(quán)利要求10所述的用于光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正裝置，其特征在于，所述品質(zhì)指標(biāo)從包括一平均長(zhǎng)度誤差值、一平均上升邊緣誤差值、一平均下降邊緣誤差值、一內(nèi)部校驗(yàn)碼錯(cuò)誤率、及一時(shí)基誤差值的群組中選出。
12.如權(quán)利要求11所述的用于光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略及修正寫(xiě)入策略間的一上升時(shí)間差Tdiff，對(duì)應(yīng)于所述平均上升邊緣誤差值ofs_top，被表示如下Tdiff＝X*ofs_top+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
13.如權(quán)利要求11所述的用于光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正裝置，其特征在于，所述預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略及修正寫(xiě)入策略間的一下降時(shí)間差Tdiff，對(duì)應(yīng)于所述平均下降邊緣誤差值ofs_last，被表示如下Tdiff＝X*ofs_last+Y，其中，X及Y為可調(diào)的變量。
14.如權(quán)利要求10所述的用于光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正裝置，其特征在于，所述型樣組合為一「平面，凹洞」或「凹洞，平面」組合，而且為一短型樣組合，其中短型樣包含3T、4T及5T的型樣；其中，T為一個(gè)時(shí)脈周期。
15.如權(quán)利要求10所述的用于光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正裝置，其特征在于，所述寫(xiě)入激光控制單元還包括選擇所述寫(xiě)入策略的一選擇參數(shù)；決定該選擇參數(shù)的多值；根據(jù)該選擇參數(shù)的所述值所對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入策略來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
16.如權(quán)利要求15所述的用于光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正裝置，其特征在于，所述修正寫(xiě)入策略通過(guò)所述寫(xiě)入策略發(fā)展單元選擇一最佳品質(zhì)指標(biāo)所對(duì)應(yīng)的選擇參數(shù)的一最佳值而產(chǎn)生。
17.如權(quán)利要求15所述的用于光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正裝置，其特征在于，所述寫(xiě)入激光控制單元還包括根據(jù)所述選擇參數(shù)的所述值所對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入策略而將數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)，每筆不同值的寫(xiě)入，交錯(cuò)一預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略的寫(xiě)入。
18.如權(quán)利要求10所述的用于光盤(pán)寫(xiě)入系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正裝置，其特征在于，所述寫(xiě)入策略的選擇參數(shù)包括一上升時(shí)間、一下降時(shí)間、一寫(xiě)入功率、一增強(qiáng)功率比、一粗略延遲、及一緩和時(shí)間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種動(dòng)態(tài)寫(xiě)入策略修正方法和裝置。該方法包括根據(jù)多個(gè)預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至一盤(pán)片上，每一預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略對(duì)應(yīng)一型樣組合；暫停寫(xiě)入，并測(cè)量已寫(xiě)數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的型樣組合的一品質(zhì)指標(biāo)；根據(jù)該品質(zhì)指標(biāo)，調(diào)整該型樣組合的預(yù)設(shè)寫(xiě)入策略，以產(chǎn)生多個(gè)修正寫(xiě)入策略；及以修正的寫(xiě)入策略寫(xiě)入對(duì)應(yīng)的型樣組合。通過(guò)本發(fā)明，根據(jù)短型樣組合(至少大于3T，當(dāng)應(yīng)用于藍(lán)光技術(shù)時(shí)可至2T)的一測(cè)量結(jié)果來(lái)修正型樣相關(guān)參數(shù)、以及與型樣無(wú)關(guān)的參數(shù)(如寫(xiě)入功率)，因此能充分提高數(shù)據(jù)的寫(xiě)入品質(zhì)。
文檔編號(hào)G11B7/0045GK1941100SQ20061012642
公開(kāi)日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月31日
發(fā)明者張伯維 申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司