專利名稱：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種被稱為下一代DVD(Digital Versatile Disc數(shù)字通用光盤)的光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
作為下一代DVD，而提出有一種利用激光波長λ為405nm(藍(lán)色)、物鏡的數(shù)值孔徑NA＝0.85的光學(xué)系統(tǒng)的DVD，并且，在單面上具有兩層信息層、且改寫速度為1倍速(線速度約為5.0m/s)的改寫型光記錄介質(zhì)已被商品化。另外，還存在激光波長λ＝405nm、數(shù)值孔徑NA＝0.65的規(guī)格的下一代DVD。
對于這樣的下一代DVD，要求進(jìn)一步增大存儲(chǔ)容量、以及實(shí)現(xiàn)高速記錄。
在如上所述的、單面上具有兩層或者更多層的信息層的光記錄介質(zhì)中，為了能夠?qū)τ陔x光入射面最遠(yuǎn)的信息層進(jìn)行記錄以及再現(xiàn)，而將除了離激光束的光入射面最遠(yuǎn)的信息層以外的信息層做成半透過的結(jié)構(gòu)。
這時(shí)，雖然有必要使信息層所包含的相變記錄膜的膜厚變薄，但若使該膜厚變薄，則產(chǎn)生如下問題結(jié)晶化速度以及刪除率降低，而記錄標(biāo)記(非晶態(tài))的刪除變得困難，從而改寫速度降低。
另外，激光束的光點(diǎn)尺寸通過相變記錄膜的某一點(diǎn)的時(shí)間越短，上述刪除率的降低越明顯。即，線速度越快，則刪除率越容易降低。因此，光記錄介質(zhì)越是高密度大容量，越難提高改寫速度。
例如，如JP特開2003-228881號(hào)公報(bào)所記載，作為如上所述的提高相變記錄膜的結(jié)晶化速度的方法，而公開有使用Cr2O3而作為由Ge4Sb2Te7等的化合物類相變材料構(gòu)成的相變記錄膜的界面層的方法，并記載有通過防止向記錄膜中的ZnS擴(kuò)散，來取得提高改寫次數(shù)、及提高結(jié)晶化速度的效果。
但是，對多層光記錄介質(zhì)中的半透過信息層的記錄膜使用GeSbTe、GeBiTe等化合物類相變材料，并追加Cr2O3的界面層而進(jìn)行對于高速記錄的研究的結(jié)果，在激光波長為405nm、NA＝0.85(或者0.65)的光學(xué)系統(tǒng)中，線速度為20m/s(4倍速)時(shí)無法實(shí)現(xiàn)對非晶態(tài)的結(jié)晶化(刪除)。因此，在下一代DVD的領(lǐng)域中，使用GeSbTe、GeBiTe等化合物類材料來作為半透過信息層中的相變記錄膜，而使其對應(yīng)于4倍速或其以上的高速記錄是很困難的。
對此，若作為相變記錄膜而使用以Sb為主成分的SbTe共晶類材料，則能夠根據(jù)Sb的含有量來控制結(jié)晶化速度，另外，由于其熔點(diǎn)比化合物類材料低而在600℃以下，因此能夠讓用于形成非晶態(tài)標(biāo)記的激光束的功率變小。
但是，當(dāng)使用該SbTe共晶類材料而作為記錄膜時(shí)，若為了使其能夠?qū)?yīng)于高速記錄而增加Sb含有量，則產(chǎn)生以下問題點(diǎn)結(jié)晶化及活化能降低而破壞非晶態(tài)標(biāo)記的熱穩(wěn)定性。
對此，本發(fā)明人找出了如下的一種方法，并申請了JP特愿2005-095880號(hào)將Sb和Ge為主成分、將Mg為添加成分而形成半透過信息層中的相變材料的記錄膜，而且，對于該記錄膜，通過由Cr2O3來形成相鄰于激光束的光入射側(cè)的界面層，而能夠不會(huì)使激光功率過大、且不會(huì)破壞非晶態(tài)標(biāo)記的熱穩(wěn)定性地進(jìn)行高速記錄。
但是，在該光記錄介質(zhì)中，產(chǎn)生這樣的問題點(diǎn)，即，若在高溫高濕下保存，則發(fā)生界面層的剝離，從而會(huì)發(fā)生無法記錄的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而研制的，其目的在于提供一種光記錄介質(zhì)，其無需增大用于形成非晶態(tài)標(biāo)記的激光功率、且不破壞非晶態(tài)標(biāo)記的熱穩(wěn)定性而能夠進(jìn)行高速記錄的同時(shí)，即使在高溫高濕下保存也不會(huì)發(fā)生界面層的剝離。
本發(fā)明人努力研究的結(jié)果，找出一種方法若代替如上所述的Cr2O3而由ZnS、SiO2以及Cr2O3來形成界面層，則即使在高溫高濕下進(jìn)行保存也不會(huì)發(fā)生界面層的剝離，而能夠進(jìn)行高速記錄。
即，通過如下的實(shí)施例來解決上述問題。
(1)一種光記錄介質(zhì)，具有基板、設(shè)置在該基板上的激光束的光入射側(cè)的第一信息層、設(shè)置在比該第一信息層更靠近光入射側(cè)的至少一層的半透過信息層而成，上述半透過信息層包含記錄膜、以及相鄰于該記錄膜的光入射側(cè)而設(shè)置的界面層而構(gòu)成，同時(shí)，上述記錄膜由相變材料形成，該相變材料能夠通過將物鏡的數(shù)值孔徑設(shè)為NA、將激光束的波長設(shè)為λ時(shí)λ/NA≤650nm的光學(xué)系統(tǒng)來改寫，其特征在于，上述記錄膜將Sb作為主成分，且作為副成分而至少含有Ge，并且上述界面層由ZnS、SiO2以及Cr2O3來形成。
(2)如(1)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述界面層中的Cr2O3的含有量為15mol％以上、且90mol％以下。
(3)如(1)或(2)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述記錄膜中，Sb是77.2at％以上、且88at％以下，Ge是9.9at％以上、且21at％以下。
(4)如(1)、(2)或(3)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄膜將Mg作為添加成分而含有1at％以上、且3.9at％以下。
(5)如(1)～(4)的任意一項(xiàng)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述界面層的膜厚為0.4nm以上、且9nm以下。
(6)如(1)～(4)的任意一項(xiàng)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述界面層的膜厚為0.5nm以上、且8nm以下。
(7)如(1)～(6)的任意一項(xiàng)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述界面層的組分為{(ZnS)0.8(SiO2)0.2}(100-X)(Cr2O3)X，其中，39≤X≤86。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，通過由SbGe共晶類材料形成記錄膜，且在該激光束入射側(cè)形成由ZnS、SiO2、Cr2O3構(gòu)成的界面層，而雖是推測，通過界面層來促進(jìn)從記錄膜界面開始的結(jié)晶核的生成，而且由該所生成的結(jié)晶核迅速進(jìn)行結(jié)晶成長，而縮短了結(jié)晶化時(shí)間，從而無需增大激光功率、且不會(huì)破壞非晶態(tài)標(biāo)記的熱穩(wěn)定性而能夠進(jìn)行高速記錄。另外，即使在高溫高濕下進(jìn)行保存之后，也沒有發(fā)生過界面層的剝離。


圖1是示意性地表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的剖面圖。
圖2是表示在第一實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的界面層中的Cr2O3含有量和4倍速刪除之間的關(guān)系的曲線圖。
圖3是表示在與上述第一實(shí)施例的光記錄介質(zhì)除了界面層的組分不同之外結(jié)構(gòu)相同的光記錄介質(zhì)的樣品中的、記錄線速度和刪除率之間的關(guān)系的曲線圖。
圖4是表示在同樣的、界面層的組分不同的多個(gè)樣品中進(jìn)行4倍速記錄時(shí)的時(shí)基誤差特性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
最佳實(shí)施方式中的光記錄介質(zhì)具有基板、設(shè)置在該基板上的激光束的光入射側(cè)的第一信息層、設(shè)置在比第一信息層更靠近光入射側(cè)的半透過信息層而成，而且上述半透過信息層包括記錄膜以及相鄰于該記錄膜的光入射側(cè)而設(shè)置的界面層的構(gòu)成同時(shí)，上述記錄膜將Sb作為主成分、且作為副成分至少具有Ge，且由相變材料來形成，該相變材料能夠通過將物鏡的數(shù)值孔徑設(shè)為NA、將激光束的波長設(shè)為λ時(shí)λ/NA≤650nm的光學(xué)系統(tǒng)來改寫，還有，上述界面層由ZnS、SiO2以及Cr2O3來形成。
作為上述半透過信息層的構(gòu)成例，可舉例在基板上依次層疊第一電介質(zhì)層、反射層、第二電介質(zhì)層、記錄膜(層)、界面層、第三電介質(zhì)層、散熱層的結(jié)構(gòu)。
第一電介質(zhì)層是為保護(hù)反射層以及調(diào)整光透過率而設(shè)置的，其材料并非特別受到限定，可使用包含從Ti、Zr、Hf、Ta、Si、Al、Mg、Y、Ce、Zn、In、Cr、Nb等中選擇的至少一種金屬的氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物、或者這些的復(fù)合物等。在最佳實(shí)施方式中是由作為主成分而含有氧化鋯的材料來形成。在此所謂的主成分是指在全體中所占摩爾比為60％以上的成分。第一電介質(zhì)層的膜厚D1優(yōu)選1nm≤D1≤60nm。當(dāng)不到1nm時(shí)，對反射層的保護(hù)不充分，而當(dāng)厚于60nm時(shí)，超出優(yōu)選的光透過率范圍。
反射層是為了散熱和光干涉效果而設(shè)置的，其材料優(yōu)選使用Ag合金，并且為了作成半透過結(jié)構(gòu)，其膜厚Tr為0＜Tr＜30nm。優(yōu)選為0＜Tr＜20nm。記錄膜(層)的優(yōu)選膜厚Trec是2nm≤Trec≤12nm，優(yōu)選為2.5nm≤Trec≤8nm。
由此，整個(gè)半透過信息層對記錄波長的光透過率為30％以上、且80％以下。若半透過信息層的光透過率不到30％，則對于離激光束的光入射面最遠(yuǎn)的信息層的記錄變得困難，而若超過80％，則對于半透過信息層的記錄變得困難。這是作為半透過信息層而被要求的一般的條件。
記錄膜(層)至少由Sb以及Ge構(gòu)成。還有，也可以含有從Mg、Al、Si、Mn、Zn、Ga、Sn、Bi、In等中選擇的至少一種添加成分。
Sb的優(yōu)選原子重量百分比為77.2≤Sb≤88，更優(yōu)選為81≤Sb≤88。當(dāng)Sb不到77.2at％時(shí)，結(jié)晶化速度降低，從而標(biāo)記的刪除變得困難。還有，標(biāo)記的熱穩(wěn)定性被破壞。Ge的優(yōu)選原子重量百分比是10≤Ge≤22，更優(yōu)選是10≤Ge≤21。當(dāng)Ge不到10at％時(shí)，標(biāo)記的熱穩(wěn)定性被破壞。另外，當(dāng)超過21at％時(shí)，結(jié)晶化速度降低，從而刪除變得困難。從Mg等中選擇的至少一種添加成分的優(yōu)選原子重量百分比為1≤Mg等≤3.9。當(dāng)Mg等不到1at％時(shí)，不能取得降低噪聲的效果。另外，當(dāng)大于3.9at％時(shí)，結(jié)晶化速度降低，從而刪除變得困難。
第二電介質(zhì)層控制記錄層和反射層的保護(hù)以及從記錄層到反射層的散熱性。其材料并沒有特別受到限定，可以使用包含從Ti、Zr、Hf、Ta、Si、Al、Mg、Y、Ce、Zn、In、Cr、Nb等中選擇的至少一種金屬的氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物、或者這些的復(fù)合物等。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，由作為主成而包含氧化鋯的材料來形成。所謂主成分是指在全體中所占摩爾比為60％以上的材料。膜厚D2優(yōu)選為2nm≤D2≤20nm。當(dāng)不到2nm時(shí)，對記錄層以及反射層的保護(hù)不充分，而當(dāng)厚于20nm時(shí)，來自記錄層的熱量無法迅速散熱到反射層而冷卻速度降低，從而正確形成非晶態(tài)標(biāo)記變得困難。
界面層進(jìn)行對結(jié)晶化速度的控制。通過對界面層使用ZnS、SiO2、Cr2O3、特別是通過使用Cr2O3，而能夠提高結(jié)晶化速度。界面層的膜厚Ti為0.5nm≤Ti≤8nm。當(dāng)界面層的膜厚不到0.5nm時(shí)，無法獲得可改寫的最大線速度，還有，當(dāng)厚于8nm時(shí)，雖然可改寫的最大線速度提高，但因由Cr2O3的光吸收而半透過記錄層的光透過率減少。
第三電介質(zhì)層進(jìn)行對于光學(xué)特性的調(diào)整以及從記錄層到散熱層的散熱性的控制。其材料并沒有特別受到限定，但可以使用包含從Ti、Zr、Hf、Ta、Si、Al、Mg、Y、Ce、Zn、In、Cr、Nb等中選擇的至少一種金屬的氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物、或者這些的復(fù)合物等。優(yōu)選由ZnS和SiO2的混合物來形成。優(yōu)選的ZnS和SiO2的摩爾比是從50∶50到95∶5。當(dāng)超出該范圍時(shí)，ZnS和SiO2的混合物的折射率發(fā)生變化，而光學(xué)特性的調(diào)整變得困難。第三電介質(zhì)層的膜厚D3優(yōu)選為5nm≤D3≤50nm。當(dāng)薄于5nm時(shí)，記錄層的保護(hù)以及光學(xué)特性的調(diào)整變得困難，而當(dāng)厚于50nm時(shí)，從記錄層到散熱層的散熱性降低。
散熱層是用于控制來自記錄層的散熱而提高記錄層的冷卻效果，從而容易正確地形成非晶態(tài)標(biāo)記的層。其材料并沒有特別受到限定，但優(yōu)選比第三電介質(zhì)層的材料熱傳導(dǎo)率高的材料，優(yōu)選AlN、SiN、BN、Al2O3、TiO2等。在最佳實(shí)施方式中是由AlN來形成的。散熱層的優(yōu)選膜厚Theat為15≤Theat≤150nm，更優(yōu)選的是20≤Theat≤120nm。當(dāng)散熱層的膜厚不到15nm時(shí)，來自記錄層的散熱效果變?nèi)?，另外，?dāng)變?yōu)?50nm以上時(shí)，成膜所需的時(shí)間變長，從而導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低。
此外，第一、第二、第三電介質(zhì)層可以是單層，也可以是由兩層以上的多層電介質(zhì)層構(gòu)成。
以下參照圖1，詳細(xì)說明本發(fā)明的第一實(shí)施例的光記錄介質(zhì)10。
該光記錄介質(zhì)10具有基板12、設(shè)置在該基板12上的激光束的光入射側(cè)(在圖1中為上側(cè))的第一信息層14、作為設(shè)置在比該第一信息層14更靠近光入射側(cè)的半透過信息層的第二信息層16而成，而且，上述第二信息層16包含記錄膜18、以及相鄰于該記錄膜18的光入射側(cè)而設(shè)置的界面層20而構(gòu)成。
在上述第一信息層14和第二信息層16之間設(shè)置有間隔層22，另外，在上述第二信息層16的光入射側(cè)設(shè)置有光透過層24。
上述第二信息層16具有從間隔層22側(cè)開始依次通過陰極濺鍍形成如下結(jié)構(gòu)例如由膜厚為5nm的ZrO2膜構(gòu)成的第一電介質(zhì)層26；例如由膜厚為10nm的AgPdCu(98∶1∶1at％)膜構(gòu)成的反射層28；例如由膜厚為5nm的ZrO2膜構(gòu)成的第二電介質(zhì)層30；膜厚為6nm的上述記錄層18；例如由膜厚為5nm的ZnS、SiO2、Cr2O3膜構(gòu)成的上述界面層20；例如由膜厚為15nm的ZnS∶SiO2(80∶20mol％)膜構(gòu)成的第三電介質(zhì)層32；例如由膜厚為50nm的AlN膜構(gòu)成的散熱層34。
另外，上述基板12由厚度為1.1mm的聚碳酸酯構(gòu)成，間隔層22的厚度為25μm，并且利用紫外線固化型樹脂、且通過旋涂法來形成厚度為75μm的上述光透過層24。通過初始化設(shè)備使上述第二信息層全面結(jié)晶化之后，形成該光透過層24。
在該第一實(shí)施例中，上述記錄層18的材料可以使用SbGe(87.0∶13.0at％)。
對于該第一實(shí)施例的光記錄介質(zhì)10，通過波長為405nm的激光束，且利用具有NA＝0.85的光學(xué)系統(tǒng)的評估機(jī)，在線速度為19.68m/s(4倍速)、時(shí)鐘頻率為264MHz、記錄信號(hào)為(1，7)RLL調(diào)制信號(hào)的條件下進(jìn)行了對記錄刪除特性的評估。再現(xiàn)是在線速度4.92m/s下進(jìn)行的。另外，對于80℃85％RH50小時(shí)保存后的樣品在光學(xué)顯微鏡下確認(rèn)膜剝離。
對于如上所述條件的光記錄介質(zhì)中改變了界面層的組分的樣品1～10的膜剝離、刪除特性、時(shí)基誤差的評價(jià)表示在表1中。在此，如果在4倍速下刪除DC1次的8T信號(hào)時(shí)的刪除率是25dB以上，則用○來表示，如果不到25dB，則用×來表示；4倍速時(shí)基誤差是，如果第10次記錄的混合信號(hào)的時(shí)基誤差值不到9％，則用○來表示，如果是9％以上且不到12％，則用△來表示，如果在12％以上，則用×來表示；如果發(fā)生膜剝離，則用×來表示，如果沒有發(fā)生，則用○來表示。
表1

另外，將表1中的Cr2O3含有量和4倍速刪除率之間的關(guān)系表示在圖2中。刪除率為25dB、Cr2O3為15mol％。
另外，將改變了對于上述樣品1、4、6、7以及10進(jìn)行刪除時(shí)的線速度時(shí)的DC刪除率變化，表示在圖3中。從該圖3可知，在4倍速(線速度為19.68m/s)下，對于樣品4、6、7、10得到了25dB以上的刪除率。
還有，在圖4中表示樣品4、6、7、10的、在4倍速記錄下的時(shí)基誤差特性。從該圖4可知，記錄功率在一定范圍的區(qū)域內(nèi)，獲得了時(shí)基誤差值為9％以下的良好的記錄特性。
下面，在上述光記錄介質(zhì)中，改變了界面層的膜厚，而測量了4倍速刪除率、4倍速時(shí)基誤差、調(diào)制度，并將結(jié)果表示在表2中。此外，將ZnS∶SiO2∶Cr2O3的組分設(shè)定為26∶7∶67(mol％)。
上述4倍速刪除率以及4倍速時(shí)基誤差的判定基準(zhǔn)與上述表1的情況相同。另外，對于調(diào)制度，當(dāng)35％以上時(shí)表示為○，當(dāng)30％以上且不到35％時(shí)表示為△，當(dāng)不到30％時(shí)表示為×。在此，調(diào)制度是，記錄無規(guī)則晶體點(diǎn)陣(random pattern)的信號(hào)之后，測定結(jié)晶部(未記錄部)和非晶態(tài)部(記錄部)的反射率，并將(結(jié)晶部的反射率-非晶態(tài)部的反射率)/結(jié)晶部的反射率×100作為調(diào)制度。
表2

從上述可知，界面層的組分是{(ZnS)0.8(SiO2)0.2}(100-X)(Cr2O3)X，其中，39≤X≤86，膜厚為0.5nm以上、且0.8nm以下時(shí)，不會(huì)破壞4倍速刪除率、4倍速時(shí)基誤差特性而能夠進(jìn)行高速記錄，且也不發(fā)生界面層的剝離。
第二實(shí)施例制作與變更SbGeMg記錄膜的組分的第一實(shí)施例同樣的光記錄介質(zhì)(樣品11～21)，與上述同樣地，記錄8T標(biāo)記之后，改變線速度的同時(shí)測定了以DC刪除功率4mW進(jìn)行了1次刪除時(shí)的刪除率。另外，從該刪除線速度和刪除率之間的關(guān)系，求出能夠得到作為可刪除的標(biāo)準(zhǔn)的刪除率25dB的線速度。該可刪除的最大線速度為可改寫的最大線速度，數(shù)值越大越能夠高速記錄。
將測定結(jié)果表示在表3中。從表3可知，樣品11原來在線速度40m/s下也可進(jìn)行刪除，但是形成記錄標(biāo)記后的信號(hào)再現(xiàn)標(biāo)記的一部分逐漸被結(jié)晶化，而引起了再現(xiàn)劣化。這是因?yàn)橛捎诮Y(jié)晶化速度過快，故非晶態(tài)的熱穩(wěn)定性降低的結(jié)果。
表3

另外，在樣品21中沒能刪除標(biāo)記。認(rèn)為這是結(jié)晶化速度顯著降低的結(jié)果。根據(jù)以上的結(jié)果可知，Sb、Ge的優(yōu)選組分范圍是Sb為77.2at％以上、且88at％以下，Ge為9.9at％以上、且21at％以下。
另外，根據(jù)本發(fā)明人的其他實(shí)驗(yàn)，則當(dāng)Mg不到1at％時(shí)得不到降低噪聲效果，而當(dāng)多于3.9at％時(shí)結(jié)晶化速度降低，因此Mg的組分應(yīng)為1at％以上、且3.9at％以下。
此外，上述實(shí)施例涉及一種激光波長λ為405nm、物鏡的數(shù)值孔徑NA為0.85的規(guī)格的DVD，但是，上述各特性在λ＝405nm、NA＝0.65的規(guī)格的DVD上也相同。還有，上述實(shí)施例是關(guān)于信息層為兩層的光記錄介質(zhì)的內(nèi)容，但本發(fā)明并不限定于此，也可以適用于信息層為3層以上的光記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，具有基板、設(shè)置在該基板上的激光束的光入射側(cè)的第一信息層、設(shè)置在比該第一信息層更靠近光入射側(cè)的至少一層的半透過信息層而成，上述半透過信息層包含記錄膜、以及相鄰于該記錄膜的光入射側(cè)而設(shè)置的界面層而構(gòu)成，同時(shí)，上述記錄膜由相變材料形成，該相變材料能夠通過將物鏡的數(shù)值孔徑設(shè)為NA、將激光束的波長設(shè)為λ時(shí)λ/NA≤650nm的光學(xué)系統(tǒng)來改寫，其特征在于，上述記錄膜將Sb作為主成分，且作為副成分而至少含有Ge，并且上述界面層由ZnS、SiO2以及Cr2O3來形成。
2.如權(quán)利要求1所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述界面層中的Cr2O3的含有量為15mol％以上、且90mol％以下。
3.如權(quán)利要求1所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述記錄膜中，Sb是77.2at％以上、且88at％以下，Ge是9.9at％以上、且21at％以下。
4.如權(quán)利要求2所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述記錄膜中，Sb是77.2at％以上、且88at％以下，Ge是9.9at％以上、且21at％以下。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄膜將Mg作為添加成分而含有1at％以上、且3.9at％以下。
6.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述界面層的膜厚為0.4nm以上、且9nm以下。
7.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述界面層的膜厚為0.5nm以上、且8nm以下。
8.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述界面層的組分為{(ZnS)0.8(SiO2)0.2}(100-X)(Cr2O3)X，其中，39≤X≤86。
9.如權(quán)利要求5所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述界面層的組分為{(ZnS)0.8(SiO2)0.2}(100-X)(Cr2O3)X，其中，39≤X≤86。
10.如權(quán)利要求6所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述界面層的組分為{(ZnS)0.8(SiO2)0.2}(100-X)(Cr2O3)X，其中，39≤X≤86。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光記錄介質(zhì)(10)。該光記錄介質(zhì)(10)具有基板(12)、設(shè)置在該基板(12)上的光入射側(cè)的第一信息層(14)、作為設(shè)置在比其更靠近光入射側(cè)的半透過信息層的第二信息層(16)而成，上述第二信息層(16)包含記錄膜(18)、以及相鄰于該記錄膜(18)的光入射側(cè)而設(shè)置的界面層(20)而構(gòu)成，該記錄膜(18)由能夠通過將物鏡的數(shù)值孔徑設(shè)為NA、激光束的波長設(shè)為λ時(shí)λ/NA≤650nm的光學(xué)系統(tǒng)來改寫的相變材料來形成，而且界面層(20)由ZnS、SiO
文檔編號(hào)G11B7/257GK1905032SQ20061010578
公開日2007年1月31日 申請日期2006年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月29日
發(fā)明者新開浩 申請人:Tdk股份有限公司