專利名稱：計算機系統(tǒng)中的扼制存儲器的制作方法
背景本發(fā)明的實施例一般涉及存儲器設(shè)備。更具體而言，各實施例涉及計算機系統(tǒng)中的扼制存儲器。
討論盡管計算機行業(yè)中向更小的計算平臺和更大的功能的近來的趨勢合乎消費者的需求，但這些趨勢對計算機系統(tǒng)設(shè)計者以及制造者提出了眾多挑戰(zhàn)。例如，因為筆記本個人計算機(PC)、個人數(shù)字助理(PDA)和無線“智能”電話的小形狀因數(shù)和它們對組件過熱的敏感性，設(shè)計這些系統(tǒng)可能是相當困難的。具體地，過高的溫度可導(dǎo)致處理器、存儲器設(shè)備和其它組件以低于最優(yōu)性能等級的水平操作。在某些情況中，過熱可導(dǎo)致設(shè)備故障。過熱還可導(dǎo)致關(guān)于平臺外殼的表面溫度的安全性問題。此外，為計算機系統(tǒng)設(shè)計的應(yīng)用程序繼續(xù)要求增加的功率，這對溫度有直接影響。例如，3D游戲應(yīng)用程序和“總是在線”無線特征僅是消費者可用的相對較高功率的應(yīng)用程序的類型的示例。當這樣的應(yīng)用程序被包含在小形狀因數(shù)的計算機系統(tǒng)中時，熱問題加劇。
為了更好地管理上述問題，眾多計算機設(shè)計者為給定平臺建立熱設(shè)計功率(TDP)限制，其中TDP本質(zhì)上定義了平臺應(yīng)在其下操作以最小化與過熱相關(guān)的性能損失和安全性問題的功率閾值。具體地，確定了對諸如系統(tǒng)存儲器等存儲器單元的訪問對總體系統(tǒng)的功耗影響重大。為解決這個問題，某些解決方案涉及將溫度傳感器結(jié)合到存儲器控制器集線器(MCH)中，其中MCH控制經(jīng)由存儲器總線對存儲器單元的訪問。如果MCH的溫度超過預(yù)設(shè)的值，則存儲器單元通過減少對該存儲器單元的存儲器訪問通信量來被“扼制”。
盡管上述方法在某些環(huán)境下是合適的，但仍存在眾多難點。例如，在MCH內(nèi)測量的溫度不能反映存儲器單元的實際內(nèi)部溫度。作為結(jié)果，難以將所測溫度與實際溫度相關(guān)，且這可導(dǎo)致不準確性。而且，為彌補不準確溫度測量的風險，眾多設(shè)計涉及過于保守的溫度限制，從而與顯著的性能損失相關(guān)聯(lián)。常規(guī)方法的另一難點涉及響應(yīng)時間。具體地，諸如同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)設(shè)備等某些存儲器設(shè)備具有相對較高的電流浪涌瞬變，這可能要求在過熱的情況下的立即關(guān)閉。然而常規(guī)方法的相對較長的響應(yīng)時間可能無法及時檢測到過熱，因為溫度是在MCH處測量的。
附圖簡述通過閱讀以下說明書和所附權(quán)利要求書，并參考以下附圖，本發(fā)明的實施例的各個優(yōu)點對本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是顯而易見的，附圖中

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲器單元的示例的框圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的系統(tǒng)的示例的框圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的串行存在檢測設(shè)備的示例的框圖；以及圖4是管理根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲器設(shè)備的方法的示例的流程圖。
詳細描述圖1示出了提供優(yōu)于常規(guī)存儲器單元的眾多優(yōu)點的存儲器單元10。具體地，存儲器單元10含有多個存儲器設(shè)備12(12a-12n)和耦合至存儲器設(shè)備12的溫度測量模塊14。如將在以下更具體討論的，存儲器單元10可以是一般在筆記本個人計算機(PC)中使用的類型的小型雙重內(nèi)嵌式存儲器模塊(SO-DIMM)。存儲器單元10也可以是臺式PC中更常用的微型DIMM、或全尺寸的DIMM。而且，存儲器設(shè)備12可以是同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)設(shè)備，它一般具有相對較高的電流浪涌瞬變，從而可能對過熱高度敏感。盡管參考SO-DIMM和SDRAM設(shè)備描述了眾多實施例，但本發(fā)明的實施例不如此受限。事實上，可使用具有依賴于溫度的性能的任何存儲器設(shè)備而不背離所述實施例的本質(zhì)和精神。盡管如此，存在相當適合此處所述的原理的SO-DIMM和SDRAM設(shè)備的眾多方面。
示出的溫度測量模塊14測量每一存儲器設(shè)備12的內(nèi)部溫度。通過測量存儲器設(shè)備12的內(nèi)部溫度而非相鄰存儲器控制器集線器(MCH，未示出)的內(nèi)部溫度，溫度測量模塊14有效地排除了對準確性和響應(yīng)時間的常規(guī)問題。例如，由模塊14進行的溫度測量更準確地反映了存儲器設(shè)備12的管芯溫度，且可用于比常規(guī)溫度測量更快地檢測過熱。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖2，在16處更詳細地示出了帶有改進的存儲器單元的系統(tǒng)的一個示例。具體地，系統(tǒng)16包括SO-DIMM 10′、MCH 22、系統(tǒng)管理接口26和系統(tǒng)存儲器總線24。SO-DIMM 10′可具有支持64位傳輸?shù)?44管腳配置、支持64位傳輸?shù)?2管腳配置或任何其它可接受的配置(見例如2003年10月的JEDEC標準第21-C冊的PC133SDRAM Unbuffered SO-DIMM參考設(shè)計規(guī)范第1.02版)。所示SO-DIMM 10′含有多個SDRAM設(shè)備12′(12a′-12d′)和溫度測量模塊14′。盡管示出了四個SDRAM設(shè)備，但可使用更多或更少數(shù)量的存儲器設(shè)備。溫度測量模塊14′包括串行存在檢測(SPD)設(shè)備18和多個熱二極管20(20a-20d)，其中每一熱二極管20被嵌入在SDRAM設(shè)備12′之一中。
除存儲由基本輸入/輸出系統(tǒng)(BIOS，未示出)在系統(tǒng)啟動時使用的配置信息(例如，模塊大小、數(shù)據(jù)寬度、速度和電壓)以外，SPD設(shè)備18能夠?qū)DRAM設(shè)備12′的內(nèi)部溫度傳輸給系統(tǒng)管理接口26。如果該內(nèi)部溫度超過溫度閾值，則系統(tǒng)管理接口26可生成扼制控制信號，其中MCH 22可響應(yīng)于扼制控制信號減少對SO-DIMM 10′的存儲器訪問通信量(即，扼制)。
具體地，所示的系統(tǒng)管理接口26包括耦合至SPD設(shè)備18的系統(tǒng)管理總線28和耦合至系統(tǒng)管理總線28的系統(tǒng)控制器(例如，系統(tǒng)管理控制器和鍵盤控制器SMC/KBC)30。系統(tǒng)控制器30經(jīng)由系統(tǒng)管理總線28從SPD設(shè)備18處接收內(nèi)部溫度，將內(nèi)部溫度與溫度閾值進行比較，且如果內(nèi)部溫度超過溫度閾值則生成扼制控制信號。
在一個示例中，系統(tǒng)管理總線28是內(nèi)部集成電路(I2C)總線(例如，2000年1月Philips Semiconductors的I2C規(guī)范第2.1版)，它物理地可由兩條有效導(dǎo)線和接地連接組成。被稱為串行數(shù)據(jù)線(SDA)和串行時鐘線(SCL)的有效導(dǎo)線均為雙向的。在這樣的方法中，連接至總線的每一組件取決于其功能可用作接收器和/或發(fā)送器。在任何給定的事務(wù)中，用作發(fā)送器的組件被認為是總線主設(shè)備，而其余的組件被認為是總線從設(shè)備。因此，就內(nèi)部溫度的傳輸而言，SPD設(shè)備18可用作總線主設(shè)備，系統(tǒng)控制器30可用作總線從設(shè)備。在其中配置信息是為BIOS的目的正從SPD電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM，未示出)中檢索的情況下，系統(tǒng)控制器30可用作總線主設(shè)備，而SPD設(shè)備18可用作總線從設(shè)備。
系統(tǒng)管理總線28也可在SMBus框架(例如，200年8月，SBS ImplementersForum的SMBus規(guī)范第2.0版)下操作。SMBus接口使用I2C作為其主干，并允許組件來回傳遞消息，而非僅行進于單獨的控制線。這樣的方法對諸如SO-DIMM10′等將SPD數(shù)據(jù)傳輸給BIOS的存儲器單元尤其有用。
所示系統(tǒng)管理接口26還包括耦合至系統(tǒng)控制器30的芯片組總線(例如，2002年8月Intel低管腳數(shù)/LPC接口規(guī)范修訂1.1版)32、耦合至芯片組總線32的輸入/輸出控制器集線器(ICH)34和耦合至ICH 34和MCH22的集線器總線36。ICH經(jīng)由芯片組總線32從系統(tǒng)控制器30中接收扼制控制信號，并經(jīng)由集線器接口36將控制信號轉(zhuǎn)發(fā)給MCH 22。如已所述的，MCH 22能夠基于控制信號對SO-DIMM10′進行扼制。就此方面而言，系統(tǒng)16可包括諸如處理器、圖形控制器、網(wǎng)絡(luò)接口等期望經(jīng)由系統(tǒng)存儲器總線24和/或MCH 22對SO-DIMM 10′上的SDRAM設(shè)備12′進行讀和/或?qū)懺L問的其它組件(未示出)。
例如，圖形控制器可以處理需要經(jīng)由系統(tǒng)存儲器24對SDRAM設(shè)備12′中的一個或多個進行頻繁訪問的3維(3D)游戲應(yīng)用程序，而MCH 22具有調(diào)節(jié)系統(tǒng)存儲器24上的通信量的能力。如果SDRAM設(shè)備12′增加的活動造成高于特定閾值的SDRAM設(shè)備12′的內(nèi)部溫度，則系統(tǒng)控制器30生成扼制啟動信號，這最終使得MCH 22限制系統(tǒng)存儲器總線24上的存儲器訪問通信量。通過測量SDRAM設(shè)備12′的更準確的內(nèi)部溫度，系統(tǒng)16還能夠?qū)崿F(xiàn)更積極的存儲器扼制。而且，系統(tǒng)16能夠比常規(guī)系統(tǒng)更迅速地對溫度峰值作出反應(yīng)。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖3，在18′處更詳細地示出了在SPD設(shè)備中實現(xiàn)溫度測量的一種方法。具體地，所示的SPD設(shè)備18′包括將一對測量信號注入熱二極管20(圖2)的每一個中的電流源38，其中測量信號對每一熱二極管產(chǎn)生依賴于溫度的電壓差。盡管將電流源38示為SPD設(shè)備18′的一部分，但電流源也可位于系統(tǒng)中的任何位置。本質(zhì)上，含有已知電流的第一測量信號被注入給定的熱二極管中，而第一測量信號產(chǎn)生通過該熱二極管的第一電壓降。同樣含有已知電流的第二測量信號然后被注入該熱二極管，產(chǎn)生第二電壓降。由于熱二極管的正向偏流是管芯溫度的函數(shù)，因此兩個電壓降之間的差也是管芯溫度的函數(shù)。例如，當處于高管芯溫度時，差大于當處于低溫度時的差。兩個測量信號通過熱二極管的電壓因此定義了依賴于溫度的電壓差。應(yīng)注意到，或者可使用單個測量信號來獲得絕對電壓值。然而，由于通過熱二極管的電壓/電流特性的變化，在這一方法中可能需要校準來獲得可接受的準確率級別。
所示的SPD設(shè)備18′還具有多路復(fù)用器40，它基于來自控制邏輯42的選擇信號在熱二極管之間選擇。選擇可按照“循環(huán)”的方式，或基于諸如存儲器設(shè)備利用率等某些其它參數(shù)。響應(yīng)于選擇信號，多路復(fù)用器40將電流源38連接至一對端口之一。例如，控制邏輯42可發(fā)信號通知多路復(fù)用器40選擇端口DP1和DN1，這可分別對應(yīng)于熱二極管20a(圖2)的陽極和陰極端子?？刂七壿?2然后使電流源38將第一測量信號注入端口DP1中。端口DP1與端口DN1之間的電壓從而表示了熱二極管上的電壓降?？刂七壿?2然后使電流源38將第二測量信號注入端口DP1中，產(chǎn)生熱二極管上的第二電壓降。這兩個電壓降之間的差(例如，依賴于溫度的電壓差)可能與熱二極管的溫度直接相關(guān)，它可被發(fā)送給模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)44。
實際上，可使用其它電路。例如，可使用低通濾波器來從差分波形中移除噪聲，可使用斬波器穩(wěn)定放大器來放大并整流差分波形以產(chǎn)生與該差分成比例的直流(DC)電壓。這一電路沒有被示出，以便不妨礙本發(fā)明的實施例的更相關(guān)的方面。
ADC 44可將依賴于溫度的電壓差轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號。因此，每一DP端口可用作熱二極管溝道的組合的電流源和ADC正輸入，且每一DN端口可用作組合的電流宿和ADC負輸入。控制邏輯42然后可前進至下一對端口，并重復(fù)該過程。所示的SPD設(shè)備18′還具有耦合至ADC 44以基于數(shù)字信號計算存儲器設(shè)備的內(nèi)部溫度的溫度計算電路46。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖4，示出了管理存儲器設(shè)備的方法48。方法48可在使用任何適當?shù)挠布?或軟件程序設(shè)計技術(shù)的存儲器單元中實現(xiàn)。例如，方法48可容易地結(jié)合到串行存在檢測(SPD)設(shè)備和/或系統(tǒng)控制器的專用集成電路(ASIC)中。或者，方法48可被實現(xiàn)為被存儲在諸如RAM、ROM、閃存等機器可讀存儲器中的一組指令。所示的方法48允許在處理框50處將一對測量信號注入嵌入在存儲器設(shè)備內(nèi)的熱二極管中。測量信號對熱二極管產(chǎn)生依賴于溫度的電壓差?？?2允許將該電壓差轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，框54允許基于該數(shù)字信號計算存儲器設(shè)備的內(nèi)部溫度。在框56處將該內(nèi)部溫度與溫度閾值進行比較，且框58允許確定是否超出了該閾值。如果是，則在框60處將扼制控制信號發(fā)給存儲器控制器集線器。否則，在框62處選擇下一存儲器設(shè)備，并重復(fù)該過程。
因此，此處所述的技術(shù)可用于在諸如服務(wù)器、臺式PC、筆記本PC、個人數(shù)字助理(PDA)、無線“智能”電話等系統(tǒng)中顯著改進存儲器扼制和熱設(shè)計功率。具體地，與筆記本PC、PDA和智能電話相關(guān)聯(lián)的小形狀因數(shù)尤其適于本發(fā)明的實施例。而且，具有可能要求在過熱的情況中立即關(guān)閉的相對較高的電流浪涌瞬變的存儲器結(jié)構(gòu)中可相當程度地受益于所討論的原理。
術(shù)語“耦合”在此處用于指示允許通信在所述接口上發(fā)生的任何類型的直接或間接連接。因此，耦合可包括中間組件。耦合也可允許電子、電磁、光和其它形式的通信。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員從前述描述中能夠理解，本發(fā)明的實施例的寬泛的技術(shù)可按照各種形式實現(xiàn)。從而，盡管結(jié)合其特定示例描述了本發(fā)明的實施例，但本發(fā)明的實施例的真正的范圍應(yīng)不如此限制，因為當本領(lǐng)域的技術(shù)人員在研究附圖、說明書和以下權(quán)利要求書之后其它的修改將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種存儲器單元，包括存儲器設(shè)備；以及耦合至所述存儲器設(shè)備的溫度測量模塊，所述溫度測量模塊測量所述存儲器設(shè)備的內(nèi)部溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其特征在于，所述溫度測量模塊還包括嵌入在所述存儲器設(shè)備內(nèi)的熱二極管；以及耦合至所述熱二極管的串行存在檢測(SPD)設(shè)備。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲器單元，其特征在于，所述SPD設(shè)備包括將一對測量信號注入到所述熱二極管中的電流源，所述測量信號對所述熱二極管產(chǎn)生依賴于溫度的電壓差；耦合至所述熱二極管以將所述電壓差轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的模數(shù)(A/D)轉(zhuǎn)換器；以及耦合至所述A/D轉(zhuǎn)換器以基于所述數(shù)字信號計算所述存儲器設(shè)備的內(nèi)部溫度的溫度計算電路。
4.如權(quán)利要求2所述的存儲器單元，其特征在于，還包括帶有相應(yīng)的多個嵌入的熱二極管的多個存儲器設(shè)備，所述SPD設(shè)備包括生成選擇信號的控制邏輯，耦合至所述控制邏輯、所述存儲器設(shè)備和所述A/D轉(zhuǎn)換器以基于所述選擇信號在所述熱二極管之間進行選擇的多路復(fù)用器。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲器單元，其特征在于，每一存儲器設(shè)備包括同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)設(shè)備。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其特征在于，所述存儲器單元包括小型雙重內(nèi)嵌式存儲器模塊(SO-DIMM)。
7.一種系統(tǒng)，包括存儲器控制器集線器(MCH)；耦合至所述MCH的系統(tǒng)存儲器總線；以及耦合至所述系統(tǒng)存儲器總線的存儲器單元，所述存儲器單元包括存儲器設(shè)備以及耦合至所述存儲器設(shè)備的溫度測量模塊，所述溫度測量模塊測量所述存儲器設(shè)備的內(nèi)部溫度。
8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述溫度測量模塊還包括嵌入在所述存儲器設(shè)備內(nèi)的熱二極管；以及耦合至所述熱二極管的串行存在檢測(SPD)設(shè)備。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述SPD設(shè)備包括將一對測量信號注入到所述熱二極管中的電流源，所述測量信號對所述熱二極管產(chǎn)生依賴于溫度的電壓差；耦合至所述熱二極管以將所述電壓差轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的模數(shù)(A/D)轉(zhuǎn)換器；以及耦合至所述A/D轉(zhuǎn)換器以基于所述數(shù)字信號計算所述存儲器設(shè)備的內(nèi)部溫度的溫度計算電路。
10.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括耦合至所述SPD設(shè)備和所述MCH的系統(tǒng)管理接口，所述系統(tǒng)管理接口響應(yīng)于所述內(nèi)部溫度超過溫度閾值生成扼制控制信號。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)管理接口包括耦合至所述SPD設(shè)備的系統(tǒng)管理總線；以及耦合至所述系統(tǒng)管理總線的系統(tǒng)控制器，所述系統(tǒng)控制器經(jīng)由所述系統(tǒng)管理總線從所述SPD設(shè)備接收所述內(nèi)部溫度，將所述內(nèi)部溫度與所述溫度閾值進行比較，且如果所述內(nèi)部溫度超過所述溫度閾值則生成所述扼制控制信號。
12.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)管理總線包括內(nèi)部集成電路(I2C)總線，就所述內(nèi)部溫度的傳輸而言，所述SPD設(shè)備用作總線主設(shè)備，而所述系統(tǒng)控制器用作總線從設(shè)備。
13.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)管理接口還包括耦合至所述系統(tǒng)控制器的芯片組總線；耦合至所述芯片組總線的輸入/輸出控制器集線器(ICH)；以及耦合至所述ICH和所述MCH的集線器接口，所述ICH經(jīng)由所述芯片組總線從所述系統(tǒng)控制器接收所述扼制控制信號，并經(jīng)由所述集線器接口將所述扼制控制信號轉(zhuǎn)發(fā)給所述MCH。
14.一種方法，包括測量存儲器設(shè)備的內(nèi)部溫度；以及經(jīng)由系統(tǒng)管理總線將所述內(nèi)部溫度傳輸給系統(tǒng)控制器。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述測量包括將一對測量信號注入到嵌入在所述存儲器設(shè)備內(nèi)的熱二極管中，所述測量信號對所述熱二極管產(chǎn)生依賴于溫度的電壓差。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述測量還包括將所述電壓差轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號；以及基于所述數(shù)字信號計算所述內(nèi)部溫度。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，還包括為小型雙重內(nèi)嵌式存儲器模塊(SO-DIMM)中的多個同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)設(shè)備重復(fù)所述測量和所述傳輸。
18.一種存儲器單元，包括多個同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)設(shè)備；對應(yīng)于所述多個SDRAM設(shè)備的多個熱二極管，每一熱二極管嵌入在所述多個SDRAM設(shè)備之一中；以及耦合至所述熱二極管的串行存在檢測(SPD)設(shè)備，所述SPD設(shè)備包括生成選擇信號的控制邏輯；耦合至所述控制邏輯以基于所述選擇信號在所述熱二極管之間進行選擇的多路復(fù)用器；耦合至所述多路復(fù)用器和所述控制邏輯以將一對測量信號注入到所述熱二極管中的電流源，所述測量信號為所述熱二極管產(chǎn)生依賴于溫度的電壓差)；耦合至所述多路復(fù)用器以將所述電壓差轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)；以及耦合至所述A/D轉(zhuǎn)換器以基于所述數(shù)字信號為所述多個SDRAM設(shè)備計算多個內(nèi)部溫度的溫度計算電路。
19.如權(quán)利要求18所述的存儲器單元，其特征在于，所述存儲器單元包括小型雙重內(nèi)嵌式存儲器模塊(SO-DIMM)。
20.如權(quán)利要求18所述的存儲器單元，其特征在于，所述存儲器單元包括微型雙重內(nèi)嵌式存儲器模塊(DIMM)。
21.一種存儲一組指令的機器可讀介質(zhì)，所述指令當被執(zhí)行時執(zhí)行包括以下步驟的方法測量存儲器設(shè)備的內(nèi)部溫度；以及經(jīng)由系統(tǒng)管理總線將所述內(nèi)部溫度傳輸給系統(tǒng)控制器。
22.如權(quán)利要求21所述的介質(zhì)，其特征在于，所述測量是包括將一對測量信號注入到嵌入在所述存儲器設(shè)備內(nèi)的熱二極管中，所述測量信號為所述熱二極管產(chǎn)生依賴于溫度的電壓差。
23.如權(quán)利要求22所述的介質(zhì)，其特征在于，所述測量還包括將所述電壓差轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號；以及基于所述數(shù)字信號計算所述內(nèi)部溫度。
24.如權(quán)利要求21所述的介質(zhì)，其特征在于，所述方法還包括為小型雙重內(nèi)嵌式存儲器模塊(SO-DIMM)中的多個同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)設(shè)備重復(fù)所述測量和所述傳輸。
全文摘要
用于管理存儲器設(shè)備的系統(tǒng)和方法允許通過增強的存儲器扼制來提供降低的功耗和更好的熱管理。在一個實施例中，存儲器單元包括存儲器設(shè)備和耦合至該存儲器設(shè)備的溫度測量模塊。溫度測量設(shè)備測量存儲器設(shè)備的內(nèi)部溫度。從而可基于更準確的測量并使用短得多的響應(yīng)時間來實現(xiàn)存儲器扼制。
文檔編號G11C5/00GK1957318SQ200580016090
公開日2007年5月2日 申請日期2005年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月24日
發(fā)明者P·胡蘇, A·米什拉, J·施 申請人:英特爾公司