專利名稱：：優(yōu)化光盤刻寫策略的方法和裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及光存儲領域，尤其是涉及一種優(yōu)化光盤刻寫策略的方法和裝置。
背景技術：
：在光存儲領域中，有許多種格式的可重寫光盤(Re-writableDisc)，例如CD-RW光盤、DVD±RW光盤、以及BD-RE光盤等。它們因可以重復刻寫千次以上而深受用戶青睞?？芍貙懝獗P的刻寫質量受到諸多因素的影響，例如光盤的質量、刻寫裝置的質量、刻寫策略(writestrategy)、以及直接覆寫(DOW，DirectOverwrite)的次數等。在每次刻寫光盤前，通常都需要通過刻寫功率優(yōu)化過程(OPC，OptimumPowerControl)確定一個合適的刻寫策略?？虒懝β蕛?yōu)化過程可以使光盤刻寫策略更好地適合光盤及刻寫裝置的刻寫特性，以及光盤與光盤刻寫裝置的配合特性等。OPC過程通常是在光盤的導入區(qū)(Lead-inarea)進行的，既可以是從導入區(qū)的起始地址開始，也可以從導入區(qū)的一個隨機確定的地址開始，因此導入區(qū)的有些區(qū)域可能要經歷所有次數的刻寫測試，而有些區(qū)域則只經歷部分或從未經歷過刻寫測試。如果光盤的待刻寫區(qū)域和進行刻寫測試的區(qū)域的刻寫條件差別比較大，那么通過優(yōu)化所得到的刻寫策略與實際的刻寫條件也將具有比較大的偏差，從而影響光盤刻寫效果?，F有技術中的一種光盤刻寫策略優(yōu)化方案是基于詳盡的刻寫歷史信息記錄進行的。首先，詳盡記錄光盤上的所有區(qū)域(包括導入區(qū))的刻寫歷史信息；然后，根據待刻寫區(qū)域的刻寫歷史信息，在導入區(qū)中具有相同刻寫歷史信息區(qū)域進行刻寫優(yōu)化，以確定一個優(yōu)化的光盤刻寫策略。這種方案需要對光盤的每次刻寫進行詳盡記錄，對光盤刻寫裝置要求過高，因而成本也較高。在有些情況下，并不總是能夠找到具有相同刻寫條件的區(qū)域進行刻寫測試，因此在這些情況下，這種方案并不實用。因此，需要提供一種優(yōu)化光盤刻寫策略的方法和裝置，既能夠盡可能減小光盤刻寫策略與實際的光盤刻寫條件之間的差距，又能夠降低對光盤刻寫裝置的要求，降低成本，易于實現。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的是提供一種優(yōu)化光盤刻寫策略的方法及裝置，以克服現有技術中的不足。根據本發(fā)明的一個實施例，提供一種優(yōu)化光盤刻寫策略的方法，所述刻寫策略用于在一張可重寫光盤的一個待刻寫區(qū)域刻寫數據，該方法包括步驟獲取所述待刻寫區(qū)域的曾否經歷過刻寫的信息；檢索所述光盤上的刻寫優(yōu)化區(qū)域中具有對應信息的一個區(qū)域；在所述具有對應信息的區(qū)域進行刻寫測試，以優(yōu)化確定一個光盤刻寫策略刻寫所述光盤。根據本發(fā)明的一個實施例，提供一種優(yōu)化刻寫策略的裝置，所述刻寫策略用于在一張可重寫光盤的一個待刻寫區(qū)域刻寫數據，該裝置包括一個獲取裝置，用于獲取所述待刻寫區(qū)域的曾否經歷過刻寫的信息；一個檢索裝置，用于檢索所述光盤上的刻寫優(yōu)化區(qū)域中具有對應信息的一個區(qū)域；一個優(yōu)化裝置，用于在所述具有對應信息的區(qū)域進行刻寫測試，以優(yōu)化確定一個光盤刻寫策略刻寫所述光盤。所述曾否經歷過刻寫的信息包括所述待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫的信息或曾經經歷過刻寫的信息。所述曾否經歷過刻寫的信息可以是所述光盤的上對該光盤是否刻寫的信息記錄，也可以通過下面步驟確定檢測所述待刻寫區(qū)域的光盤讀取信號；和根據所述信號確定所述待刻寫區(qū)域曾否經歷過刻寫。所述對應信息包括與所述待刻寫區(qū)域對應的是否經歷過刻寫的信息，即未曾經歷過刻寫的信息或曾經經歷過刻寫的信息。通過本發(fā)明提供的優(yōu)化光盤刻寫策略的方法和裝置，既能夠盡可能減小光盤刻寫策略與實際的光盤刻寫條件之間的差距，又能夠降低對光盤刻寫裝置的要求，降低成本，易于實現。通過下文中參照附圖對本發(fā)明所作的描述和權利要求，本發(fā)明的其他目的和成就將顯而易見，并可對本發(fā)明有全面的理解。通過實施例，參照附圖對本發(fā)明作進一步詳盡解釋。圖1是一張4X倍速的DVD+RW光盤在2.4X倍速下的第DOW0次和第DOW60次刻寫的光盤刻寫功率和抖動值之間的關系示意圖；圖2是一張4X倍速的DVD+RW光盤在2.4X倍速下的第DOWn(n＝1、5、30和60)次刻寫的光盤刻寫功率和抖動值之間的關系示意圖；圖3是根據本發(fā)明的一個實施例的一個優(yōu)化光盤刻寫策略的方法流程圖；和圖4是根據本發(fā)明的一個實施例的一個優(yōu)化光盤刻寫策略的裝置框圖。在所有的上述附圖中，相同的標號表示具有相同、相似或相應的特征或功能。具體實施例方式本發(fā)明的構思如下可重寫光盤的一個區(qū)域上的第一次刻寫(DOW0)和其它次(DOWn，n為大于零的整數)的光盤刻寫條件具有顯著的區(qū)別，而一個已刻寫區(qū)域與其他已刻寫區(qū)域雖然刻寫次數差別可能比較大，但刻寫條件上則比較相似。因此將根據第DOW0次的刻寫測試得到的光盤刻寫策略適用于光盤上的第DOW0次刻寫，而將根據第DOWi(i為大于零的整數)次光盤刻寫測試所得到的刻寫策略適用于第DOWj(j為大于零的整數)次的光盤刻寫。圖1是一張4X倍速的DVD+RW光盤在2.4X倍速下的第DOW0次和第DOW60次刻寫的光盤刻寫功率和抖動值之間的關系示意圖，其中，橫坐標表示光盤刻寫功率Pw，它的取值和實際功率值之間的換算關系如式(1)所示，縱坐標表示抖動值(jitter)，用于表征光盤的刻寫質量。圖1中的縱坐標值9％是DVD+RW標準中允許的抖動值上限。實際功率值(毫瓦)＝PwX(22/470)(1)如圖1所示，在進行第DOW0次刻寫時，光盤刻寫策略中的刻寫功率參數Pw可以在390～480之間取值。在進行第DOW60次刻寫時，刻寫功率參數Pw則要在300～390之間取值，否則抖動值將超出光盤標準的要求。因此，根據第DOW0次光盤刻寫測試所得到的刻寫策略不能適用于DOW60的光盤刻寫，而根據第DOW60次刻寫測試所得到的刻寫策略也不能適用于DOW0的光盤刻寫。圖2是一張4X倍速的DVD+RW光盤在2.4X倍速下的第DOWn(n＝1、5、30和60)次刻寫的刻寫功率和抖動值之間的關系示意圖。如圖2所示，第DOWn次光盤刻寫因n的值不同而具有不同的刻寫功率取值范圍，例如第DOW1、DOW5、DOW30和DOW60次的刻寫功率取值范圍依次是345～480、330～480、310～435和315～405。各DOWn的取值范圍有較大的重疊區(qū)域，如圖2中的區(qū)域345～405。所有包括該重疊區(qū)域的第DOWn次光盤刻寫均可以在該區(qū)域取得合適的光盤刻寫功率值，并且刻寫質量能夠達到標準要求。因此，根據第DOWi(i＞0)次光盤刻寫測試所優(yōu)化得到的刻寫功率，可以用在第DOWj(j＞0)次刻寫中，并且能夠滿足對光盤刻寫質量的要求。綜上，已經被刻寫過的光盤區(qū)域與未被刻寫過的區(qū)域的刻寫條件具有比較大的差別，而與經歷過刻寫的其它區(qū)域的差別相對較小。根據第DOW0次光盤刻寫測試優(yōu)化得到的光盤刻寫策略適用于光盤的DOW0次刻寫，而根據第DOWi(i＞0)次光盤刻寫測試優(yōu)化得到的光盤刻寫策略，則可以適用于第DOWj(j＞0)刻寫。圖3是根據本發(fā)明的一個實施例的一個優(yōu)化光盤刻寫策略的方法流程圖。本實施例以DVD+RW光盤為例。首先，檢測光盤上的待刻寫區(qū)域的光盤讀取信號(步驟S110)。曾經被刻寫過的光盤區(qū)域與從未被刻寫過的區(qū)域的刻寫條件具有比較大的差別。通過檢測從待刻寫區(qū)域讀取的光盤信號可以檢測待刻寫區(qū)域的刻寫條件。根據檢測結果，判斷所述待刻寫區(qū)域是否曾經刻寫過數據(步驟S120)。通過對從光盤上讀取的信號的檢測，可以得到所述待刻寫區(qū)域的光盤信號的調制度(Modulation)。根據DVD+RW光盤標準，未曾刻寫過的光盤存儲區(qū)域的讀取信號的調制度為零，而有刻寫數據的光盤區(qū)域的讀取信號的調制度(modulation)大于0.60。如果設定一個閾值(例如0.1等)，就可以通過將光盤讀取信號的調制度和該閾值進行比較，以判斷該區(qū)域是否曾經刻寫過。如果待刻寫區(qū)域的調制度大于設定閾值，那么該區(qū)域曾經經歷過刻寫；反之，該區(qū)域未曾經歷過刻寫。除通過上述步驟S110和S120，獲取待刻寫區(qū)域的是否曾經經歷過刻寫的信息外，還可以通過其他的檢測方法進行判斷。例如，如果光盤有刻寫記錄信息，那么還可以通過相應的記錄信息來判斷。如果所述待刻寫區(qū)域曾經刻寫過，那么在光盤的刻寫測試優(yōu)化區(qū)域檢索曾經經歷過光盤刻寫測試的區(qū)域(步驟S130)。因為已經被刻寫過的光盤待刻寫區(qū)域與曾經經歷過刻寫的光盤刻寫測試區(qū)域的刻寫條件差別相對較小，因此在曾經經歷過光盤刻寫的區(qū)域進行刻寫測試，所優(yōu)化得到的光盤刻寫策略能夠滿足刻寫質量的要求。如果所述的光盤待刻寫區(qū)域未曾寫過，那么在光盤的刻寫優(yōu)化區(qū)域檢索未曾經過光盤刻寫測試的區(qū)域(步驟S140)。因為未經歷過刻寫的光盤區(qū)域與未曾經歷過刻寫的光盤刻寫測試區(qū)域的刻寫條件差別相對較小，因此在未曾經歷過光盤刻寫的區(qū)域進行刻寫測試，所優(yōu)化得到的光盤刻寫策略能夠滿足刻寫質量的要求。因為光盤刻寫策略優(yōu)化通常在光盤的導入區(qū)進行，因此對曾經經歷過光盤刻寫的光盤刻寫測試區(qū)域的檢索通常也是在光盤的導入區(qū)進行的。如果光盤刻寫裝置允許，或者光盤上缺乏具有相對應信息的區(qū)域，那么還可以在光盤的其它進行刻寫策略優(yōu)化的區(qū)域檢索具有對應信息的區(qū)域。在所檢索到的具有對應信息的刻寫測試區(qū)域，進行光盤刻寫策略優(yōu)化測試，以確定一個光盤刻寫策略，用于光盤的刻寫(步驟S150)。對刻寫策略中的刻寫參數優(yōu)化可以按照現有技術的方法進行。在可重寫藍光光盤規(guī)范中，OPC刻寫測試通常是在導入區(qū)按照地址順序進行的。光盤刻寫裝置在光盤上的刻寫測試區(qū)域選擇一段區(qū)域進行刻寫測試，在刻寫區(qū)域和未刻寫區(qū)域之間用相應的標志予以識別。一個光盤的刻寫測試區(qū)域可以劃分成多個子區(qū)域，每個子區(qū)域可以進行一次DOW0刻寫測試。子區(qū)域的個數通常能夠滿足數據刻寫區(qū)域對第DOW0次光盤刻寫測試的次數需求。本發(fā)明提供的優(yōu)化光盤刻寫策略的方法，既能夠盡可能減小光盤刻寫策略與實際的光盤刻寫條件的差距，又能夠降低對光盤刻寫裝置的要求，降低成本，易于實現。本發(fā)明還提供一種光盤刻寫方法，該方法包括圖3所示的優(yōu)化光盤刻寫策略的方法和一個使用所述優(yōu)化的光盤刻寫策略進行光盤刻寫的步驟。圖4是根據本發(fā)明的一個實施例的一個優(yōu)化光盤刻寫策略的裝置400框圖。優(yōu)化光盤刻寫策略的裝置400包括一個獲取裝置410，用于獲取所述光盤的一個待刻寫區(qū)域的曾否經歷過刻寫的信息。曾否經歷過刻寫的信息包括待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫的信息或曾經經歷過刻寫的信息。所述曾否經歷過刻寫的信息可以是所述光盤的上對該光盤是否刻寫的信息記錄。裝置400還包括一個檢索裝置420，用于檢索所述光盤上的刻寫優(yōu)化區(qū)域中的對應信息的區(qū)域。所述對應信息包括與待刻寫區(qū)域對應的是否經歷過刻寫的信息，即未曾經歷過刻寫的信息或曾經經歷過刻寫的信息。如果待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫，那么所檢索的區(qū)域包括光盤刻寫測試區(qū)域的未曾經歷過刻寫測試的區(qū)域。如果待刻寫區(qū)域經歷過刻寫，那么所檢索的區(qū)域包括光盤刻寫測試區(qū)域的曾經經歷過刻寫測試的區(qū)域。裝置400還包括一個優(yōu)化裝置430，用于在所述具有對應信息的區(qū)域進行光盤刻寫優(yōu)化，以確定一個刻寫策略，用于光盤的刻寫。按照已有的光盤刻寫測試方法，可以對光盤刻寫策略進行優(yōu)化。裝置400還可以包括一個檢測裝置403，用于檢測所述待刻寫區(qū)域的光盤讀取信號，和一個比較判斷裝置406，用于比較所述的檢測裝置的檢測結果和一個預設定值，判斷所述待刻寫區(qū)域是否刻寫過。根據對光盤讀取信號的檢測，可以得到所述待刻寫區(qū)域的調制度。比較所述的調制度和一個預設定值，可以判斷所述區(qū)域是否經過刻寫。本發(fā)明還提供一種光盤刻寫裝置，該光盤刻寫裝置包括圖4所述的優(yōu)化光盤刻寫策略的裝置400，和一個光盤讀寫裝置，用于從所述光盤上讀取信號和在光盤上刻寫數據。該光盤刻寫裝置能夠盡可能減小光盤刻寫策略與實際的光盤刻寫條件的差距，又能夠降低對光盤刻寫裝置的要求，降低成本，易于實現。以上雖然結合實施例描述了本發(fā)明，很明顯對于本領域的技術人員根據前面所描述的內容作出多種替代、修改、和變化是顯而易見的，因此，所有這樣的替代、修改和變化都應該落入本發(fā)明的權利要求的精神和范圍之中。權利要求1.一種優(yōu)化光盤刻寫策略的方法，所述刻寫策略用于在一張可重寫光盤的一個待刻寫區(qū)域刻寫數據，該方法包括步驟獲取所述待刻寫區(qū)域的曾否經歷過刻寫的信息；檢索所述光盤上的一個刻寫測試區(qū)域中具有對應信息的一個區(qū)域；和在所述具有對應信息的區(qū)域進行刻寫測試，以確定一個光盤刻寫策略刻寫所述光盤。2.如權利要求1所述的方法，其中，所述曾否經歷過刻寫的信息包括所述待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫的信息。3.如權利要求1所述的方法，其中，所述曾否經歷過刻寫的信息包括所述待刻寫區(qū)域曾經經歷過刻寫的信息。4.如權利要求1、2或3所述的方法，其中，所述曾否經歷過刻寫的信息根據下面步驟獲取檢測從所述待刻寫區(qū)域讀取的光盤讀取信號；和根據所述信號確定所述待刻寫區(qū)域曾否刻寫。5.如權利要求1、2或3所述的方法，其中，所述具有對應信息的一個區(qū)域包括如果所述待刻寫區(qū)域曾經經歷過刻寫，那么所述具有對應信息的一個區(qū)域為一個曾經經歷過刻寫測試的區(qū)域；如果所述待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫，那么所述具有對應信息的一個區(qū)域為一個未曾經歷過刻寫測試的區(qū)域。6.一種光盤刻寫方法，用于刻寫一張可重寫光盤，該方法包括步驟獲取所述光盤的待刻寫區(qū)域的曾否經歷過刻寫的信息；檢索所述光盤上的一個刻寫測試區(qū)域中具有對應信息的一個區(qū)域；在所述具有對應信息的區(qū)域進行刻寫測試，以確定一個光盤刻寫策略；和根據所述光盤刻寫策略，刻寫所述光盤。7.如權利要求6所述的方法，其中，所述曾否刻寫的信息包括所述待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫的信息。8.如權利要求6所述的方法，其中，所述曾否經歷過刻寫的信息包括所述待刻寫區(qū)域曾經經歷過刻寫的信息。9.如權利要求6、7或8所述的方法，其中，所述具有對應信息的一個區(qū)域包括如果所述待刻寫區(qū)域曾經經歷過刻寫，那么所述具有對應信息的一個區(qū)域為一個曾經經歷過刻寫測試的區(qū)域；如果所述待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫，那么所述具有對應信息的一個區(qū)域為一個未曾經歷過刻寫測試的區(qū)域。10.一種優(yōu)化刻寫策略的裝置，所述刻寫策略用于在一張可重寫光盤的一個待刻寫區(qū)域刻寫數據，該裝置包括一個獲取裝置，用于獲取所述待刻寫區(qū)域的曾否經歷過刻寫的信息；一個檢索裝置，用于檢索所述光盤上的一個刻寫測試區(qū)域中具有對應信息的一個區(qū)域；和一個優(yōu)化裝置，用于在所述具有對應信息的區(qū)域進行刻寫測試，以確定一個光盤刻寫策略刻寫所述光盤。11.如權利要求10所述的優(yōu)化刻寫策略的裝置，其中，所述曾否經歷過刻寫的信息包括所述待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫的信息。12.如權利要求10所述的優(yōu)化刻寫策略的裝置，其中，所述曾否經歷過刻寫的信息包括所述待刻寫區(qū)域曾經經歷過刻寫的信息。13.如權利要求10、11和12所述的優(yōu)化刻寫策略的裝置，其中，所述具有對應信息的一個區(qū)域包括如果所述待刻寫區(qū)域曾經經歷過刻寫，那么所述具有對應信息的一個區(qū)域為一個曾經歷過刻寫測試的區(qū)域；如果所述待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫，那么所述具有對應信息的一個區(qū)域為一個未曾經歷過刻寫測試的區(qū)域。14.一種光盤刻寫裝置，用于刻寫一張可重寫光盤，該裝置包括一個獲取裝置，用于獲取所述光盤的待刻寫區(qū)域的曾否經歷過刻寫的信息；一個檢索裝置，用于檢索所述光盤上的一個刻寫測試區(qū)域中具有對應信息的一個區(qū)域；一個優(yōu)化裝置，用于在所述具有對應信息的區(qū)域進行刻寫測試，以確定一個光盤刻寫策略；和一個寫裝置，用于根據所述光盤刻寫策略在所述光盤上刻寫數據。15.如權利要求14所述的刻寫裝置，其中，所述曾否經歷過刻寫的信息包括所述待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫的信息。16.如權利要求14所述的刻寫裝置，其中，所述曾否經歷過刻寫的信息包括所述待刻寫區(qū)域曾經經歷過刻寫的信息。17.如權利要求14、15或16所述的刻寫裝置，其中，所述具有對應信息的一個區(qū)域包括如果所述待刻寫區(qū)域曾經經歷過刻寫，那么所述具有對應信息的一個區(qū)域為一個曾經歷過刻寫測試的區(qū)域；如果所述待刻寫區(qū)域未曾經歷過刻寫，那么所述具有對應信息的一個區(qū)域為一個未曾經歷過刻寫測試的區(qū)域。全文摘要本發(fā)明提供一種優(yōu)化光盤刻寫策略的方法和裝置。本發(fā)明所提供的優(yōu)化光盤刻寫策略的方法包括步驟獲取所述待刻寫區(qū)域的曾否經歷過刻寫的信息；檢索所述光盤上的刻寫優(yōu)化區(qū)域中具有對應信息的一個區(qū)域；和，在所述具有對應信息的區(qū)域進行刻寫測試，以優(yōu)化確定一個光盤刻寫策略刻寫所述光盤。通過本發(fā)明提供的優(yōu)化光盤刻寫策略的方法和裝置，既能夠盡可能減小光盤刻寫策略與實際的光盤刻寫條件的差距，又能夠降低對光盤刻寫裝置的要求，降低成本，易于實現。文檔編號G11B7/125GK1983401SQ200510022870公開日2007年6月20日申請日期2005年12月12日優(yōu)先權日2005年12月12日發(fā)明者鐘建毅,陶靖,魏功明申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司