專利名稱：：多堆疊信息載體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種多堆疊光學(xué)信息載體。本發(fā)明還涉及一種用于掃描多堆疊光學(xué)信息載體的掃描裝置。本發(fā)明還涉及一種從多堆疊光學(xué)信息載體讀取信息的方法、一種在多堆疊光學(xué)信息載體上記錄信息的方法以及擦除多堆疊光學(xué)信息載體的方法。本發(fā)明特別涉及用于從多堆疊光盤讀取數(shù)據(jù)和/或在多堆疊光盤上記錄數(shù)據(jù)的光盤設(shè)備和光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
背景技術(shù)：
：在光學(xué)記錄領(lǐng)域中，增大信息載體的容量是趨勢(shì)。已經(jīng)研究的用于增大數(shù)據(jù)容量的方法包括在信息載體中使用多個(gè)信息層。例如，DVD(DigitalVideoDisc數(shù)字視頻光盤)可以包括兩個(gè)信息層。利用局部折射率變化和表面起伏結(jié)構(gòu)的存在，通過光束在信息層上記錄信息，或從信息層讀取信息。然而，在這種信息載體中的信息層數(shù)量是受到限制的。首先，由于光束的光強(qiáng)度隨著每個(gè)又一尋址層而減小。實(shí)際上，當(dāng)光束為了尋址一層而不得不通過多個(gè)層時(shí)，在非尋址層中產(chǎn)生相互作用，降低了光束的強(qiáng)度。此外，非尋址層中寫入信息圖案的局部折射率變化引起透射光束的折射、吸收和/或散射，導(dǎo)致寫入和讀取變差。因此，傳統(tǒng)的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)不適用于多層信息載體，對(duì)于包括多于三層的信息載體而言特別如此。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種信息載體，其所包括的層數(shù)能夠增大。為此，本發(fā)明提出一種信息載體，其包括至少兩個(gè)信息堆疊，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子。依據(jù)本發(fā)明，信息層包括通過電勢(shì)差能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子。這樣可以改變信息堆疊的信息層的光學(xué)特性，其中在所述信息堆疊的兩個(gè)電極之間施加電勢(shì)差。因此，通過對(duì)信息堆疊施加適當(dāng)電勢(shì)差，可以掃描具有適合于與光束相互作用的光學(xué)特性的一個(gè)層，而將其它層的光學(xué)特性選擇為減小這些非尋址層和光束之間的相互作用。結(jié)果，增大了通過所有信息堆疊的光的總透射，從而增加了層的數(shù)量。在本發(fā)明的有利實(shí)施例中，信息層中的分子是液晶分子，所述液晶分子當(dāng)受到第一和第二電極之間施加的電勢(shì)差而產(chǎn)生的電場(chǎng)的影響時(shí)可能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)。在本發(fā)明的另一有利實(shí)施例中，所述分子包括帶電的取代基，所述取代基當(dāng)受到第一和第二電極之間施加的電勢(shì)差而產(chǎn)生的電流的影響時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，通過光束可以局部降級(jí)所述信息層以便在所述信息層上寫入信息?？梢酝ㄟ^光束來例如退火、改變、熔融、固定或光化地退化信息層以便寫入信息，從而使所述信息層的分子不再可能出現(xiàn)進(jìn)一步的取向變化。不管在第一和第二電極之間施加了什么電勢(shì)差，所述層的降級(jí)部分基本上保持為透明的。依據(jù)該實(shí)施例，用戶可以在信息載體上寫入數(shù)據(jù)，其中禁止使信息堆疊的一些區(qū)域改變它們的光學(xué)特性。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，第一電極具有電導(dǎo)，可以通過光束局部減小所述電導(dǎo)以便將信息寫入信息堆疊中。依據(jù)該實(shí)施例，用戶可以在信息載體上寫入數(shù)據(jù)，其中禁止信息堆疊的一些區(qū)域改變它們的光學(xué)特性。有利的是，信息層的分解溫度高于使第一電極的電導(dǎo)減小的溫度。這允許信息寫入信息堆疊中，而不使信息層降級(jí)。優(yōu)選的是，所述信息堆疊進(jìn)一步包括在第一電極和信息層之間的熱絕緣層。在這種情況中，可以不使信息層降級(jí)而寫入信息，即使信息層的分解溫度小于或等于使第一電極的電導(dǎo)減小的溫度也是如此。如果絕緣層是電絕緣層，那么可以使用在電場(chǎng)的影響下能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子的實(shí)施例。如果使用導(dǎo)電層，那么也可以使用在電流的影響下能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子的實(shí)施例。在本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例中，所述信息層包括矩陣，該矩陣包括兩種類型的表面帶電的膠體微粒，一種具有負(fù)電荷，一種具有正電荷，所述表面帶電的膠體微粒包括液晶分子，所述矩陣具有通過光束可局部降低以在信息層上寫入信息的粘性(viscosity)。依據(jù)該實(shí)施例，用戶可以寫入信息，然后在信息載體上將其擦除和重寫。本發(fā)明還涉及一種用于通過光束掃描信息載體的光學(xué)掃描設(shè)備，所述信息載體包括至少兩個(gè)信息堆疊，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子，所述光學(xué)掃描設(shè)備包括用于產(chǎn)生光束的裝置、用于將所述光束聚焦在信息層上的裝置，以及用于在信息堆疊的第一和第二電極之間施加電勢(shì)差的裝置。有利的是，所述光學(xué)設(shè)備包括用于支撐信息載體的夾持器(clamper)，所述夾持器包括用于在信息堆疊的第一和第二電極之間施加電勢(shì)差的接觸點(diǎn)。因此，傳統(tǒng)的光學(xué)設(shè)備可以用于掃描依據(jù)本發(fā)明的信息載體，其中增加所述在傳統(tǒng)光學(xué)設(shè)備的夾持器中的接觸點(diǎn)和用于在這些接觸點(diǎn)之間施加電勢(shì)差的裝置。本發(fā)明還涉及一種通過光束從信息載體讀取信息的方法，所述信息載體包括至少兩個(gè)信息堆疊，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子，所述方法包括步驟在要從其中讀取信息的信息堆疊的第一和第二電極之間施加電勢(shì)差，以及將光束聚焦在所述信息堆疊的信息層上。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種通過光束在信息載體上記錄信息的方法，所述信息載體包括至少兩個(gè)信息堆疊，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中所述信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子，所述方法包括步驟將光束聚焦在要在其上記錄信息的信息堆疊的第一電極上以便局部減小第一電極的電導(dǎo)。本發(fā)明還涉及一種通過光束在信息載體上記錄信息的方法，所述信息載體包括至少兩個(gè)信息堆疊，其中每個(gè)堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子，所述方法包括步驟將光束聚焦在要在其上記錄信息的信息堆疊的信息層上以便局部降級(jí)信息層。本發(fā)明還涉及一種通過光束在信息載體上記錄信息的方法，所述信息載體包括至少兩個(gè)信息堆疊，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中所述信息層包括矩陣，所述矩陣包括兩種類型的表面帶電的膠體微粒，一種具有負(fù)電荷，一種具有正電荷，所述表面帶電的膠體微粒(colloidalparticle)包括液晶分子，所述矩陣具有通過光束可局部降低的粘性，所述方法包括步驟將光束聚焦在要在其上記錄信息的信息堆疊的信息層上以便局部降低所述信息層的矩陣的粘性，和在所述信息堆疊的第一電極和第二電極之間施加電勢(shì)差。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種擦除信息層上的信息的方法，其中已經(jīng)依據(jù)如前面所述的方法記錄了信息，所述擦除方法包括步驟將光束聚焦在所述信息層上以便局部降低所述信息層的矩陣的粘性，并且在所述信息堆疊的第一電極和第二電極之間施加電勢(shì)差。本發(fā)明的這些和其他方面將從參照下文中描述的實(shí)施例中顯而易見并進(jìn)行闡明。現(xiàn)在通過舉例、參照附圖更加詳細(xì)地說明本發(fā)明，其中圖1a和1b示出了依據(jù)本發(fā)明的第一ROM信息載體；圖2a、2b和2c示出了依據(jù)本發(fā)明的第二、第三和第四ROM信息載體；圖3a、3b、3c和3d示出了依據(jù)本發(fā)明的第一、第二、第三和第四WORM信息載體；圖4示出了依據(jù)本發(fā)明在RW信息載體中未寫入信息的層的結(jié)構(gòu)；圖5示出了依據(jù)本發(fā)明在RW信息載體中的寫入信息的層的結(jié)構(gòu)；圖6示出了依據(jù)本發(fā)明的光學(xué)設(shè)備。具體實(shí)施例方式圖1a中表示了依據(jù)本發(fā)明的第一ROM(ReadOnlyMemory只讀存儲(chǔ)器)信息載體。這種信息載體包括第一、第二、第三和第四電極11、13、15和17，第一和第二信息層12和16以及襯墊層(spacer)14。第一電極11、第一信息層12和第二電極13形成第一信息堆疊，第三電極15、第二信息層16和第四電極17形成第二信息堆疊。通過襯墊層14將兩個(gè)信息堆疊隔離開。依據(jù)本發(fā)明的信息載體可以包括多于兩個(gè)的信息堆疊。例如，依據(jù)本發(fā)明的信息載體可包括10、20或多達(dá)100或更多的信息堆疊。例如，圖1b中繪制了依據(jù)本發(fā)明的包括8個(gè)信息堆疊的信息堆疊。所述信息載體是ROM(只讀存儲(chǔ)器)信息載體，這意味著用戶不能在該載體上記錄信息。信息是在制造過程中記錄的，并且不能被擦除。信息層12和16包括凹坑(pit)和凸區(qū)(land)，可以通過如壓印和印制的傳統(tǒng)技術(shù)來獲得這些凹坑和凸區(qū)。該信息載體旨在用波長(zhǎng)為1的光束來掃描。為了不與光束相互作用，第一、第二、第三和第四電極11、13、15和17以及襯墊層14被挑選成對(duì)波長(zhǎng)1是透明的，或者至少對(duì)該波長(zhǎng)的吸收非常低。信息堆疊的信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠相對(duì)于其初始取向而發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子?？梢允褂弥绷麟妷簛韺?shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，但是優(yōu)選使用交流電壓。為了獲得第二信息層16，通過如壓印的傳統(tǒng)技術(shù)，對(duì)包括這些分子的層進(jìn)行構(gòu)圖。然后，通過如旋涂、浸涂、氣相淀積或?yàn)R射淀積的傳統(tǒng)技術(shù)，在已構(gòu)圖的第二信息層16上沉積第三電極15。然后，例如通過旋涂來沉積襯墊層14，并且在襯墊層14上沉積第二電極13。然后，在第二電極13上沉積包括所述分子的層。為了獲得第一信息層12對(duì)該層進(jìn)行構(gòu)圖。重復(fù)這些操作，以獲得包括多個(gè)信息堆疊的信息載體。當(dāng)在電極之間施加電勢(shì)差時(shí)能夠轉(zhuǎn)向給定方向的分子例如是液晶分子。這種液晶單元例如在Peter.Collings，JayS.Patel所撰寫的，于1997年在紐約的OxfordUniversityPress出版的“HandbookofLiquidCrystalResearch”中有所說明。例如，當(dāng)在第一和第二電極11和13之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電場(chǎng)，該電場(chǎng)的方向基本上垂直于第一和第二電極11和13。當(dāng)?shù)谝恍畔?2的液晶分子受到該電場(chǎng)的影響時(shí)，轉(zhuǎn)向該電場(chǎng)的方向。當(dāng)使用具有正介電各向異性的液晶分子時(shí)，出現(xiàn)這種情況。然而，依據(jù)本發(fā)明也可以使用具有負(fù)介電各向異性的液晶分子。在這種情況下，第一信息層12的液晶分子轉(zhuǎn)向與電場(chǎng)方向垂直的方向。下面的描述適用于具有正介電各向異性的液晶分子。而且，信息層可以包括單一類型的液晶分子，或者包括兩種或多種類型的液晶分子的混合物。此外，信息層可以顯示一個(gè)或多個(gè)與溫度有關(guān)或與濃度有關(guān)的液晶相，如向列相(nematicphase)、近晶相(smecticphase)、手性向列相(chiralnematicphase)、鐵電相(ferroelectricphase)或者圓盤形相(discoticphase)。而且，信息層可以結(jié)合其它部件。例如，如在由R.A.MHikmet撰寫、G.P.Crawford，S.Zumer編輯、于1996年在倫敦的Taylor&Francis出版的“Liquidcrystalincomplexgeometries.Formedbypolymerandporousnetworks”中所記載的，可將液晶分子結(jié)合到各向同性或各向異性網(wǎng)絡(luò)中。這種網(wǎng)絡(luò)強(qiáng)制的液晶層例如可以在原處產(chǎn)生，其中例如在所述參考中所述，利用UV-光來照射先前施加的反應(yīng)混合物。當(dāng)?shù)谝缓偷诙姌O11和13之間沒有施加電勢(shì)差時(shí)，第一信息層12的液晶分子的方向是隨機(jī)的，這樣，第一信息層12對(duì)波長(zhǎng)1基本上就是透明的。當(dāng)在第一和第二電極11和13之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)，第一信息層12的液晶分子轉(zhuǎn)向通過所述電勢(shì)差而產(chǎn)生的電場(chǎng)的方向，這導(dǎo)致第一信息層12變?yōu)閷?duì)波長(zhǎng)1是吸收性和/或反射性的。這是折射率變化的結(jié)果，由第一信息層12的液晶分子的重新取向而引起。依據(jù)本發(fā)明使用的這些分子也可以是包括帶電的取代基的多個(gè)分子，所述帶電的取代基轉(zhuǎn)向由兩個(gè)電極之間施加的電勢(shì)差而產(chǎn)生的電流的方向。這種分子的例子是離子鍵聚合物或聚合電解質(zhì)。聚合電解質(zhì)或離子鍵聚合物由包含離子的聚合物構(gòu)成，包括具有相對(duì)少量的單體單元的聚合物主干，所述單體單元具有作為側(cè)基或結(jié)合到主鏈中的離子功能。在大部分情況下，可使用具有羧酸、磺酸或磷酸的結(jié)構(gòu)，其部分或完全地與陽離子中和。例如由L.Holliday撰寫并在1975年倫敦的AppliedSciencePublisher出版的“LonicPolymer”中描述了這些材料。這些材料的具體例子例如是聚2-丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸(2-acrylamido-2-methylpropanesulphonicacid)、聚乙烯磺酸(ethylenesulphonicacid)、聚苯乙烯磺酸(styrenesulphonicacid)以及如聚乙烯-共甲基丙烯酸(ethylene-co-methylacrylicacid)的共聚物(copolymer)的鋅或鈉鹽?？蛇x擇的是，可以改變這些聚合電解質(zhì)或離子鍵聚合物，以包括中康酯單元(mesogenicunit)，存在于聚合主鏈、側(cè)鏈或兩者中。例如在Wilbert等人的MacromolecularSymposia(1997)，117229-232的“Liquid-crytallineinomer”中描述了這種液晶離子鍵聚合物的具體例子。而且，可以與采用的離子鍵聚合物或聚合電解質(zhì)一起使用如溶劑、潛溶劑或軟化添加劑的可選添加劑，以調(diào)節(jié)信息層的粘性，并且便于和優(yōu)化材料的重新取向。當(dāng)在第一和第二電極11和13之間沒有施加電勢(shì)差時(shí)，第一信息層12的分子的方向是隨機(jī)的，這樣，第一信息層12對(duì)波長(zhǎng)1基本上就是透明的。當(dāng)在第一和第二電極11和13之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)，第一信息層12的分子全部轉(zhuǎn)向某一方面，這導(dǎo)致第一信息層12變?yōu)閷?duì)波長(zhǎng)1是吸收性和/或反射性的。所述方向取決于用在第一信息層12中的材料的性質(zhì)。如果第一信息層12僅包括帶電的取代基，所述方向是由所述電勢(shì)差產(chǎn)生的電流的方向。如果所述信息層包括含有中康酯單元的帶電的取代基，所述方向取決于中康酯單元的液晶分子的性質(zhì)。下面的描述適用于包括液晶分子的信息層。類似的描述適用于包括具有帶電的取代基的分子的信息層，其可選地包括中康酯單元。當(dāng)為了從第一信息層12讀取信息而掃描第一信息層12時(shí)，在第一和第二電極11和13之間施加電勢(shì)差V1。這樣，在第一和第二電極11和13之間形成電場(chǎng)。這樣，第一信息層12的液晶分子轉(zhuǎn)向該電場(chǎng)的方向，即基本上垂直于第一和第二電極11和13的方向。結(jié)果，第一信息層12變?yōu)閷?duì)波長(zhǎng)1是吸收性和/或反射性的。電勢(shì)差V1被挑選成當(dāng)施加該電勢(shì)差時(shí)，使得第一信息層12在波長(zhǎng)l的吸收和反射變得相對(duì)高。電勢(shì)差V1取決于波長(zhǎng)1、液晶分子的化學(xué)結(jié)構(gòu)、第一信息層12的層厚度以及第一和第二電極11和13?？捎糜诘谝缓偷诙姌O11和13的材料的例子是ITO(IndiumTinOxide銦錫氧化物)、PEDOT(聚3，4-乙烯二羥噻吩(3，4-ethylenedioxythiophen))以及PPV(聚苯基乙炔(phenylenevinylene))。然后，一旦第一信息層12的吸收和/或反射很高，就可以利用傳統(tǒng)的讀出技術(shù)(如用于讀出CD-ROM的相差讀出原理和幅度差讀出)來從該信息層讀取信息。一旦已經(jīng)讀出第一信息層12的信息，就掃描第二信息層16。首先，使第一信息層12在去除電勢(shì)差V1時(shí)是透明的。第一和第二電極11和13之間的電場(chǎng)消失，液晶分子向回旋轉(zhuǎn)至其初始取向，這樣，第一信息層12就變?yōu)橥该鞯摹Ｈ缓?，使第二信息?6在第三和第四電極15和17之間施加電勢(shì)差V2時(shí)是吸收性的。在該例中，由于第一和第二信息堆疊包括相同的液晶分子，因此V2等于V1。如果在第一和第二信息層12和16中使用能夠轉(zhuǎn)向給定方向的不同分子，那么V2就有可能與V1不相同。并且，如果信息層12和16的厚度不同，那么可能需要不同的電勢(shì)差。一旦第二信息層16是吸收性和/或反射性的，就可以從第二信息層16讀出信息。由于所述第一信息層12已經(jīng)變?yōu)橥该鞯?，因此第一信息?2不會(huì)干擾信息的讀出。結(jié)果，僅僅尋址一個(gè)信息層就成為了可能，而信息載體的其他信息層基本上是透射的。通過在不同信息堆疊的電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差來尋址期望的層。如果第一信息層12在反射和/或吸收狀態(tài)中是足夠透明的，那么也可以不是在已經(jīng)使第二信息層16是吸收性/或反射性的之前，而是在這之后將第一信息層12變?yōu)橥该鳡顟B(tài)。通過傳統(tǒng)的技術(shù)可以制造依據(jù)本發(fā)明的包括上述多個(gè)層的信息載體，所述傳統(tǒng)的技術(shù)如壓印、模塑、光刻技術(shù)、微接觸印刷或氣相淀積。在上文的描述中，當(dāng)在第一和第二電極之間沒有施加電勢(shì)差時(shí)，液晶分子的取向是隨機(jī)的。當(dāng)施加電勢(shì)差時(shí)，它們轉(zhuǎn)向與通過電勢(shì)差產(chǎn)生的電場(chǎng)相平行或垂直的方向，這取決于液晶分子的性質(zhì)。應(yīng)該注意，當(dāng)沒有施加電勢(shì)差時(shí)，液晶分子還可以處于一定的方向，而該方向當(dāng)在第一和第二電極之間施加電勢(shì)差時(shí)可加以改變。例如，當(dāng)沒有施加電勢(shì)差時(shí)，液晶分子可以平行于第一和第二電極，假定這種取向?qū)е峦该鞯男畔?。然后，?dāng)施加電勢(shì)差時(shí)，液晶分子轉(zhuǎn)向垂直于第一和第二電極的方向，在這種情況中，考慮的信息層變?yōu)槲招院?或反射性的。在后者的情況中，當(dāng)去除電勢(shì)差時(shí)，液晶分子應(yīng)該返回到其初始取向。在用于信息層的各向異性網(wǎng)絡(luò)中可以實(shí)現(xiàn)上述情況。例如，如果當(dāng)沒有施加電勢(shì)差時(shí)，液晶分子的取向是平面的，即平行于第一和第二電極，那么就結(jié)合具有正介電各向異性的液晶分子來使用沿平面取向的各向異性網(wǎng)絡(luò)。如果當(dāng)沒有施加電勢(shì)差時(shí)液晶分子的取向是垂直的(homeotropic)，即垂直于第一和第二電極，那么就結(jié)合具有負(fù)介電各向異性的液晶分子來使用垂直取向的各向異性網(wǎng)絡(luò)?？商娲氖?，可以對(duì)第一和第二電極進(jìn)行化學(xué)和機(jī)械改變，以便在不施加電壓時(shí)產(chǎn)生液晶對(duì)準(zhǔn)的優(yōu)選取向?？商娲氖?，可以使用包圍信息層的附加對(duì)準(zhǔn)層。在信息堆疊的電極和信息層之間安置附加信息層。優(yōu)選使用兩個(gè)對(duì)準(zhǔn)層，不過也可以僅使用這些對(duì)準(zhǔn)層中的一個(gè)?？梢允褂脤?duì)準(zhǔn)層，如通常用于傳統(tǒng)的液晶顯示器的構(gòu)造的那些對(duì)準(zhǔn)層、如摩擦的聚酰亞胺對(duì)準(zhǔn)層、或光致對(duì)準(zhǔn)層，如香豆素衍生物或肉桂酸鹽衍生物。可以通過傳統(tǒng)的加工技術(shù)再次實(shí)現(xiàn)這些層的沉積，所述加工技術(shù)如旋涂或浸涂。根據(jù)對(duì)準(zhǔn)層的類型，需要隨后的摩擦，或短暫的UV-曝光，以產(chǎn)生期望的取向。包圍信息層的所使用的對(duì)準(zhǔn)層優(yōu)選是相同的，但也可以是不同的。使用聚酰亞胺的的好處在于它們具有顯著的溫度穩(wěn)定性，其完全高于大多數(shù)有機(jī)聚合物公共遵守的典型的退化溫度。圖2a示出了依據(jù)本發(fā)明的第二ROM信息載體。在該附圖中，與圖1a中相同的數(shù)字代表相同的部件。信息載體包括第一、第二、第三和第四電極11、13、15和17，第一和第二信息層12和16以及襯墊層14。第一電極11、第一信息層12和第二電極13形成第一信息堆疊，第三電極15、第二信息層16和第四電極17形成第二信息堆疊。通過襯墊層14將兩個(gè)信息堆疊分隔開。下文中描述用于制造圖2a的信息載體的制造過程的例子。通過如壓印的傳統(tǒng)技術(shù)，對(duì)第四電極17進(jìn)行構(gòu)圖。然后，在已構(gòu)圖的第四電極17上沉積第二信息層，并在第二信息層16上沉積第三電極15。然后，在第三電極15上沉積襯墊層14，并在襯墊層14上沉積第二電極13。然后重復(fù)上面所述的操作，從而獲得包括多個(gè)信息堆疊的信息載體。為了尋址第一和第二信息層12和16，分別在第一和第二電極11和13之間以及第三和第四電極15和17之間施加電勢(shì)差。圖2b示出了依據(jù)本發(fā)明的第二ROM信息載體。該信息載體包括第一、第二、第三電極21、23和25以及第一和第二信息層22和24。第一電極21、第一信息層22和第二電極23形成第一信息堆疊，第二電極23、第二信息層24和第三電極25形成第二信息堆疊。下文中描述用于制造圖2b的信息載體的制造過程的例子。通過如壓印或印制的傳統(tǒng)技術(shù)，對(duì)包括液晶分子的層進(jìn)行構(gòu)圖。獲得第二信息層24。然后，在已構(gòu)圖的第二信息層24上沉積第二電極23，并在第二電極23上沉積包括液晶分子的層。然后重復(fù)上面所述的操作，從而獲得包括多個(gè)信息堆疊的信息載體。為了尋址第一和第二信息層22和24，分別在第一和第二電極21和23之間以及第二和第三電極23和25之間施加電勢(shì)差。圖2c示出了依據(jù)本發(fā)明的第三ROM信息載體。該信息載體包括第一、第二、第三電極21、23和25，以及第一和第二信息層22和24。第一電極21、第一信息層22和第二電極23形成第一信息堆疊，第二電極23、第二信息層24和第三電極25形成第二信息堆疊。下文中描述用于制造圖2c的信息載體的制造過程的例子。通過如壓印的傳統(tǒng)技術(shù)，對(duì)第三電極25進(jìn)行構(gòu)圖。然后在已構(gòu)圖的第三電極25上沉積第二信息層24，并在第二信息層24上沉積第二電極23。然后對(duì)第二電極23進(jìn)行構(gòu)圖，并在已構(gòu)圖的第二電極23上沉積第一信息層22。重復(fù)上面所述的操作，從而獲得包括多個(gè)信息堆疊的信息載體。為了尋址第一和第二信息層22和24，分別在第一和第二電極21和23之間以及第二和第三電極23和25之間施加電勢(shì)差。圖3a示出了依據(jù)本發(fā)明的第一WORM(writeoncereadmany一次寫入多次讀出)信息載體。該信息載體包括第一、第二、第三和第四電極31、33、35和37，第一和第二信息層32和36以及襯墊層34。第一電極31、第一信息層32和第二電極33形成第一信息堆疊，第三電極35、第二信息層36和第四電極37形成第二信息堆疊。通過襯墊層34將兩個(gè)信息堆疊分隔開。第一和第二電極31和35具有電導(dǎo)，通過波長(zhǎng)1的光束可以局部地減小所述電導(dǎo)。為了局部地減小第一和第三電極31和35的電導(dǎo)，需要功率相對(duì)高的光束。例如通過熔融、退火、光化反應(yīng)、熱破壞或退化使高的功率被吸收在材料中，并改變它的材料特性。在信息載體上寫入信息的過程中使用相對(duì)高的功率，而在讀取過程中使用較低的功率，該功率不能減小第一和第三電極31和35的電導(dǎo)。為了在第一信息層32上寫入信息，將功率相對(duì)高的光束聚焦于第一電極31上，從而局部減小第一電極31的電導(dǎo)，以寫入標(biāo)記。在圖3a中，通過虛線表示第一電極31的電導(dǎo)減小的標(biāo)記。為了在第二信息層36上寫入信息，將功率相對(duì)高的光束聚焦于第三電極35上，從而局部減小第三電極35的電導(dǎo)。為了從第一信息層32讀取信息，在第一電極31和第二電極33之間施加合適的電勢(shì)差V1。在第一電極31和第二電極33之間產(chǎn)生電場(chǎng)，除了已經(jīng)寫入標(biāo)記之處不產(chǎn)生電場(chǎng)之外，這是因?yàn)檫@些標(biāo)記的電導(dǎo)太小，以至于不允許產(chǎn)生電場(chǎng)。因此，第一信息層32的液晶分子受電場(chǎng)的影響，除了位于寫入到第一電極31的標(biāo)記之下的部分不受電場(chǎng)的影響之外。結(jié)果，第一信息層32變?yōu)槲招院?或反射性的，除了位于已寫入的標(biāo)記之下的那些部分中的信息層之外。因此，位于標(biāo)記之下的那些部分和未做標(biāo)記的區(qū)域之下的那些部分之間的吸收和反射之差用于從第一信息層32讀取信息。為了從第二信息層36讀取信息，在去除了電勢(shì)差V1之時(shí)，使第一信息層32對(duì)波長(zhǎng)1是透明的。因此，整個(gè)第一信息層32變成透明的。因此，第一信息層32不會(huì)干擾第二信息層36的掃描。然后，在第三電極35和第四電極37之間施加等于V1的適當(dāng)電壓V2，使第二信息層36對(duì)波長(zhǎng)1是吸收性和/或反射性的。第二信息層36變?yōu)槲招院?或反射性的，除了位于寫入到第三電極35的標(biāo)記之下的那些部分中的信息層之外。然后，可以從第二信息層36讀取信息。應(yīng)該注意，與在圖3a中表示的標(biāo)記寬度相比，層的厚度不必對(duì)應(yīng)于實(shí)物。信息層的厚度小于標(biāo)記的寬度是有利的。如果信息層的厚度大于標(biāo)記的寬度，那么甚至在位于標(biāo)記之下的部分中也可以產(chǎn)生電場(chǎng)。于是，液晶分子受電場(chǎng)影響的部分可能會(huì)比期望的更大，這樣就減小了這種信息載體的數(shù)據(jù)容量。對(duì)于光學(xué)記錄來說，標(biāo)記通常大于500納米。結(jié)果，低于300納米的信息層的厚度是優(yōu)選的，從而避免了在已寫入標(biāo)記之下的部分中產(chǎn)生電場(chǎng)。還應(yīng)該注意，信息層的分解溫度優(yōu)選高于使第一電極的電導(dǎo)減小的溫度。在寫入過程中即使光束沒有直接聚焦于信息層之上，該信息層仍將達(dá)到與寫入標(biāo)記的電極的溫度不遠(yuǎn)的溫度。然而，如圖3b所示，可以在依據(jù)本發(fā)明的WORM信息載體中使用分解溫度低于使第一電極的電導(dǎo)減小的溫度的信息層。在圖3b中，信息載體進(jìn)一步包括第一和第二熱絕緣層38和39，所述熱絕緣層分別設(shè)置于第一電極31和第一信息層32之間、以及第二電極35和第二信息層36之間。第一和第二熱絕緣層38和39被挑選成使其對(duì)波長(zhǎng)1是透明的，并且具有高于使第一和第三電極31和35的電導(dǎo)減小的溫度的分解溫度。例如，ZnS-SiO2層可用作熱絕緣層，以及耐高溫聚合物(polymer)，如聚酰亞胺(polyimide)、聚醚酰亞胺(polyetherimide)、聚酯酰亞胺(polyesterimide)、聚硫胺亞胺(polyamidimide)、聚酰胺(polyamide)、聚甲基戊烯(polymetylpentene)、聚醚醚酮(polyetheretherketone)以及聚醚砜(polyethersulfone)。第一和第二熱絕緣層38和39具有相對(duì)低的導(dǎo)熱性。結(jié)果，在寫入過程中第一和第二信息層32和36的溫度低于第一和第三電極31和35的溫度。因此，第一和第二信息層32和36可以具有相對(duì)較低的分解溫度。圖3c示出了依據(jù)本發(fā)明的第三WORM信息載體。與圖3a的第一WORM信息載體相比，圖3c的信息載體進(jìn)一步包括第一、第二、第三和第四附加電極310至313。這些附加電極用于當(dāng)其中寫入標(biāo)記的第一和第三電極31和35部分降級(jí)時(shí)克服電阻的局部增大。具有高的降級(jí)溫度的有機(jī)導(dǎo)電聚合物或比如ITO(銦錫氧化物)的無機(jī)層可用作附加電極。圖3d示出了依據(jù)本發(fā)明的第四WORM信息載體。該信息載體包括第一、第二、第三和第四電極31、33、35和37，第一和第二信息層32和36以及襯墊層34。第一電極31、第一信息層32和第二電極33形成第一信息堆疊，第三電極35、第二信息層36和第四電極37形成第二信息堆疊。通過襯墊層34將兩個(gè)信息堆疊分隔開。可以通過光束局部降級(jí)(例如光化學(xué)地退火、改變、熔融、固定或退化)信息層。為了局部降級(jí)第一和第二信息層32和36，需要功率相對(duì)高的光束。高的功率在材料中被吸收，并例如通過熔融、退火、光化反應(yīng)、熱破壞或退化來改變它的材料特性。在信息載體上寫入信息的過程中使用相對(duì)高的功率，而在讀出過程中使用較低功率，該功率不能使第一和第二信息層32和36降級(jí)。信息堆疊的信息層的局部降級(jí)，導(dǎo)致降級(jí)區(qū)域中的分子在所述信息堆疊的第一和第二電極之間施加電勢(shì)差時(shí)失去其旋轉(zhuǎn)能力。因此，不管在該信息堆疊的第一和第二電極之間施加什么電勢(shì)差，降級(jí)區(qū)域都保持為透明的。為了在第一信息層32上寫入信息，將功率相對(duì)高的光束聚焦于第一信息層32之上，從而使第一信息層32局部降級(jí)，以寫入標(biāo)記。在圖3d中，用虛線表示第一信息層32降級(jí)的標(biāo)記。在光束功率改變之時(shí)，或在光束聚焦于標(biāo)記之上的持續(xù)時(shí)間改變之時(shí)，可以挑選信息層中標(biāo)記的深度。具有不同的標(biāo)記深度允許多級(jí)別的記錄。在單級(jí)別的記錄中，通常使用兩個(gè)反射狀態(tài)或級(jí)別，而在多級(jí)別記錄的情況下，更多的反射級(jí)別被定義成表示數(shù)據(jù)。為了在第二信息層36上寫入信息，將功率相對(duì)高的光束聚焦于第二信息層36之上，從而使第二信息層36局部降級(jí)，以寫入標(biāo)記。在把功率相對(duì)高的光束聚焦于必須要在其上寫入信息的信息層之前，可以使該信息層成為吸收性的。這提高了對(duì)功率相對(duì)高的光束的吸收，增大了信息層的局部降級(jí)。為了從第一信息層32讀取信息，在第一電極31和第二電極33之間施加適當(dāng)電壓V1，使所述第一信息層32對(duì)波長(zhǎng)1是吸收性的。第一信息層32變?yōu)槲招院?或反射性的，除了已經(jīng)在其中寫入標(biāo)記的區(qū)域除外，原因在于這些標(biāo)記的分子不能旋轉(zhuǎn)。因此，第一信息層32的標(biāo)記和未標(biāo)記的區(qū)域之間的吸收和/或反射之差用于從第一信息層32讀取信息。為了從第二信息層36讀取信息，去除在第一電極31和第二電極33之間的電勢(shì)差V1，使第一信息層32對(duì)波長(zhǎng)1是透明的。因此，包括標(biāo)記的整個(gè)第一信息層32變?yōu)橥该鞯?。第一信息?2因此不會(huì)干擾對(duì)第二信息層36的掃描。然后，在第三電極35和第四電極37之間施加等于V1的適當(dāng)電壓V2，使第二信息層36對(duì)波長(zhǎng)1是吸收性和/或反射性的。第二信息層36變?yōu)槲招院?或反射性的，除了已經(jīng)在其中寫入標(biāo)記的區(qū)域除外。然后，可以從第二信息層36讀取信息。圖4示出了依據(jù)本發(fā)明的未寫入的RW(Rewritable可重寫的)信息載體的結(jié)構(gòu)。在圖4中，僅表示信息載體的一個(gè)信息堆疊，其它的信息堆疊是類似的。該信息堆疊包括第一和第二電極41和43，以及信息層42。該信息層包括矩陣421和表面帶電的膠體微粒，如微粒422和423。由球體表示表面帶電的膠體微粒，并且該膠體微粒包括由短棒表示的液晶分子。棒形的表示并不把液晶的使用限制在棒形，而是也可以使用香蕉形或盤形液晶。矩陣421具有粘性，該粘性可借助于波長(zhǎng)為1且功率相對(duì)高的光束而局部減小，以在信息層42上寫入信息。在信息的讀出過程中，使用功率較低的光束，該功率不能減小矩陣421的粘性。矩陣421被挑選成對(duì)波長(zhǎng)1是透明的。矩陣421可由其轉(zhuǎn)變過程與溫度相關(guān)的材料組成，所述材料可以是一級(jí)轉(zhuǎn)變、二級(jí)轉(zhuǎn)變或玻璃轉(zhuǎn)變。優(yōu)選的是，這種轉(zhuǎn)變?cè)谶h(yuǎn)遠(yuǎn)高于周圍溫度，并且大大超過信息載體的典型的上限處理溫度，但低于信息層中臨近層的降級(jí)溫度的情形之下進(jìn)行。此外，矩陣可具有無機(jī)性質(zhì)，但優(yōu)選具有有機(jī)性質(zhì)，如聚合性質(zhì)。特別是，聚合物矩陣可由例如均聚物(homoplolymer)、共聚物(copolymer)或共混聚合物(polymerblends)組成。具有如玻璃轉(zhuǎn)變的、與溫度相關(guān)的轉(zhuǎn)變的聚合物的例子是聚苯乙烯(polystyrene)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate)。獲得嵌入帶電膠體微粒中的液晶分子的方法對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說是已知的。例如，如P.S.Drzaic撰寫的，于1995年在新加坡的WorldScientific上發(fā)表的“Liqudcrystaldispersion”中所述，從涉及顯示器的聚合物分散液晶(PDLC)開關(guān)獲知封裝的液晶。然而，通過通常交聯(lián)的矩陣來固定液晶微滴的位置。例如在S.-A.Cho，N.-H.Park，J-W.Kim，K.-D.Sun，Colloidsandsurface，APhys-icochemicalandengineeringaspect，196，217(2002)中已經(jīng)描述了能夠在矩陣中連續(xù)分散的單獨(dú)封裝的液晶或液晶微囊的合成和使用。各種液晶分子都可以用于如圖4所示的信息載體中。例如，可以采用具有正或負(fù)介電各向異性的液晶分子。而且，也可以從例如棒形、香蕉形和圓盤形類型中選擇液晶分子的類型。當(dāng)信息層42未被寫入時(shí)，表面帶電的膠體微粒隨機(jī)地分散于矩陣421中。如圖4所示，表面帶正電的膠體微?？梢耘c表面帶負(fù)電的膠體微粒成簇，以形成穩(wěn)定的集合體。在這種情況中，不管在第一和第二電極41和43之間施加了什么電勢(shì)差，信息層42基本上對(duì)波長(zhǎng)1是透明的。實(shí)際上，包括液晶分子的表面帶電的微粒是膠體性的，這意味著表面帶電的微粒與矩陣421的體積相比的體積分?jǐn)?shù)相對(duì)較小。例如，該體積分?jǐn)?shù)小于10％。優(yōu)選的是，該體積分?jǐn)?shù)小于5％。也可以在表面帶正電的微粒和表面帶負(fù)電的微粒中使用不同的液晶分子，以增強(qiáng)記錄信息層的對(duì)比度。為了在信息層42上寫入標(biāo)記，將功率相對(duì)高的光束聚焦于所述標(biāo)記上。對(duì)位于該標(biāo)記之下的矩陣421的部分進(jìn)行加熱，并達(dá)到減小其粘性的溫度。在第一和第二電極41和43之間施加適當(dāng)電勢(shì)差V1，其在信息層42中產(chǎn)生電場(chǎng)，從而使表面帶負(fù)電的膠體微粒與表面帶正電的膠體微粒分隔開。這樣獲得寫入的信息層，其在圖5中表示。圖5示出了依據(jù)本發(fā)明的已寫入的RW信息載體的結(jié)構(gòu)。在該圖中，與圖4中相同的數(shù)字代表相同的部件。在已經(jīng)寫入標(biāo)記的信息層42的部分中，在負(fù)電極的表面處捕獲表面帶正電的微粒，在這種情況中，負(fù)電極是第一電極41，在正電極的表面處捕獲表面帶負(fù)電的微粒，在這種情況中，正電極是第二電極43。一旦標(biāo)記已經(jīng)寫入，就不再把功率相對(duì)高的光束聚焦于所述標(biāo)記之上。因此，將位于所述已寫入標(biāo)記之下的矩陣421的部分冷卻，同時(shí)在冷卻過程中保持電勢(shì)差，并且?guī)щ娢⒘１３钟诟髯缘碾姌O表面處，這是由于矩陣421的粘性阻止了這些帶電微粒的遷移。結(jié)果，一旦在信息層42上記錄了信息，該第一信息層42就包括寫入部分(在該部分中，在第一和第二電極41和43的表面處捕獲表面帶電的微粒)和未寫入部分(在該部分中，表面帶電的微粒隨機(jī)地分散在矩陣421中)。為了從信息層42讀取信息，將低功率光束聚焦于該信息層上，并在第一和第二電極41和43之間施加適當(dāng)電勢(shì)差V2。電勢(shì)差V2可以不同于V1。實(shí)際上，為了使帶電微粒能夠在矩陣421中遷移，使用電勢(shì)差V1，而為了使液晶分子旋轉(zhuǎn)，使用電勢(shì)差V2。如在圖4的描述中所述，即使這些未寫入部分中的液晶分子受電場(chǎng)的影響，信息層42的未寫入部分也保持為透明的，這是由于帶電微粒與矩陣421的體積相比的體積分?jǐn)?shù)相對(duì)較小。然而，當(dāng)在第一和第二電極41和43之間施加電勢(shì)差V2時(shí)，信息層42的寫入部分變?yōu)閷?duì)波長(zhǎng)1是吸收性和反射性的，因?yàn)橐壕Х肿釉谛◇w積(即第一電極41附近)中的濃度相對(duì)高所導(dǎo)致的，這些分子全部轉(zhuǎn)向相同的方向。結(jié)果，信息層42的未寫入部分和寫入部分之間的吸收和/或反射的差可以用于讀出。當(dāng)掃描信息載體的另一信息層時(shí)，去除電勢(shì)差V2，使信息層42是透明的?？梢圆脸趫D4和5中給出的信息載體的信息層上寫入的信息，并且可以在這些信息層上重寫信息。為了擦除在信息層42上寫入的信息，用功率相對(duì)高的光束掃描信息層42。將矩陣421加熱，并且降低矩陣421的粘性。在第一和第二電極41和43之間施加反向電勢(shì)差-V3，以便使帶電的膠體微粒能夠沿著在寫入過程中獲得的遷移方向相反的方向遷移。選擇電勢(shì)差-V3的幅度以及在第一和第二電極41和43之間施加反向電勢(shì)差-V3所持續(xù)的時(shí)間，以獲得如圖4所述的信息層42，表面帶電的膠體微粒隨機(jī)地分散于矩陣421中。如上面所述，然后可以在信息層42上重寫標(biāo)記。需要注意，可以設(shè)計(jì)具有圖4和5的信息載體的WORM信息載體。例如阻止使用者施加反向電勢(shì)差以致寫入的數(shù)據(jù)不能夠被擦除就成為可能。例如可以在信息載體的所謂引入中包括這種限制。還應(yīng)該注意，在如圖4和5所示的信息載體中可以進(jìn)行多級(jí)別的記錄。通過對(duì)在第一和第二電極41和43之間施加電勢(shì)差V1使用不同的持續(xù)時(shí)間，可以使在負(fù)電極41的表面處捕獲的帶正電微粒和在正電極43的表面處捕獲的帶負(fù)電微粒具有不同的濃度。圖6示出了依據(jù)本發(fā)明的光學(xué)設(shè)備。這種光學(xué)設(shè)備包括用于產(chǎn)生光束602的輻射源601、準(zhǔn)直透鏡603、分束器604、物鏡605、伺服透鏡606、檢測(cè)裝置607、測(cè)量裝置608和控制器609。該光學(xué)設(shè)備用于掃描信息載體610。信息載體610包括兩個(gè)信息堆疊611和612，每一信息堆疊都包括至少一個(gè)信息層。在可以是寫入操作或讀取操作的掃描操作過程中，通過由輻射源601產(chǎn)生的光束602來掃描信息載體610。準(zhǔn)直透鏡603和物鏡605將光束602聚焦在信息載體610的信息層上。準(zhǔn)直透鏡603和物鏡605是聚焦裝置。在掃描操作過程中，可檢測(cè)聚焦誤差信號(hào)，該聚焦誤差信號(hào)對(duì)應(yīng)于光束602在信息層上的定位的定位誤差。該聚焦誤差信號(hào)可用于校正物鏡605的軸向位置，以補(bǔ)償光束602的聚焦誤差。發(fā)送信號(hào)至控制器609，該制器驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)裝置，以軸向移動(dòng)物鏡605。通過檢測(cè)裝置607檢測(cè)聚焦誤差信號(hào)和在信息層上寫入的數(shù)據(jù)。由信息載體610反射的光束602通過物鏡605變?yōu)槠叫泄馐缓蠼?jīng)分束器604到達(dá)伺服透鏡606。然后該反射光束到達(dá)檢測(cè)裝置607。該光學(xué)設(shè)備進(jìn)一步包括用于支撐信息載體610的夾持器620。所述夾持器620包括觸點(diǎn)621至624。將這些觸點(diǎn)621至624設(shè)計(jì)成當(dāng)信息載體610放在光學(xué)設(shè)備中時(shí)，它們?cè)试S在信息堆疊的第一和第二電極之間施加電勢(shì)差。在該例子中，當(dāng)將信息載體610放在光學(xué)設(shè)備中時(shí)，第一接觸點(diǎn)621與第一信息堆疊611的第一電極電接觸，第二接觸點(diǎn)622與第一信息堆疊611的第二電極電接觸，第三接觸點(diǎn)623與第二信息堆疊612的第一電極電接觸，第四接觸點(diǎn)624與第二信息堆疊612的第二電極電接觸。然后，在接觸點(diǎn)之間施加電勢(shì)差。例如，為了使第一信息堆疊611的信息層對(duì)波長(zhǎng)1是吸收性和/或反射性的，在第一和第二接觸點(diǎn)621和622之間施加適當(dāng)電勢(shì)差。應(yīng)該注意，在另一實(shí)施例中，通過第二物鏡、第二伺服透鏡和第二檢測(cè)裝置可在傳輸中檢測(cè)與信息載體610中寫入的信息相對(duì)應(yīng)的信號(hào)，第二物鏡、第二伺服透鏡和第二檢測(cè)裝置與物鏡605、伺服透鏡606和檢測(cè)裝置607放置在相對(duì)于信息載體610相反的位置。還應(yīng)該注意，在另一實(shí)施例中，信息載體610可以在整個(gè)載體背面具有反射鏡，所述反射鏡反射透過所有信息堆疊(包括一個(gè)被尋址的信息堆疊)的光束。在這種情況中，如圖6所示的光學(xué)掃描設(shè)備可用于讀取數(shù)據(jù)。下面權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記不應(yīng)當(dāng)理解為限制該權(quán)利要求。顯而易見，動(dòng)詞“包括”及其變化的使用不排除在任何權(quán)利要求中限定的那些元件之外存在的任何其它元件。在元件之前的詞“一個(gè)”或“一”不排除存在多個(gè)這種部件。權(quán)利要求1.一種信息載體(610)，包括至少兩個(gè)信息堆疊(611、612)，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極(11、15)、第二電極(13、17)以及在第一和第二電極之間的信息層(12、16)，其中信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子。2.如權(quán)利要求1所述的信息載體，其中所述分子是液晶分子，所述液晶分子在受到由第一和第二電極之間施加的電勢(shì)差而產(chǎn)生的電場(chǎng)的影響之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)。3.如權(quán)利要求1所述的信息載體，其中所述分子包括帶電的取代基，所述取代基在受到第一和第二電極之間施加的電勢(shì)差而產(chǎn)生的電流的影響之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)。4.如權(quán)利要求1所述的信息載體，其中可以通過光束局部降級(jí)所述信息層以在所述信息層上寫入信息。5.如權(quán)利要求1所述的信息載體，其中第一電極(31、35)具有電導(dǎo)，可以通過光束局部減小所述電導(dǎo)以在所述信息層上寫入信息。6.如權(quán)利要求5所述的信息載體，其中所述信息層(32、36)的厚度小于三百納米。7.如權(quán)利要求5所述的信息載體，其中所述信息層的分解溫度高于使第一電極的電導(dǎo)減小的溫度。8.如權(quán)利要求5所述的信息載體，其中所述信息堆疊進(jìn)一步包括在第一電極和信息層之間的熱絕緣層(38、39)。9.如權(quán)利要求1所述的信息載體，其中所述信息層(42)包括矩陣(421)，所述矩陣(421)包括兩種類型的表面帶電的膠體微粒，一種具有負(fù)電荷，一種具有正電荷(422、423)，所述表面帶電的膠體微粒包括液晶分子，所述矩陣具有粘性，可以通過光束局部降低該粘性以在信息層上寫入信息。10.一種用于通過光束(602)掃描信息載體(610)的光學(xué)掃描設(shè)備，所述信息載體包括至少兩個(gè)信息堆疊(611、612)，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中所述信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子，所述光學(xué)掃描設(shè)備包括用于產(chǎn)生光束的裝置(601)、用于將所述光束聚焦在信息層上的裝置(603、605)，以及用于在信息堆疊的第一和第二電極之間施加電勢(shì)差的裝置。11.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)掃描設(shè)備，所述光學(xué)設(shè)備包括用于支撐信息載體的夾持器(620)，所述夾持器包括用于在信息堆疊的第一和第二電極之間施加電勢(shì)差的接觸點(diǎn)(621-624)。12.一種通過光束從信息載體讀取信息的方法，所述信息載體包括至少兩個(gè)信息堆疊，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中所述信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子，所述方法包括步驟在要從中讀取信息的信息堆疊的第一和第二電極之間施加電勢(shì)差，和將光束聚焦在所述信息堆疊的信息層上。13.一種通過光束在信息載體上記錄信息的方法，所述信息載體包括至少兩個(gè)信息堆疊，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中所述信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子，所述方法包括步驟將光束聚焦在要在其上記錄信息的信息堆疊的第一電極上，以局部減小第一電極的電導(dǎo)。14.一種通過光束在信息載體上記錄信息的方法，所述信息載體包括至少兩個(gè)信息堆疊，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中所述信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子，所述方法包括步驟將光束聚焦在要在其上記錄信息的信息堆疊的信息層上以便局部降級(jí)信息層。15.一種通過光束在信息載體上記錄信息的方法，所述信息載體包括至少兩個(gè)信息堆疊，其中每個(gè)信息堆疊包括第一電極、第二電極以及在第一和第二電極之間的信息層，其中所述信息層包括矩陣，所述矩陣包括兩種類型的表面帶電的膠體微粒，一種具有負(fù)電荷，一種具有正電荷(422、423)，所述表面帶電的膠體微粒包括液晶分子，所述矩陣具有通過光束可局部降低的粘性，所述方法包括步驟將光束聚焦在要在其上記錄信息的信息堆疊的信息層上以便局部降低所述信息層的矩陣的粘性，和在所述信息堆疊的第一電極和第二電極之間施加電勢(shì)差。16.一種從信息層擦除信息的方法，在所述信息層上已經(jīng)通過權(quán)利要求15的方法記錄了信息，所述擦除方法包括步驟將光束聚焦在所述信息層上以便局部降低所述信息層的矩陣的粘性，和在所述信息堆疊的第一電極和第二電極之間施加電勢(shì)差。全文摘要本發(fā)明涉及一種信息載體，其包括至少兩個(gè)信息堆疊，每一堆疊包括第一電極(11、15)、第二電極(13、17)以及在第一和第二電極之間的信息層(12、16)，信息層包括在第一和第二電極之間施加適當(dāng)電勢(shì)差之時(shí)能夠發(fā)生旋轉(zhuǎn)的分子。文檔編號(hào)G11B7/24038GK1757065SQ200480005532公開日2006年4月5日申請(qǐng)日期2004年2月16日優(yōu)先權(quán)日2003年2月27日發(fā)明者E·梅恩德斯,M·范德馬克,J·維德比克申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司