專利名稱：與懸體集成在一起的頭盤相互作用傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及盤驅(qū)動器。更具體地，本發(fā)明涉及用于改善硬盤驅(qū)動器(HDD)的寫操作的傳感器系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
圖1示出了具有磁讀/寫(R/W)頭(或記錄滑塊)101的示例硬盤驅(qū)動器(HDD)100，該硬盤驅(qū)動器包括例如位于磁盤102的選定軌道上的隧道-閥門(tunnel-valve)讀傳感器。隨著滑塊101的飛行高度變小，滑塊101撞擊盤102上的不平處，例如盤缺陷、顆粒、和/或潤滑劑凸起(bump)的機(jī)會變大，導(dǎo)致飛行高度調(diào)節(jié)，即“滑塊突然跳起”的可能性更高。當(dāng)在寫處理期間發(fā)生飛行高度調(diào)節(jié)時(shí)，在滑塊跳起期間寫入的那部分?jǐn)?shù)據(jù)可能丟失，因?yàn)榇笥谄谕膶戭^到盤的距離使得該數(shù)據(jù)未能正確寫到盤上。當(dāng)前沒有在寫處理期間檢測飛行高度調(diào)節(jié)的可用技術(shù)。結(jié)果，實(shí)質(zhì)上“盲目”地執(zhí)行寫處理，而希望數(shù)據(jù)被正確寫到盤上。
最小化滑塊調(diào)節(jié)的傳統(tǒng)方案包括通過例如降低盤的起飛(take-off)高度、降低顆粒數(shù)目、并利用盤上的較少移動潤滑劑而最小化頭-盤相互作用。然而，隨著滑塊飛行高度的進(jìn)一步降低，這些方案將達(dá)到它們各自最小化頭-盤相互作用的極限。
結(jié)果，需要一種用于在寫處理期間檢測滑塊飛行高度調(diào)節(jié)的技術(shù)。而且，需要一種在檢測到滑塊飛行高度調(diào)節(jié)時(shí)禁止寫操作的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于在寫處理期間檢測滑塊飛行高度調(diào)節(jié)的技術(shù)。而且，本發(fā)明還提供了一種在檢測到滑塊飛行高度調(diào)節(jié)時(shí)禁止寫操作的技術(shù)。
由用于具有懸體(suspension)承載梁的盤驅(qū)動器的具有微坑(dimple)和層壓(laminated)彎曲部分(flexure)的懸體提供了本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。該層壓彎曲部分與該懸體承載梁耦接，并具有適配為容納滑塊的表面和適配為接觸微坑的表面。根據(jù)本發(fā)明，該彎曲部分包括頭-盤相互作用傳感器，用于在該滑塊接觸盤驅(qū)動器的盤時(shí)輸出傳感器信號。該頭-盤相互作用傳感器的一個實(shí)施例是加速計(jì)，用于感測由接觸該盤驅(qū)動器的盤的滑塊所產(chǎn)生的彎曲部分的加速度。該加速計(jì)包括壓電材料層和導(dǎo)電材料層，其各自形成為層壓彎曲部分的一層，并且各自的圖案形成(pattern)為基本上對應(yīng)于滑塊后部的頂表面。
該頭-盤相互作用傳感器的替換或附加實(shí)施例是壓力傳感器，用于感測彎曲部分和微坑之間由接觸該盤驅(qū)動器的盤的滑塊產(chǎn)生的壓力。該壓力傳感器的一個配置包括壓電材料層和導(dǎo)電材料層，其各自形成為層壓彎曲部分的一層，并且各自的圖案形成為基本上對應(yīng)于與該微坑對應(yīng)的彎曲部分的表面區(qū)域。一個圖案基本上為方形。一個替換圖案基本上為圓形。當(dāng)該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤時(shí)，該壓電材料層在該壓電材料層的頂部和底部之間產(chǎn)生電壓，該電壓對應(yīng)于該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤的力的大小。
該加速計(jì)的一個替換配置包括壓電材料層和導(dǎo)電材料層，其各自形成為該層壓彎曲部分的一層，并且各自形成圖案以形成第一區(qū)和第二區(qū)。該第一和第二區(qū)分別對應(yīng)于滑塊的前部和后部，并分別對應(yīng)于適配為接觸該微坑的彎曲部分的表面的第一和第二表面區(qū)域。該壓電材料層的第一區(qū)在該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤時(shí)產(chǎn)生該壓電材料層的第一區(qū)的頂部和底部之間的第一電壓。類似地，該壓電材料層的第二區(qū)在該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤時(shí)產(chǎn)生該壓電材料層的第二區(qū)的頂部和底部之間的第二電壓。分別在壓電材料層的第一和第二區(qū)的頂部和底部之間產(chǎn)生的第一和第二電壓各自對應(yīng)于該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤的力的大小?？苫谠摰谝浑妷汉偷诙妷褐疃卸ㄔ摶瑝K的顛簸(pitch)模式。另外，可基于該第一和第二電壓之和而判定該滑塊體的本體的第一彎曲模式。
本發(fā)明的懸體還包括通過禁止該盤驅(qū)動器的寫操作而響應(yīng)該傳感器信號的寫禁止電路。該寫禁止電路包括調(diào)節(jié)該傳感器信號的濾波器電路。該濾波器電路的一個實(shí)施例是具有大于大約20kHz的通頻帶的低通濾波器。該濾波器電路的另一個實(shí)施例是具有小于大約2MHz的通頻帶的高通濾波器。該濾波器電路的另一個實(shí)施例是具有大約20kHz和大約2MHz之間的通頻帶的帶通濾波器。而且，該濾波器電路可以是具有對應(yīng)于大約該滑塊的顛簸頻率的通頻帶的帶通濾波器。例如，該濾波器電路可具有大約200kHz處的窄通頻帶。而且，該濾波器電路可以是具有對應(yīng)于大約該滑塊本體的彎曲模式頻率的通頻帶的帶通濾波器。例如，該濾波器電路可具有大約1.6MHz處的窄通頻帶。可替換地，該濾波器電路可以是具有包括大約200kHz和大約1.6MHz的通頻帶的帶通濾波器。


附圖中通過例子而非限制性地圖示了本發(fā)明，其中相同附圖標(biāo)記表示相同元件，并且其中圖1示出了具有磁讀/寫頭的示例盤驅(qū)動器；圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的具有集成加速計(jì)的第一示例實(shí)施例的滑塊、懸體和彎曲部分的側(cè)視圖；圖2B示出了圖2A所示的集成加速計(jì)的第一示例實(shí)施例的壓電材料層的頂視圖；圖2C示出了圖2A中作為視圖A的根據(jù)本發(fā)明的加速計(jì)的第一示例實(shí)施例的剖面圖；圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明的具有用于檢測微坑壓力的集成壓力傳感器的示例實(shí)施例的滑塊、懸體和彎曲部分的側(cè)視圖；圖3B示出了圖3A所示的根據(jù)本發(fā)明的用于檢測微坑壓力的集成壓力傳感器的示例實(shí)施例的壓電材料層的頂視圖；圖3C示出了圖3A中作為視圖B的根據(jù)本發(fā)明的用于檢測微坑壓力的壓力傳感器的第一示例實(shí)施例的剖面圖；圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的具有用于檢測滑塊的垂直加速度和第一顛簸模式的集成加速計(jì)的第二示例實(shí)施例的滑塊、懸體和彎曲部分的側(cè)視圖；圖4B示出了圖4A所示的集成加速計(jì)的第二示例實(shí)施例的壓電材料層的頂視圖；圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明的具有用于檢測滑塊的顛簸運(yùn)動和彎曲運(yùn)動的集成加速計(jì)的第三示例實(shí)施例的滑塊、懸體和彎曲部分的側(cè)視圖；圖5B示出了圖5A所示的集成加速計(jì)的第三示例實(shí)施例的壓電材料層的頂視圖；和圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的用于檢測頭-盤相互作用并使能繼之以數(shù)據(jù)重寫的寫禁止的電路的示意方框圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明通過利用集成有懸體的至少一個傳感器來檢測HDD中的頭-盤相互作用。通過利用用于監(jiān)視滑塊后面和懸體微坑之間的力(或壓力)的力(或壓力)傳感器和/或通過利用用于測量滑塊的加速度的加速計(jì)來檢測頭-盤干擾(HDI)引起的滑塊運(yùn)動。壓力傳感器和加速度傳感器都與具有層壓彎曲部分的懸體集成在一起。
從傳感器輸出的信號包括氣流相關(guān)噪聲和寫電流相關(guān)噪聲。由氣流引起的噪聲通常具有非常低的頻率分量，即小于20kHz。由寫電流引起的噪聲通常具有非常高的頻率，即大于2MHz。因此，本發(fā)明讓大約200KHz的滑塊的顛簸模式頻率和大約1.7MHz的滑塊體的第一彎曲模式頻率的頻率分量通過，而去除由氣流引起的低頻噪聲和由寫電流引起的高頻噪聲。
下表1-3分別表明了滑塊的R/W元件的期望加速度以及施加到盤上的軟、中等軟和硬不平處的懸體的微坑上的期望的力的模擬結(jié)果。
表1滑塊/潤滑劑相互作用

表2滑塊/中等硬度不平處相互作用


表3滑塊/硬不平處相互作用

計(jì)算出R/W元件的模擬加速度在8000到30000m/s2之間(或800-3000G)。計(jì)算出施加到微坑的模擬力在0.22mN到0.6mN之間。
圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的具有集成加速計(jì)的第一示例實(shí)施例的滑塊、懸體和彎曲部分的側(cè)視圖。圖2B示出了圖2A所示的集成加速計(jì)的第一示例實(shí)施例的壓電材料層的頂視圖。在圖2A中，滑塊201以公知方式附著在懸體彎曲部分202上。彎曲部分202是層壓彎曲部分，如授予Erpelding等人的美國專利第4,996,623號或授予Bennin等人的美國專利第5,491,597號所公開一樣，通過引用而將上述兩者都合并于此。彎曲部分202通過提供萬向接頭(gimbal)功能的微坑204接觸懸體承載梁203。加速計(jì)205制作為彎曲部分202的組成(integral)部分。
圖2C示出了圖2A中作為視圖A的根據(jù)本發(fā)明的加速計(jì)205的第一示例實(shí)施例的剖面圖。彎曲部分202包括由例如不銹鋼形成的金屬層206。利用公知技術(shù)在金屬層206上形成第一絕緣材料層207。由例如聚酰亞胺形成第一絕緣層207。利用公知技術(shù)由例如銅在第一絕緣層207上形成第一導(dǎo)電材料層208。利用公知技術(shù)在第一導(dǎo)電材料層208上形成諸如聚(偏氟乙烯)(PVDF)的壓電材料層209作為膜。利用公知技術(shù)由例如銅在壓電材料層209上形成第二導(dǎo)電材料層210。利用公知技術(shù)由例如聚酰亞胺在第二導(dǎo)電層210上形成第二絕緣層211。在將彎曲部分202附著到懸體承載梁203之后，將滑塊201粘合到彎曲部分202和集成加速計(jì)205。
壓電材料層209和在該壓電材料層209的兩面形成的第一和第二導(dǎo)電材料層208和210(圖2B中未示出)的圖案形成為使得這三層僅對應(yīng)于滑塊201的后緣的頂部(即滑塊201的R/W元件末端)。當(dāng)發(fā)生HDI且將力212施加到滑塊201的后緣時(shí)，滑塊201通常沿顛簸方向移動，如箭頭213和214所示。由于金屬層206的慣性和剛性，所得到的加速度壓縮壓電材料層209。當(dāng)壓縮壓電材料層209時(shí)，跨壓電材料層209產(chǎn)生幾毫伏的電壓差，如電壓V所示。利用公知電壓檢測技術(shù)容易地檢測電壓差。通過監(jiān)視跨壓電材料層209產(chǎn)生的電壓，可判定由HDI賦予滑塊201的加速度。通過在壓電材料層209的輸出和電壓檢測裝置之間添加低通和/或高通、和/或峰值濾波器，可進(jìn)一步改善檢測精度。峰值濾波器的最佳中心頻率是滑塊的顛簸頻率。
圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明的具有用于檢測微坑壓力的集成壓力傳感器的示例實(shí)施例的滑塊、懸體和彎曲部分的側(cè)視圖。圖3B示出了圖3A所示的根據(jù)本發(fā)明的用于檢測微坑壓力的集成壓力傳感器的示例實(shí)施例的壓電材料層的頂視圖。在圖3A中，滑塊301以公知方式附著在懸體彎曲部分302上。彎曲部分302是層壓彎曲部分，如授予Erpelding等人的美國專利第4,996,623號或授予Bennin等人的美國專利第5,491,597號所公開一樣，通過引用而將上述兩者都合并于此。彎曲部分302通過提供萬向接頭功能的微坑304接觸懸體承載梁303。壓力傳感器305制作為彎曲部分302的組成部分。
圖3C示出了圖3A中作為視圖B的根據(jù)本發(fā)明的用于檢測微坑壓力的壓力傳感器305的示例實(shí)施例的剖面圖。彎曲部分302包括由例如不銹鋼形成的金屬層306。利用公知技術(shù)在金屬層306上形成第一絕緣材料層307。由例如聚酰亞胺形成第一絕緣層307。利用公知技術(shù)由例如銅在第一絕緣層307上形成第一導(dǎo)電材料層308。利用公知技術(shù)在第一導(dǎo)電材料層308上形成諸如PVDF的壓電材料層309作為膜。利用公知技術(shù)由例如銅在壓電材料層309上形成第二導(dǎo)電材料層310。利用公知技術(shù)由例如聚酰亞胺在第二導(dǎo)電材料層310上形成第二絕緣層311。在將彎曲部分302附著到懸體承載梁303之后，將滑塊301粘合到彎曲部分302和集成壓力傳感器305上。
壓電材料層309和在該壓電材料層309的兩面形成的第一和第二導(dǎo)電材料層308和310(圖3B中未示出)的圖案形成為使得這三層存在于微坑接觸區(qū)314周圍。盡管應(yīng)理解也可使用替換形狀，圖3B示出了基本圓形的圖案。當(dāng)發(fā)生HDI且將力312施加到滑塊301的后緣時(shí)，滑塊301沿z軸向微坑304移動，懸體的慣性壓縮壓電材料層309，導(dǎo)致跨壓電材料層309的幾毫伏的可檢測的電壓。通過在壓電材料層309的輸出和電壓檢測裝置之間添加低通和/或高通、和/或峰值濾波器，可進(jìn)一步改善檢測精度。峰值濾波器的最佳中心頻率是滑塊的顛簸頻率。
圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的具有用于檢測滑塊的垂直加速度和第一顛簸模式的集成加速計(jì)的第二示例實(shí)施例的滑塊、懸體和彎曲部分的側(cè)視圖。圖4B示出了圖4A所示的集成加速計(jì)的第二示例實(shí)施例的壓電材料層的頂視圖。在圖4A中，滑塊401以公知方式附著在懸體彎曲部分402上。圖4A中僅示出了與集成加速計(jì)對應(yīng)的那部分彎曲部分402。彎曲部分402是層壓彎曲部分，如授予Erpelding等人的美國專利第4,996,623號或授予Bennin等人的美國專利第5,491,597號所公開一樣，通過引用而將上述兩者都合并于此。彎曲部分402通過提供萬向接頭功能的微坑404接觸懸體承載梁403。加速計(jì)405制作為彎曲部分402的組成部分。
彎曲部分包括由例如不銹鋼形成的金屬層406。利用公知技術(shù)由例如聚酰亞胺在金屬層406上形成第一絕緣材料層407。利用公知技術(shù)由例如銅在第一絕緣層407上形成第一導(dǎo)電材料層408。利用公知技術(shù)在第一導(dǎo)電材料層408上形成諸如PVDF的壓電材料層409作為膜。利用公知技術(shù)由例如銅在壓電材料層409上形成第二導(dǎo)電材料層410。利用公知技術(shù)由例如聚酰亞胺在第二導(dǎo)電層410上形成第二絕緣層411。在將彎曲部分402附著到懸體承載梁403之后，將滑塊401粘合到彎曲部分402和集成加速計(jì)405上。
壓電材料層409和在該壓電材料層409的兩面形成的第一和第二導(dǎo)電材料層408和410(圖4B中未示出)的圖案形成為使得這三層對應(yīng)于微坑接觸區(qū)414周圍滑塊401的整個頂端。圖4B示出了壓電材料層409的圖案。盡管圖4B示出了基本方形的圖案，但是應(yīng)理解也可使用替換形狀。加速計(jì)405覆蓋滑塊401的整個頂端，并由此在滑塊401的頂端提供基本平坦的接合(bonding)表面，以將滑塊401接合到彎曲部分402上。加速計(jì)405檢測滑塊401在z軸方向上的平移加速度和滑塊體401的第一彎曲模式幅度。當(dāng)發(fā)生HDI且滑塊401向微坑404移動時(shí)，懸體的慣性壓縮壓電材料層409，導(dǎo)致跨壓電材料層409的幾毫伏的可檢測的電壓。通過在壓電材料層409的輸出和電壓檢測裝置之間添加低通和/或高通、和/或峰值濾波器，可進(jìn)一步改善檢測精度。峰值濾波器的最佳中心頻率是滑塊的顛簸頻率。
圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明的具有用于檢測滑塊的顛簸運(yùn)動和彎曲運(yùn)動的集成加速計(jì)的第三示例實(shí)施例的滑塊、懸體和彎曲部分的側(cè)視圖。圖5B示出了圖5A所示的集成加速計(jì)的第三示例實(shí)施例的壓電材料層的頂視圖。在圖5A中，滑塊501以公知方式附著到懸體彎曲部分502。圖5A中僅示出了與集成加速計(jì)對應(yīng)的那部分彎曲部分502。彎曲部分502通過提供萬向接頭功能的微坑504接觸懸體承載梁503。加速計(jì)505a和505b制作為滑塊501的組成部分。
彎曲部分502包括由例如不銹鋼形成的金屬層506。利用公知技術(shù)在金屬層506上形成第一絕緣材料層507。第一絕緣層507由例如聚酰亞胺形成。在第一絕緣層507上由例如聚酰亞胺形成第一導(dǎo)電層508。在第一導(dǎo)電材料層508上形成壓電材料層509。利用公知技術(shù)由例如PVDF形成壓電材料層509作為膜。利用公知技術(shù)由例如銅在壓電材料層509上形成兩個第二導(dǎo)電材料層510a和510b。第二導(dǎo)電材料層510a和510b形成分離圖案，如圖5B所示。利用公知技術(shù)由例如聚酰亞胺在第二導(dǎo)電材料層510a和510b上形成第二絕緣層511。在將彎曲部分502附著到懸體承載梁503之后，將滑塊501粘合到彎曲部分502和集成加速計(jì)505上。
第一和第二導(dǎo)電材料層510a和510b的圖案形成為使得它們分別對應(yīng)于滑塊501頂端微坑接觸區(qū)514周圍的前側(cè)和后側(cè)，如圖5B所示。附加地或可替換地，壓電材料層508可如圖5B所示形成圖案。第二導(dǎo)電材料層510也可如圖5B所示形成圖案。當(dāng)壓電材料層508如圖5B所示形成圖案時(shí)，第一導(dǎo)電材料層508或第二導(dǎo)電材料層510中至少一個必須如圖5B所示形成圖案。在任何替換配置中，加速計(jì)505a對應(yīng)于滑塊501的頂部的前面或者說前端，而加速計(jì)505b對應(yīng)于滑塊501的頂部的后面或者說尾部，由此在滑塊501的頂端提供大致平坦的接合表面，用于將滑塊501接合到彎曲部分502上?？苫跍y量電壓V1和V2的差，即V1-V2，來檢測滑塊501的顛簸模式?？苫跍y量電壓V1和V2的和，即V1+V2，來檢測滑塊體501的第一彎曲模式。通過在壓電材料層509的輸出和電壓檢測裝置之間添加低通和/或高通、和/或峰值濾波器，可進(jìn)一步改善檢測精度。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的用于檢測HDI的電路600的示意方框圖。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明以公知方式附著在具有集成加速計(jì)和/或壓力傳感器的層壓懸體彎曲部分602上的滑塊601。彎曲部分602通過提供萬向接頭功能的微坑604接觸懸體承載梁603，圖6中僅示出了懸體承載梁603的一部分。如上所述，HDI傳感器605制作為彎曲部分602的組成部分。又如上所述，HDI傳感器605可為加速計(jì)和/或壓力傳感器。
當(dāng)發(fā)生頭-盤相互作用事件時(shí)，滑塊601在垂直方向上物理擺動。與彎曲部分602集成在一起的HDI傳感器605檢測該擺動并產(chǎn)生對應(yīng)的傳感器信號606?；瑝K601的擺動模式可為當(dāng)例如滑塊601接觸硬不平處時(shí)的單一脈沖或者當(dāng)例如滑塊601通過異常厚的潤滑劑與盤(圖6中未示出)接觸時(shí)具有滑塊601的顛簸頻率的周期性的振蕩。將傳感器信號606輸入到信號放大器607。將信號放大器607的輸出耦接到濾波器電路608。濾波器電路608可為高通濾波器，從而丟棄低頻噪音。最好將高通濾波器的截止頻率設(shè)置為低于滑塊601的顛簸模式頻率，從而使得響應(yīng)于滑塊顛簸運(yùn)動而產(chǎn)生的傳感器信號606通過濾波器電路608。濾波器電路608也可為低通濾波器，從而丟棄寫電流產(chǎn)生的電噪聲。通常，寫電流具有大于1MHz的頻率分量，而滑塊顛簸模式頻率是幾百千赫。因此，最好將低通濾波器的截止頻率設(shè)置為典型的寫電流頻率和滑塊顛簸模式頻率之間的頻率。并且最好結(jié)合低通和高通濾波器?？商鎿Q地，可使用僅傳輸具有特定頻率的傳感器信號的帶通濾波器。當(dāng)使用帶通濾波器時(shí)，最好選擇滑塊601的顛簸模式頻率?？深嵉剐盘柗糯笃?07和濾波器電路608的順序，即信號可先濾波，然后放大。
在由濾波器電路608調(diào)節(jié)傳感器信號之后，將信號幅度輸入到比較器電路609。比較器電路609比較調(diào)節(jié)后的傳感器信號和預(yù)定閾值610。當(dāng)調(diào)節(jié)后的傳感器信號的幅度大于閾值610時(shí)，比較器電路609產(chǎn)生寫禁止信號611。當(dāng)HDD控制器612(或控制該寫處理的讀/寫信道)接收寫禁止信號611時(shí)，HDD控制器612立即停止輸出到磁頭(圖6中未示出)的寫電流，使得在寫處理期間，頭與盤相距合適的距離。另外，因?yàn)橛袝r(shí)HDI引起寫頭的偏離軌道運(yùn)動，所以HDD控制器612停止該寫電流，使得相鄰軌道上的數(shù)據(jù)不被錯誤地重寫(overwrite)。隨后，當(dāng)消除寫禁止信號時(shí)，控制器612重新嘗試將同一數(shù)據(jù)寫到同一位置上。
盡管為了便于理解而詳細(xì)描述了以上發(fā)明，但是很明顯可以做出所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的某些改變和變更。因此，給出的實(shí)施例視為說明性的而非限制性的，并且本發(fā)明不限于這里給出的細(xì)節(jié)，而可在所附權(quán)利要求的范圍和等同物內(nèi)進(jìn)行修改。
相關(guān)申請的交叉引用本申請涉及未決的共同轉(zhuǎn)讓的并同時(shí)提交的專利申請第10/664,296號(代理人卷號HSJ920030230US1)，名為“具有與懸體集成在一起的頭盤相互作用傳感器的盤驅(qū)動器”，通過引用而將其合并于此。
權(quán)利要求
1.一種用于盤驅(qū)動器的懸體，包括具有微坑的懸體承載梁；和與該懸體承載梁耦接的層壓彎曲部分，該彎曲部分具有適配為容納滑塊的表面和適配為接觸微坑的表面，該彎曲部分包括頭-盤相互作用傳感器，用于在該滑塊接觸盤驅(qū)動器的盤時(shí)輸出傳感器信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的懸體，其中該頭-盤相互作用傳感器是加速計(jì)，用于感測由接觸該盤驅(qū)動器的盤的滑塊產(chǎn)生的彎曲部分的加速度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的懸體，其中該頭-盤相互作用傳感器還包括壓力傳感器，用于感測彎曲部分和微坑之間由接觸該盤驅(qū)動器的盤的滑塊產(chǎn)生的壓力。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的懸體，其中該加速計(jì)包括壓電材料層和導(dǎo)電材料層，該壓電材料層和導(dǎo)電材料層各自形成為層壓彎曲部分的一層，并且各自的圖案形成為基本上對應(yīng)于滑塊后部的頂表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的懸體，其中該頭-盤相互作用傳感器是壓力傳感器，用于感測彎曲部分和微坑之間由接觸該盤驅(qū)動器的盤的滑塊產(chǎn)生的壓力。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的懸體，其中該壓力傳感器包括壓電材料層和導(dǎo)電材料層，該壓電材料層和導(dǎo)電材料層各自形成為層壓彎曲部分的一層，并且各自的圖案形成為基本上對應(yīng)于與該微坑對應(yīng)的彎曲部分的表面區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的懸體，其中當(dāng)該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤時(shí)，壓電材料層在該壓電材料層的頂部和底部之間產(chǎn)生電壓，該壓電材料層的頂部和底部之間產(chǎn)生的電壓對應(yīng)于該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤的力的大小。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的懸體，其中該壓電材料層和導(dǎo)電材料層形成圖案為基本方形。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的懸體，其中該壓電材料層和導(dǎo)電材料層的圖案形成為基本圓形。
10.根據(jù)權(quán)利要求5的懸體，其中該壓力傳感器包括各自形成為該層壓彎曲部分的一層的壓電材料層和導(dǎo)電材料層，該壓電材料層和導(dǎo)電材料層各自形成圖案以形成第一區(qū)和第二區(qū)，該第一和第二區(qū)分別對應(yīng)于滑塊的前部和后部，并分別對應(yīng)于適配為接觸該微坑的彎曲部分的表面的第一和第二表面區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的懸體，其中該壓電材料層的第一區(qū)在該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤時(shí)產(chǎn)生該壓電材料層的第一區(qū)的頂部和底部之間的第一電壓，該壓電材料層的第二區(qū)在該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤時(shí)產(chǎn)生該壓電材料層的第二區(qū)的頂部和底部之間的第二電壓，分別在壓電材料層的第一和第二區(qū)的頂部和底部之間產(chǎn)生的第一和第二電壓各自對應(yīng)于該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤的力的大小，并且其中基于該第一電壓和第二電壓之差而判定該滑塊的顛簸模式。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的懸體，其中該壓電材料層的第一區(qū)在該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤時(shí)產(chǎn)生該壓電材料層的第一區(qū)的頂部和底部之間的第一電壓，該壓電材料層的第二區(qū)在該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤時(shí)產(chǎn)生該壓電材料層的第二區(qū)的頂部和底部之間的第二電壓，分別在壓電材料層的第一和第二區(qū)的頂部和底部之間產(chǎn)生的第一和第二電壓各自對應(yīng)于該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤的力的大小，并且其中基于該第一和第二電壓之和而判定該滑塊體本體的第一彎曲模式。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的懸體，還包括通過禁止對該盤驅(qū)動器的寫操作來響應(yīng)該傳感器信號的寫禁止電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的懸體，其中該寫禁止電路包括調(diào)節(jié)該傳感器信號的濾波器電路。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的懸體，其中該濾波器電路是具有大于大約20kHz的通頻帶的低通濾波器。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的懸體，其中該濾波器電路是具有小于大約2MHz的通頻帶的高通濾波器。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的懸體，其中該濾波器電路是具有大約20kHz和大約2MHz之間的通頻帶的帶通濾波器。
18.根據(jù)權(quán)利要求14的懸體，其中該濾波器電路是具有對應(yīng)于大約該滑塊的顛簸頻率的通頻帶的帶通濾波器。
19.根據(jù)權(quán)利要求14的懸體，其中該濾波器電路是具有大約200kHz處的窄通頻帶的帶通濾波器。
20.根據(jù)權(quán)利要求14的懸體，其中該濾波器電路是具有對應(yīng)于大約該滑塊本體的彎曲模式頻率的通頻帶的帶通濾波器。
21.根據(jù)權(quán)利要求14的懸體，其中該濾波器電路是具有大約1.6MHz處的窄通頻帶的帶通濾波器。
22.根據(jù)權(quán)利要求14的懸體，其中該濾波器電路是具有包括大約200kHz和大約1.6MHz的通頻帶的帶通濾波器。
全文摘要
當(dāng)在寫處理期間檢測到滑塊的飛行高度調(diào)節(jié)時(shí)，由與硬盤驅(qū)動器(HDD)的懸體集成在一起的頭－盤相互作用傳感器在寫處理期間產(chǎn)生寫禁止信號。該懸體承載梁包括微坑和層壓彎曲部分。該層壓彎曲部分包括適配為容納滑塊的表面和適配為接觸微坑的表面。該頭－盤相互作用傳感器制作為該彎曲部分層狀體的一部分。該頭－盤相互作用傳感器可以為加速計(jì)，用于在該滑塊接觸該盤驅(qū)動器的盤時(shí)，感測該彎曲部分的加速度；和/或壓力傳感器，用于在該滑塊接觸盤時(shí)，感測該彎曲部分和微坑之間的壓力。寫禁止電路通過禁止寫處理而響應(yīng)該傳感器信號。
文檔編號G11B19/04GK1598954SQ20041007895
公開日2005年3月23日 申請日期2004年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月17日
發(fā)明者平野敏樹, 厄拉爾·V·納亞克, 曾慶華 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司