專利名稱：數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域的雙面復(fù)制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諸如光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤之類的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的制造。
背景技術(shù)：
對于存儲、分布以及檢索大量的信息來說，使用諸如光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤的光學(xué)介質(zhì)已經(jīng)被人們所廣泛接受。光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤例如包括音頻CD(激光唱片)、CD-R(可寫光盤存儲器)、CD-ROM(CD-只讀存儲器)、DVD(數(shù)字通用盤或者數(shù)字化視頻光盤)介質(zhì)、DVD-RAM(DVD-隨機存取存儲器)以及各種類型的可重寫介質(zhì)，諸如磁光(MO)盤以及相變光盤。對于光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤來講，在一些更新格式的盤的兩個面上都具有存儲能力。此外，一些更新格式的光學(xué)存儲盤正朝著更小的盤尺寸的方向努力。
光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤能夠通過首先制做一個原版來產(chǎn)生，所述原版具有表面圖案，該表面圖案表示所述原版表面上的編碼數(shù)據(jù)。所述表面圖案例如可以是許多凹槽，所述凹槽限定原版的凹點以及原版的槽脊。所述原版通常由相對昂貴的原版制作過程來創(chuàng)建。在創(chuàng)建適當(dāng)?shù)脑嬷?，該原版能因此用來制造壓模。所述壓模具有表面圖案，所述表面圖案也就是在原版上編碼的表面圖案的反向圖案。然后，在批量生產(chǎn)沖壓過程中，可使用所述壓模來壓制大量的復(fù)制盤，所述批量生產(chǎn)沖壓過程諸如是軋制緣體(rolling bead)過程，正如通過第4,374,077號美國專利的當(dāng)前發(fā)明人所教導(dǎo)的那樣。
在軋制緣體過程中，將感光聚合物緣體設(shè)置在襯底和所述壓模之間的位置上。一個軋輥在襯底和壓模上方印過，由此使感光聚合物緣體分散開，并且強迫空氣進入緣體的前沿。當(dāng)所述輥在該襯底和壓模上印過并且使感光聚合物分散開后，可以利用紫外線(UV)光來固化所述感光聚合物。然后剝離壓模，在固化于所述襯底的感光聚合物內(nèi)留下該壓模的一個反轉(zhuǎn)圖案。然后，能夠在所述感光聚合物上淀積反射材料、相變材料、磁光材料等等。還可以添加附加的保護層。

發(fā)明內(nèi)容
概括地說，本發(fā)明的目的在于提供一種用于創(chuàng)建光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤的技術(shù)。具體來講，本發(fā)明的目的在于提供一種用于創(chuàng)建雙面的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤的技術(shù)，或者換言之，涉及一種能夠在雙面上存儲信息的盤。在一些實施例中，該技術(shù)可用于創(chuàng)建雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤。在這些情況下，可以將兩層的信息存儲在該盤的兩個面上。
在一個實施例中，本發(fā)明提供了一種同時雙面軋制緣體過程。例如，一種方法可以包括放置第一感光聚合物緣體，以便在底部壓模和襯底之間分布該第一感光聚合物緣體，并且放置第二感光聚合物緣體，以便在頂部壓模和襯底之間分布該第二感光聚合物緣體。所述方法還可包括使輥在所述頂部壓模之上印過，以便分布所述感光聚合物緣體，固化所述感光聚合物，并且從所述壓模中消除所述襯底。
在所述襯底雙面上的固化感光聚合物層限定該介質(zhì)上的信息層。可以在所述信息層上依照介質(zhì)格式淀積材料。例如，根據(jù)被創(chuàng)建的介質(zhì)類型，可以淀積相變材料、磁光材料或者反射材料。反射材料可用于限定只讀格式，或者作為替換，相變材料或磁光材料可用于限定一次寫入(write-once)或者可重寫格式。
所述同時雙面軋制緣體過程可以被重復(fù)以便在所述介質(zhì)的雙面上創(chuàng)建附加信息層。例如，在一個實施例中，第一同時雙面軋制緣體過程可以跟隨有相變材料的淀積。然后，可以對同一介質(zhì)應(yīng)用第二同時雙面軋制緣體過程，所述第二同時雙面軋制緣體過程跟隨有反射材料的淀積。由反射材料限定的外部反射層可以是半透明的，以便一些光可以穿透所述反射層。這可以確保淀積在內(nèi)部信息層上的所述相變材料能夠由磁盤驅(qū)動器來光學(xué)地改變和/或光學(xué)地檢測。
在雙面雙層介質(zhì)中，所述外部信息層需要有足夠的厚度，以避免位于介質(zhì)同一面上的、存儲在所述外部層上的信息與存儲在內(nèi)部層上的信息之間的光波干擾。換言之，淀積在所述外部信息層上的材料與淀積在內(nèi)部信息層上的材料之間需要足夠的距離，以便確保光驅(qū)能夠?qū)⒐饩€聚焦到內(nèi)部信息層的表面，而不受外部信息層的干擾。用于創(chuàng)建所述信息層的感光聚合物的粘性可以是預(yù)先確定的，以便控制所述信息層的厚度。例如，在同時雙面軋制緣體過程中使用的感光聚合物可以具有足夠高的粘度，以便信息層具有適當(dāng)?shù)暮穸?。具體來講，外部信息層需要50μm左右或更大的厚度。
本發(fā)明提供了許多優(yōu)點。例如，本發(fā)明可用于實現(xiàn)具有提高了數(shù)據(jù)存儲能力的光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤。此外，本發(fā)明可用于實現(xiàn)混合數(shù)據(jù)存儲盤，在該盤的雙面上兼?zhèn)渲蛔x格式和一次寫入或可重寫格式。兼?zhèn)渲蛔x格式和可重寫格式的盤尤其對以下應(yīng)用有利，該所述應(yīng)用中，在存儲需要永久存儲的一些信息的同時，也可以存儲其他信息，然后丟棄或替換。
依照本發(fā)明的技術(shù)在使信息層厚度最佳化方面也提供了優(yōu)勢。具體來講，對于雙面雙層盤來說，外部信息層的厚度需要足夠厚，以便避免淀積在該盤同一面上的相應(yīng)信息層上的材料之間的干擾。通過預(yù)先確定所使用的感光聚合物的粘性，本發(fā)明提供了一種相對簡易的方式來控制信息層厚度。用于所述同時雙面軋制緣體過程的輥的壓力和軋制速度還可以被控制以便限定信息層厚度。對于外部信息層來說，具有50μm左右的厚度就足以避免干擾。
另一個優(yōu)點可以通過以下方式來實現(xiàn)，所述方式為在雙面軋制緣體過程期間使用超過尺寸的盤，然后再將該超過尺寸的盤沖壓到應(yīng)有的尺寸。這樣可以避免與超過尺寸的盤的外邊界處厚度變化有關(guān)的問題，其中當(dāng)所述襯底是一個注入模壓襯底時，可能出現(xiàn)所述超過尺寸的盤。本發(fā)明還提供了優(yōu)于其他用于創(chuàng)建雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤的方法的優(yōu)點。具體來講，對于雙層盤的外部層來說，常規(guī)旋涂技術(shù)在創(chuàng)建均勻信息層厚度方面是不適合的。此外，因為旋涂技術(shù)在涂覆過程中利用重力的作用，所以旋涂技術(shù)通常需要對盤的每個面獨立地旋轉(zhuǎn)涂敷。這樣會導(dǎo)致盤的瑕疵和所述旋轉(zhuǎn)涂敷感光聚合物的厚度變化。然而，依照本發(fā)明的雙面軋制緣體過程在該方面不受限制。
在所述附圖和以下描述中闡述了這些及其他實施例的補充細節(jié)。其他的特征、目的和優(yōu)點將通過說明和附圖，并通過權(quán)利要求書變得顯而易見。


圖1是依照本發(fā)明的一個實施例的流程圖。
圖2A-2C是雙面軋制緣體系統(tǒng)的截面?zhèn)纫晥D。
圖3是依照本發(fā)明一個實施例的又一流程圖。
圖4是依照本發(fā)明的、舉例說明涉及編址信息層厚度過程的流程圖。
圖5是更詳細地舉例說明用于創(chuàng)建雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的過程的流程圖。
圖6是舉例說明用于創(chuàng)建特定格式的雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的過程的流程圖。
圖7-11是示范性數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的截面?zhèn)纫晥D，所述數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)能夠使用依照本發(fā)明的一種或多種技術(shù)來創(chuàng)建。
具體實施例方式
本發(fā)明提供了用于創(chuàng)建光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤的技術(shù)。例如，本發(fā)明提供了一種雙面軋制緣體過程，用于創(chuàng)建雙面數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。所述雙面軋制緣體過程能夠?qū)ο嗤臄?shù)據(jù)存儲介質(zhì)重復(fù)不止一次，以便創(chuàng)建雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)或雙面多層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。在執(zhí)行每一雙面軋制緣體過程之后，在所述數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的一面或兩面上淀積材料。以這樣的方式，雙面數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的每一層都能夠依照所期望的數(shù)據(jù)存儲格式來限定，所述數(shù)據(jù)存儲格式例如是預(yù)記錄的、相變或者磁光的。
圖1是依照本發(fā)明實施例的流程圖。如圖所示，放置第一感光聚合物緣體，以便在底部壓模和襯底之間分布該第一感光聚合物緣體(12)。此外，放置第二感光聚合物緣體，以便在頂部壓模和襯底之間分布該第二感光聚合物緣體(14)。然后，輥在頂部壓模之上印過，以便在襯底各面上均勻分布感光聚合物緣體(16)。底部壓?？捎梢话愎潭ǖ闹С斜砻鎭碇?。每個壓模可包括凹槽，用于限定表示編碼信息的一種圖案。所述感光聚合物填充到壓模的凹槽中，形成一個表面圖案，所述表面圖案與該壓模限定的圖案反向。通過在頂部壓模之上印過輥、以分布感光聚合物緣體，將空氣從壓模的凹槽中去除并且驅(qū)趕到所述緣體的前沿。
一旦所述輥印過頂部壓模，感光聚合物緣體就被均勻地散布在襯底的頂部和底部表面，由此填充了凹槽或者在壓模表面上限定的其他圖案。就此，所述感光聚合物可以被UV固化(18)，由此使感光聚合物粘接于所述襯底，并且在感光聚合物中保留壓模的反向圖案。所述襯底能因此剝離或從壓模上去除(19)。為了易于剝落，所述壓?？慑冇羞m當(dāng)?shù)拿撃┑鹊取?br> 可將壓模之一或者兩個都制成半透明的，以便可以通過將紫外線光直接穿透半透明的壓模來進行感光聚合物固化(18)。例如，聚碳酸酯壓模、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)壓模、或者聚酯壓模之類的塑料壓模，對于紫外光來說一般都是半透明的。如果襯底對紫外光也是半透明的，那么只有一個壓模需要是半透明的。在那種情況下，其他壓?？梢允遣煌腹獾模纱吮M可能地反射透過襯底的紫外光以便進一步固化所述感光聚合物。在其它情況下，兩個壓模都制成半透明的。在這些情況中，紫外光可以直接穿透兩個壓模以便固化所述感光聚合物。
舉例來說，依照本發(fā)明所使用的適合的感光聚合物可以包括HDDA(4x6x)聚烯鍵不飽和單體——己二醇烯酸酯(hexanedioldiacrylate)、chemlink 102(3x)單烯鍵不飽和單體——二甘醇乙醚丙烯酸鹽(diethylene glycol monethyl ether acrylate)、elvacite 2043(lx3x)有機聚合物——聚甲基丙烯酸乙酯(polyethylmethacrylate)、以及irgacure 651(.lx.2)潛伏激進的引發(fā)劑——安息香雙甲醚(2，2-dimethyoxy-2-phenylacetophenone)。其它適合的感光聚合物包括HHA(乙內(nèi)酰脲六丙烯酸鹽，hydantoinhexacryulate)1x、HDDA(己二醇烯酸酯)1x、以及irgacure 651(.lx.2)潛伏激進引發(fā)劑——安息香雙甲醚。這些或者其他感光聚合物可以依照本發(fā)明來使用。
更具體地說，感光聚合物可以包括49％的乙內(nèi)酰脲六丙稀酸鹽，49％的己二醇烯酸酯，以及2％的安息香雙甲醚?；蛘咦鳛樘鎿Q，包括40％的己二醇烯酸酯、29％的己二醇一乙基醚丙烯酸鹽(glycol monethyl ether acrylate)、29％的聚甲基丙烯酸乙酯(polyethyl methacrylate)以及2％的安息香雙甲醚。如以下更加詳細地說明的那樣，可以改變不同的百分比組成以便改變所使用的感光聚合物的粘性。具體來講，在雙面軋制緣體過程中，在使用特定的相同壓力和速度的輥時，提高粘性可以產(chǎn)生更厚的信息層。然而，優(yōu)先選用的感光聚合物成分始終包括2％的安息香雙甲醚。
圖2A-2C是雙面軋制緣體系統(tǒng)的截面?zhèn)纫晥D。所述系統(tǒng)可包括頂部壓模22、底部壓模24以及輥26。頂部和底部壓?？杀恢糜趬耗＝M件23和25中，不過本發(fā)明不限于此。例如，壓模22和24可以永久地固定在壓模組件23和25中，或者作為替換，壓模22和24可從壓模組件23和25中取下。如果所述壓模是可取下的，那么根據(jù)待復(fù)制的凹槽圖案，可將各種不同的壓模插入壓模組件23和25中。壓模22和24可以相對于彼此而正確地定位，以便確保復(fù)制到襯底28的頂部和底部表面上的信息層彼此同心。
為了創(chuàng)建光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，將襯底28設(shè)置在壓模22和24之間。第一感光聚合物緣體30被放置，以便在在底部壓模24和襯底28的底面之間分布該第一感光聚合物緣體30。同樣地，放置第二感光聚合物緣體32，以便在頂部壓模22和襯底28的底面之間分布該第二感光聚合物緣體32。通過經(jīng)由噴管、噴射器、吸管等等進行噴射，能夠正確地確定感光聚合物緣體30、32的位置。感光聚合物緣體30、32應(yīng)該至少被放置在襯底28中的區(qū)域之前的一段小距離的位置，所述襯底28中的區(qū)域?qū)⒈焕脡耗?2、24上的圖案進行編碼。
然后，輥26通過頂部壓模22以便使感光聚合物緣體30、32散布開，如圖2B中所示。所述感光聚合物填充壓模22、24的凹槽，形成由壓模限定的表面圖案。將空氣從壓模的凹槽中去除，并且迫使其到緣體30、32的前沿。
如圖2A-2C中所示，當(dāng)輥26通過頂部壓模22時，輥26使感光聚合物緣體30、32按以下方式散布開，即按照每個相應(yīng)面上大致相等的厚度、基本上均勻地散布在襯底28的頂部和底部表面。然而，由于襯底28分散輥26的壓力，以使得施加到底層的壓力不象施加到頂層的壓力那樣局部化，故而底層可以比頂層稍厚。就此，能夠固化感光聚合物以便限定襯底28兩個面上的信息層。所述固化過程將感光聚合物粘接到襯底28上，并且保留由壓模22和24限定的表面圖案。在固化之后，壓模22和24能夠剝離，并且能夠去除襯底28。然后能夠依照所期望的介質(zhì)格式、在所述信息層上淀積材料。
按照襯底28以大于壓模22和24的形式來舉例說明。這不是必需的，但是在介質(zhì)質(zhì)量方面可提供優(yōu)勢。最后的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)能夠被沖床，或者從超過尺寸的襯底上去除。對襯底28進行模沖以產(chǎn)生較小的盤，能夠避免與襯底28的外邊界處的厚度變化有關(guān)的問題。
圖3是依照本發(fā)明實施例的又一流程圖。如圖所示，提供了襯底(34)。所述襯底通常提供介質(zhì)的機械穩(wěn)定性。例如，所述襯底可由PMMA、聚碳酸酯或者鋁組成。就強度和穩(wěn)定性而言，鋁提供了優(yōu)勢。此外，在襯底和感光聚合物之間粘接的粘附強度方面，鋁提供了優(yōu)勢。但是，鋁是不透光的。由此，在必須需要半透明襯底的情況下，即當(dāng)其中一個壓模是不透光的、并且紫外光直接透過襯底以便將感光聚合物固化在襯底的相對側(cè)上時，PMMA和聚碳酸酯可能是更合乎需要的。
然后在襯底雙面上、使用同時雙面軋制緣體過程來創(chuàng)建信息層(36)。例如，能夠使用類似于圖1中舉例說明的過程。然后，依照所期望的介質(zhì)格式、將材料淀積到信息層上(38)。例如，如果信息層是只讀信息層，那么可以將反射層淀積在信息層上。鎳或者鋁可用于實現(xiàn)適合的反射層。反射層所期望的厚度可根據(jù)所述層需要被反射的多少而定。例如，如果將多個信息層添加到一種介質(zhì)，那么外部反射層需要是半透明的，以便一些光可以穿透反射層來檢測內(nèi)部信息層。在那種情況下，具有大概10nm厚的鎳層或者具有大概20nm厚的鋁層可提供適當(dāng)?shù)陌胪该鞣瓷鋵印?br> 然而，如果將所述反射層添加到一種介質(zhì)的最內(nèi)部的信息層，那么不透明的反射層可能是更加合乎需要的。在那種情況下，可以使用具有大概25nm厚的鎳層或者具有大概50nm厚的鋁層。作為半透明反射層的替換物，可以使用包括硅、氧以及氮的諸如SiOxNy的介電層。
如果所述信息層是一次寫入或者可重寫層，那么可以在信息層上淀積相變材料或者磁光材料。例如，所述相變材料可包括相變堆疊。兩個這樣的例子包括作為銀/碲/鍺堆疊的GST，以及包括作為銀/銦/銻/碲堆疊的AIST。還可以使用其他相變材料。
在已經(jīng)依照介質(zhì)格式、將材料淀積在所述信息層上(38)之后，可以為同一介質(zhì)重復(fù)圖3的過程。以這樣的方式，可以創(chuàng)建雙面雙層、或者雙面多層介質(zhì)。不同的層可由淀積在特定信息層上的材料限定。然而，當(dāng)雙面介質(zhì)的同一面上包括一個以上的層時，出現(xiàn)了額外的難題。這種難題之一涉及反射層的透明度級別。如上所述，如果將反射層添加到最外面的信息層，那么所述反射層需要是半透明的，以便至少一些光能夠穿透到內(nèi)部層。
另一個難題涉及信息層的厚度。具體來講，如果一個雙面介質(zhì)的同一面上包括多個信息層，那么外部信息層需要足夠厚，以便當(dāng)將光線聚焦在特定的層上時，避免這些層之間的干擾。
圖4是依照本發(fā)明、舉例說明有關(guān)編址信息層厚度的過程的流程圖。如圖所示，提供了襯底(42)，并且還提供了具有預(yù)先確定粘性的感光聚合物(44)。具有特定厚度的信息層能因此使用同時雙面軋制緣體過程來創(chuàng)建(46)。確定適當(dāng)?shù)母泄饩酆衔镎承允怯糜谙薅ㄐ畔拥暮穸鹊囊环N比較簡單的方式。感光聚合物越粘，將產(chǎn)生越厚的信息層。在所述壓模之上印過的輥的壓力以及軋制速度也可以影響信息層厚度。例如，越大的壓力以及越慢的軋制速度通常產(chǎn)生越薄的信息層。
然而，控制更容易的過程來建立輥的固定軋制壓力以及固定軋制速度。舉例來說，感光聚合物可以包括49％的乙內(nèi)酰脲hexacrylate，49％的己二醇烯酸酯，以及2％的安息香雙甲醚。作為替換，所述感光聚合物可包括40％的己二醇烯酸酯、29％的乙二醇乙基醚丙烯酸鹽、29％的聚甲基丙烯酸乙酯、以及2％的安息香雙甲醚。所述2％的安息香雙甲醚一般是固定的。然而，其他成分可以改變，以便改變所述感光聚合物的粘性。重要的是，粘性越高，就會產(chǎn)生越厚的信息層，而粘性越低，就會產(chǎn)生越薄的信息層。
在第一個試驗性例子中，在介質(zhì)的雙面上淀積粘性約為500厘泊的感光聚合物。在6.35mm/s的軋制速度上，施加由以620千帕調(diào)節(jié)的氣缸產(chǎn)生的軋制壓力。作為結(jié)果產(chǎn)生的介質(zhì)具有大約4μm厚的頂部信息層，且具有大約7μm厚的底部信息層。
在第二個試驗性例子中，在介質(zhì)的雙面上淀積粘性約為1000厘泊的感光聚合物。在12.7mm/s的軋制速度上，施加由以620千帕調(diào)節(jié)的氣缸產(chǎn)生的軋制壓力。作為結(jié)果產(chǎn)生的介質(zhì)具有大約13μm厚的頂部信息層以及大約16μm厚的底部信息層。
在第三個試驗性例子中，在介質(zhì)的雙面上淀積粘性約為5000厘泊的感光聚合物。在12.7mm/s的軋制速度上，施加由以550千帕調(diào)節(jié)的氣缸產(chǎn)生的軋制壓力。作為結(jié)果產(chǎn)生的介質(zhì)具有大約48μm厚的頂部信息層厚度以及大約55μm厚的底部信息層。
如果在雙面介質(zhì)的同一面上包括多個層，那么所述最內(nèi)層一般可以具有任意的厚度。然而，所述外部層需要大概50μm或者更大的厚度來避免外部層和內(nèi)部層之間的光波干擾。在一個例子中，雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤包括內(nèi)部層以及外部層，所述內(nèi)部層具有大概5μm的厚度，所述外部層具有大約50μm的厚度。上述的第一試驗性例子可用于實現(xiàn)具有大約5μm厚的內(nèi)部層，而上述的第三試驗性例子可用于實現(xiàn)具有大約50μm厚的外部層。
當(dāng)在同時雙面軋制緣體過程中、在襯底雙面上設(shè)置具有相同粘性的感光聚合物緣體時，襯底底部上的信息層可以比襯底頂部上的信息層稍厚。上述的試驗性例子支持這個結(jié)論。變化的原因涉及施加到頂部和底部層的壓差。所述輥將更多的局部壓力施加到頂層。襯底如此來分布所述壓力，即使施加到底層的壓力比施加到頂層的壓力被更小的局部化。
頂部和底部層之間的厚度變化可以大約為3μm，隨著信息層厚度的增加而趨向于增加。在大多數(shù)情況下，大約3μm的變化對介質(zhì)質(zhì)量未必會造成明顯的問題。然而，如果在襯底的頂部和底部上的各層需要更加精確的相似厚度時，或者如果增加的信息層厚度令頂部和底部層的厚度之間的變化大于所期望的值時，那么被放置、以便在底部壓模和襯底之間分布的感光聚合物緣體的粘性，可制成小于被放置、以便在頂部壓模和襯底之間分布的感光聚合物緣體的粘性。以這樣的方式，可以將底部信息層厚度制成在3μm的頂部信息層厚度的范圍之內(nèi)。實際上，所述厚度甚至可以都制成基本上地相等的。
圖5是更詳細地舉例說明用于創(chuàng)建雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的過程的流程圖，如圖所示，提供了襯底(52)。然后，在襯底的雙面上、使用第一同時雙面軋制緣體過程來創(chuàng)建具有特定厚度的第一信息層(54)。然后，依照介質(zhì)格式、將材料淀積在第一信息層上(56)。然后，在襯底的雙面上、使用第二同時雙面軋制緣體過程來創(chuàng)建具有特定厚度的第二信息層(58)。然后，依照介質(zhì)格式、將材料淀積在第二信息層上(59)。雖然在圖5中沒有舉例說明，但是，還可以使用第三和第四同時雙面軋制緣體過程來創(chuàng)建例如第三層和第四層的附加層。在創(chuàng)建每一信息層之后，依照介質(zhì)格式、在所述信息層上淀積材料。
圖6是舉例說明用于創(chuàng)建雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的一個特定格式的過程的流程圖。如圖所示，提供了襯底(62)。所述襯底可以是具有大約500μrn厚的聚碳酸酯襯底。然后，在所述襯底的雙面上、使用第一同時雙面軋制緣體過程來創(chuàng)建具有大約5μrn厚的第一信息層(64)。然后，將相變材料淀積在第一信息層上(66)。然后，在所述襯底的雙面上、使用第二同時雙面軋制緣體過程來創(chuàng)建具有大約50μrn厚的第二信息層(68)。然后，將反射材料淀積在所述第二信息層上(69)。同樣，在制造時所述介質(zhì)可能是超過尺寸的，然后沖床或者剪裁以便避免與超過尺寸的介質(zhì)邊緣處厚度變化有關(guān)的問題。
圖7-11是示范性數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的截面?zhèn)纫晥D，所述數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)可以是使用此處所述的一種或多種技術(shù)創(chuàng)建的。如圖7中所示，數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)70包括襯底71以及位于襯底71的相反兩面上的信息層72和73。淀積層74和75駐留在各個信息層72和72的頂部。例如，淀積層74和75可包括反射材料、磁光材料或者相變材料。
圖8舉例說明了雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)80。介質(zhì)80包括襯底81以及在襯底81的相反兩面上的第一信息層82和83。將第一反射層84和85淀積在第一信息層82和83的各個層上。第二信息層86和87存在于第一反射層84和85的頂部上，并且將第二反射層88和89淀積在所述第二信息層86和87上。
圖9舉例說明了另一種雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)90。介質(zhì)90包括襯底91以及在襯底91的相反兩面上的第一信息層92和93。將相變層94和95淀積在第一信息層92和93的各個層上。第二信息層96和97存在于相變層94和95的頂部上，并且將反射層98和99淀積在所述第二信息層96和97上。
圖10舉例說明了又一種雙面雙層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)100。介質(zhì)100包括襯底101以及在襯底101的相反兩面上的第一信息層102和103。將相變層104淀積在第一信息層102上，并且將第一反射層105淀積在第一信息層103上。第二信息層106和107存在于相變層104和第一反射層105的頂部上。將第二反射層108和109淀積在所述第二信息層106和107上。
圖11舉例說明了雙面三層光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)110。介質(zhì)110包括襯底111以及在襯底111的相反兩面上的第一信息層112和113。將相變層114和115淀積在第一信息層112和113的各個層上。第二信息層116和117存在于相變層114和115的頂部上，并且將第一反射層118和119淀積在所述第二信息層116和117之上。第三信息層120和121存在于所述第二信息層116和117的頂部上，并且將第二反射層122和123淀積在所述第三信息層120和121上。
還具有附加層的介質(zhì)也可被設(shè)想?？偟膩碚f，可以使用依照本發(fā)明的同時雙面軋制緣體技術(shù)，將任意數(shù)目的信息層添加到介質(zhì)雙面。
磁盤驅(qū)動器一般通過旋轉(zhuǎn)介質(zhì)并且將光線聚焦到各個信息層來從介質(zhì)中讀出數(shù)據(jù)。實際上，如上所述，外部信息層需要足夠的厚度來確保在讀出期間不發(fā)生干擾。聚焦光線的反射能夠由磁盤驅(qū)動器檢測并且據(jù)此進行翻譯。在將一次寫入或者可重寫材料淀積在信息層上的情況中，磁盤驅(qū)動器可以通過將相對高強度的光線聚焦到一次寫入或者可重寫材料上，來在所述介質(zhì)上寫信息。例如，相對高強度的光線可以改變材料相位，這使得低強度光線不同地反射離開材料。低強度反射光可以由磁盤驅(qū)動器以編碼數(shù)據(jù)來翻譯。
已經(jīng)說明了本發(fā)明的不同的實施例。例如，已經(jīng)說明了用于創(chuàng)建數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的同時雙面軋制緣體過程。然而，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下可以作出不同的修改。例如，本發(fā)明可用于創(chuàng)建非盤狀的光學(xué)介質(zhì)，或者具有許多層的介質(zhì)，乃至非光學(xué)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)或者具有無光存儲器層的介質(zhì)。例如，同時雙面軋制緣體過程可用于創(chuàng)建具有可檢波表面換能器的頂部最外層，如于2000年12月提出的、名稱為“DATA STORAGE MEDIA”的共同未決的并且被共同授權(quán)給Kerfeld、Morkved以及Hellen的第09/730,199號美國專利申請中所描寫的那樣。
此外，所述技術(shù)可用于與更多的傳統(tǒng)方法相結(jié)合，以實現(xiàn)與其他介質(zhì)相比，在一面上具有更多信息層的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。如果僅僅將一個信息層添加到所述介質(zhì)的單面上，那么可以使用諸如單面軋制緣體過程的常規(guī)處理。那么，如果將輔助信息層添加到介質(zhì)的兩面的話，可以使用同時雙面軋制緣體過程。這些及其他實施例都包括在以下權(quán)利要求書的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括提供一個襯底；以及在所述襯底的兩面上、使用同時雙面軋制緣體處理來創(chuàng)建信息層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述信息層上淀積材料。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中淀積材料包括淀積相變材料。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中淀積材料包括淀積反射材料。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述同時雙面軋制緣體處理包括放置第一感光聚合物緣體，以便在底部壓模和所述襯底之間分布該第一感光聚合物緣體；放置第二感光聚合物緣體，以便在頂部壓模和所述襯底之間分布該第二感光聚合物緣體；使輥在壓模頂部印過，以便對感光聚合物緣體進行分布；固化所述感光聚合物；以及從所述壓模中剝落所述襯底。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中固化所述感光聚合物包括使所述感光聚合物暴露于穿透至少一個壓模透射的紫外光。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中固化所述感光聚合物包括使該感光聚合物暴露于透過頂部和底部壓模兩者透射的紫外光。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中放置所述第一感光聚合物緣體包括在頂部壓模組件和襯底之間放置第一感光聚合物緣體，并且放置所述第二感光聚合物緣體包括在底部壓模組件和襯底之間放置所述第二感光聚合物緣體。
9.如權(quán)利要求5所述的方法，進一步包括預(yù)先確定所述第一和第二感光聚合物的粘性，以便限定所述信息層的厚度。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，進一步包括控制用于同時雙面軋制緣體處理的輥的壓力和速度，其中預(yù)先確定用于同時雙面軋制緣體處理的輥的粘性、壓力和速度，共同地限定信息層的厚度。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述信息層是第一信息層，并且所述同時雙面軋制緣體處理是第一同時雙面軋制緣體處理，所述方法進一步包括在所述第一信息層上淀積第一材料；在所述襯底的雙面上、使用第二同時雙面軋制緣體處理來創(chuàng)建第二信息層；以及在所述第二信息層上淀積第二材料。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一和第二材料是相同的。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中淀積所述第一材料包括在所述第一信息層上淀積相變材料。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中淀積所述第二材料包括在所述第二信息層上淀積反射材料。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，進一步包括在所述襯底的雙面上、使用第三同時雙面軋制緣體處理來創(chuàng)建第三信息層；以及在所述第三信息層上淀積第三材料。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一信息層具有大約5μrn的厚度，并且所述第二信息層具有大約50μrn的厚度。
全文摘要
本發(fā)明致力于一種用于創(chuàng)建光學(xué)數(shù)據(jù)存儲盤的技術(shù)。在一個實施例中，本發(fā)明提供了一種同時雙面軋制緣體過程。例如，一種方法可包括放置第一感光聚合物緣體，以便在底部壓模和襯底之間分布該第一感光聚合物緣體，并且放置第二感光聚合物緣體，以便在頂部壓模和襯底之間分布該第二感光聚合物緣體。所述方法還包括使輥在頂部壓模上印過以便分布所述感光聚合物緣體，固化所述感光聚合物，并且從所述壓模中去除所述襯底。所述同時雙面軋制緣體過程能夠在同一介質(zhì)或者雙面多層數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)上重復(fù)。
文檔編號G11B7/24GK1550012SQ02814332
公開日2004年11月24日 申請日期2002年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月16日
發(fā)明者唐納德·J·科爾費爾德, 唐納德 J 科爾費爾德, E 布羅沃爾德, 巴里·E·布羅沃爾德 申請人:伊美申公司