專(zhuān)利名稱(chēng)：用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
在可以記錄及再現(xiàn)信息的存儲(chǔ)裝置中所使用的存儲(chǔ)介質(zhì)各個(gè)都可以
例如通過(guò)以下步驟制作在襯底(substrate)上形成磁性膜；將潤(rùn)滑劑 (lubricant)涂布到所得到的疊置體(stack);以及對(duì)涂布了潤(rùn)滑劑的疊 置體進(jìn)行平坦化(planarize)。執(zhí)行平坦化是為了提高在磁記錄裝置操作 期間的磁頭懸浮穩(wěn)定性(floating stability),并且使得磁頭不會(huì)被附著到 磁記錄介質(zhì)表面的異物所損害。日本實(shí)用新型登記申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)昭No. 60-60014公開(kāi)了這種存儲(chǔ)介質(zhì)、存儲(chǔ)裝置以及用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)實(shí)施方式的一個(gè)方面， 一種用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法包括以下 步驟提供引導(dǎo)組件及用于形成存儲(chǔ)介質(zhì)的介質(zhì)板(mediumplate)組件； 設(shè)置所述介質(zhì)板組件及所述引導(dǎo)組件，使得所述介質(zhì)板組件與所述引導(dǎo) 組件彼此靠近，并且所述介質(zhì)板組件的表面與所述引導(dǎo)組件的表面形成 基本上公共的平面；將用于對(duì)所述介質(zhì)板組件進(jìn)行拋光的拋光組件引導(dǎo) 到所述引導(dǎo)組件的表面上；以及將所述引導(dǎo)組件上的所述拋光組件滑動(dòng) (slide)到所述介質(zhì)板組件上，以對(duì)所述介質(zhì)板組件的表面進(jìn)行拋光。


圖1A到IF是例示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的 方法的示意性截面圖2示出了在準(zhǔn)備其具有記錄層的介質(zhì)板組件的步驟中所準(zhǔn)備的介質(zhì)板組件的示例的示意性平面圖及示意性截面圖3是示出了在準(zhǔn)備其具有記錄層的介質(zhì)板組件的步驟中所準(zhǔn)備的 介質(zhì)板組件的另一示例的示意性截面圖4是示出了在排布引導(dǎo)組件和介質(zhì)板組件的步驟中引導(dǎo)組件及介 質(zhì)板組件的排布結(jié)構(gòu)及形狀的示例的示意性平面圖5是示出了在排布引導(dǎo)組件和介質(zhì)板組件的步驟中引導(dǎo)組件及介 質(zhì)板組件的排布結(jié)構(gòu)及形狀的另一示例的示意性平面圖6A到6C是例示了在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于制造存儲(chǔ)介質(zhì) 的方法中使拋光組件與引導(dǎo)組件相接觸的步驟的截面圖7A到7D是示出了在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于制造存儲(chǔ)介質(zhì) 的方法中拋光組件、引導(dǎo)組件與附著到介質(zhì)板組件表面的異物之間的位 置關(guān)系的示意性截面圖8A到8C是示出了在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法 的過(guò)程中拋光組件與附著到介質(zhì)板組件表面的異物之間位置關(guān)系的示意 性截面圖9是示出了在實(shí)驗(yàn)性示例1中所制作的磁記錄介質(zhì)內(nèi)瑕疵位置與 瑕疵數(shù)量之間關(guān)系的條形圖IOA到IOD是例示了在實(shí)驗(yàn)性示例1中的最外周處的瑕疵的生成 機(jī)制的示意性截面圖IIA到11C是例示了在實(shí)驗(yàn)性示例2中用于制造磁記錄介質(zhì)的方 法的示意性截面圖12A到12C是例示了在對(duì)比示例1中用于制造磁記錄介質(zhì)的方法 的示意性截面圖；以及
圖13是示出了在對(duì)比較示例1中制作的磁記錄介質(zhì)的兩個(gè)表面中的 瑕疵位置與數(shù)量之間關(guān)系的條形圖。
具體實(shí)施例方式
用于對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行平坦化的典型方法是帶拋光(TB， Tape Bumishing)。帶拋光包括以下步驟將拋光帶壓靠旋轉(zhuǎn)磁記錄介質(zhì)的正
面及背面；然后，將拋光帶在磁記錄介質(zhì)的表面上進(jìn)行滑動(dòng)，以去除介 質(zhì)表面上的突起。為了提高磁記錄介質(zhì)表面的平坦性并且去除磁記錄介 質(zhì)表面上的異物，通常在磁記錄介質(zhì)制造工藝的最后步驟中執(zhí)行帶拋光。
不利的是，帶拋光會(huì)導(dǎo)致磁記錄介質(zhì)中的瑕疵，因而不利地影響磁 記錄及再現(xiàn)性能。瑕疵集中在磁記錄介質(zhì)中拋光帶首先與該介質(zhì)接觸的 部分。拋光帶和磁記錄介質(zhì)之間的較小接觸區(qū)域?qū)p少瑕疵數(shù)量。然而 在該情況下，會(huì)降低拋光效率。
本發(fā)明提供了一種用于制造記錄介質(zhì)的方法，該方法包括對(duì)存儲(chǔ)介 質(zhì)進(jìn)行平坦化，而不產(chǎn)生會(huì)不利地影響信息記錄及再現(xiàn)性能的瑕疵。
圖1A到1F是例示了作為根據(jù)本發(fā)明的用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法的 實(shí)施方式的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法的示意性截面圖。
根據(jù)實(shí)施方式的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法包括以下步驟提供介 質(zhì)板組件的步驟(圖1A);設(shè)置介質(zhì)板組件和引導(dǎo)組件使得介質(zhì)板組件 與引導(dǎo)組件彼此靠近并且介質(zhì)板組件的表面與引導(dǎo)組件的表面形成基本 上公共的平面的步驟(圖1B);將用于對(duì)介質(zhì)板組件進(jìn)行拋光的拋光組 件引導(dǎo)到引導(dǎo)組件的表面上的步驟(圖1C到1D);以及將引導(dǎo)組件上的 拋光組件滑動(dòng)到介質(zhì)板組件上以對(duì)介質(zhì)板組件的表面進(jìn)行拋光的步驟
(圖1D到1F)。
下面將參照附圖來(lái)描述根據(jù)實(shí)施方式的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法 的步驟。
1、準(zhǔn)備介質(zhì)板組件的步驟
在該步驟中，準(zhǔn)備在襯底上具有磁記錄層的介質(zhì)板組件。在該步驟 中所準(zhǔn)備的介質(zhì)板組件經(jīng)過(guò)平坦化步驟(稍后描述)，以形成磁記錄介質(zhì) 而不會(huì)在介質(zhì)表面上留有不規(guī)則體或異物。
圖2示出了該步驟中所準(zhǔn)備的介質(zhì)板組件的示例的示意性平面圖和 示意性截面圖。介質(zhì)板組件1在襯底11的各個(gè)表面上包括:軟磁底層12A 及12B，中間層13A及13B，記錄層14A及14B，以及保護(hù)層15A及15B。 保護(hù)層15A及15B的各個(gè)表面分別覆蓋有潤(rùn)滑劑層16A及16B。介質(zhì)板 組件1可以具有與目標(biāo)磁記錄介質(zhì)的形狀對(duì)應(yīng)的任意形狀，并且通常為
盤(pán)形。
襯底ll的形狀、結(jié)構(gòu)、尺寸、材料等不受具體限制，而是可以根據(jù) 用途而適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，當(dāng)將磁記錄介質(zhì)合并到磁盤(pán)裝置中時(shí)，襯底 11為盤(pán)形。襯底11可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。可以由從用作磁記錄介 質(zhì)的襯底的已知材料中所選擇的材料來(lái)構(gòu)成襯底11。
可以從鋁、玻璃、硅、石英、以及在硅表面上形成熱氧化膜的Si02/Si ("/"表示對(duì)在"/"之前及之后的襯底材料進(jìn)行疊置)等中選擇所述材 料?？梢詥为?dú)使用或組合使用這些材料?？蛇m當(dāng)?shù)匦纬梢r底11。另選的 是，市場(chǎng)上可獲得的襯底可以用作襯底ll。
軟磁底層(SUL) 12A及12B中的每一個(gè)的形狀、結(jié)構(gòu)、尺寸等不 受具體限制，而是可以根據(jù)用途而從過(guò)去已被使用的那些參數(shù)中適當(dāng)?shù)?選擇。軟磁底層12A及12B中的每一個(gè)優(yōu)選地可由從Ru、Ru合金、MFe、 FeSiAl、 FeC、 FeCoB、 FeCoNiB及CoZrNb中選擇的至少一種材料構(gòu)成。 可以單獨(dú)使用或組合使用這些材料。
提供中間層13A及13B，以改進(jìn)記錄層14A及14B的主要在垂直磁 記錄介質(zhì)中的取向性(orientation)。中間層13A及13B中的每一個(gè)的形 狀、結(jié)構(gòu)、尺寸等不受具體限制，而是可以根據(jù)用途而從過(guò)去已被使用 的那些參數(shù)中適當(dāng)?shù)剡x擇。中間層13A及13B中的每一個(gè)優(yōu)選地可由從 Ni合金、Ru、 Ru合金、以及包含氧化物的CoCr合金中選擇的至少一種 材料構(gòu)成。
提供記錄層14A及14B，以在磁記錄介質(zhì)中記錄和再現(xiàn)信息。
用于記錄層14A及14B中的每一個(gè)的材料不受具體限制，而是可以 根據(jù)用途從己知材料中適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，記錄層14A及14B中的每一 個(gè)優(yōu)選地可由從Fe、 Co、 M、 FeCo、 FeNi、 CoNi、 CoNiP、 FePt、 CoPt、 及NiPt中選擇的至少一種材料構(gòu)成?？梢詥为?dú)使用或組合使用這些材料。
記錄層14A及14B中的每一個(gè)的結(jié)構(gòu)(形狀)不受具體限制，只要 將這些層都形成為由上述材料構(gòu)成的磁性膜即可。可以根據(jù)用途而適當(dāng) 地選擇結(jié)構(gòu)(形狀)。
記錄層14A及14B中的每一個(gè)的厚度不受具體限制，只要不損害本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)即可。可以對(duì)應(yīng)于記錄期間的線性記錄密度等而適當(dāng)?shù)剡x擇 該厚度。
用于形成記錄層14A及14B的方法不受具體限制?？梢杂梢阎椒?(例如濺射(sputtering)、電淀積(electrodeposition)、或AC鍍敷(AC plating))來(lái)形成記錄層14A及14B。
分別直接在垂直記錄層14A及14B的表面上通過(guò)已知的形成膜技術(shù) (例如濺射或鍍敷)來(lái)形成保護(hù)層15A及15B。構(gòu)成保護(hù)層15A及15B 中的每一個(gè)的材料不受具體限制。例如，優(yōu)選地使用類(lèi)金剛石碳(DLC， diamond-like carbon)。
對(duì)保護(hù)層15A及15B的表面進(jìn)行清潔(cleaning)處理。為了提高 耐久性及耐蝕性，使用潤(rùn)滑劑16來(lái)處理保護(hù)層15A及15B的表面，以 生成介質(zhì)板組件l。例如，將全氟聚醚潤(rùn)滑劑(其是具有有各種極性基的 封端的碳氟化合物潤(rùn)滑劑)用作潤(rùn)滑劑16，并且將其通過(guò)浸漬(dipping)、 旋轉(zhuǎn)涂覆(spincoating)、或噴射(spraying)而涂布到保護(hù)層15A及15B 上。
在根據(jù)本發(fā)明的用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法中使用的介質(zhì)板組件的形 狀、結(jié)構(gòu)、尺寸、材料等不受具體限制，而是可以根據(jù)用途而適當(dāng)?shù)剡x 擇。例如，如圖3中所示，僅在襯底的一面上形成軟磁底層12、中間層 13、記錄層14、以及保護(hù)層15。此外，可用潤(rùn)滑劑16覆蓋保護(hù)層15。 可適當(dāng)?shù)匦纬稍谟糜谥圃齑鎯?chǔ)介質(zhì)的方法中使用的介質(zhì)板組件。另選的 是，可將市場(chǎng)上能獲得的介質(zhì)板組件用作為介質(zhì)板組件。
2、設(shè)置引導(dǎo)組件及介質(zhì)板組件的步驟
在該步驟中，如圖1B中所示，將介質(zhì)板組件1及引導(dǎo)組件2設(shè)置為 使得介質(zhì)板組件1的表面與引導(dǎo)組件2的表面形成基本上公共的平面。
介質(zhì)板組件1的中央部固定到軸6。軸6是固定并且旋轉(zhuǎn)介質(zhì)板組 件1的軸。將介質(zhì)板組件1及引導(dǎo)組件2設(shè)置為，使得安裝在固定組件 (未示出)上的引導(dǎo)組件2的表面41與介質(zhì)板組件1的表面43形成基 本上公共的平面，并且使得引導(dǎo)組件2的表面42與介質(zhì)板組件1的表面 44形成基本上公共的平面。按照該排布結(jié)構(gòu)，當(dāng)在后續(xù)步驟中使拋光組
件與介質(zhì)板組件相接觸時(shí)，在與介質(zhì)板組件的表面垂直的方向上基本上 不發(fā)生拋光組件的運(yùn)動(dòng)。因此，使拋光組件與介質(zhì)板組件的表面相接觸， 而不會(huì)對(duì)介質(zhì)板組件的表面施加較大的沖擊力。因此，拋光組件不太可 能對(duì)附著在介質(zhì)板組件的表面上的異物施加較大的沖擊力，這種力可能 會(huì)損害介質(zhì)板組件。因此，按照介質(zhì)板組件及引導(dǎo)組件的該排布結(jié)構(gòu)， 在由于沖擊力所引起的生成瑕疵可以忽略的情況下，拋光組件對(duì)這些表 面進(jìn)行拋光。
將引導(dǎo)組件2設(shè)置為在后續(xù)步驟中將與引導(dǎo)組件2相接觸的拋光組 件平穩(wěn)地滑動(dòng)到介質(zhì)板組件上。
在已知的帶拋光中，使拋光組件與介質(zhì)板組件1直接接觸；因此， 由于在它們接觸時(shí)所產(chǎn)生的沖擊力，所以附著在介質(zhì)板組件表面上的異 物在介質(zhì)板表面的較大區(qū)域內(nèi)不利地造成瑕疵。這些瑕疵會(huì)不利地影響 所得到的磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)性能。在本實(shí)施方式中，通過(guò)使拋 光組件與引導(dǎo)組件2的表面41及42相接觸，然后將所接觸的拋光組件 滑動(dòng)到表面43及44上，來(lái)消除該問(wèn)題。將在稍后描述的"將拋光組件 滑動(dòng)到引導(dǎo)組件及介質(zhì)板組件上的步驟"中描述細(xì)節(jié)。
在根據(jù)本發(fā)明的用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法中，表述"基本上公共的 平面"表示優(yōu)選地這些表面完全地形成一公共平面，然而，這些表面可 以不完全形成公共平面，而是可以形成在可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的合理范 圍內(nèi)的臺(tái)階(step)。換言之，在如下所述的將拋光組件滑動(dòng)到引導(dǎo)組件 及介質(zhì)板組件上的步驟中，表面41及表面43可以不完全形成公共表面， 而表面42及表面44可以不完全形成公共表面，只要可以將與引導(dǎo)組件 相接觸的拋光組件平穩(wěn)地滑動(dòng)到介質(zhì)板組件上而不會(huì)生成針對(duì)介質(zhì)板組 件的較大的沖擊力即可。在表面41與43之間及表面42與44之間形成 的臺(tái)階高度優(yōu)選地是35 wm或更小，更優(yōu)選地是25 um或更小。
圖11A到11C是示出以下實(shí)施方式的示意性截面圖，其中，將介質(zhì) 板組件1及引導(dǎo)組件2設(shè)置為，使得介質(zhì)板組件1的各個(gè)表面與引導(dǎo)組 件2的相應(yīng)表面形成基本上公共的平面。例如，引導(dǎo)組件2可以具有比 介質(zhì)板組件1的厚度稍大的厚度，如圖11B中所示，以及引導(dǎo)組件2也
可以具有其中表面41及表面43形成公共平面并且表面42及表面44形 成公共平面的排布結(jié)構(gòu)，如圖IIA中所示。另選的是，如圖IIC中所示， 引導(dǎo)組件2可具有比介質(zhì)板組件1的厚度稍小的厚度。具體地說(shuō)，在圖 11B及11C中，表面41與表面43之間的距離Wl及表面42與表面44 之間的距離W2中的每一個(gè)都可針對(duì)拋光組件3的形狀、表面面積等而 變化，并且這些距離優(yōu)選地是35 um或更小，更優(yōu)選地是25 um或更 小。
優(yōu)選的是，介質(zhì)板組件及引導(dǎo)組件具有平坦表面。在下面描述的將 拋光組件滑動(dòng)到引導(dǎo)組件及介質(zhì)板組件上的步驟中，介質(zhì)板組件及引導(dǎo) 組件可以具有不規(guī)則表面，只要可以將與弓!導(dǎo)組件接觸的拋光組件平穩(wěn) 地滑動(dòng)到介質(zhì)板組件上而不會(huì)生成針對(duì)介質(zhì)板組件的較大沖擊力即可。 優(yōu)選的是，介質(zhì)板組件的表面平行于引導(dǎo)組件的表面，但是可以不完全 平行于引導(dǎo)組件的表面。
引導(dǎo)組件2與介質(zhì)板組件1之間的厚度差優(yōu)選地是35 ii m或更小， 更優(yōu)選地是25 "m或更小，以使得引導(dǎo)組件2的表面41與介質(zhì)板組件 1的表面43可以形成基本上公共的平面，并且引導(dǎo)組件2的表面42與介 質(zhì)板組件1的表面44可以形成基本上公共的平面，介質(zhì)板組件1在襯底 11的兩面上具有記錄層14A及14B。特別優(yōu)選的是，引導(dǎo)組件2具有與 介質(zhì)板組件1基本上相同的厚度。
在引導(dǎo)組件2與介質(zhì)板組件1之間的厚度差處于上述范圍內(nèi)的情況 下，在將拋光組件滑動(dòng)到引導(dǎo)組件及介質(zhì)板組件上的步驟中，在使拋光 組件與介質(zhì)板組件相接觸中所生成的沖擊力較小。因而，對(duì)介質(zhì)板表面 進(jìn)行拋光，同時(shí)防止生成瑕疵。
引導(dǎo)組件2的材料不受具體限制，只要當(dāng)引導(dǎo)組件2與拋光組件相 接觸時(shí)，引導(dǎo)組件2不會(huì)破裂或者輕易變形即可?？墒褂玫牟牧系氖纠?包括鎢、碳及合金(例如包含鈷的硬質(zhì)合金(cemented carbide)、不銹鋼 及黃銅)。
圖4是圖IB中的介質(zhì)板組件1及引導(dǎo)組件2的排布結(jié)構(gòu)的示意性平 面圖。在本實(shí)施方式中，介質(zhì)板組件l與引導(dǎo)組件2之間的間隔W不受
具體限制。從實(shí)現(xiàn)將所接觸的拋光組件平穩(wěn)地滑動(dòng)到介質(zhì)板組件上的角
度出發(fā)，優(yōu)選的是，間隔w小于拋光組件的寬度。更優(yōu)選的是，間隔w
盡可能地小。然而，所以從防止介質(zhì)板組件1與引導(dǎo)組件2因軸6的偏 心率以及引導(dǎo)組件2的安裝誤差而相接觸的角度出發(fā)，優(yōu)選的是，間隔 W為1 mm或更大。
固定組件(未示出)的形狀、結(jié)構(gòu)、尺寸、材料等不受具體限制。 在根據(jù)本發(fā)明的用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法中的設(shè)置引導(dǎo)組件及介質(zhì) 板組件的步驟中，可以將引導(dǎo)組件2設(shè)置為，使得引導(dǎo)組件2的至少一 個(gè)表面與介質(zhì)板組件1的相應(yīng)表面形成基本上公共的平面。例如，在該 步驟中使用在襯底的一面上具有記錄層等的介質(zhì)板組件(如圖3所示) 的情況下，可用夾具(jig) 7來(lái)設(shè)置介質(zhì)板組件1及引導(dǎo)組件2，使得在 其上設(shè)置了介質(zhì)板組件1的記錄層的表面與引導(dǎo)組件2的相應(yīng)表面形成 基本上公共的平面，如圖5所示。夾具7的形狀、結(jié)構(gòu)、尺寸、材料等 不受具體限制。
3、使拋光組件與引導(dǎo)組件相接觸的步驟
在該步驟中，如圖1C及1D中所示，使用于對(duì)介質(zhì)板組件1的表面 進(jìn)行拋光的拋光組件3與引導(dǎo)組件2相接觸。
拋光組件3包括具有固定拋光粉(fixed abrasive grain)的拋光層， 并且可以對(duì)介質(zhì)板組件1的表面進(jìn)行拋光。拋光層通常具有通過(guò)樹(shù)脂粘 結(jié)劑(resinbinder)而固定的拋光粉。
圖6A到6C是例示了在根據(jù)本實(shí)施方式的用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法 中的使拋光組件與引導(dǎo)組件相接觸的步驟的示例的示意性截面圖。如圖 6A所示，在介質(zhì)板組件1的兩面上對(duì)用作對(duì)介質(zhì)板1的兩個(gè)表面進(jìn)行拋 光的拋光組件并且包括設(shè)置在薄片(諸如塑料膜)上的拋光層的拋光帶 3a及3b (以下，也統(tǒng)稱(chēng)為"拋光帶3")進(jìn)行設(shè)置。鑒于以下事實(shí)而優(yōu)選 地使用拋光帶3:每當(dāng)制造一個(gè)磁記錄介質(zhì)時(shí)，通過(guò)分別將拋光帶3a及 3b從滾筒31a及31b (以下也統(tǒng)稱(chēng)為"滾筒31")解開(kāi)(unwind),并且 分別將拋光帶3a及3b繞著滾筒32a及32b (以下也統(tǒng)稱(chēng)為"滾筒32") 纏繞(wind),來(lái)用未經(jīng)使用的拋光層對(duì)介質(zhì)板組件1進(jìn)行拋光。此外，
在將拋光組件滑動(dòng)到引導(dǎo)組件及介質(zhì)板組件上的后續(xù)步驟中，可以在連
續(xù)地從滾筒31解開(kāi)拋光帶3并且繞著滾筒32纏繞拋光帶3的同時(shí)，執(zhí) 行滑動(dòng)。另選的是，可以在拋光帶3停止的同時(shí)，執(zhí)行滑動(dòng)。拋光帶3 的從滾筒31到滾筒32的饋送方向不受具體限制，可以是盤(pán)形的介質(zhì)板 組件的徑向方向，或者可以是與介質(zhì)板組件的徑向方向相垂直的方向。
塑料膜的厚度通常大約為5到100 Jim。作為拋光粉，例如可以使 用由從鋁、金剛石、硅石、二氧化鈰、氧化鐵、氧化鉻、及碳化硅中所 選擇的至少一種材料構(gòu)成并且平均顆粒直徑為0.02到5 U m的顆粒。作 為樹(shù)脂粘結(jié)劑，例如可以使用聚酯樹(shù)脂粘結(jié)劑或聚氨酯樹(shù)脂粘結(jié)劑。
在后續(xù)步驟中，可以通過(guò)使拋光帶3與介質(zhì)板組件1的兩面相接觸 并且將拋光帶3按壓在介質(zhì)板組件1上，來(lái)對(duì)介質(zhì)板組件1的表面進(jìn)行 拋光。用于按壓拋光帶3的方法不受具體限制，例如可以包括在拋光帶 3a及3b的與拋光層相對(duì)的各個(gè)面上，設(shè)置TB襯墊4a及4b (以下也統(tǒng) 稱(chēng)為"TB襯墊4")以及TB頭5a及5b (以下也統(tǒng)稱(chēng)為"TB頭5")，然 后將力Fa及Fb施加到TB頭5a及5b上，以使用TB襯墊4a及4b將拋 光帶3a及3b按壓在介質(zhì)板組件l的兩個(gè)表面上，如圖6A中所示。用于 TB襯墊4的材料示例包括各種樹(shù)脂材料，例如氨酯彈性體(urethane elastomers)、乙烯彈性體(ethylene elastomers)、及非剛性塑料(nonrigid plastic)。用于TB頭5的材料示例包括各種合金，例如不銹鋼及黃銅。 可以根據(jù)要制造的磁記錄介質(zhì)的尺寸來(lái)適當(dāng)?shù)剡x擇TB襯墊4及TB頭5 的形狀和尺寸。
在本發(fā)明的用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法中的使拋光組件與引導(dǎo)組件相 接觸的步驟中，用于對(duì)介質(zhì)板組件1的表面進(jìn)行拋光的拋光帶3a和3b 可以與引導(dǎo)組件2相接觸。例如，在該步驟中使用在襯底的一面上具有 記錄層等的介質(zhì)板組件(如圖3所示)的情況下，可以使用以下方法 在介質(zhì)板組件1的一面上排好拋光帶3、 TB襯墊4及TB頭5，然后將力 F施加到TB頭5，以使用TB襯墊4將拋光帶3按壓在介質(zhì)板組件1的 一個(gè)面上，如圖6B所示。
作為按壓拋光帶3的另一方法，例如，可以使用通過(guò)向拋光帶3的
與拋光層相反的一面鼓入壓縮空氣40來(lái)將拋光帶3按壓在介質(zhì)板組件1 的表面上的方法，如圖6C所示。在與力F方向相反的方向上，通過(guò)任何 手段來(lái)施加與力F大小相同的力(在圖6B及6C中未示出)。 4、將拋光組件滑動(dòng)到引導(dǎo)組件及介質(zhì)板組件上的步驟 在該步驟中，如圖1D到1F中所示，將與引導(dǎo)組件2相接觸的拋光 組件3滑動(dòng)到引導(dǎo)組件2及介質(zhì)板組件1上，以拋光介質(zhì)板組件1的表 面。將拋光組件3從設(shè)置在介質(zhì)板組件1的邊緣側(cè)上的引導(dǎo)組件2朝介 質(zhì)板組件1的內(nèi)周滑動(dòng)。然而，如果需要，可以在徑向方向上使拋光組 件3往返(shuttle)。通常，在滑動(dòng)期間通過(guò)使軸6旋轉(zhuǎn)來(lái)使介質(zhì)板組件 l旋轉(zhuǎn)，由此更加均勻地對(duì)這些表面進(jìn)行拋光。在拋光組件3是如圖6A 到6C所示的拋光帶的情況下，可以在滑動(dòng)期間持續(xù)地饋送拋光帶3或者 停止拋光帶3。
圖7A到7D是示出了在根據(jù)本實(shí)施方式的用于制造磁記錄介質(zhì)的方 法的過(guò)程中拋光組件、引導(dǎo)組件、與附著在介質(zhì)板組件表面上的異物之 間位置關(guān)系的示意性截面圖。圖7A示出了恰在拋光組件與引導(dǎo)組件相接 觸之前拋光組件、引導(dǎo)組件、介質(zhì)板組件與異物之間的位置關(guān)系。圖7B 示出了恰在拋光組件與引導(dǎo)組件相接觸之后拋光組件、引導(dǎo)組件、介質(zhì) 板組件與異物之間的位置關(guān)系。圖7C及7D各個(gè)都示出了在將與引導(dǎo)組 件相接觸的拋光組件朝著介質(zhì)板組件的內(nèi)周滑動(dòng)期間的拋光組件、引導(dǎo) 組件、介質(zhì)板組件與異物之間的位置關(guān)系。
在某些情況下，當(dāng)使拋光帶3與附著有異物21的引導(dǎo)組件2的表面 相接觸時(shí)，在接觸瞬間所施加的沖擊力會(huì)造成按照異物21的形狀的瑕疵， 如圖7B所示。在朝著介質(zhì)板組件1的內(nèi)周滑動(dòng)期間，嵌入在瑕疵中的異 物21不會(huì)造成介質(zhì)板組件1的表面瑕疵。
介質(zhì)板組件1的表面與引導(dǎo)組件2的相應(yīng)表面形成基本上公共的平 面。因而，當(dāng)拋光組件3與介質(zhì)板組件相接觸時(shí)，在與介質(zhì)板表面垂直 的方向上基本上不發(fā)生拋光組件的運(yùn)動(dòng)。因此，使拋光組件與介質(zhì)板組 件的表面相接觸，而不會(huì)生成針對(duì)介質(zhì)板組件表面的較大沖擊力。因此， 即使當(dāng)附著在引導(dǎo)組件表面上的異物21附著到拋光帶表面上的同時(shí)執(zhí)行
滑動(dòng)，異物21也不會(huì)經(jīng)受沖擊力，使得抑制了在介質(zhì)板組件1的表面上 生成瑕疵。而且，在滑動(dòng)期間附著到介質(zhì)板組件1上的異物22不會(huì)經(jīng)受 沖擊力，因此不會(huì)在介質(zhì)板組件1中造成瑕疵。
異物21及異物22是在準(zhǔn)備介質(zhì)板組件1的步驟中在形成構(gòu)成介質(zhì) 板組件1的各個(gè)層時(shí)從淀積在制造裝置內(nèi)的細(xì)微顆粒得到的細(xì)微顆粒。 在當(dāng)前環(huán)境下，在介質(zhì)板組件1中造成瑕疵的異物的尺寸大約是10 li m 或更大。
在本實(shí)施方式中，為了提高介質(zhì)板組件1的表面拋光效率，可以增 大拋光組件3與介質(zhì)板組件1之間的接觸面積。即使當(dāng)減小拋光組件3 與介質(zhì)板組件1之間的接觸面積時(shí)，仍然可以獲得如本實(shí)施方式中的相 同效果。然而，拋光效率降低了。
圖8A到8C是示出了在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于制造磁記錄介質(zhì)的方法 的過(guò)程中拋光組件3與附著在介質(zhì)板組件表面上的異物之間位置關(guān)系的 示意性截面圖，該方法包括在沒(méi)有引導(dǎo)組件的情況下使拋光組件'3與介 質(zhì)板組件1相接觸的步驟。圖8A示出了恰在拋光組件與介質(zhì)板組件相接 觸之前拋光組件、介質(zhì)板組件與異物之間的位置關(guān)系。圖8B示出了恰在 拋光組件與介質(zhì)板組件相接觸之后拋光組件、介質(zhì)板組件與異物之間的 位置關(guān)系。圖8C示出了在與介質(zhì)板組件接觸的拋光組件從內(nèi)周向外緣滑 動(dòng)期間的拋光組件、介質(zhì)板組件與異物之間的位置關(guān)系。當(dāng)拋光帶3與 其上附著有異物22的介質(zhì)板組件1表面相接觸時(shí)，在某些情況下，在接 觸瞬間施加的沖擊力會(huì)造成按照異物22的形狀的瑕疵，如圖8B中所示。 為了提高拋光效率而增加在拋光組件3與介質(zhì)板組件1之間的接觸面積， 這會(huì)增加將異物夾(sandwich)在拋光組件3與介質(zhì)板組件1之間的概率， 從而容易生成瑕疵。在朝著介質(zhì)板組件1的外緣滑動(dòng)期間，嵌入在瑕疵 中的異物22不會(huì)造成介質(zhì)板組件1的表面瑕疵。在與介質(zhì)板組件的表面 垂直的方向上基本上不發(fā)生拋光組件的運(yùn)動(dòng)，使得拋光組件不會(huì)在介質(zhì) 板組件的表面上施加較大的沖擊力。因此，即使當(dāng)異物附著到帶表面的 同時(shí)執(zhí)行滑動(dòng)，仍然抑制了在除了拋光組件3與介質(zhì)板組件1表面相接 觸的部分P (圖8B及8C)之外的介質(zhì)板組件1的其它表面部分上的瑕
疵生成。
在上述步驟之后，如果必要，可以將由泡沫材料(foam)、機(jī)織織物 (woven fabric)、非機(jī)織織物(nonwoven fabric)、植絨織物(flocked fabric)、或突起織物(raised fabric)形成的帶，按壓在旋轉(zhuǎn)襯底的兩面上 的軟鐵底層的表面上，以擦拭軟磁底層的表面，由此去除異物(諸如在 拋光期間附著到軟磁底層表面上的拋光灰塵)。此外，在拋光之后，可通 過(guò)向介質(zhì)板組件1的表面上鼓入水或空氣，來(lái)去除異物(諸如在使用固 定拋光粉進(jìn)行拋光期間附著到軟磁底層表面上的拋光灰塵)。
本發(fā)明不限于上述示例性實(shí)施方式。旨在將任何具有基本上與本發(fā) 明所附權(quán)利要求中所描述的相同的技術(shù)思想并且提供相同效果的等同物 包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍中。
例如，在本實(shí)施方式中，磁記錄層用作記錄層。然而，在本發(fā)明的 存儲(chǔ)介質(zhì)中，用于記錄及再現(xiàn)信息的記錄層足以用作記錄層。記錄層不 限于磁記錄層。
根據(jù)上述實(shí)施方式，拋光組件不是在具有記錄層的介質(zhì)板組件上而 是在引導(dǎo)組件上施加較大的沖擊力。此外，引導(dǎo)組件的與拋光組件相接 觸的表面與介質(zhì)板組件的表面形成基本上公共的平面，使得在與介質(zhì)板 組件表面垂直的方向上基本上不發(fā)生拋光組件的運(yùn)動(dòng)。因此，將拋光組 件滑動(dòng)到介質(zhì)板組件上，而不會(huì)對(duì)介質(zhì)板組件的表面上施加較大的沖擊 力。另外，可以增加在拋光組件與介質(zhì)板組件之間的接觸面積。因此， 提供了不會(huì)不利地影響記錄及再現(xiàn)信息性能的平穩(wěn)存儲(chǔ)介質(zhì)。
實(shí)驗(yàn)性示例1
通過(guò)在厚度為0.635 mm及直徑為65 mm的玻璃襯底的各個(gè)表面上 進(jìn)行濺射，按照以下順序形成了由從Ru或Ru合金中所選擇的反鐵磁 性材料構(gòu)成的軟磁底層；由從Ni合金、Ru合金及包含氧化物的CoCr合 金中所選擇的材料構(gòu)成的中間層；由從Co、 Ni、 Fe、 Co合金、Ni合金 及Fe合金中所選擇的鐵磁材料構(gòu)成的記錄層；以及由類(lèi)金剛石碳(DLC) 構(gòu)成的保護(hù)膜。軟磁底層、中間層、記錄層及保護(hù)膜各個(gè)都具有亞微米 級(jí)的厚度。將包括疊置的軟磁底層、中間層、記錄層及保護(hù)膜的玻璃襯底浸入在潤(rùn)滑劑(其是具有全氟聚醚及例如羥基和苯基的端基所構(gòu)成的
主鏈的有機(jī)液體)中，以將潤(rùn)滑劑(其厚度為0.8nm)涂布到保護(hù)膜上， 由此提供直徑為65mm的圓盤(pán)形介質(zhì)板組件，如圖2中所示。介質(zhì)板組 件的總厚度是0.635 mm。
將所得到的介質(zhì)板組件安裝在帶拋光裝置(市場(chǎng)上可獲得的拋光器) 的軸上。圖IIA是示出了在帶拋光裝置中所設(shè)置的介質(zhì)板組件與引導(dǎo)組 件之間的位置關(guān)系的示意性截面圖。帶拋光裝置具有其厚度與介質(zhì)板組 件1的總厚度相同的引導(dǎo)組件2，并且該帶拋光裝置被設(shè)計(jì)為將介質(zhì)板組 件1及引導(dǎo)組件2設(shè)置為，使得介質(zhì)板組件l的表面43與引導(dǎo)組件2的 表面41形成基本上公共的平面，并且介質(zhì)板組件1的表面44與引導(dǎo)組 件2的表面42形成基本上公共的平面，介質(zhì)板組件1安裝在軸6上。
介質(zhì)板組件與引導(dǎo)組件之間的間隔(圖4中的間隔W)固定為1 mm。 帶拋光裝置包括拋光帶(由Mipox International Corp.所制造)；用于將 拋光帶按壓在介質(zhì)板組件上并且由聚氨酯(商用名Rubycdl，由 Toyopolymer Co., Ltd.所制造)構(gòu)成的TB襯墊；以及由硬質(zhì)合金(G2) (鎢、碳、鈷)構(gòu)成的TB頭，這些組件如圖6A中所示而設(shè)置。持續(xù)地 從滾筒31解開(kāi)拋光帶3并且繞著滾筒32纏繞拋光帶3。拋光帶3從滾筒 31到滾筒32的饋送方向是與圓盤(pán)形的介質(zhì)板組件的徑向方向垂直的方 向。
在帶拋光裝置中，使拋光帶3與引導(dǎo)組件2相接觸。拋光帶3到引 導(dǎo)組件2的表面的接觸速度設(shè)置為0.5 mm/s。
通過(guò)在以恒定的轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)介質(zhì)板組件1的同時(shí)朝著介質(zhì)板組件1的 內(nèi)周滑動(dòng)與引導(dǎo)組件2相接觸的拋光帶3，來(lái)執(zhí)行對(duì)介質(zhì)板組件1的表面 的拋光，由此提供磁記錄介質(zhì)。拋光帶3向引導(dǎo)組件及介質(zhì)板組件1施 加恒定的載荷?；瑒?dòng)速度(橫向速度)設(shè)置為3 mm/s。開(kāi)始施加載荷的 位置設(shè)置在引導(dǎo)組件2的表面上。結(jié)束施加載荷的位置設(shè)置在位于介質(zhì) 板組件1的表面上并且距離介質(zhì)板組件1的中心12 mm遠(yuǎn)的位置處。在 滑動(dòng)期間，不繞著滾筒32纏繞拋光帶3。
根據(jù)上述方法，制造十個(gè)磁記錄介質(zhì)。假設(shè)對(duì)各具有10 "m或更
大寬度的瑕疵進(jìn)行計(jì)數(shù)，使用顯微鏡來(lái)觀察在所得到的磁記錄介質(zhì)的表
面中的瑕疵位置及瑕疵數(shù)量。圖9示出了在磁記錄介質(zhì)的兩個(gè)表面中的 瑕疵位置及瑕疵數(shù)量的觀察結(jié)果。圖9中的條圖的橫軸表示到介質(zhì)板組 件中心的距離R(mm)。例如，沿著橫軸位于31.5到32.5 mm處的條形 表示在距離介質(zhì)板組件中心31.5到32.5 mm的部分中的瑕疵總數(shù)量。
圖9中的條圖的縱軸表示在十個(gè)磁記錄介質(zhì)的兩個(gè)表面中的瑕疵的 總數(shù)量N。在圖9中，"LP"表示開(kāi)始對(duì)介質(zhì)板組件1施加載荷的位置(載 荷位置)，而"SD"表示滑動(dòng)方向。在距離磁記錄介質(zhì)中心30.5到32.5 mm 的部分中觀察到五個(gè)瑕疵。在磁記錄介質(zhì)表面的其它部分沒(méi)有觀察到瑕 疵。因?yàn)橥ǔ＞嚯x最外緣大約1到2mm的部分不用作記錄區(qū)域，所以通 常可以忽略這些瑕疵。
在距離中心30.5到32.5 mm的部分中生成瑕疵的原因推測(cè)如下。圖 10A到10D是示出了在實(shí)驗(yàn)性示例1中在最外緣中生成瑕疵的機(jī)制的示 意性截面圖。圖10A是在使拋光帶3與引導(dǎo)組件2相接觸之前引導(dǎo)組件 2、拋光帶3、 TB襯墊4與TB頭5的形狀及彼此間的位置關(guān)系的示意性 截面圖。圖10B是在使拋光帶3與引導(dǎo)組件2接觸之后引導(dǎo)組件2、拋 光帶3、 TB襯墊4與TB頭5的形狀及彼此間的位置關(guān)系的示意性截面 圖。圖10C是在拋光帶3滑動(dòng)的過(guò)程中當(dāng)邊緣9^及9bi到達(dá)引導(dǎo)組件2 與介質(zhì)板組件1之間的間隙時(shí)，介質(zhì)板組件l、引導(dǎo)組件2、拋光帶3、 TB襯墊4與TB頭5的形狀及彼此間的位置關(guān)系的示意性截面圖。圖10D 是在拋光帶3滑動(dòng)的過(guò)程中當(dāng)邊緣9a,及9b,到達(dá)介質(zhì)板組件1的最外緣 時(shí)，介質(zhì)板組件l、引導(dǎo)組件2、拋光帶3、 TB襯墊4與TB頭5的形狀 及彼此間的位置關(guān)系的示意性截面圖。
如圖10B所示，恰在開(kāi)始拋光帶3的滑動(dòng)之后，拋光帶3保持施加 到引導(dǎo)組件2的恒定載荷。此時(shí)，TB襯墊4受到來(lái)自拋光帶3及TB頭 5的載荷。這些載荷使得將TB襯墊4保持在比在使拋光帶3與介質(zhì)板組 件1相接觸之前的狀態(tài)(圖10A)更被壓緊的狀態(tài)。
如圖IOC所示，當(dāng)拋光帶3的端部9&及9bi到達(dá)引導(dǎo)組件2與介質(zhì) 板組件1之間的間隙時(shí)，分別減輕施加到與拋光帶3的端部9a!及9bi靠
近的TB襯底4的端部9&及9b2的載荷，由此使TB襯墊4的端部膨脹。 在繼續(xù)滑動(dòng)的情況下，如圖10D所示，TB襯底4的端部9a2及9b2 的膨脹導(dǎo)致當(dāng)拋光帶3的端部9a,及9b,到達(dá)介質(zhì)板組件1的最外緣時(shí)拋 光帶3的端部9ai及9b,相對(duì)于介質(zhì)板組件1的表面突出。當(dāng)在該狀態(tài)下 繼續(xù)滑動(dòng)時(shí)，拋光帶3的端部9ai及9b,使得介質(zhì)板組件l過(guò)載，由此造 成介質(zhì)板組件l中的瑕疵。
當(dāng)進(jìn)一步繼續(xù)滑動(dòng)時(shí)，TB襯底4的端部9a2及9b2被再次壓緊，使 得由拋光帶3的端部9a,及9b!施加到介質(zhì)板組件1上的載荷恢復(fù)正常。 因此，在除了最外緣之外的其它部分中沒(méi)有觀察到瑕疵。 實(shí)驗(yàn)性示例2
在介質(zhì)板組件最外緣處的瑕疵生成率與介質(zhì)板組件及引導(dǎo)組件的厚 度差異之間的關(guān)系
為了對(duì)在介質(zhì)板組件最外緣處的瑕疵生成率與介質(zhì)板組件及帶拋光 裝置的引導(dǎo)組件的厚度差異之間的關(guān)系進(jìn)行評(píng)估，將制造下面描述的磁 記錄介質(zhì)A、 B及C。
如在實(shí)驗(yàn)性示例1中一樣，制造各具有與介質(zhì)板組件相同的層結(jié)構(gòu)、 形狀及尺寸的十三個(gè)磁記錄介質(zhì)。這些磁記錄介質(zhì)稱(chēng)為"磁記錄介質(zhì)A"。 圖11A是示出了當(dāng)將介質(zhì)板組件1安裝在軸6上時(shí)，介質(zhì)板組件1與引 導(dǎo)組件2之間的位置關(guān)系的截面圖。
將實(shí)驗(yàn)性示例1中所使用的帶拋光裝置修改為，使得引導(dǎo)組件2具 有比介質(zhì)板組件l厚度大50 ym的厚度，并且將介質(zhì)板組件l設(shè)置為， 使得安裝在軸6上的介質(zhì)板組件1的每一個(gè)表面與引導(dǎo)組件2的相應(yīng)表 面之間的距離(間隔)(圖11B中的W1及W2)為25 um。圖UB是 示出了當(dāng)將介質(zhì)板組件1安裝在該帶拋光裝置的軸6上時(shí)，介質(zhì)板組件1 與引導(dǎo)組件2之間的位置關(guān)系的示意性截面圖。除了使用了該裝置之外， 和在實(shí)驗(yàn)性示例1中一樣制造十三個(gè)磁記錄介質(zhì)。這些磁記錄介質(zhì)稱(chēng)為 "磁記錄介質(zhì)B"。
接下來(lái)，將實(shí)驗(yàn)性示例1中所使用的帶拋光裝置修改為，使得引導(dǎo) 組件2具有比介質(zhì)板組件1厚度小50 n m的厚度，并且將介質(zhì)板組件1
設(shè)置為，使得安裝在軸6上的介質(zhì)板組件1的每一個(gè)表面與引導(dǎo)組件2 的相應(yīng)表面之間的距離(間隔)(圖11C中的W1及W2)為25 um。圖 11C是示出了當(dāng)將介質(zhì)板組件1安裝在該帶拋光裝置的軸6上時(shí)，介質(zhì)板 組件1與引導(dǎo)組件2之間的位置關(guān)系的示意性截面圖。除了使用了該裝 置之外，和在實(shí)驗(yàn)性示例1中一樣制造十三個(gè)磁記錄介質(zhì)。這些磁記錄 介質(zhì)稱(chēng)為"磁記錄介質(zhì)C"。
針對(duì)磁記錄介質(zhì)A、 B及C中的每一個(gè)磁記錄介質(zhì)的兩個(gè)表面，來(lái) 計(jì)數(shù)距離中心31.5到32.5 mm的部分中所具有瑕疵的表面數(shù)量，并且計(jì) 算瑕疵生成率((具有瑕疵的表面數(shù)量/26) X100 (%))。對(duì)位于距離每 一個(gè)磁記錄介質(zhì)中心31.5到32.5 mm的部分中的瑕疵進(jìn)行評(píng)估的原因在 于，在從引導(dǎo)組件2朝向介質(zhì)板組件1的中心滑動(dòng)期間在介質(zhì)板組件1 的最外緣中生成瑕疵。
在磁記錄介質(zhì)A中，具有瑕疵的表面數(shù)量是二十六個(gè)中有一個(gè)，瑕 疵生成率是4 %。在磁記錄介質(zhì)B中，具有瑕疵的表面數(shù)量是二十六個(gè) 中有三個(gè)，瑕疵生成率是12%。在磁記錄介質(zhì)C中，具有瑕疵的表面數(shù) 量是二十六個(gè)中有兩個(gè)，瑕疵生成率是8%。磁記錄介質(zhì)A(其中每一個(gè) 都具有其厚度與介質(zhì)板組件1的總厚度相同的引導(dǎo)組件2)中的瑕疵生成 率是最低的，等于或小于磁記錄介質(zhì)B及C中的每一個(gè)的瑕疵生成率的 一半。
對(duì)比示例1
準(zhǔn)備其與實(shí)驗(yàn)性示例1中所使用的介質(zhì)板組件的層結(jié)構(gòu)、形狀及尺 寸相同的介質(zhì)板組件。
如圖12A所示，將介質(zhì)板組件1安裝在實(shí)驗(yàn)性示例1中所使用的帶 拋光裝置中的軸6上。
如圖12B所示，使帶拋光裝置中的拋光帶3 (由Mipox International Corp.所制造)與介質(zhì)板組件1相接觸。拋光帶3到介質(zhì)板組件1表面的 接觸速度設(shè)置為0.5mm/s。
如圖12C所示，通過(guò)在以恒定的轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)介質(zhì)板組件1的同時(shí)朝著 介質(zhì)板組件1的最外緣滑動(dòng)與介質(zhì)板組件1相接觸的拋光帶3，來(lái)執(zhí)行對(duì)
介質(zhì)板組件1的表面43及44的拋光，由此提供磁記錄介質(zhì)。拋光帶3 向介質(zhì)板組件施加恒定的載荷?；瑒?dòng)速度(橫向速度)設(shè)置為3 mm/s。 開(kāi)始施加載荷的位置設(shè)置在距離介質(zhì)板組件的中心12.0 mm遠(yuǎn)的位置處。 結(jié)束施加載荷的位置設(shè)置在距離介質(zhì)板組件的中心32.5mm遠(yuǎn)的位置處。 在滑動(dòng)期間，不繞著滾筒32纏繞拋光帶3。
根據(jù)上述方法，制造十個(gè)磁記錄介質(zhì)。假設(shè)對(duì)各具有10 Pm或更 大寬度的瑕疵進(jìn)行計(jì)數(shù)，使用顯微鏡來(lái)觀察在所得到的磁記錄介質(zhì)的表 面中的瑕疵位置及瑕疵數(shù)量。圖13示出了在磁記錄介質(zhì)的兩個(gè)表面中的 瑕疵位置及瑕疵數(shù)量的觀察結(jié)果。和圖9的條圖一樣，圖13的條圖的橫 軸表示到介質(zhì)板組件中心處的距離R (mm)?？v軸表示在十個(gè)磁記錄介 質(zhì)的兩個(gè)表面中的瑕疵的總數(shù)量N。在圖13中，"LP"表示開(kāi)始對(duì)介質(zhì) 板組件1的施加載荷的位置(載荷位置)，而"SD"表示滑動(dòng)方向。僅在 拋光帶開(kāi)始向磁記錄介質(zhì)施加載荷的LP處觀察到瑕疵。
權(quán)利要求
1、一種用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法，該方法包括以下步驟提供引導(dǎo)組件及用于形成存儲(chǔ)介質(zhì)的介質(zhì)板組件；設(shè)置所述介質(zhì)板組件及所述引導(dǎo)組件，使得所述介質(zhì)板組件與所述引導(dǎo)組件彼此靠近，并且所述介質(zhì)板組件的表面與所述引導(dǎo)組件的表面形成基本上公共的平面；將用于對(duì)所述介質(zhì)板組件進(jìn)行拋光的拋光組件引導(dǎo)到所述引導(dǎo)組件的表面上；以及將所述引導(dǎo)組件上的所述拋光組件滑動(dòng)到所述介質(zhì)板組件上，以對(duì)所述介質(zhì)板組件的表面進(jìn)行拋光。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述介質(zhì)板組件具有記錄層， 以將信息記錄在所述記錄層上并且從所述記錄層再現(xiàn)信息。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述引導(dǎo)組件具有基本上與 所述介質(zhì)板組件相同的厚度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述介質(zhì)板組件具有襯底并 在所述襯底的兩側(cè)具有記錄層，以將信息記錄在所述記錄層上并且從所 述記錄層再現(xiàn)信息。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，該方法還包括以下步驟將用于對(duì)所述介質(zhì)板組件進(jìn)行拋光的另一拋光組件引導(dǎo)到所述引導(dǎo)組件的另一表面上；以及將所述引導(dǎo)組件上的所述另一拋光組件滑動(dòng)到所述介質(zhì)板組件上， 以對(duì)所述介質(zhì)板組件的所述另一表面進(jìn)行拋光。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，同時(shí)滑動(dòng)所述拋光組件與所 述另一拋光組件。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述介質(zhì)板組件及所述引導(dǎo) 組件被設(shè)置為，使得在與將所述拋光組件滑動(dòng)到所述介質(zhì)板組件上的方 向平行的方向上，所述介質(zhì)板組件與所述引導(dǎo)組件之間的距離小于所述 拋光組件的寬度。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法。根據(jù)實(shí)施方式的一個(gè)方面，一種用于制造存儲(chǔ)介質(zhì)的方法包括以下步驟提供引導(dǎo)組件及用于形成存儲(chǔ)介質(zhì)的介質(zhì)板組件；以及設(shè)置所述介質(zhì)板組件及所述引導(dǎo)組件，使得所述介質(zhì)板組件與所述引導(dǎo)組件彼此靠近，并且所述介質(zhì)板組件的表面與所述引導(dǎo)組件的表面形成基本上公共的平面。該方法還包括以下步驟將用于對(duì)所述介質(zhì)板組件進(jìn)行拋光的拋光組件引導(dǎo)到所述引導(dǎo)組件的表面上；以及將所述引導(dǎo)組件上的所述拋光組件滑動(dòng)到所述介質(zhì)板組件上，以對(duì)所述介質(zhì)板組件的表面進(jìn)行拋光。
文檔編號(hào)B24B29/02GK101377930SQ200810213348
公開(kāi)日2009年3月4日 申請(qǐng)日期2008年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月27日
發(fā)明者奧村浩祥, 山川榮進(jìn) 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社