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內(nèi)嵌式觸控顯示器及內(nèi)嵌式觸控面板的制作方法

文檔序號:10080338閱讀:480來源:國知局
內(nèi)嵌式觸控顯示器及內(nèi)嵌式觸控面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型與觸控面板(Touch panel)有關(guān),特別是關(guān)于一種內(nèi)嵌式(In_cell)觸控顯示器及內(nèi)嵌式觸控面板。
【背景技術(shù)】
[0002]請參照圖1,圖1為傳統(tǒng)具有On-Cell疊層結(jié)構(gòu)的電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,傳統(tǒng)On-Cell的電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)1由下至上依序是:基板10、薄膜晶體管(TFT)元件層11、液晶層12、彩色濾光層13、玻璃層14、觸控感應(yīng)層15、偏光片16、粘合劑17及上覆透鏡18。
[0003]由圖1可知:傳統(tǒng)具有On-Cell疊層結(jié)構(gòu)的電容式觸控面板則是將觸控感應(yīng)層15設(shè)置于玻璃層14的上方,亦即設(shè)置于液晶顯示模塊之外。雖然傳統(tǒng)具有On-Cell疊層結(jié)構(gòu)的電容式觸控面板的厚度已較單片式玻璃觸控面板(One Glass Solut1n,0GS)來得薄,但在現(xiàn)今手機、平板電腦及筆記本電腦等可攜式電子產(chǎn)品強調(diào)輕薄短小的趨勢下,傳統(tǒng)具有On-Cell疊層結(jié)構(gòu)的電容式觸控面板已達到其極限,無法滿足最薄化的觸控面板設(shè)計的需求。
[0004]因此,本實用新型提出一種內(nèi)嵌式(In-cell)觸控顯示器及內(nèi)嵌式觸控面板,以改善現(xiàn)有技術(shù)所遭遇的種種問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]根據(jù)本實用新型的一較佳具體實施例為一種內(nèi)嵌式觸控面板。于此實施例中,內(nèi)嵌式觸控面板包含多個像素。每個像素的疊層結(jié)構(gòu)包含基板、薄膜晶體管元件層、第一絕緣層、第一導(dǎo)電層、第二絕緣層、第二導(dǎo)電層、第三絕緣層、液晶層、彩色濾光層及玻璃層。薄膜晶體管元件層設(shè)置于基板上。第一絕緣層設(shè)置于薄膜晶體管元件層上。第一導(dǎo)電層設(shè)置于第一絕緣層上。第二絕緣層設(shè)置于第一導(dǎo)電層上。第二導(dǎo)電層設(shè)置于第二絕緣層上。第三絕緣層設(shè)置于第二導(dǎo)電層上。液晶層設(shè)置于第三絕緣層上方。彩色濾光層設(shè)置于液晶層上方。玻璃層設(shè)置于彩色濾光層上方。
[0006]于一實施例中,第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層均與薄膜晶體管元件層分離且均未與薄膜晶體管元件層進行整合。
[0007]于一實施例中,內(nèi)嵌式觸控面板為一自電容觸控面板或一互電容觸控面板。
[0008]于一實施例中,第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層均未親接至一共同電壓電極。
[0009]于一實施例中,第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層親接至一共同電壓電極。
[0010]于一實施例中,第一導(dǎo)電層及/或第二導(dǎo)電層為一跨橋結(jié)構(gòu)的一部分,跨橋結(jié)構(gòu)靠近于薄膜晶體管元件層的一側(cè)或靠近于液晶層的一側(cè)。
[0011 ] 于一實施例中,第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層透過第三絕緣層而與液晶層彼此隔離。
[0012]于一實施例中,內(nèi)嵌式觸控面板適用于采用橫向電場效應(yīng)顯示技術(shù)(In-Plane-Switching Liquid Crystal,IPS)、邊界電場切換廣視角技術(shù)(Fringe FieldSwitching,FFS)或高階超廣視角技術(shù)(Advanced Hyper-Viewing Angle,AHVA)的顯不器。
[0013]于一實施例中,彩色濾光層包含一彩色濾光片(Color Filter)及一黑色矩陣光阻(Black Matrix Resist),黑色矩陣光阻具有良好的光遮蔽性。
[0014]于一實施例中,第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層位于黑色矩陣光阻的下方。
[0015]于一實施例中,第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層為透明或不透明的導(dǎo)電材料所構(gòu)成。
[0016]于一實施例中,第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層之間彼此耦接或不耦接。
[0017]于一實施例中,第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層為水平排列、垂直排列或交錯(Mesh)排列。
[0018]于一實施例中,當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板為互電容式觸控面板時,互電容式觸控面板的驅(qū)動電極由第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層組成且互電容式觸控面板的感測電極為第二導(dǎo)電層,或是感測電極由第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層組成且驅(qū)動電極為第二導(dǎo)電層。
[0019]根據(jù)本實用新型的另一較佳具體實施例亦為一種內(nèi)嵌式觸控面板。于此實施例中,內(nèi)嵌式觸控面板包含多個像素。每個像素的疊層結(jié)構(gòu)包含基板、薄膜晶體管元件層、液晶層、彩色濾光層及玻璃層。薄膜晶體管元件層設(shè)置于基板上。薄膜晶體管元件層內(nèi)整合設(shè)置有第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層,其中第一導(dǎo)電層與源極及汲極同時形成且第二導(dǎo)電層設(shè)置于第一導(dǎo)電層的上方。液晶層設(shè)置于薄膜晶體管元件層上方。彩色濾光層設(shè)置于液晶層上方。玻璃層設(shè)置于彩色濾光層上方。
[0020]于一實施例中,于形成薄膜晶體管元件層的源極及汲極的工藝中,該第一導(dǎo)電層亦同時形成。
[0021]于一實施例中,該內(nèi)嵌式觸控面板為一點自電容觸控面板。
[0022]于一實施例中,該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層均未親接至一共同電壓電極。
[0023]于一實施例中,該第一導(dǎo)電層或該第二導(dǎo)電層耦接至一共同電壓電極。
[0024]于一實施例中,該第一導(dǎo)電層為感測電極且該第二導(dǎo)電層為走線,或是該第一導(dǎo)電層為走線且該第二導(dǎo)電層為感測電極。
[0025]于一實施例中,該感測電極耦接至少一條走線且該至少一條走線的方向為直線或非直線。
[0026]于一實施例中,該彩色濾光層包含一彩色濾光片及一黑色矩陣光阻,該黑色矩陣光阻具有良好的光遮蔽性。
[0027]于一實施例中,該第一導(dǎo)電層及該第二導(dǎo)電層位于該黑色矩陣光阻的下方。
[0028]于一實施例中,該第一導(dǎo)電層及該第二導(dǎo)電層為透明或不透明的導(dǎo)電材料所構(gòu)成。
[0029]于一實施例中,該第一導(dǎo)電層及該第二導(dǎo)電層之間彼此耦接或不耦接。
[0030]于一實施例中,該第一導(dǎo)電層為水平排列或垂直排列且該第二導(dǎo)電層為水平排列、垂直排列或交錯排列。
[0031]根據(jù)本實用新型的另一較佳具體實施例為一種內(nèi)嵌式觸控顯示器。于此實施例中,內(nèi)嵌式觸控顯示器包含內(nèi)嵌式觸控面板、驅(qū)動1C及觸控1C。其中,內(nèi)嵌式觸控面板可如同前述兩較佳具體實施例所述。驅(qū)動1C包含一共同電壓選擇開關(guān)。觸控1C耦接至驅(qū)動1C。
[0032]于一實施例中,當(dāng)內(nèi)嵌式觸控面板為全內(nèi)嵌式(Fully in-cell)觸控面板時,內(nèi)嵌式觸控面板中的第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層耦接至共同電壓或是切換成第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層均不耦接至共同電壓。
[0033]于一實施例中,內(nèi)嵌式觸控面板中的至少一傳送電極透過至少一傳送電極走線直接電性連接至觸控1C且觸控1C亦電性連接至驅(qū)動1C中,并可選擇是否切換至共同電壓或傳送電壓;內(nèi)嵌式觸控面板中的至少一接收電極透過至少一接收電極走線直接電性連接至驅(qū)動1C中,并可選擇是否切換至共同電壓或接收電壓。
[0034]于一實施例中,內(nèi)嵌式觸控面板中的至少一傳送電極透過至少一傳送電極走線電性連接至驅(qū)動1C中的一傳送/接收單元且傳送/接收單元亦電性連接至觸控1C,而觸控1C亦電性連接至驅(qū)動1C中,并可選擇是否切換至共同電壓或傳送電壓;內(nèi)嵌式觸控面板中的至少一接收電極透過至少一接收電極走線直接電性連接至驅(qū)動1C中,并可選擇是否切換至共同電壓或接收電壓。
[0035]相較于現(xiàn)有技術(shù),根據(jù)本實用新型的內(nèi)嵌式觸控面板采用最簡化的疊層結(jié)構(gòu)及觸控感測電極的設(shè)計,較容易生產(chǎn)且可降低成本,并可在觸控電極不與TFT元件整合的情況下將觸控電極與TFT元件層之間的驅(qū)動關(guān)系單純化,以避免傳統(tǒng)上內(nèi)嵌式觸控面板中的觸控電極與TFT元件層整合所導(dǎo)致的良率不佳現(xiàn)象,由以提升內(nèi)嵌式觸控面板的整體效能及良率。
[0036]關(guān)于本實用新型的優(yōu)點與精神可以通過以下的實用新型【具體實施方式】及所附附圖得到進一步的了解。
【附圖說明】
[0037]圖1為傳統(tǒng)具有On-Cell疊層結(jié)構(gòu)的電容
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