具有使連接于線圈的輸出端子浮置的電路的線圈驅(qū)動ic的制作方法
【專利摘要】公開一種線圈驅(qū)動IC（集成電路），作為具有使得分別連接于線圈的一端及另一端的第一輸出端子與第二輸出端子的線圈驅(qū)動IC，包括：第一開關(guān)，其連接于所述第一輸出端子；第二開關(guān)，其連接于所述第二輸出端子；電流驅(qū)動部，其包括通過所述第一開關(guān)而連接于所述第一輸出端子的第一電流端子及通過所述第二開關(guān)而連接于所述第二輸出端子的第二電流端子；及柵極驅(qū)動部，其在利用所述第一電流端子或所述第二電流端子提供的電流而驅(qū)動所述線圈時，把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為開啟狀態(tài)，否則，把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為關(guān)閉狀態(tài)。
【專利說明】
具有使連接于線圈的輸出端子浮置的電路的線圈驅(qū)動IC
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及線圈驅(qū)動1C，特別是涉及把該輸出端子轉(zhuǎn)換為浮置狀態(tài)，從而使得能夠斷開與共同連接于多個線圈驅(qū)動IC的輸出端子的線圈的連接狀態(tài)的線圈驅(qū)動IC的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]在無線傳送數(shù)據(jù)及/或電力等的裝置中使用線圈。這種裝置為了支持多樣的應(yīng)用，可以包括多個線圈及連接于所述各線圈的多個線圈驅(qū)動1C。但是，通過只把一個線圈共同連接于所述多個線圈驅(qū)動1C，從而多個線圈驅(qū)動IC可以把所述一個線圈進(jìn)行時間分割而共同使用。
[0003]例如，發(fā)揮MST(Magnetic Stripe Transmiss1n)驅(qū)動功能的第一線圈驅(qū)動IC與發(fā)揮NFC(Near Field Communicat1n)驅(qū)動功能的第二線圈驅(qū)動IC共同連接于一個線圈，可以對所述一個線圈進(jìn)行時間分割并共享使用。在本說明書中，可以把這種電路指稱為“線圈共享電路裝置”。在所述線圈共享電路裝置中，在第一線圈驅(qū)動IC要獨占并控制所述一個線圈的運轉(zhuǎn)狀態(tài)的情況下，只有完全斷開第二線圈驅(qū)動IC的輸出端子與所述一個線圈間的電力連接，才能獲得需要的性能。相反，在第二線圈驅(qū)動IC要獨占控制所述一個線圈的運轉(zhuǎn)狀態(tài)的情況下，只有完全斷開第一線圈驅(qū)動IC的輸出端子與所述一個線圈間的電氣連接，才能獲得需要的性能。
[0004]為了體現(xiàn)這種功能，在各線圈驅(qū)動IC與線圈之間可以連接開關(guān)。但是，此時所述開關(guān)的價格尚，在商業(yè)上會不利。
[0005]另外，可以利用在各個線圈驅(qū)動IC的電源端連接開關(guān)而切斷驅(qū)動各線圈驅(qū)動IC的電源的方法。但是，此時，由于在切斷了電源的線圈驅(qū)動IC的內(nèi)部電路與線圈之間，存在電流能夠流動的通路，因而會發(fā)生不希望的結(jié)果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]解決的技術(shù)問題
本發(fā)明旨在提供一種線圈驅(qū)動1C，把輸出端子轉(zhuǎn)換為浮置狀態(tài)，從而使得能夠斷開與共同連接于多個線圈驅(qū)動IC的輸出端子的線圈的連接狀態(tài)。
[0007]技術(shù)方案
根據(jù)本發(fā)明一種觀點的具有使得分別連接于線圈的一端及另一端的第一輸出端子與第二輸出端子的線圈驅(qū)動1C，可以包括:第一開關(guān)，其連接于所述第一輸出端子;第二開關(guān)，其連接于所述第二輸出端子；電流驅(qū)動部，其包括通過所述第一開關(guān)而連接于所述第一輸出端子的第一電流端子及通過所述第二開關(guān)而連接于所述第二輸出端子的第二電流端子；及柵極驅(qū)動部，其在利用所述第一電流端子或所述第二電流端子提供的電流而驅(qū)動所述線圈時，把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為開啟狀態(tài)，否則，把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為關(guān)閉狀態(tài)。
[0008]另一方面，根據(jù)本發(fā)明另一觀點的線圈共享電路裝置，可以包括線圈、具有分別連接于所述線圈的一端及另一端的第一輸出端子及第二輸出端子的第一線圈驅(qū)動1C、及連接于所述線圈的兩端的第二線圈驅(qū)動1C。
[0009]此時，所述第一線圈驅(qū)動IC可以包括:連接于所述第一輸出端子的第一開關(guān);連接于所述第二輸出端子的第二開關(guān)；電流驅(qū)動部，其包括通過所述第一開關(guān)而連接于所述第一輸出端子的第一電流端子及通過所述第二開關(guān)連接于所述第二輸出端子的第二電流端子;及柵極驅(qū)動部，其在利用所述第一電流端子或所述第二電流端子提供的電流驅(qū)動所述線圈時，把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為開啟狀態(tài)，否則，把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為關(guān)閉狀態(tài)。
[0010]發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種線圈驅(qū)動1C，把輸出端子轉(zhuǎn)換為浮置狀態(tài)，從而使得能夠斷開與共同連接于多個線圈驅(qū)動IC的輸出端子的線圈的連接狀態(tài)。
【附圖說明】
[0011]圖1是用于說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的線圈共享電路裝置的一個示例的圖。
[0012]圖2是用于說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的線圈共享電路裝置的另一示例的圖。
[0013]圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的線圈共享電路裝置的圖。
[0014]圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的線圈共享電路裝置的圖。
[0015]圖5是顯示圖4所示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的線圈共享電路裝置中，第一線圈驅(qū)動IC的各晶體管的開啟/關(guān)閉狀態(tài)及柵極驅(qū)動部的各輸出端子的電壓大小的表。
【具體實施方式】
[0016]下面參照附圖，說明本發(fā)明的實施例。但是，本發(fā)明不限定于本說明書中說明的實施例，可以以多種其它形態(tài)體現(xiàn)。本說明書中使用的術(shù)語用于幫助實施例的理解，并非有意限定本發(fā)明的范圍。另外，下面使用的單數(shù)形態(tài)只要語句未明確表達(dá)出與其相反的意義，則也包括復(fù)數(shù)形態(tài)。
[0017]圖1是用于說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的線圈共享電路裝置100的一個示例的圖。
[0018]如圖1所示，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的線圈共享電路裝置100可以包括第一線圈驅(qū)動IC(Coil Driver IC)110、第二線圈驅(qū)動IC 120、線圈130、及負(fù)載開關(guān)(Load Switch)20。
[0019]第一線圈驅(qū)動IC 110及第二線圈驅(qū)動IC 120可以是用于控制為了利用線圈130無線傳送數(shù)據(jù)及/或電力等所需的功能的驅(qū)動裝置。
[0020]第一線圈驅(qū)動IC 110例如可以是用于利用線圈130執(zhí)行MST(Magnetic StripeTransmiss1n)功能的驅(qū)動裝置。而且，第二線圈驅(qū)動IC 120例如可以是用于利用線圈130執(zhí)行NFC(Near Field Communicat1n)功能的驅(qū)動裝置。
[0021]而且，在第一線圈驅(qū)動IC 110的輸出端子A0UT1、A0UT2與第二線圈驅(qū)動IC 120的輸出端子B0UT1、B0UT2，可以通過負(fù)載開關(guān)20等而共同連接有線圈130。
[0022]此時，在第一線圈驅(qū)動IC 110的輸出端子A0UT1、A0UT2與線圈130之間，可以分別串聯(lián)連接有負(fù)載開關(guān)21、22。而且，在第二線圈驅(qū)動IC 120的輸出端子B0UT1、B0UT2與線圈130之間，可以分別串聯(lián)連接有負(fù)載開關(guān)23、24。
[0023]第一線圈驅(qū)動IC 110可以包括控制部(Control Block) 11、柵極驅(qū)動部(GateDriver)12及電流驅(qū)動部13。此時，電流驅(qū)動部13例如可以包括4個晶體管。電流驅(qū)動部13可以包括第一電流端子301及第二電流端子302。通過第一電流端子301或第二電流端子302輸出的電流，可以通過線圈130流入第二電流端子302或第一電流端子301。
[0024]根據(jù)這種構(gòu)成，第一線圈驅(qū)動IC110和第二線圈驅(qū)動IC 120可以是使得共享一個線圈130而執(zhí)行各個功能的形態(tài)，通過控制負(fù)載開關(guān)20的開啟/關(guān)閉，從而可以控制第一線圈驅(qū)動IC 110及第二線圈驅(qū)動IC 120與線圈130間的連接關(guān)系。即，可以切斷或連接第一線圈驅(qū)動IC 110與線圈130間的電流路徑及第二線圈驅(qū)動IC 120與線圈130間的電流路徑。
[0025]例如，在第一線圈驅(qū)動IC110要獨占控制線圈130的運轉(zhuǎn)狀態(tài)時，可以使負(fù)載開關(guān)23、24的狀態(tài)為關(guān)閉(OFF)。由此，第二線圈驅(qū)動IC 120與線圈130間的電流流動被切斷，第一線圈驅(qū)動IC 110可以無特性惡化地運轉(zhuǎn)。
[0026]而且，在第二線圈驅(qū)動IC120要獨占控制線圈130的運轉(zhuǎn)狀態(tài)時，可以使負(fù)載開關(guān)21、22的狀態(tài)為關(guān)閉(OFF)。由此，第一線圈驅(qū)動IC 110與線圈130間的電流流動被切斷，第二線圈驅(qū)動IC 120可以無特性惡化地運轉(zhuǎn)。
[0027]可是，根據(jù)在圖1中說明的現(xiàn)有技術(shù)，由于負(fù)載開關(guān)20的價格非常昂貴，因而存在效率低下的缺點。
[0028]圖2是用于說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的線圈共享電路裝置200的另一示例的圖。
[0029]圖2的線圈共享電路裝置200為了解決圖1中說明的線圈共享電路裝置100的缺點，可以在第一線圈驅(qū)動IC 110的電源端與第二線圈驅(qū)動IC 120的電源端分別連接有一個負(fù)載開關(guān)25、26。
[0030]此時，如果把負(fù)載開關(guān)25、26控制為關(guān)閉(OFF)狀態(tài)，那么連接于此處的線圈驅(qū)動IC不運轉(zhuǎn)。即，當(dāng)?shù)谝痪€圈驅(qū)動IC 110要獨占控制線圈130的運轉(zhuǎn)狀態(tài)時，使連接于第二線圈驅(qū)動IC 120的電源端的負(fù)載開關(guān)26的狀態(tài)為關(guān)閉，或者，當(dāng)?shù)诙€圈驅(qū)動IC 120要獨占控制線圈130的運轉(zhuǎn)狀態(tài)時，可以使連接于第一線圈驅(qū)動IC 110的電源端的負(fù)載開關(guān)25的狀態(tài)為關(guān)閉。
[0031]但是，例如，在為了第二線圈驅(qū)動IC120獨占控制線圈130的運轉(zhuǎn)狀態(tài)而把連接于第一線圈驅(qū)動IC 110的電源端的負(fù)載開關(guān)25關(guān)閉的情況下，可能發(fā)生意想不到的問題。即，問題在于，第二線圈驅(qū)動IC 120的輸出端子BOUT 1、B0UT2的電壓直接提供給第一線圈驅(qū)動IC 110的輸出端子AOUT1、A0UT2，由于提供給輸出端子AOUT1、A0UT2的所述電壓，第一線圈驅(qū)動IC 110可能非正常運轉(zhuǎn)。相反，即使在第一線圈驅(qū)動IC 110獨占控制線圈130的運轉(zhuǎn)狀態(tài)的情況下，也會發(fā)生相同的問題。
[0032]在后述的本發(fā)明的實施例中，對能夠解決圖1至圖2中說明的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的問題的線圈共享電路裝置進(jìn)行說明。
[0033]圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的線圈共享電路裝置300的圖。
[0034]如果比較圖1及圖2中說明的現(xiàn)有技術(shù)的線圈共享電路裝置100、200與圖3所示本發(fā)明的一個實施例的線圈共享電路裝置300并說明，現(xiàn)有技術(shù)的線圈共享電路裝置100、200包括在線圈驅(qū)動IC 110、120的外部分別連接有一個以上負(fù)載開關(guān)20的構(gòu)成，相反，本發(fā)明的一個實施例的線圈共享電路裝置300可以包括在第一線圈驅(qū)動IC 110的內(nèi)部提供一對開關(guān)30的構(gòu)成。
[0035]而且，電流驅(qū)動部13例如可以包括4個晶體管。電流驅(qū)動部13可以包括第一電流端子301及第二電流端子302。通過第一電流端子301或第二電流端子302輸出的電流，可以通過線圈130流入第二電流端子302或第一電流端子301。第一電流端子301可以是第一上側(cè)晶體管THl的源極端子，第二電流端子302可以是第二上側(cè)晶體管TH2的源極端子。
[OO3 6 ]第一上側(cè)晶體管T HI的源極連接于第一下側(cè)晶體管T LI的漏極。第一上側(cè)晶體管THl的源極連接于第一開關(guān)SWl 31的源極。而且，第一開關(guān)31的漏極連接于第一輸出端子AOUTlo
[OO3 7 ]第二上側(cè)晶體管T H 2的源極連接于第二下側(cè)晶體管T L 2的漏極。第二上側(cè)晶體管TH2的源極連接于第二開關(guān)SW2 32的源極。而且，第二開關(guān)32的漏極連接于第二輸出端子A0UT2。
[0038]此時，多個晶體管1'!11、111、1'!12、1^2的柵極及一對開關(guān)31、32的柵極，分別根據(jù)從柵極驅(qū)動部12的各輸出端子GS1、GHl、GLl、GS2、GH2、GL2輸出的柵極控制信號而控制。
[0039]此時，根據(jù)柵極驅(qū)動部12的輸出端子GSl及輸出端子GS2輸出的信號，如果第一開關(guān)31及第二開關(guān)32成為開啟狀態(tài)，則可以形成從第一線圈驅(qū)動IC 110的第一輸出端子AOUTl經(jīng)過線圈130至第一線圈驅(qū)動IC 110的第二輸出端子A0UT2的電流流動路徑。
[0040]另一方面，當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)31及第二開關(guān)32成為關(guān)閉狀態(tài)時，應(yīng)借助于第二線圈驅(qū)動IC 120的輸出端子BOUTl、B0UT2輸出的電壓，使得電流不從第一輸出端子AOUTl通過第一開關(guān)31向第一上側(cè)晶體管THl的源極側(cè)流動。為此，可以利用在第一開關(guān)31的源極與漏極之間形成的寄生二極管(DMOS Parasitic D1de)Dl。寄生二極管Dl的陽極與陰極分別連接于第一開關(guān)31的源極及漏極。
[0041]同樣地，當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)31及第二開關(guān)32成為關(guān)閉狀態(tài)時，應(yīng)借助于第二線圈驅(qū)動IC120的輸出端子BOUTl、B0UT2輸出的電壓，使得電流不從第二輸出端子A0UT2通過第二開關(guān)32向第二上側(cè)晶體管TH2的源極側(cè)流動。為此，可以利用在第二開關(guān)32的源極與漏極之間形成的寄生二極管(DMOS Parasitic D1de)D2。寄生二極管D2的陽極與陰極分別連接于第二開關(guān)32的源極及漏極。
[0042]根據(jù)柵極驅(qū)動部12的輸出端子GSl及輸出端子GS2輸出的信號，如果第一開關(guān)31及第二開關(guān)32成為關(guān)閉狀態(tài)，那么，第一線圈驅(qū)動IC 110的第一輸出端子AOUTl與第二輸出端子A0UT2成為從第一線圈驅(qū)動IC 110的內(nèi)部電路懸浮的狀態(tài)。由于在第一開關(guān)31的源極與漏極之間形成的寄生二極管Dl的陰極連接于第一輸出端子AOUTl，因而電流不從第一輸出端子AOUTl通過寄生二極管Dl流動。同樣地，由于在第二開關(guān)32的源極與漏極之間形成的寄生二極管D2的陰極連接于第二輸出端子A0UT2，因而電流不從第二輸出端子A0UT2通過寄生二極管D2流動。
[0043]在第一線圈驅(qū)動IC110中包括的第一開關(guān)31及在第二開關(guān)32中形成的寄生二極管D1、D2，在第一線圈驅(qū)動IC 110與第二線圈驅(qū)動IC 120共享線圈130時，無論第二線圈驅(qū)動IC 120的輸出端子B0UT1、B0UT2具有何種電壓，均發(fā)揮切斷至第一線圈驅(qū)動IC 110內(nèi)部的電流路徑及至連接于第一線圈驅(qū)動IC 110的VCC的電流路徑的作用。
[0044]根據(jù)所述構(gòu)成，在第二線圈驅(qū)動IC120具有對線圈130的獨占性控制權(quán)時，可以使得第一線圈驅(qū)動IC 110不因線圈130兩端的電壓而進(jìn)行異常運轉(zhuǎn)。使得第一線圈驅(qū)動IC110及第二線圈驅(qū)動IC 120中的哪一者具有對線圈130的獨占性控制權(quán)，可以由未圖示的另外的控制裝置決定。
[0045]此時，當(dāng)把線圈共享電路裝置300用于進(jìn)行無線通信的系統(tǒng)時，也會需要通過線圈130，使數(shù)安培的大電流流動。此時，作為用于使大電流順利流動的半導(dǎo)體元件，可以使用DMOSCDeplet1n Metal Oxide Semiconductor，耗盡型金屬氧化物半導(dǎo)體)元件。例如，DMOS元件可以借助于普通B⑶(B ipo I ar、CMOS、DMOS )工序而制作。此時，可以制作DMOS，使得所述DMOS的漏極與源極之間的電壓為數(shù)V、數(shù)十V或數(shù)百V。而且，控制部11可以使得以低電壓(Low Voltage)運轉(zhuǎn)。
[0046]在圖3中，晶體管TH1、TL1、TH2、TL2可以使用DMOS元件。此時，在使用DMOS元件方面，Vm雖然可以使用高電壓，但Vrz的范圍為5V左右，因而在DMOS元件的控制上有困難。因此，在圖3的本發(fā)明一個實施例中，為了減小芯片尺寸，上側(cè)晶體管ΤΗ1、ΤΗ2可以使用并非PMOS的NMOSt3NMOS的驅(qū)動電流能力會比PMOS的驅(qū)動電流能力大約2.5倍，因而如果使用NMOS作為上側(cè)晶體管THl、ΤΗ2，那么與使用PMOS相比，具有能夠使芯片尺寸減小2.5倍左右的效果O
[0047]在圖3的第二線圈驅(qū)動IC 120中，如圖1及圖2所示，既可以在第二線圈驅(qū)動IC 120的外部連接有一個以上的負(fù)載開關(guān)20，也可以象圖3所示的第一線圈驅(qū)動IC 110—樣，在內(nèi)部具備開關(guān)30。
[0048]下面一同參照圖4及圖5，說明本發(fā)明另一實施例的線圈共享電路裝置400。
[0049]圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的線圈共享電路裝置400的圖。
[0050]圖5是顯示在圖4所示的根據(jù)本發(fā)明另一實施例的線圈共享電路裝置400中，第一線圈驅(qū)動IC 110的各晶體管的開啟/關(guān)閉狀態(tài)及柵極驅(qū)動部12的各輸出端子的電壓大小的表。此時，圖5的a顯示第一電流Il通過第一電流流動路徑41流動的情形，圖5的b顯示第二電流12通過第二電流流動路徑42流動的情形。
[0051]如果比較圖4所示的線圈共享電路裝置400與圖3所示的線圈共享電路裝置300進(jìn)行說明，在圖4所示的線圈共享電路裝置400的柵極驅(qū)動部12，可以還包括圖3所示柵極驅(qū)動部120中的電荷栗(Charge pump) 14。由此，可以使得通過柵極驅(qū)動部12的各輸出端子GHl、GL1、GH2、GL2、GS1、GS2輸出的信號利用電荷栗14而生成。
[0052]例如，如圖4及圖5的a所示，為了第一電流11通過第一電流流動路徑41而流動，應(yīng)使第一開關(guān)SWl為開啟(ON)狀態(tài)、第一上側(cè)晶體管THl為開啟狀態(tài)、第一下側(cè)晶體管TLl為關(guān)閉(OFF)狀態(tài)、第二開關(guān)SW2為開啟狀態(tài)、第二上側(cè)晶體管TH2為關(guān)閉狀態(tài)、第二下側(cè)晶體管TL2為開啟狀態(tài)。此時，優(yōu)選輸出端子GSl、GH1具有輸入電壓VCC的2倍電壓2VCC，輸出端子GS2、GL2具有與輸入電壓VCC相同大小的電壓，輸出端子GL1、GH2具有0V。
[0053]相反，如圖4及圖5的b所示，為了第二電流12通過第二電流流動路徑42流動，應(yīng)使第一開關(guān)SWl為開啟狀態(tài)、第一上側(cè)晶體管THl為關(guān)閉狀態(tài)、第一下側(cè)晶體管TLl為開啟狀態(tài)、第二開關(guān)SW2為開啟狀態(tài)、第二上側(cè)晶體管TH2為開啟狀態(tài)、第二下側(cè)晶體管TL2為關(guān)閉狀態(tài)。此時，優(yōu)選輸出端子GS2、GH2具有輸入電壓VCC的2倍電壓2VCC，輸出端子GSUGLl具有與輸入電壓VCC相同大小的電壓，輸出端子GHl、GL2具有OV。
[0054]此時，使得利用分別連接于輸出端子GSl、GH1或輸出端子GS2、GH2的電荷栗140而生成信號，從而可以提供輸入電壓VCC的2倍電壓2VCC。
[0055]此時，為了控制下側(cè)晶體管TL1、TL2，雖然只需要OV或電壓VCC，但為了準(zhǔn)確匹配非重疊時相(Non-over lap)區(qū)間的時間，會需要電荷栗14。
[0056]下面一同參照圖3至圖5，對本發(fā)明又一實施例的線圈驅(qū)動IC110進(jìn)行說明。
[0057]本發(fā)明又一實施例的線圈驅(qū)動IC110，作為具有分別連接于線圈130的一端及另一端的第一輸出端子AOUTI與第二輸出端子A0UT2的線圈驅(qū)動IC，可以包括:第一開關(guān)31，其連接于所述第一輸出端子AOUTl;第二開關(guān)32，其連接于第二輸出端子A0UT2;電流驅(qū)動部13，其包括通過第一開關(guān)31連接于第一輸出端子AOUTl的第一電流端子301及通過第二開關(guān)32連接于第二輸出端子A0UT2的第二電流端子302;及柵極驅(qū)動部12，其在利用第一電流端子301或第二電流端子302提供的電流驅(qū)動線圈130時，把第一開關(guān)31及第二開關(guān)32控制為開啟狀態(tài)，否則，把第一開關(guān)31及第二開關(guān)32控制為關(guān)閉狀態(tài)。
[0058]此時，電流驅(qū)動部13可以包括第一上側(cè)晶體管THl、第一下側(cè)晶體管TLl、第二上側(cè)晶體管TH2、及第二下側(cè)晶體管TL2。此時，第一上側(cè)晶體管THl的源極可以連接于第一下側(cè)晶體管TLl的漏極，第二上側(cè)晶體管TH2的源極可以連接于第二下側(cè)晶體管TL2的漏極。此時，第一電流端子301可以是第一上側(cè)晶體管THl的源極，第二電流端子302可以是第二上側(cè)晶體管TH2的源極。
[0059]此時，施加于第一上側(cè)晶體管TH1、第一下側(cè)晶體管TL1、第二上側(cè)晶體管TH2、及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極的電壓，可以分別借助于柵極驅(qū)動部12而控制。
[0060]而且，第一開關(guān)31及第二開關(guān)32分別由DMOS構(gòu)成，施加于第一開關(guān)31及第二開關(guān)32的柵極的電壓，可以分別借助于柵極驅(qū)動部12而控制。
[0061]此時，當(dāng)把第一開關(guān)31及第二開關(guān)32控制為開啟狀態(tài)時，可以在第一開關(guān)31的柵極及第一上側(cè)晶體管THl的柵極，施加線圈驅(qū)動IC 110的運轉(zhuǎn)電壓的兩倍的電壓，在第二開關(guān)32的柵極及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極，施加線圈驅(qū)動IC 110的運轉(zhuǎn)電壓，而且，在第一下側(cè)晶體管TLl的柵極及第二上側(cè)晶體管TH2的柵極，施加接地電壓?；蛘?，可以在第二開關(guān)32的柵極及第二上側(cè)晶體管TH2的柵極，施加線圈驅(qū)動IC 110的運轉(zhuǎn)電壓的兩倍的電壓，在第一開關(guān)31的柵極及第一下側(cè)晶體管TLl的柵極，施加線圈驅(qū)動IC 110的運轉(zhuǎn)電壓，而且，在第一上側(cè)晶體管THl的柵極及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極，施加接地電壓。
[0062]此時，施加于第一上側(cè)晶體管TH1、第一下側(cè)晶體管TL1、第二上側(cè)晶體管TH2、第二下側(cè)晶體管TL2、第一開關(guān)31及、第二開關(guān)32的柵極的電壓，可以借助于柵極驅(qū)動部12包括的電荷栗14而生成。
[0063]此時，第一開關(guān)31及第二開關(guān)32可以分別由DMOS構(gòu)成。此時，第一開關(guān)31的源極及漏極可以分別連接于第一電流端子301及第一輸出端子AOUTl，第二開關(guān)32的源極及漏極可以分別連接于第二電流端子302及第二輸出端子A0UT2。此時，在第一開關(guān)31的源極及漏極之間，可以形成有負(fù)極連接于所述漏極的第一二極管，在第二開關(guān)32的源極及漏極之間，可以形成有負(fù)極連接于所述漏極的第二二極管。
[0064]此時，第一上側(cè)晶體管THl及第二上側(cè)晶體管TH2可以為NMOS。
[0065]此時，在使電流從線圈130的一端流向另一端時，可以使得第一開關(guān)31的柵極電壓大于第二開關(guān)32的柵極電壓及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極電壓，第一上側(cè)晶體管THl的柵極電壓大于第二開關(guān)32的柵極電壓及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極電壓。而且，可以使得第二開關(guān)32的柵極電壓大于第一下側(cè)晶體管TLl的柵極電壓及第二上側(cè)晶體管TH2的柵極電壓，第二下側(cè)晶體管TL2的柵極電壓大于第一下側(cè)晶體管TLl的柵極電壓及第二上側(cè)晶體管TH2的柵極電壓。
[0066]另一方面，在使電流從線圈130的另一端流向一端時，可以使得第二開關(guān)32的柵極電壓大于第一開關(guān)31的柵極電壓及第一下側(cè)晶體管TLl的柵極電壓，第二上側(cè)晶體管TH2的柵極電壓大于第一開關(guān)31的柵極電壓及第一下側(cè)晶體管TLl的柵極電壓。而且，可以使得第一開關(guān)31的柵極電壓大于第一上側(cè)晶體管THl的柵極電壓及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極電壓，第一下側(cè)晶體管TLl的柵極電壓大于第一上側(cè)晶體管THl的柵極電壓及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極電壓。
[0067]下面一同參照圖3至圖5，對根據(jù)本發(fā)明又一實施例的線圈共享電路裝置進(jìn)行說明。
[0068]根據(jù)本發(fā)明又一實施例的線圈共享電路裝置可以包括:線圈130;第一線圈驅(qū)動IC110，其具有分別連接于線圈130的一端及另一端的第一輸出端子AOUTl及第二輸出端子A0UT2;及第二線圈驅(qū)動IC 120，其連接于線圈130的兩端。
[0069]此時，第一線圈驅(qū)動IC110可以包括:第一開關(guān)31，其連接于第一輸出端子AOUTl ；第二開關(guān)32，其連接于第二輸出端子A0UT2 ；電流驅(qū)動部130，其包括通過第一開關(guān)31連接于第一輸出端子AOUTl的第一電流端子301及通過第二開關(guān)32連接于第二輸出端子A0UT2的第二電流端子302;及柵極驅(qū)動部12，其在利用第一電流端子301或第二電流端子302提供的電流驅(qū)動線圈130時，把第一開關(guān)31及第二開關(guān)32控制為開啟狀態(tài)，否則，把第一開關(guān)31及第二開關(guān)32控制為關(guān)閉狀態(tài)。
[0070]此時，電流驅(qū)動部13可以包括第一上側(cè)晶體管THl、第一下側(cè)晶體管TLl、第二上側(cè)晶體管TH2及第二下側(cè)晶體管TL2。此時，第一上側(cè)晶體管THl的源極可以連接于第一下側(cè)晶體管TLl的漏極，第二上側(cè)晶體管TH2的源極可以連接于第二下側(cè)晶體管TL2的漏極，第一電流端子301為第一上側(cè)晶體管THl的源極，第二電流端子302為第二上側(cè)晶體管TH2的源極。
[0071]此時，第一開關(guān)31及第二開關(guān)32可以分別由DMOS構(gòu)成，第一開關(guān)31的源極及漏極分別連接于第一電流端子301及第一輸出端子AOUTl，第二開關(guān)32的源極及漏極分別連接于第二電流端子302及第二輸出端子A0UT2，在第一開關(guān)31的源極及漏極之間，形成有負(fù)極連接于所述漏極的第一二極管Dl，在第二開關(guān)32的源極及漏極之間，形成有負(fù)極連接于所述漏極的第二二極管D2。
[0072]此時，在使電流從線圈130的一端流向另一端時，可以使得第一開關(guān)31的柵極電壓大于第二開關(guān)32的柵極電壓及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極電壓，第一上側(cè)晶體管THl的柵極電壓大于第二開關(guān)32的柵極電壓及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極電壓。而且，可以使得第二開關(guān)32的柵極電壓大于第一下側(cè)晶體管TLl的柵極電壓及第二上側(cè)晶體管TH2的柵極電壓，第二下側(cè)晶體管TL2的柵極電壓大于第一下側(cè)晶體管TLl的柵極電壓及第二上側(cè)晶體管TH2的柵極電壓。
[0073]另一方面，在使電流從線圈130的另一端流向一端時，可以使得第二開關(guān)32的柵極電壓大于第一開關(guān)31的柵極電壓及第一下側(cè)晶體管TLl的柵極電壓，第二上側(cè)晶體管TH2的柵極電壓大于第一開關(guān)31的柵極電壓及第一下側(cè)晶體管TLl的柵極電壓。而且，可以使得第一開關(guān)31的柵極電壓大于第一上側(cè)晶體管THl的柵極電壓及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極電壓，第一下側(cè)晶體管TLl的柵極電壓大于第一上側(cè)晶體管THl的柵極電壓及第二下側(cè)晶體管TL2的柵極電壓。
[0074]利用所述本發(fā)明的實施例，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在不超出本發(fā)明的本質(zhì)特性的范圍內(nèi)，可以容易地實施多樣的變形及修訂。權(quán)利要求書的各權(quán)利要求項的內(nèi)容在能夠通過本說明書而理解的范圍內(nèi)，可以結(jié)合于無引用關(guān)系的其它權(quán)利要求項。
【主權(quán)項】
1.一種線圈驅(qū)動1C，作為具有使得分別連接于線圈的一端及另一端的第一輸出端子與第二輸出端子的線圈驅(qū)動1C，其中，包括: 第一開關(guān)，其連接于所述第一輸出端子； 第二開關(guān)，其連接于所述第二輸出端子； 電流驅(qū)動部，其包括通過所述第一開關(guān)而連接于所述第一輸出端子的第一電流端子及通過所述第二開關(guān)而連接于所述第二輸出端子的第二電流端子;及 柵極驅(qū)動部，其在利用所述第一電流端子或所述第二電流端子提供的電流而驅(qū)動所述線圈時，把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為開啟狀態(tài)，否則，把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為關(guān)閉狀態(tài)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈驅(qū)動1C，其中， 所述電流驅(qū)動部包括第一上側(cè)晶體管、第一下側(cè)晶體管、第二上側(cè)晶體管、及第二下側(cè)晶體管， 所述第一上側(cè)晶體管的源極連接于所述第一下側(cè)晶體管的漏極， 所述第二上側(cè)晶體管的源極連接于所述第二下側(cè)晶體管的漏極， 所述第一電流端子為所述第一上側(cè)晶體管的源極， 所述第二電流端子為所述第二上側(cè)晶體管的源極。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線圈驅(qū)動IC，其中， 施加于所述第一上側(cè)晶體管、所述第一下側(cè)晶體管、所述第二上側(cè)晶體管、及所述第二下側(cè)晶體管的柵極的電壓，分別借助于所述柵極驅(qū)動部而控制， 所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)分別由DMOS構(gòu)成，施加于所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)的柵極的電壓分別借助于所述柵極驅(qū)動部而控制。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的線圈驅(qū)動IC，其中， 在把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為開啟狀態(tài)時， 在所述第一開關(guān)的柵極及所述第一上側(cè)晶體管的柵極，施加所述線圈驅(qū)動IC的運轉(zhuǎn)電壓的兩倍的電壓，在所述第二開關(guān)的柵極及所述第二下側(cè)晶體管的柵極，施加所述線圈驅(qū)動IC的運轉(zhuǎn)電壓，而且，在所述第一下側(cè)晶體管的柵極及所述第二上側(cè)晶體管的柵極，施加接地電壓，或者， 在所述第二開關(guān)的柵極及所述第二上側(cè)晶體管的柵極，施加所述線圈驅(qū)動IC的運轉(zhuǎn)電壓的兩倍的電壓，在所述第一開關(guān)的柵極及所述第一下側(cè)晶體管的柵極，施加所述線圈驅(qū)動IC的運轉(zhuǎn)電壓，而且，在所述第一上側(cè)晶體管的柵極及所述第二下側(cè)晶體管的柵極，施加接地電壓。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的線圈驅(qū)動IC，其中， 施加于所述第一上側(cè)晶體管、所述第一下側(cè)晶體管、所述第二上側(cè)晶體管、所述第二下側(cè)晶體管、所述第一開關(guān)、及所述第二開關(guān)的柵極的電壓，借助于所述柵極驅(qū)動部所包括的電荷栗而生成。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈驅(qū)動1C，其中， 所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)分別由DMOS構(gòu)成， 所述第一開關(guān)的源極及漏極分別連接于所述第一電流端子及所述第一輸出端子， 所述第二開關(guān)的源極及漏極分別連接于所述第二電流端子及所述第二輸出端子， 在所述第一開關(guān)的源極及漏極之間，形成有負(fù)極連接于所述漏極的第一二極管， 在所述第二開關(guān)的源極及漏極之間，形成有負(fù)極連接于所述漏極的第二二極管。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線圈驅(qū)動IC，其中， 所述第一上側(cè)晶體管及所述第二上側(cè)晶體管為NMOS。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線圈驅(qū)動IC，其中， 在使電流從所述線圈的一端流向另一端時， 使得所述第一開關(guān)的柵極電壓大于所述第二開關(guān)的柵極電壓及所述第二下側(cè)晶體管的柵極電壓，所述第一上側(cè)晶體管的柵極電壓大于所述第二開關(guān)的柵極電壓及所述第二下側(cè)晶體管的柵極電壓， 使得所述第二開關(guān)的柵極電壓大于所述第一下側(cè)晶體管的柵極電壓及所述第二上側(cè)晶體管的柵極電壓，所述第二下側(cè)晶體管的柵極電壓大于所述第一下側(cè)晶體管的柵極電壓及所述第二上側(cè)晶體管的柵極電壓。9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線圈驅(qū)動IC，其中， 在使電流從所述線圈的另一端流向一端時， 使得所述第二開關(guān)的柵極電壓大于所述第一開關(guān)的柵極電壓及所述第一下側(cè)晶體管的柵極電壓，所述第二上側(cè)晶體管的柵極電壓大于所述第一開關(guān)的柵極電壓及所述第一下側(cè)晶體管的柵極電壓， 能夠使得所述第一開關(guān)的柵極電壓大于所述第一上側(cè)晶體管的柵極電壓及所述第二下側(cè)晶體管的柵極電壓，所述第一下側(cè)晶體管的柵極電壓大于所述第一上側(cè)晶體管的柵極電壓及所述第二下側(cè)晶體管的柵極電壓。10.—種線圈共享電路裝置，其中， 包括線圈、具有分別連接于所述線圈的一端及另一端的第一輸出端子及第二輸出端子的第一線圈驅(qū)動1C、及連接于所述線圈的兩端的第二線圈驅(qū)動1C， 所述第一線圈驅(qū)動IC包括: 連接于所述第一輸出端子的第一開關(guān)； 連接于所述第二輸出端子的第二開關(guān)； 電流驅(qū)動部，其包括通過所述第一開關(guān)而連接于所述第一輸出端子的第一電流端子及通過所述第二開關(guān)連接于所述第二輸出端子的第二電流端子;及 柵極驅(qū)動部，其在利用所述第一電流端子或所述第二電流端子提供的電流而驅(qū)動所述線圈時，把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為開啟狀態(tài)，否則，把所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)控制為關(guān)閉狀態(tài)。
【文檔編號】G06K7/08GK106066978SQ201610255079
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年4月22日 公開號201610255079.1, CN 106066978 A, CN 106066978A, CN 201610255079, CN-A-106066978, CN106066978 A, CN106066978A, CN201610255079, CN201610255079.1
【發(fā)明人】林智洙, 楚大烈, 李真宇, 李龍熙
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