平板探測(cè)器的壞點(diǎn)校正方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及圖像處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種平板探測(cè)器的壞點(diǎn)校正方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在許多領(lǐng)域，均需使用到平板探測(cè)器，例如，在數(shù)字化攝片中，X線能量轉(zhuǎn)換成電信號(hào)是通過平板探測(cè)器來實(shí)現(xiàn)的，所以平板探測(cè)器的特性會(huì)對(duì)DR圖像質(zhì)量產(chǎn)生比較大的影響，選擇DR必然要考慮到平板探測(cè)器的因素，醫(yī)院也應(yīng)當(dāng)根據(jù)實(shí)際需要選擇適合自己的平板探測(cè)器。
[0003]在平板探測(cè)器中，當(dāng)某一像元對(duì)于X射線不響應(yīng)或者響應(yīng)異常時(shí)，將此類探測(cè)器像元稱為壞點(diǎn)。具體地說，壞點(diǎn)是指不隨感光變化，始終呈現(xiàn)一種顏色(例如，白色、黑色或彩色)的像素點(diǎn)，從而破壞了高清圖像的清晰圖和完整性。平板探測(cè)器中壞點(diǎn)的存在是圖像質(zhì)量下降的原因之一，并且，由于壞點(diǎn)的增多，低噪環(huán)境下圖像會(huì)更加差，容易影響平板探測(cè)器的正常使用和成像。
[0004]如上所述，當(dāng)平板探測(cè)器中存在壞點(diǎn)時(shí)，會(huì)使采集到的數(shù)據(jù)發(fā)生異常，進(jìn)而使重建圖像中出現(xiàn)噪聲以及偽影，大大降低了圖像質(zhì)量，因此在成像完成后需要對(duì)平板探測(cè)器進(jìn)行壞點(diǎn)校正。但是，現(xiàn)有的校正方法基本是對(duì)檢測(cè)出的壞點(diǎn)直接進(jìn)行校正，其校正難度較大，且不具有高準(zhǔn)確性，嚴(yán)重影響著平板探測(cè)器成像的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為提高壞點(diǎn)校正的準(zhǔn)確性，本發(fā)明提供了一種平板探測(cè)器的壞點(diǎn)校正方法，包括:
[0006]對(duì)平板探測(cè)器進(jìn)行壞點(diǎn)識(shí)別；
[0007]遍歷所述平板探測(cè)器的所有壞點(diǎn)，將第一半徑的壞點(diǎn)簇以及第一長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線定義為第一類壞點(diǎn)；將孤立壞點(diǎn)、第二半徑的壞點(diǎn)簇以及第二長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線定義為第二類壞點(diǎn)；其中，所述第二長(zhǎng)度小于所述第一長(zhǎng)度，所述第二半徑小于所述第一半徑；
[0008]對(duì)所述第一類壞點(diǎn)與所述第二類壞點(diǎn)分別進(jìn)行校正。
[0009]可選地，先校正所述第二類壞點(diǎn)，再校正所述第一類壞點(diǎn)。
[0010]可選地，對(duì)所述第一類壞點(diǎn)進(jìn)行校正時(shí)，先校正所述第一半徑的壞點(diǎn)簇，再校正所述第一長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線。
[0011 ] 可選地，校正所述第二類壞點(diǎn)的方法包括:
[0012]采用所述第二類壞點(diǎn)周圍3X3像素范圍內(nèi)的所有正常像素的平均像素值對(duì)壞點(diǎn)像素進(jìn)行修正。
[0013]可選地，所述第二半徑的壞點(diǎn)簇是指以一壞點(diǎn)為中心的3X3像素鄰域范圍內(nèi)具有其他壞點(diǎn)，并且緊鄰所述3X3像素鄰域的外圍像素不具有其他壞點(diǎn)的壞點(diǎn)簇。
[0014]可選地，所述第一半徑的壞點(diǎn)簇是指以一壞點(diǎn)為中心的3X3像素鄰域范圍內(nèi)具有其他壞點(diǎn)，并且緊鄰所述3X3像素鄰域的外圍像素也具有其他壞點(diǎn)的壞點(diǎn)簇。
[0015]可選地，所述第一長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線是指同一行或列上長(zhǎng)度大于該行像素一半，并且該行或列相鄰兩行或列相對(duì)應(yīng)的位置不存在壞點(diǎn)的壞點(diǎn)線。
[0016]可選地，所述第二長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線是指同一行或者列上的連續(xù)長(zhǎng)度大于3個(gè)像素且小于等于該行或列像素一半，并且該行或列相鄰的兩行或列相對(duì)應(yīng)的位置不存在壞點(diǎn)的壞點(diǎn)線。
[0017]可選地，校正所述第一類壞點(diǎn)中第一半徑的壞點(diǎn)簇的方法是雙線性插值法。
[0018]可選地，所述雙線性插值法包括:首先初始化壞點(diǎn)雙線性插值模板的大小為3X3像素，判斷模板四個(gè)端點(diǎn)像素是否為正常像素，如果是則采用四個(gè)端點(diǎn)像素值得平均作為校正值，如果不是，則增大雙線性插值的模板大小，直到四個(gè)端點(diǎn)的像素點(diǎn)都為正常像素。
[0019]可選地，校正所述第一類壞點(diǎn)中第一長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線的方法是三樣條插值法。
[0020]可選地，當(dāng)所述第一長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線位于圖像邊界時(shí)，校正所述第一長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線的方法是，采用與所述第一長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線相鄰點(diǎn)的正常像素值對(duì)壞點(diǎn)線進(jìn)行替換。
[0021]可選地，對(duì)于所述第一長(zhǎng)度的水平壞點(diǎn)線的校正，采用豎直方向的樣條插值法；對(duì)于所述第一長(zhǎng)度的豎直壞點(diǎn)線的校正，采用水平方向的樣條插值法。
[0022]可選地，進(jìn)行所述壞點(diǎn)識(shí)別的方法包括:
[0023]在所述平板探測(cè)器中分別輸入某一掃描劑量下采集的多幅暗場(chǎng)、亮場(chǎng)和增益系數(shù)圖像數(shù)據(jù)，得出平均暗場(chǎng)圖像、平均亮場(chǎng)圖像和增益系數(shù)矩陣；
[0024]分別根據(jù)所述平均暗場(chǎng)圖像、平均亮場(chǎng)圖像以及增益系數(shù)矩陣的灰度直方圖計(jì)算出三種壞像素的判斷范圍，所述三種壞像素包括暗電流超界壞像素、不穩(wěn)定壞像素以及響應(yīng)超界壞像素；以及
[0025]根據(jù)所述三種壞像素的判斷范圍分別遍歷暗場(chǎng)、亮場(chǎng)以及增益系數(shù)圖像的像素點(diǎn)，得出并標(biāo)記所有壞點(diǎn)。
[0026]本發(fā)明提供的平板探測(cè)器的壞點(diǎn)校正方法，對(duì)平板探測(cè)器進(jìn)行壞點(diǎn)識(shí)別以得出壞點(diǎn)圖像，將所有壞點(diǎn)分為第一類壞點(diǎn)和第二類壞點(diǎn)，并分別采取不同的方法校正第一類壞點(diǎn)和第二類壞點(diǎn)。此方法對(duì)相對(duì)獨(dú)立的壞點(diǎn)和相對(duì)集中的壞點(diǎn)分別采取不同的方法進(jìn)行校正，可以降低校正難度，提高校正的準(zhǔn)確性。
【附圖說明】
[0027]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例所述的平板探測(cè)器的壞點(diǎn)校正方法的流程圖。
[0028]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例所述的平板探測(cè)器的壞點(diǎn)校正方法中第二半徑的壞點(diǎn)簇的示意圖。
[0029]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例所述的平板探測(cè)器的壞點(diǎn)校正方法中第一半徑的壞點(diǎn)簇的示意圖。
[0030]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例所述的平板探測(cè)器的壞點(diǎn)校正方法中第二長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線的示意圖。
[0031]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例所述的平板探測(cè)器的壞點(diǎn)校正方法中第一長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線的示意圖。
[0032]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例所述的平板探測(cè)器的壞點(diǎn)校正方法中壞點(diǎn)識(shí)別方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面的說明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0034]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)涉及的問題，發(fā)明人提出針對(duì)平板探測(cè)器中不同種類的壞點(diǎn)采用不同的方法進(jìn)行校正，具體是將平板探測(cè)器上的壞點(diǎn)進(jìn)行分類，基本標(biāo)準(zhǔn)是區(qū)分出較為獨(dú)立的壞點(diǎn)和較為集中的壞點(diǎn)，再采取不同的方法對(duì)較為獨(dú)立的壞點(diǎn)和較為集中的壞點(diǎn)進(jìn)行校正，如此，可以降低校正難度，提高校正的準(zhǔn)確性。
[0035]優(yōu)選方案中，先校正較為獨(dú)立的壞點(diǎn)再校正較為集中的壞點(diǎn)。壞點(diǎn)的校正順序?qū)τ谛ＵЧ兄^大影響。由于較為獨(dú)立的壞點(diǎn)和較為集中的壞點(diǎn)校正難度相對(duì)較低，而且先將較為獨(dú)立的壞點(diǎn)校正完成后，圖像上僅剩下分布較為集中的壞點(diǎn)，能夠降低校正難度，提高校正的準(zhǔn)確性。當(dāng)然，本發(fā)明并不限定壞點(diǎn)的校正順序，在其他實(shí)施例中，亦可以先校正較為集中的壞點(diǎn)再校正較為獨(dú)立的壞點(diǎn)。
[0036]如圖1所示，首先對(duì)平板探測(cè)器進(jìn)行壞點(diǎn)識(shí)別并根據(jù)識(shí)別結(jié)果生成對(duì)應(yīng)的平板探測(cè)器壞點(diǎn)點(diǎn)位圖(圖1未示出)，遍歷待校正平板探測(cè)器的壞點(diǎn)點(diǎn)位圖時(shí)，依次判斷所有的點(diǎn)是否為壞點(diǎn)并確認(rèn)判斷為壞點(diǎn)的壞點(diǎn)類型，然后對(duì)不同類型的壞點(diǎn)進(jìn)行不同的標(biāo)記(例如不同的壞點(diǎn)標(biāo)記不同的數(shù)字，若不是壞點(diǎn)則標(biāo)記為零)，并以此生成壞點(diǎn)模板圖。之后，依據(jù)壞點(diǎn)模板圖中對(duì)壞點(diǎn)的分類采用不同的方法對(duì)不同的壞點(diǎn)進(jìn)行校正。
[0037]在一具體實(shí)施例中，可以將上述較為獨(dú)立的壞點(diǎn)和較為集中的壞點(diǎn)進(jìn)行進(jìn)一步分類，再分別采用不同的方法進(jìn)行校正。例如將孤立壞點(diǎn)、第二半徑的壞點(diǎn)簇、以及第二長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線定義為第二類壞點(diǎn)；所述將第一半徑的壞點(diǎn)簇以及第一長(zhǎng)度的壞點(diǎn)線定義為第一類壞點(diǎn)；其中，上述的第二長(zhǎng)度小于所述第一長(zhǎng)度，所述第二半徑小于所述第一半徑。上述分類的目的是將壞點(diǎn)簇分為大壞點(diǎn)簇和小壞點(diǎn)簇，將壞點(diǎn)線分為長(zhǎng)壞點(diǎn)線和短壞點(diǎn)線，以采取不同的方法進(jìn)行校正。
[0038]例如，第二半徑的壞點(diǎn)簇如圖2所示，是指以一壞點(diǎn)為中心的3X3像素鄰域范圍內(nèi)具有其他壞點(diǎn)，并且緊鄰所述3X3像素鄰域的外圍像素不具有其他壞點(diǎn)的壞點(diǎn)簇。
[0039]所述第一半徑的壞點(diǎn)簇如