220對兩個感測線Dl、D2的感測信號之間的差值進(jìn)行感測以生成差分感測信號DS_0。噪聲檢測單元230生成第一噪聲檢測信號S_B和第二噪聲檢測信號S_BB，其中，第一噪聲檢測信號S_B和第二噪聲檢測信號S_BB在兩個感測線Dl、D2中的至少一個施加有噪聲時生效。第二噪聲檢測信號S_BB是與第一噪聲檢測信號S_B具有相同大小并且與第一噪聲檢測信號S_B具有相反相位的信號。延遲單元240響應(yīng)于第一噪聲檢測信號S_B和第二噪聲檢測信號S_BB在每個周期存儲差分感測信號DS_0以用于延遲，并且向積分單元250傳輸或阻擋在前一個周期存儲的差分感測信號DS_0。積分單元250輸出通過對由延遲單元240傳輸?shù)牟罘指袦y信號Del_0積分而獲得的值S_R0。
[0108]圖13是圖12的實施方式的詳細(xì)電路圖。
[0109]在圖13中，差分感測單元220生成與兩個感測線D1、D2的感測信號之間的差值相對應(yīng)的差分感測信號DS_0，并且可以根據(jù)輸入/輸出特性通過各種形式的電路來實施。在圖13中，差分感測單元220可以包括用于生成與輸入至差分感測器221的正輸入端子(+)和負(fù)輸入端子(_)的電荷之間的差值相對應(yīng)的差分感測信號DS_0的差分感測器221。
[0110]噪聲檢測單元230可以包括比較器231、或非門232、時鐘生成器233、延遲單元234、D觸發(fā)器235、SR觸發(fā)器236以及D觸發(fā)器237。
[0111]比較器231生成比較電壓OH和比較電壓0L，其中，比較電壓OH和比較電壓OL的值是根據(jù)兩個感測線Dl、D2的感測信號是否落入在最高電壓VH和最低電壓VL的預(yù)定范圍內(nèi)來確定的。為此，比較器231可以使用多輸入窗口比較器(Mult1-1nput windowComparator)來配置。
[0112]或非門232在比較電壓OH和比較電壓OL上執(zhí)行邏輯或，反置邏輯或的結(jié)果，并輸出反置的結(jié)果。
[0113]時鐘生成器233使用由或非門232輸出的信號生成作為兩相非重疊(two phasenon-overlapping)信號的第一時鐘信號CLK和第二時鐘信號CLKB。
[0114]延遲單元234可以具有以特定時間延遲第一時鐘信號CLK和第二時鐘信號CLLK中的一個的結(jié)構(gòu)。圖13示出了第一時鐘信號CLK被延遲。
[0115]D觸發(fā)器235通過第二時鐘信號CLKB重置。D觸發(fā)器235具有供操作電壓VDD施加的輸入端子D，并且具有供第三時鐘信號CLKl施加的時鐘輸入端子。
[0116]SR觸發(fā)器236具有供由延遲單元234輸出的信號施加的設(shè)置輸入端子S，并且具有供由D觸發(fā)器235的輸出端子輸出的信號施加的重置輸入端子R。
[0117]D觸發(fā)器237具有供由SR觸發(fā)器的輸出端子Q輸出的信號施加的輸入端子D，并且具有供第四時鐘信號CLK2施加的時鐘端子。D觸發(fā)器237具有輸出第一噪聲檢測信號S_B的輸出端子Q，并且具有輸出第二噪聲檢測信號S_BB的輸出端子QB。
[0118]在這種情況中，第三時鐘信號CLKl和第四時鐘信號CLK2的周期可以是積分周期的兩倍。第四時鐘信號CLK2的相位優(yōu)選為比第三時鐘信號的相位提前特定時間。
[0119]根據(jù)這種配置，噪聲檢測單元230輸出與延遲了一個周期的兩個感測線Dl、D2的感測信號相對應(yīng)的第一噪聲檢測信號S_B以及第二噪聲檢測信號S_BB。
[0120]延遲單元240可以包括放大器241、延遲電容器Cpd1、Cpd2W及開關(guān)Sll至S20。
[0121]放大器241具有供差分感測信號DS_0施加的負(fù)輸入端子(_)，并且具有供基準(zhǔn)電壓Vref施加的正輸入端子。延遲電容器CpdJP Cpd2并聯(lián)地配置在放大器241的負(fù)輸入端子(-)和輸出端子之間。開關(guān)Sll連接在放大器241的負(fù)輸入端子(_)和延遲電容器CPD12間，并且響應(yīng)于第二引導(dǎo)信號2對差分感測信號DS_0至延遲電容器Cpdi的傳輸進(jìn)行開關(guān)。開關(guān)S14連接在放大器241的負(fù)輸入端子(_)和延遲電容器Cpd2之間，并且響應(yīng)于第一引導(dǎo)信號I對差分感測信號DS_0至延遲電容器Cpd2的傳輸進(jìn)行開關(guān)。開關(guān)S13響應(yīng)于第一引導(dǎo)信號I對接地電壓至延遲電容器Cpdi的施加進(jìn)行開關(guān)。開關(guān)S16響應(yīng)于第二引導(dǎo)信號2對接地電壓至延遲電容器Cpd2的施加進(jìn)行開關(guān)。開關(guān)S12連接在放大器241的輸出端子和延遲電容器Cpdi之間，并且響應(yīng)于第二引導(dǎo)信號2對用于將差分感測信號DS_0存儲在延遲電容器Cpdi中的路徑進(jìn)行開關(guān)。開關(guān)S15連接在放大器241的輸出端子和延遲電容器Cpd2之間，并且響應(yīng)于第一引導(dǎo)信號I對用于將差分感測信號DS_0存儲在延遲電容器Cpdi中的路徑進(jìn)行開關(guān)。開關(guān)S17以與開關(guān)12并聯(lián)的方式連接至電容器Cpdi，并且響應(yīng)于第一引導(dǎo)信號I對用于傳輸延遲電容器CpiJ^差分感測信號DS_0以用于積分的路徑進(jìn)行開關(guān)。開關(guān)S18以與開關(guān)15并聯(lián)的方式連接至電容器Cpd2，并且響應(yīng)于第一引導(dǎo)信號2對用于傳輸延遲電容器(^2的差分感測信號DS_0以用于積分的路徑進(jìn)行開關(guān)。開關(guān)S19響應(yīng)于第一噪聲檢測信號S_B對開關(guān)S17和開關(guān)S18所共同連接的節(jié)點至積分單元250的連接進(jìn)行開關(guān)。此外，開關(guān)S20響應(yīng)于第二噪聲檢測信號S_BB對基準(zhǔn)電壓Vref在開關(guān)S17和開關(guān)S18所共同連接的節(jié)點與開關(guān)19之間的傳輸進(jìn)行開關(guān)。
[0122]積分單元250包括放大器251，并且包括并聯(lián)連接在放大器251的負(fù)輸入端子(_)和輸入端子之間的反饋電容器Cf和開關(guān)S21。放大器251具有施加有由延遲單元240傳輸?shù)牟罘指袦y信號Del_0的負(fù)輸入端子_，并且具有施加有基準(zhǔn)電壓Vref的正輸入端子+。開關(guān)S21響應(yīng)于重置信號對反饋電容器Cf放電。
[0123]圖14是圖13中示出的比較器231的實施方式。
[0124]參照圖14，比較器231包括比較電路401、402、403、404、或門405以及與非門406。
[0125]比較電路401將兩個感測線Dl、D2中感測線Dl的感測信號與最高電壓VH相比較，并生成中間比較電壓01。比較電路402將兩個感測線D1、D2中作為剩下的一個的感測線D2的感測信號與最高電壓VH相比較，并生成中間比較電壓02。比較電路403將兩個感測線D1、D2中感測線Dl的感測信號與最低電壓VL相比較，并生成中間比較電壓03。比較電路404將兩個感測線Dl、D2中作為剩下的一個的感測線D2的感測信號與最低電壓VL相比較，并生成中間比較電壓04?；蜷T405在比較電路401和比較電路402的輸出01、02上執(zhí)行邏輯或以生成比較電壓0H。與非門506在比較電路403和比較電路404的輸出03、04上執(zhí)行邏輯與并且生成從邏輯與的結(jié)果中反置的比較電壓0L。
[0126]圖15是圖13中所示的比較器231的另一實施方式。
[0127]參照圖15，比較器231包括比較電路501、502、或門505以及與非門506。
[0128]比較電路501將兩個感測線D1、D2的感測信號與最高電壓VH相比較，并生成中間比較電壓01和中間比較電壓02。比較電路502將兩個感測線D1、D2的感測信號與最低電壓VL相比較，并生成中間比較電壓03和中間比較電壓04?；蜷T505在中間比較電壓01和中間比較電壓02上執(zhí)行邏輯或以生成比較電壓0H。與非門506在中間比較電壓03和中間比較電壓04上執(zhí)行邏輯與并且生成從邏輯與的結(jié)果中反置的比較電壓0L。
[0129]圖15中示出的比較器與圖14中示出的比較器不同之處在于使用了兩個比較電路，但是圖14中示出的比較器使用了四個比較電路。如果在使用四個比較電路的設(shè)計時有負(fù)擔(dān)，制造者會選擇性地使用如圖15中所示的兩個比較電路。
[0130]圖16是圖15中示出的比較電路501的實施方式。
[0131]參考圖16，圖15中示出的比較電路501可以包括單電流源Idsl和12個MOS晶體管Ml?M12。
[0132]MOS晶體管Ml具有供給有工作電壓VDD的一個端子、并且具有連接到MOS晶體管Ml的另一個端子的柵極端子。MOS晶體管M2具有連接至MOS晶體管Ml的另一個端子的一個端子、并且具有供給有感測線Dl的感測信號供給的柵極端子。MOS晶體管M3具有供給有工作電壓VDD的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M3的另一個端子的柵極端子。MOS晶體管M4具有連接至MOS晶體管M3的另一個端子的一個端子、并且具有供給有感測線D2的感測信號的柵極端子。MOS晶體管M5具有供給有工作電壓VDD的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M5的另一個端子的柵極端子。MOS晶體管M6具有連接至MOS晶體管M5的另一個端子的一個端子、并且具有供給有最高電壓VH供給的柵極端子。
[0133]電流源Idsl公同地連接至MOS晶體管M2、MOS晶體管M4以及MOS晶體管M6。
[0134]MOS晶體管M7具有供給有工作電壓VDD的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M5的柵極端子的柵極端子。MOS晶體管M8具有連接至MOS晶體管M7的另一個端子的一個端子和柵極端子、并且具有連接至接地電壓GND的另一個端子。MOS晶體管M9具有供給有工作電壓VDD的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M3的柵極端子的柵極端子。MOS晶體管MlO具有連接至MOS晶體管M9的另一個端子的一個端子、具有連接至接地電壓GND的另一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M8的柵極端子的柵極端子。MOS晶體管Mll具有供給有工作電壓VDD的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管Ml的柵極端子的柵極端子。MOS晶體管M12具有連接至MOS晶體管Mll的另一個端子的一個端子、具有連接至接地電壓GND的另一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M8的柵極端子的柵極端子。
[0135]中間比較電壓01經(jīng)由連接MOS晶體管Mll和MOS晶體管M12的節(jié)點輸出。中間比較電壓02經(jīng)由連接MOS晶體管M9和MOS晶體管MlO的節(jié)點輸出。
[0136]在圖16中示出的比較電路501中，MOS晶體管M1、M0S晶體管M3、M0S晶體管M5、MOS晶體管M7、MOS晶體管M9和MOS晶體管Mll是P型MOS晶體管，剩下的所有MOS晶體管都是N型MOS晶體管。
[0137]圖17是圖15中示出的比較電路502的實施方式。
[0138]參考圖17，比較電路502包括單電流源Ids2和12個MOS晶體管M21?M32。
[0139]MOS晶體管M21具有連接至接地電壓GND的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M21的另一個端子的柵極端子。MOS晶體管M22具有連接至MOS晶體管M21的另一個端子的一個端子、具有連接至電流源Ids2的另一個端子、并且具有供給有感測線Dl的感測信號的柵極端子。MOS晶體管M23具有連接至接地電壓GND的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M23的另一個端子的柵極端子。MOS晶體管M24具有連接至MOS晶體管M23的另一個端子的一個端子、具有連接至電流源Ids2的另一個端子并且具有供給有感測線D2的感測信號的柵極端子。MOS晶體管M25具有連接至接地電壓GND的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M25的另一個端子的柵極端子。MOS晶體管M26具有連接至MOS晶體管M25的另一個端子的一個端子、具有連接至電流源Ids2的另一個端子、并且具有供給有最低電壓VL的柵極端子。
[0140]MOS晶體管M27具有連接至接地電壓GND的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M25的柵極端子的柵極端子。MOS晶體管M28具有連接至MOS晶體管M27的另一個端子的一個端子和柵極端子、并且具有供給有工作電壓VDD的另一個端子。MOS晶體管M29具有連接至接地電壓GND的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M23的柵極端子的柵極端子。MOS晶體管M30具有連接至MOS晶體管M29的另一個端子的一個端子、具有供給有工作電壓VDD的另一個端子、并且將勸連接至MOS晶體管M28的柵極端子的柵極端子。MOS晶體管M31具有連接至接地電壓GND的一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M21的柵極端子的柵極端子。MOS晶體管M32具有連接至MOS晶體管M31的另一個端子的一個端子、具有供給有工作電壓VDD的另一個端子、并且具有連接至MOS晶體管M28的柵極端子的柵極端子。
[0141]中間比較電壓03經(jīng)由連接MOS晶體管M31和MOS晶體管M32的節(jié)點輸出。中間比較電壓04經(jīng)由連接MOS晶體管M29和MOS晶體管M30的節(jié)點輸出。
[0142]在圖17中示出的比較電路502中，MOS晶體管M22、MOS晶體管M24、MOS晶體管M26、M0S晶體管M28、M0S晶體管M30和MOS晶體管M32是P型MOS晶體管，剩下的所有MOS晶體管都是N型MOS晶體管。
[0143]圖18示出了基于兩個感測信號、最