一種表用存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及公用表，尤其是電表、水表或熱表，用于測(cè)量公用能耗(例如水、電、熱暖等)，特定地涉及公用表的能耗數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]大容量FLASH是目前儀器儀表上廣泛使用的廉價(jià)非易失存儲(chǔ)器(NVM)，但FLASH的最大缺陷是擦寫(xiě)次數(shù)受限，一般FLASH只有10萬(wàn)次的擦寫(xiě)次數(shù)一一有的型號(hào)可能更低，超過(guò)其允許擦寫(xiě)次數(shù)，器件就會(huì)發(fā)生損壞。針對(duì)FLASH的特性，常規(guī)技術(shù)中的做法一般有:采用文件操作系統(tǒng)，例如JFFS2、YAFFS2、UBI等嵌入式文件系統(tǒng)，這些文件系統(tǒng)具備負(fù)載均衡功能，能夠合理動(dòng)態(tài)分配存儲(chǔ)空間，從而避免將某文件寫(xiě)到固定地址，由此均衡整個(gè)芯片的擦寫(xiě)次數(shù)。這樣做，可以提高整機(jī)的壽命，但對(duì)于更頻繁的操作，也是無(wú)能為力。
[0003]在電力線交流電源有電時(shí)，將所要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)保存到RAM中，積累到一定的時(shí)間，再將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到FLASH中。這樣操作，在不停電時(shí)是沒(méi)有問(wèn)題的，可以大大減少對(duì)FLASH的擦寫(xiě)次數(shù)。目前多數(shù)儀器儀表采用電池或大容量電容作為備用電源，在檢測(cè)到交流停電后，通過(guò)備用電源將數(shù)據(jù)保存到FLASH中。這樣做看似沒(méi)有問(wèn)題，但在電池失效或電容電量不夠時(shí)，停電轉(zhuǎn)存數(shù)據(jù)時(shí)就會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存不全或無(wú)法轉(zhuǎn)存的情況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]技術(shù)方案:表用存儲(chǔ)介質(zhì)，電氣耦接表內(nèi)部的CPU以存儲(chǔ)來(lái)自其中的處理數(shù)據(jù)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)包括非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和可無(wú)限次擦寫(xiě)存儲(chǔ)器(MTP)，所述NVM通過(guò)并行串口交換處理數(shù)據(jù)，所述MTP通過(guò)SPI接口交換處理數(shù)據(jù)，其中所述NVM被配置為存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)部分，所述MTP被配置為存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)部分。
[0005]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一數(shù)據(jù)部分包含有電壓合格率、電功率，所述第二數(shù)據(jù)部分包含電量、時(shí)鐘CLK。
[0006]在一個(gè)實(shí)施例中，所述NVM選用FLASH單元，所述MTP選用FRAM單元。
[0007]在一個(gè)實(shí)施例中，所述CPU被配置為:在一個(gè)第一時(shí)間間隔T1以外，將第一數(shù)據(jù)部分寫(xiě)入NVM中；在此第一時(shí)間間隔T1以內(nèi)，將第二數(shù)據(jù)部分寫(xiě)入MTP中。
[0008]進(jìn)一步地，在一個(gè)第一時(shí)間間隔T1以外的第二時(shí)間間隔T2R，將存儲(chǔ)于MTP中的第二數(shù)據(jù)部分進(jìn)行提取，寫(xiě)入所述的NVM中。
[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，所述CPU被配置為:在一個(gè)第一時(shí)間間隔T1以外，將第一數(shù)據(jù)部分和第二數(shù)據(jù)部分分別寫(xiě)入所述的NVM中；在此第一時(shí)間間隔T1以內(nèi)，將第二數(shù)據(jù)部分寫(xiě)入MTP中。
[0010]在一個(gè)實(shí)施例中，所述CPU被配置為:在一個(gè)第一時(shí)間間隔T1以外的第三時(shí)間周期間隔1內(nèi)，將存儲(chǔ)于所述的NVM中的第一數(shù)據(jù)部分與第二數(shù)據(jù)部分根據(jù)預(yù)設(shè)的時(shí)鐘CLK進(jìn)行合并。
[0011 ] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述CPU被配置為在所述第三時(shí)間周期間隔T3以外，刪除MTP中的第二數(shù)據(jù)部分。
[0012]在另一個(gè)實(shí)施例中，提供一種公用表，包括:CPU，用于計(jì)算和處理表對(duì)能耗的測(cè)量數(shù)據(jù)；耦接所述CPU的一個(gè)NVM，被配置為存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)部分；以及耦接所述CPU的至少一個(gè)MTP，被配置為存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)部分，其中所述CPU被配置為設(shè)置至少一個(gè)時(shí)間間隔來(lái)控制所述第一數(shù)據(jù)部分和第二數(shù)據(jù)部分的存儲(chǔ)次序。
[0013]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一數(shù)據(jù)部分包含有電壓合格率、電功率，所述第二數(shù)據(jù)部分包含電量、時(shí)鐘CLK。
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中，所述NVM選用FLASH單元，所述MTP選用FRAM單元。
[0015]在一個(gè)實(shí)施例中，所述CPU被配置為:在一個(gè)第一時(shí)間間隔Tl以外，將第一數(shù)據(jù)部分寫(xiě)入NVM中；在此第一時(shí)間間隔Tl以內(nèi)，將第二數(shù)據(jù)部分寫(xiě)入至少一個(gè)MTP中；以及在一個(gè)第一時(shí)間間隔Tl以外的第二時(shí)間間隔T2內(nèi)，將存儲(chǔ)于這至少一個(gè)MTP中的第二數(shù)據(jù)部分進(jìn)行提取，寫(xiě)入所述的NVM中。
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，所述MTP被配置為包括η個(gè)MTP單元，其中在第η_1個(gè)時(shí)間間隔Tlri以內(nèi)，第η個(gè)MTP單元存儲(chǔ)所述第二數(shù)據(jù)部分中的第η個(gè)區(qū)塊內(nèi)容。
[0017]在一個(gè)實(shí)施例中，所述CPU被配置為:在第η個(gè)時(shí)間間隔Tn以外的第三時(shí)間周期間隔1內(nèi)，將存儲(chǔ)于所述的NVM中的第一數(shù)據(jù)部分與第二數(shù)據(jù)部分根據(jù)預(yù)設(shè)的時(shí)鐘CLK進(jìn)行合并。
[0018]在又一個(gè)實(shí)施例中，提供一種提高公用表數(shù)據(jù)存取效率的方法，包括:通過(guò)CPU讀取能耗測(cè)量數(shù)據(jù)，選擇能耗測(cè)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)類(lèi)別；通過(guò)設(shè)置第一時(shí)間間隔T1來(lái)判斷將能耗測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至NVM或ΜΤΡ，其中若選擇存儲(chǔ)至NVM，則提取所述能耗測(cè)量數(shù)據(jù)中的第一數(shù)據(jù)部分，寫(xiě)入所述的NVM，若選擇存儲(chǔ)至ΜΤΡ，則提取所述能耗測(cè)量數(shù)據(jù)中的第二數(shù)據(jù)部分，寫(xiě)入所述的MTP ;通過(guò)設(shè)置第二時(shí)間間隔!^來(lái)判斷將第二數(shù)據(jù)部分存儲(chǔ)至所述的NVM中；以及根據(jù)第三時(shí)間周期間隔T3，將存儲(chǔ)于所述的NVM中的第一數(shù)據(jù)部分與第二數(shù)據(jù)部分根據(jù)預(yù)設(shè)的時(shí)鐘CLK進(jìn)行合并。
[0019]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一數(shù)據(jù)部分包含有電壓合格率、電功率，所述第二數(shù)據(jù)部分包含電量、時(shí)鐘CLK。
[0020]在一個(gè)實(shí)施例中，所述NVM選用FLASH單元，所述MTP選用FRAM單元。
[0021 ] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述CPU被配置為在所述第三時(shí)間周期間隔T3以外，刪除MTP中的第二數(shù)據(jù)部分。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本發(fā)明存儲(chǔ)介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]參照?qǐng)D1的表(例如電表)用存儲(chǔ)介質(zhì)電氣耦接表內(nèi)部的CPU 3以存儲(chǔ)來(lái)自其中的處理數(shù)據(jù)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)包括NVM 2和MTP LNVM 2通過(guò)并行串口交換處理數(shù)據(jù)，總線速度達(dá)133MHz，所述MTP通過(guò)SPI接口交換處理數(shù)據(jù)，可達(dá)到20MHz的總線速度，其中所述NVM被配置為存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)部分，所述MTP被配置為存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)部分。
[0024]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一數(shù)據(jù)部分包含有電壓合格率、電功率，所述第二數(shù)據(jù)部分包含電量、時(shí)鐘CLK。
[0025]在一個(gè)實(shí)施例中，所述NVM選用FLASH單元，所述MTP選用FRAM單元，其中FRAM單元適合小數(shù)據(jù)量的頻繁讀寫(xiě)，F(xiàn)LASH單元適合大數(shù)據(jù)量的滾動(dòng)存儲(chǔ)，通過(guò)FLASH單元的緩存，變化頻繁或經(jīng)常采集的數(shù)據(jù)經(jīng)一定周期(如60分鐘)匯集后寫(xiě)入FLASH單元，從而減少FLASH單元的頁(yè)寫(xiě)次數(shù)。
[0026]在一個(gè)實(shí)施例中，所述CPU被配置為: