需的調(diào)制信號(hào)需要經(jīng)過(guò)電平轉(zhuǎn)移電路升壓后才能達(dá)到。
[0028]如圖1、2所示，所述低電平為0V，所述高電平為2.9V，所述電平轉(zhuǎn)移電路將2.9V的高電平mod升壓到6.5V的modh。在芯片電復(fù)位時(shí)期，mod信號(hào)為低電平0V，modh信號(hào)也為低電平0V，MPO和MPl導(dǎo)通，在數(shù)字處理電路調(diào)制返回拉高mod信號(hào)的時(shí)候，mod信號(hào)控制調(diào)制電路，調(diào)制電路調(diào)制天線兩端，將天線兩端電壓的峰值拉為2V，同時(shí)mod信號(hào)經(jīng)過(guò)一個(gè)電平轉(zhuǎn)移電路由2.9V轉(zhuǎn)為6.5V的modh，modh信號(hào)關(guān)斷MPO。
[0029]如圖1所示，所述非必須電路設(shè)置在MPO和MPl之間，且所述非必須電路的一端接所述MPO的漏極，所述非必須電路的另一端接MPl的源極。采用該技術(shù)方案的目的是兩個(gè)PMOS晶體管在調(diào)制時(shí)，只斷開(kāi)非必須電路。
[0030]如圖1所示，所述非必須電路為偏置電路和低壓差線性穩(wěn)定器。在整個(gè)電源電路中，消耗高壓電hv能量的主要是偏置電路和低壓差線性穩(wěn)定器。當(dāng)芯片處于電復(fù)位時(shí)，MPO和MPl導(dǎo)通，hvl等于hv，hvl經(jīng)過(guò)偏置電路后產(chǎn)生bias，bias供給解調(diào)使用，同時(shí)也為低壓差線性穩(wěn)定器提供參考電流，低壓差線性穩(wěn)定器利用hvl產(chǎn)生2.9V的vddl，vddl經(jīng)過(guò)MPl后的vdd對(duì)Cl充電。
[0031]如圖1所示，CO，其一端接地，另一端連接至MPO的源極和襯底，且CO用于為所述低頻RFID電源電路供電。CO的作用為電源電路在調(diào)制功能不足的時(shí)候提供電能。在芯片電復(fù)位時(shí)，經(jīng)過(guò)全波整形電路后的hv對(duì)CO充電，而調(diào)制時(shí)，mod信號(hào)拉高，天線兩端電壓拉低，MPO和MPl斷開(kāi)，CO放出為hv的電壓的電荷為必須模塊供電，調(diào)制完成后，mod信號(hào)變低，MPO和MPl同時(shí)打開(kāi)，CO的電荷通過(guò)低壓差線性穩(wěn)定器對(duì)Cl充電，因?yàn)檎{(diào)制時(shí)斷開(kāi)了非必須電路，因此CO電荷消耗變小，vdd電壓很快沖到2.9V，減少充電時(shí)間，減少在充電過(guò)程中的損耗，加快波形回彈。從圖2的仿真圖中可以看到，通過(guò)斷開(kāi)調(diào)制期間的非必須電路，hv和vdd在調(diào)制時(shí)電壓較穩(wěn)定。
[0032]如圖1所示，Cl，其一端接地，另一端連接至MPl的漏極和襯底，所述Cl用于為所述低頻RFID電源電路供電。Cl為緩存hv電壓的電容，在芯片電復(fù)位時(shí)，低壓差線性穩(wěn)定器利用hvl產(chǎn)生2.9V的vddl，vddl經(jīng)過(guò)MPl后的vdd對(duì)Cl充電；調(diào)制時(shí)，vdd要對(duì)數(shù)字電路和時(shí)鐘提取電路供電，Cl的電荷逐漸減小，Vdd電壓逐漸降低，調(diào)整時(shí)間越長(zhǎng)，Vdd降低越多。
[0033]如圖1所示，所述讀卡器命令經(jīng)過(guò)限壓、解調(diào)電路后轉(zhuǎn)變成所述數(shù)字處理電路可以處理的信號(hào)。讀卡器發(fā)出的命令是模擬信號(hào)，需經(jīng)過(guò)限壓、解調(diào)電路后變成數(shù)字處理電路可以處理的信號(hào)。
[0034]這里說(shuō)明的設(shè)備數(shù)量和處理規(guī)模是用來(lái)簡(jiǎn)化本發(fā)明的說(shuō)明的。對(duì)本發(fā)明吊籃的應(yīng)用、修改和變化對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。
[0035]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于PMOS晶體管在調(diào)制時(shí)將電源與非必須電路斷開(kāi)，使得芯片在調(diào)制過(guò)程中功耗極低，同時(shí)在芯片調(diào)制完成時(shí)也利于回彈波形。
[0036]盡管本發(fā)明的實(shí)施方案已公開(kāi)如上，但其并不僅僅限于說(shuō)明書(shū)和實(shí)施方式中所列運(yùn)用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域，對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的人員而言，可容易地實(shí)現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的圖例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低頻RFID電源管理方法，其特征在于，包括: 數(shù)字處理電路，其接收經(jīng)處理后的讀卡器命令，并將處理后的讀卡器命令以第一調(diào)制信號(hào)的形式分兩路輸出； 電平轉(zhuǎn)移電路，其用于對(duì)一路電路傳輸?shù)乃龅谝徽{(diào)制信號(hào)進(jìn)行升壓處理，以得到第二調(diào)制信號(hào)； PMOS晶體管，其包括第一 PMOS晶體管和第二 PMOS晶體管，所述第一 PMOS晶體管和第二 PMOS晶體管用于分別接收經(jīng)升壓處理后第二調(diào)制信號(hào)和另一路電路傳輸?shù)乃龅谝徽{(diào)制信號(hào)； 其中，所述第二調(diào)制信號(hào)和第一調(diào)制信號(hào)分別控制所述第一 PMOS晶體管和第二 PMOS晶體管的同步通斷，以將非必須電路與所述低頻RFID電源管理電路連通或斷開(kāi)。
2.如權(quán)利要求1所述的低頻RFID電源管理方法，其特征在于，當(dāng)所述數(shù)字處理電路輸出的第一調(diào)制信號(hào)為高電平時(shí)，則所述電平轉(zhuǎn)移電路對(duì)一路電路傳入的所述第一調(diào)制信號(hào)進(jìn)行升壓處理，經(jīng)過(guò)升壓處理后的第二調(diào)制信號(hào)和另一路電路傳輸?shù)牡谝徽{(diào)制信號(hào)分別控制所述第一 PMOS晶體管和所述第二 PMOS晶體管斷開(kāi)與所述低頻RFID電源管理電路的連接；當(dāng)所述數(shù)字處理電路輸出的第一調(diào)制信號(hào)為低電平時(shí)，則兩路第一調(diào)制信號(hào)直接傳輸至所述第一 PMOS晶體管和所述第二 PMOS晶體管，并控制所述第一 PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管與所述低頻RFID電源管理電路的連通。
3.如權(quán)利要求2所述的低頻RFID電源管理方法，其特征在于，所述低電平為0V，所述高電平為2.9V，所述電平轉(zhuǎn)移電路將2.9V的高電平第一調(diào)制信號(hào)升壓到6.5V的第二調(diào)制信號(hào)。
4.如權(quán)利要求1所述的低頻RFID電源管理方法，其特征在于，所述非必須電路設(shè)置在所述第一 PMOS晶體管和所述第二 PMOS晶體管之間，且所述非必須電路的一端接所述第一PMOS晶體管的漏極，所述非必須電路的另一端接所述第二 PMOS晶體管的源極。
5.如權(quán)利要求4所述的低頻RFID電源管理方法，其特征在于，所述非必須電路為偏置電路和低壓差線性穩(wěn)定器。
6.如權(quán)利要求1所述的低頻RFID電源管理方法，其特征在于，還包括: 第一電容，其一端接地，另一端連接至所述第一 PMOS晶體管的源極和襯底，且所述第一電容用于為所述低頻RFID電源電路供電。
7.如權(quán)利要求1所述的低頻RFID電源管理方法，其特征在于，還包括: 第二電容，其一端接地，另一端連接至第二 PMOS晶體管的漏極和襯底，所述第二電容用于為所述低頻RFID電源電路供電。
8.如權(quán)利要求1所述的低頻RFID電源管理方法，其特征在于，所述讀卡器命令經(jīng)過(guò)限壓、解調(diào)電路后轉(zhuǎn)變成所述數(shù)字處理電路可以處理的信號(hào)。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種低頻RFID電源管理方法，包括：數(shù)字處理電路，其接收經(jīng)處理后的讀卡器命令，并將處理后的讀卡器命令以第一調(diào)制信號(hào)的形式分兩路輸出；電平轉(zhuǎn)移電路，其用于對(duì)一路電路傳輸?shù)牡谝徽{(diào)制信號(hào)進(jìn)行升壓處理，以得到第二調(diào)制信號(hào)；PMOS晶體管，其包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管用于分別接收經(jīng)升壓處理后第二調(diào)制信號(hào)和另一路電路傳輸?shù)牡谝徽{(diào)制信號(hào)；其中，第二調(diào)制信號(hào)和第一調(diào)制信號(hào)分別控制第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的同步通斷，以將非必須電路與所述低頻RFID電源管理電路連通或斷開(kāi)。發(fā)明具有能降低低頻RFID電源能耗，減少電容面積，降低芯片成的有益效果。
【IPC分類(lèi)】G06K19-077, G06K7-00
【公開(kāi)號(hào)】CN104573596
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510065042
【發(fā)明人】劉敬術(shù), 潘明尤, 凌勤秀, 羅國(guó)成
【申請(qǐng)人】北海市蘊(yùn)芯電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2015年2月6日