一種低頻rfid電源管理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種芯片的電源管理方法。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種用于低頻RFID電源管理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]低頻RFID的調(diào)制返回，一直是設(shè)計(jì)芯片的技術(shù)難點(diǎn)，芯片返回的信息需要調(diào)制得足夠深以利于讀卡器接收，但是在調(diào)制的時(shí)候芯片天線兩端的波形會(huì)拉低，從而拉低天線兩端整流得到的電壓，而深度調(diào)制會(huì)將天線兩端整流得到的電壓拉得更低，因此調(diào)制時(shí)會(huì)造成電壓不夠而影響數(shù)字電路及其他必要電路的正常工作。因此，我們會(huì)在芯片的電路中增設(shè)儲(chǔ)能電容以保證電路正常工作。在調(diào)制完成后，因調(diào)制而拉低的全波整流后的電壓會(huì)影響已調(diào)信號(hào)的回彈，回彈慢不利于讀卡器正確解調(diào)出調(diào)制信號(hào)。此外，在調(diào)制過(guò)程中，芯片電路中有些電路及模塊并不參與調(diào)制過(guò)程，在調(diào)制過(guò)程中處于浪費(fèi)能耗的狀態(tài)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的一個(gè)目的是解決至少上述問(wèn)題，并提供至少后面將說(shuō)明的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]本發(fā)明還有一個(gè)目的是提供一種低頻RFID電源管理方法，其能夠降低電路中儲(chǔ)能電容的儲(chǔ)蓄量，減少儲(chǔ)蓄電容面積，從而縮小芯片面積。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)，提供了一種低頻RFID電源管理方法，包括:
[0006]數(shù)字處理電路，其接收經(jīng)處理后的讀卡器命令，并將處理后的讀卡器命令以第一調(diào)制信號(hào)的形式分兩路輸出；
[0007]電平轉(zhuǎn)移電路，其用于對(duì)一路電路傳輸?shù)乃龅谝徽{(diào)制信號(hào)進(jìn)行升壓處理，以得到第二調(diào)制信號(hào)；
[0008]PMOS晶體管，其包括第一 PMOS晶體管和第二 PMOS晶體管，所述第一 PMOS晶體管和第二 PMOS晶體管用于分別接收經(jīng)升壓處理后第二調(diào)制信號(hào)和另一路電路傳輸?shù)乃龅谝徽{(diào)制信號(hào)；
[0009]其中，所述第二調(diào)制信號(hào)和第一調(diào)制信號(hào)分別控制所述第一 PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的同步通斷，以將非必須電路與所述低頻RFID電源管理電路連通或斷開(kāi)。
[0010]優(yōu)選的是，所述的低頻RFID電源管理方法，當(dāng)所述數(shù)字處理電路輸出的第一調(diào)制信號(hào)為高電平時(shí)，則所述電平轉(zhuǎn)移電路對(duì)一路電路傳入的所述第一調(diào)制信號(hào)進(jìn)行升壓處理，經(jīng)過(guò)升壓處理后的第二調(diào)制信號(hào)和另一路電路傳輸?shù)牡谝徽{(diào)制信號(hào)分別控制所述第一PMOS晶體管和所述第二 PMOS晶體管斷開(kāi)與所述低頻RFID電源管理電路的連接；當(dāng)所述數(shù)字處理電路輸出的第一調(diào)制信號(hào)為低電平時(shí)，則兩路第一調(diào)制信號(hào)直接傳輸至所述第一PMOS晶體管和所述第二 PMOS晶體管，并控制所述第一 PMOS晶體管和所述第二 PMOS晶體管與所述低頻RFID電源管理電路的連通。
[0011 ] 優(yōu)選的是，所述的低頻RFID電源管理方法，所述低電平為0V，所述高電平為2.9V，所述電平轉(zhuǎn)移電路將2.9V的高電平第一調(diào)制信號(hào)升壓到6.5V的第二調(diào)制信號(hào)。
[0012]優(yōu)選的是，所述的低頻RFID電源管理方法，所述非必須電路設(shè)置在所述第一 PMOS晶體管和所述第二 PMOS晶體管之間，且所述非必須電路的一端接所述第一 PMOS晶體管的漏極，所述非必須電路的另一端接所述第二 PMOS晶體管的源極。
[0013]優(yōu)選的是，所述的低頻RFID電源管理方法，所述非必須電路為偏置電路和低壓差線性穩(wěn)定器。
[0014]優(yōu)選的是，所述的低頻RFID電源管理方法，還包括:第一電容，其一端接地，另一端連接至所述第一 PMOS晶體管的源極和襯底，且所述第一電容用于為所述低頻RFID電源電路供電。
[0015]優(yōu)選的是，所述的低頻RFID電源管理方法，還包括:第二電容，其一端接地，另一端連接至第二 PMOS晶體管的漏極和襯底，所述第二電容用于為所述低頻RFID電源電路供電。
[0016]優(yōu)選的是，所述的低頻RFID電源管理方法，所述讀卡器命令經(jīng)過(guò)限壓、解調(diào)電路后轉(zhuǎn)變成所述數(shù)字處理電路可以處理的信號(hào)。
[0017]本發(fā)明至少包括以下有益效果:由于在低頻RFID電源管理電路的非必須電路的兩端分別設(shè)置有第一 PMOS晶體管和第二 PMOS晶體管，且分別由第二調(diào)制信號(hào)和第一調(diào)制信號(hào)直接控制上述兩個(gè)PMOS晶體管，因此可以通過(guò)第一調(diào)制信號(hào)電平的高或低來(lái)關(guān)閉或?qū)≒MOS晶體管，從而斷開(kāi)或連通信號(hào)調(diào)制過(guò)程中的非必須電路，以達(dá)到降低能耗的作用；由于在調(diào)制過(guò)程中斷開(kāi)低頻RFID電源電路中的非必須電路，可降低電源能耗，亦可降低電路中儲(chǔ)能電容的儲(chǔ)蓄量，從而減少儲(chǔ)能電容面積，降低芯片成本。
[0018]本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征將部分通過(guò)下面的說(shuō)明體現(xiàn)，部分還將通過(guò)對(duì)本發(fā)明的研宄和實(shí)踐而為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為本發(fā)明的電源電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明的仿真示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說(shuō)明書文字能夠據(jù)以實(shí)施。
[0022]應(yīng)當(dāng)理解，本文所使用的諸如“具有”、“包含”以及“包括”術(shù)語(yǔ)并不配出一個(gè)或多個(gè)其它元件或其組合的存在或添加。
[0023]圖1示出了低頻RFID電源電路的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，hv為高壓電，hvl為接到偏置電路和低壓差線性穩(wěn)壓器的高壓信號(hào)，vddl為低壓差線性穩(wěn)壓器輸出的電源電壓，vdd為低頻RFID電源電壓，CO為10pf的第一電容，Cl (NM0S管陳列電容)為200pf的第二電容，mod為第一調(diào)制信號(hào)，modh為經(jīng)過(guò)升壓后的第二調(diào)制信號(hào)，bias是偏置電流，MPO為第一 PMOS晶體管，MPl為第二 PMOS晶體管。
[0024]圖2示出了本發(fā)明的仿真示意圖，該圖為調(diào)制過(guò)程中，mod(第一調(diào)制信號(hào))電壓、V(sl,s2)(芯片天線兩端電壓)、hv(高壓電壓)的變化情況。
[0025]如圖1所示，本發(fā)明提供一種低頻RFID電源管理方法，包括:
[0026]數(shù)字處理電路，其接收經(jīng)處理后的讀卡器命令，并將處理后的讀卡器命令以mod的形式分兩路輸出；電平轉(zhuǎn)移電路，其用于對(duì)一路電路傳輸?shù)膍od進(jìn)行升壓處理，以得到modh ；PM0S晶體管，其包括MPO和MP1，MP0和MPl用于分別接收經(jīng)升壓處理后modh和另一路電路傳輸?shù)膍od ;其中，modh和mod分別控制MPO和MPl的同步通斷，以將非必須電路與所述低頻RFID電源管理電路連通或斷開(kāi)。該方案的目的是在信號(hào)調(diào)制時(shí)，將低頻RFID電源電路中的非必須電路斷開(kāi)，從而起到降低電源功耗的作用。而PMOS晶體管因其本身的性質(zhì)，低電壓導(dǎo)通，高電壓關(guān)閉，同時(shí)連通和斷開(kāi)MPO和MP1，不會(huì)出現(xiàn)因?yàn)椴煌瑫r(shí)關(guān)閉而造成的電能消耗，而用經(jīng)過(guò)數(shù)字處理電路后的調(diào)制信號(hào)直接控制MPO和MP1，十分便捷。
[0027]如圖1所示，當(dāng)所述數(shù)字處理電路輸出的mod為高電平時(shí)，則所述電平轉(zhuǎn)移電路對(duì)一路電路傳入的mod進(jìn)行升壓處理，經(jīng)過(guò)升壓處理后的modh和另一路電路傳輸?shù)膍od分別控制MPO和MPl斷開(kāi)與所述低頻RFID電源管理電路的連接；當(dāng)所述數(shù)字處理電路輸出的mod為低電平時(shí)，則兩路mod直接傳輸至MPO和MPl，并控制MPO和MPl與所述低頻RFID電源管理電路的連通。本技術(shù)方案中，MPO關(guān)閉時(shí)所需的電壓比MPl的要高，因此，控制MPO關(guān)閉時(shí)所