專利名稱：一種漢字編碼方法
氣相沉積法的更優(yōu)選方法是采用等離子體聚合，特別是RF等離子體聚合。該方法全部公開于美國專利申請08/632,935中，該申請全文結(jié)合入本說明書中供參照。其它的闡述可見于Panchalingam等人的“Molecular Surface Tailoring ofBiomaterials Via Pulsed RF Plasma Discharges”，J.Biomater.Sci.PolymerEdn.，Vol.5，No.1/2，pp.131-145(1993)，和Panchalingam等人的“MolecularTailoring of Surface Via Pulsed RF Plasma Depositions”，J.App.Sci.AppliedPolymer Symposium 54，pp.123-141(1994)，其全文結(jié)合入本說明書中供參照。
該方法中，涂料在受控制的條件下通過經(jīng)選擇單體的等離子體聚合而沉積在固體表面上。等離子體由位于反應(yīng)器內(nèi)部或外部周圍的、同軸或并聯(lián)的內(nèi)部或外部RF電極所產(chǎn)生的RF輻射來驅(qū)動(dòng)。待涂覆的表面優(yōu)選位于RF電極之間的反應(yīng)器中；但該表面也可位于電極之前或之后。用真空泵將反應(yīng)器排空至本底壓力。開一個(gè)能精確計(jì)量的閥門以使涂料組合物的蒸氣進(jìn)入反應(yīng)器中。單體通過反應(yīng)器的壓力和流速是通過調(diào)節(jié)計(jì)量閥以及位于反應(yīng)器出口處的蝶形控制閥(與一個(gè)壓力控制器相連)來控制的。通常，單體反應(yīng)器所采用的壓力范圍約為5-200毫乇，盡管該范圍以外的值也可以使用。優(yōu)選的是單體具有足夠高的蒸氣壓以使單體不必被加熱到高于室溫(20℃至25℃)就能氣化。
等離子體沉積所得薄膜的化學(xué)成分是所用等離子體可變量的、特別是用于引發(fā)聚合反應(yīng)過程的RF功率的強(qiáng)函數(shù)。在與連續(xù)波(CW)相比時(shí)，優(yōu)選的是在脈沖條件下操作等離子體法，因?yàn)榭赡茉诘入x子體法的初始步驟中合理地采用高的峰值功率，而在涂覆過程中保持低的平均功率。脈沖是指產(chǎn)生等離子體的功率接通和不通。脈沖條件下的平均功率定義為
權(quán)利要求
1.它使用了漢字或漢字偏旁發(fā)音的第一個(gè)字母所對應(yīng)的英文字母A，B，C，D，E，F(xiàn)，G，H，I，J，K，L，M，N，O，P，Q，R，S，T，W，X，Y，Z和漢字起筆的五種筆畫橫(一等)，豎(丨等)撇(丿等)，點(diǎn)(、等)，折(
等)，所對應(yīng)的代碼。
2.它將漢字分成左右、上下、外內(nèi)、獨(dú)體四種結(jié)構(gòu)，在部位結(jié)構(gòu)中以第一部位成字最大為原則。
3.根據(jù)權(quán)利1和2，字的編碼方法，第一碼取漢字發(fā)音的第一個(gè)字母。第二碼取漢字第一部位第一個(gè)筆畫的代碼。第三碼取第一部位的漢字或偏旁的發(fā)音的第一個(gè)字母。第四碼取漢字第二部位第一筆筆畫的代碼，如為獨(dú)體字則取第二筆筆畫的代碼。
4.根據(jù)權(quán)利1和2，一級簡碼字由第一碼加空格鍵。
5.根據(jù)權(quán)利1和2，二級簡碼字由第一，第二碼加空格鍵組成。
6.根據(jù)權(quán)利1和2，詞的編碼詞的編碼由該詞每個(gè)字的第一碼和第二碼按順序再加上最后一個(gè)字的第四碼組成。
7.根據(jù)權(quán)利1和2，一級簡碼詞由該詞的每個(gè)字的第一碼加詞鍵，四字以上詞第四碼為最后一個(gè)字的第一碼。
8.根據(jù)權(quán)利1和2，二級簡碼詞由該詞每個(gè)字的第一碼加上最后一個(gè)字的第二碼組成。
9.它同樣適用于繁體漢字的編碼。
全文摘要
本發(fā)明屬于計(jì)算機(jī)漢字編碼領(lǐng)域。它是一種以音為主以漢字起筆筆畫和結(jié)構(gòu)部位發(fā)音為輔、音畫結(jié)合的漢字編碼方法。它由漢字發(fā)音的第一個(gè)字母和漢字起筆的五種基本筆畫的代碼組合而成。具有易學(xué)、快速的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)G06F3/023GK1254119SQ9812372
公開日2000年5月24日 申請日期1998年11月12日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月12日
發(fā)明者劉瑞林 申請人:劉瑞林