本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種Nand Flash塊管理方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

NAND Flash是非易失性存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，能達(dá)到極高的單元密度及存儲(chǔ)密度.然而，NAND Flash與其他高密度存儲(chǔ)媒介一樣不可避免地存在壞塊的問題。于是在應(yīng)用NAND Flash時(shí)必須對(duì)其存在的壞塊進(jìn)行規(guī)避和管理。

NAND Flash的壞塊問題是影響存儲(chǔ)可靠性的重要問題。目前，NAND壞塊管理方法可分為如下兩類：基于FTL芯片的壞塊管理和基于NAND文件系統(tǒng)的壞塊管理。其中，基于FTL芯片的壞塊管理是使用一個(gè)額外的FTL(Flash Translation Layer)芯片對(duì)NAND進(jìn)行管理，對(duì)外部屏蔽了壞塊信息，U盤、SD卡、MMC卡以及固態(tài)硬盤都使用這種管理方法；該方式基于FTL芯片，因此需要額外的硬件成本?；贜AND文件系統(tǒng)的壞塊管理是直接引入專門針對(duì)NAND的文件系統(tǒng)也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)NAND壞塊的管理，如JFFS2、YAFFS2、FlashFx、UBIFS等文件系統(tǒng)；該方式存在需要占用系統(tǒng)很大的內(nèi)存，并且代碼復(fù)雜、效率低、訪問速度慢等不足。

可見，目前的NAND壞塊管理方法還有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了Nand Flash塊管理方法和系統(tǒng)，能夠降低系統(tǒng)的復(fù)雜度，且無需占用較大的內(nèi)存，具有較強(qiáng)的可移植性及通用性。

本發(fā)明一方面提供Nand Flash塊管理方法，包括：

接收應(yīng)用層的訪問指令，所述訪問指令中包含邏輯塊地址；查詢預(yù)設(shè)的地址映射表，獲取所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的物理塊地址，所述地址映射表中存儲(chǔ)有與各個(gè)邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址；

查詢預(yù)設(shè)的壞塊列表，檢測(cè)所述物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊是否可用；在所述壞塊列表中對(duì)所述Nand Flash中所有不可用的存儲(chǔ)塊進(jìn)行了標(biāo)記；

若所述物理存儲(chǔ)地址指向的存儲(chǔ)塊不可用，根據(jù)預(yù)設(shè)的地址映射算法重新確定與所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址，更新所述地址映射表，并根據(jù)所述訪問指令對(duì)重新確定的物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊進(jìn)行操作。

本發(fā)明另一方面提供一種Nand Flash塊管理系統(tǒng)，包括：

指令及地址確認(rèn)模塊，用于接收應(yīng)用層的訪問指令，所述訪問指令中包含邏輯塊地址；查詢預(yù)設(shè)的地址映射表，獲取所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的物理塊地址，所述地址映射表中存儲(chǔ)有與各個(gè)邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址；

塊狀態(tài)檢測(cè)模塊，用于查詢預(yù)設(shè)的壞塊列表，檢測(cè)所述物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊是否可用；在所述壞塊列表中對(duì)所述Nand Flash中所有不可用的存儲(chǔ)塊進(jìn)行了標(biāo)記；

映射管理模塊，用于若所述物理存儲(chǔ)地址指向的存儲(chǔ)塊不可用，根據(jù)預(yù)設(shè)的地址映射算法重新確定與所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址，更新所述地址映射表，并根據(jù)所述訪問指令對(duì)重新確定的物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊進(jìn)行操作。

基于上述實(shí)施例提供的Nand Flash塊管理方法和系統(tǒng)，接收應(yīng)用層的訪問指令時(shí)，所述訪問指令中包含邏輯塊地址；查詢預(yù)設(shè)的地址映射表，獲取所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的物理塊地址；查詢預(yù)設(shè)的壞塊列表，檢測(cè)所述物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊是否可用；若所述物理存儲(chǔ)地址指向的存儲(chǔ)塊不可用，根據(jù)預(yù)設(shè)的地址映射算法重新確定與所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址，并根據(jù)所述訪問指令對(duì)重新確定的物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊進(jìn)行操作。由此將壞塊管理放在驅(qū)動(dòng)層實(shí)現(xiàn)，斷絕Nand Flash塊和應(yīng)用層的直接聯(lián)系，具有較強(qiáng)的可移植性及通用性；同時(shí)免去了加載文件系統(tǒng)或初始化中間件的時(shí)間，且無需占用較大的內(nèi)存。

附圖說明

圖1為一個(gè)實(shí)施例中的本發(fā)明方案的工作環(huán)境示意圖；

圖2為一實(shí)施例的Nand Flash塊管理方法的示意性流程圖；

圖3為一實(shí)施例的Nand Flash塊管理系統(tǒng)的示意性結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

圖1為一個(gè)實(shí)施例中的本發(fā)明方案的工作環(huán)境示意圖。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例在Nand Flash的應(yīng)用層與Nand Flash物理層之間還有Nand Flash驅(qū)動(dòng)層。所述Nand Flash物理層包括若干個(gè)物理存儲(chǔ)塊，所述物理存儲(chǔ)塊中包含可用的塊和不可用的塊，所述不可用的塊包括壞塊和被占用塊，可見Nand Flash存儲(chǔ)塊的可靠性難以保障。所述Nand Flash驅(qū)動(dòng)層中涉及虛擬的可靠的邏輯存儲(chǔ)塊、壞塊列表以及地址映射表；所述壞塊列表中記錄有當(dāng)前為不可用狀態(tài)的存儲(chǔ)塊的物理塊地址；所述地址映射表中存儲(chǔ)有與各個(gè)邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址；應(yīng)用層直接面對(duì)的是可靠的邏輯存儲(chǔ)塊，由于在所述邏輯存儲(chǔ)塊中不存在壞塊。通過將不可靠的Nand Flash存儲(chǔ)塊虛擬為可靠的邏輯存儲(chǔ)塊，并且應(yīng)用層僅對(duì)虛擬后的存儲(chǔ)塊訪問，通過所述Nand Flash驅(qū)動(dòng)層斷絕了應(yīng)用層與Nand Flash物理層的直接聯(lián)系，具有較強(qiáng)的可移植性及通用性，且能夠保證應(yīng)用層訪問的塊均為可靠的可用塊。其中，Nand Flash中的存儲(chǔ)塊分為非替換類存儲(chǔ)塊和保留塊(也稱作替換類存儲(chǔ)塊)，所述非替換類存儲(chǔ)塊的數(shù)量等于驅(qū)動(dòng)層的邏輯塊的數(shù)量。

結(jié)合圖1及上述對(duì)工作環(huán)境的說明，以下對(duì)Nand Flash塊管理方法的實(shí)施例進(jìn)行說明。

圖2為一實(shí)施例的Nand Flash塊管理方法的示意性流程圖；如圖2所示，本實(shí)施例中的Nand Flash塊管理方法包括步驟：

S11，接收應(yīng)用層的訪問指令，所述訪問指令中包含邏輯塊地址；查詢預(yù)設(shè)的地址映射表，獲取所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的物理塊地址，所述地址映射表中存儲(chǔ)有與各個(gè)邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址；

本實(shí)施例中，應(yīng)用層直接面向的時(shí)驅(qū)動(dòng)層的虛擬的邏輯塊，因此所述訪問指令中包含邏輯塊地址。每一個(gè)邏輯塊地址均與一個(gè)Nand Flash物理塊地址對(duì)應(yīng)。

在一優(yōu)選實(shí)施例中，還包括初始化地址映射表的步驟，具體可包括：獲取Nand Flash中非替換的可用存儲(chǔ)塊的物理塊地址，建立各邏輯塊地址與所述非替換的可用存儲(chǔ)塊的物理塊地址的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，根據(jù)所述對(duì)應(yīng)關(guān)系構(gòu)建地址映射表。

S12，查詢預(yù)設(shè)的壞塊列表，檢測(cè)所述物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊是否可用；在所述壞塊列表中對(duì)所述Nand Flash中所有不可用的存儲(chǔ)塊進(jìn)行了標(biāo)記；

在一優(yōu)選實(shí)施例中，所述Nand Flash塊管理方法還包括步驟：掃描Nand Flash中的全部存儲(chǔ)塊，記錄所述Nand Flash中各存儲(chǔ)塊的狀態(tài)，構(gòu)建所述Nand Flash對(duì)應(yīng)的壞塊列表。所述壞塊列表中可僅記錄當(dāng)前不可用的存儲(chǔ)塊信息；或者既記錄當(dāng)前不可用的存儲(chǔ)塊信息，也記錄當(dāng)前可用的存儲(chǔ)塊信息。優(yōu)選的，在創(chuàng)建壞塊列表之后，還可按照設(shè)定時(shí)間周期性的進(jìn)行掃描，以實(shí)施更新所述壞塊列表。

S13，若所述物理存儲(chǔ)地址指向的存儲(chǔ)塊不可用，根據(jù)預(yù)設(shè)的地址映射算法重新確定與所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址，更新所述地址映射表，并根據(jù)所述訪問指令對(duì)重新確定的物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊進(jìn)行操作。

在一優(yōu)選實(shí)施例中，若所述物理存儲(chǔ)地址指向的存儲(chǔ)塊為可用狀態(tài)，根據(jù)所述訪問指令對(duì)所述Nand Flash塊中對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)塊進(jìn)行操作。

在一優(yōu)選實(shí)施例中，根據(jù)預(yù)設(shè)的地址映射算法重新確定與所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址的實(shí)現(xiàn)方式可包括：隨機(jī)獲取Nand Flash中任一保留塊的物理塊地址，建立所述邏輯塊地址與所述任一保留塊的物理塊地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系；或者，獲取物理塊地址最小的保留塊，建立所述邏輯塊地址與該保留塊的物理塊地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系；其中，所述保留塊為Nand Flash中非替換的存儲(chǔ)塊之外的可用存儲(chǔ)塊。

可以理解的是，上述步驟S11～S13的執(zhí)行主體可均為Nand Flash驅(qū)動(dòng)層。

基于上述實(shí)施例提供的Nand Flash塊管理方法，接收應(yīng)用層的訪問指令時(shí)，查詢預(yù)設(shè)的地址映射表，獲取邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的物理塊地址；查詢預(yù)設(shè)的壞塊列表，檢測(cè)所述物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊是否可用；若所述物理存儲(chǔ)地址指向的存儲(chǔ)塊不可用，根據(jù)預(yù)設(shè)的地址映射算法重新確定與所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址，更新所述地址映射表，并根據(jù)所述訪問指令對(duì)重新確定的物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊進(jìn)行操作。由于將壞塊管理放在驅(qū)動(dòng)層實(shí)現(xiàn)，較好的斷絕Nand Flash塊和應(yīng)用層的直接聯(lián)系，具有較強(qiáng)的可移植性及通用性；同時(shí)免去了加載文件系統(tǒng)或初始化中間件的時(shí)間，且無需占用較大的內(nèi)存。

在一優(yōu)選實(shí)施例中，為了節(jié)省資源，將所述壞塊列表設(shè)置為按位標(biāo)記不可用塊，例如：對(duì)應(yīng)的位為1表示這是一個(gè)可用塊，對(duì)應(yīng)的位為0表示這是一個(gè)壞塊或這個(gè)塊已被占用，這樣的壞塊列表也稱為壞塊位圖，這樣在更新壞塊列表的時(shí)候就不用頻繁擦除Flash。當(dāng)Nand Flash塊管理系統(tǒng)首次上電時(shí)，系統(tǒng)需要掃描整片Nand Flash，以初始化壞塊位圖，記錄Nand Flash的物理存儲(chǔ)塊情況，以便預(yù)留出可用的保留塊，用于“修復(fù)”Nand Flash中已經(jīng)存在的壞塊以及將來運(yùn)行過程中動(dòng)態(tài)產(chǎn)生的壞塊。

優(yōu)選的，所述壞塊位圖的結(jié)構(gòu)定義及說明可參考表1所示：

表1

在一優(yōu)選實(shí)施例中，以三星K9F1G08PCB0為例，一片Nand Flash芯片共有1024個(gè)塊，塊地址為0～0x3FF。為了實(shí)現(xiàn)從邏輯塊到物理塊的地址映射，需要構(gòu)建一張塊地址映射表。優(yōu)選的，可以將地址映射表定義為一個(gè)數(shù)據(jù)類型為unsigned short的一維數(shù)組，以數(shù)組的下標(biāo)表示邏輯塊地址。例如，所述地址映射表的結(jié)構(gòu)定義可參考表2所示：

表2

基于上述所述地址映射表的定義，當(dāng)GusBlockReMap[usIndex]的值為0xFFFF時(shí)，則表示物理塊地址為usIndex的塊為可用存儲(chǔ)塊，于是可用存儲(chǔ)塊的邏輯塊地址與物理塊地址的映射關(guān)系為：

Addr邏輯塊＝Addr物理塊＝usIndex

即可用存儲(chǔ)塊對(duì)于的邏輯塊地址與其自身的物理塊地址相同。

當(dāng)GusBlockReMap[usIndex]不為0xFFFF時(shí)，則表示物理塊地址為usIndex的塊為不可用存儲(chǔ)塊，其對(duì)應(yīng)的映射關(guān)系將按如程序清單1所示算法確定：

程序清單1邏輯地址重映射算法

優(yōu)選的，本實(shí)施例中將保留塊分配在整個(gè)Nand Flash存儲(chǔ)區(qū)間的末端，并且僅有驅(qū)動(dòng)層可以對(duì)其進(jìn)行直接訪問，而應(yīng)用層可以訪問最大邏輯塊地址應(yīng)小于所述保留塊的物理塊地址，這樣可以避免一個(gè)保留塊對(duì)應(yīng)多個(gè)邏輯塊。即所述邏輯塊的數(shù)量少于所述Nand Flash中的物理塊的數(shù)量，使得當(dāng)檢測(cè)到某一物理塊在使用過程中成為壞塊時(shí)，可將其他的物理塊替換壞塊虛擬為一邏輯塊供應(yīng)用層使用，因此，所述地址映射表中包含的最大邏輯塊地址小于所述Nand Flash中保留塊的物理塊地址。

由于若將壞塊位圖及地址映射表存儲(chǔ)在Nand Flash芯片中，需占據(jù)一定的存儲(chǔ)空間，不利于推廣到普遍的Nand Flash芯片中。

為了進(jìn)一步解決該問題，在一優(yōu)選實(shí)施例中，所述Nand Flash塊管理方法還包括預(yù)先建立所述Nand Flash對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)常量的步驟，所述結(jié)構(gòu)常量中包含有壞塊列表的起始地址、地址映射表的起始地址以及用于描述所述Nand Flash的屬性信息；將所述結(jié)構(gòu)常量存放在所述Nand Flash中的指定位置，將所述地址映射表以及所述壞塊列表存儲(chǔ)到所述Nand Flash之外的存儲(chǔ)單元，根據(jù)所述結(jié)構(gòu)常量訪問所述地址映射表以及所述壞塊列表。

例如，所述結(jié)構(gòu)常量為預(yù)先建立的一個(gè)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)字段，用于描述NAND Flash屬性，其結(jié)構(gòu)定義可參考程序清單2如所示：

程序清單2結(jié)構(gòu)常量NANDFLASH的結(jié)構(gòu)定義

由于結(jié)構(gòu)常量NANDFLASH只有24字節(jié)，實(shí)際應(yīng)用中可以將結(jié)構(gòu)常量NANDFLASH存放在Nand Flash的第0塊的固定位置，比如0xE000位置，而將壞塊位圖及映射表存放于其他位置，那么不論是128KB/塊還是16KB/塊的Nand Flash都可以共用同一種壞塊管理算法。當(dāng)然，所述結(jié)構(gòu)常量還可存儲(chǔ)在其他塊中，或者，所述結(jié)構(gòu)常量、所述壞塊位圖以及地址映射表均存放在額外的存儲(chǔ)單元。

上述實(shí)施例的Nand Flash塊管理方法，將壞塊管理機(jī)制相關(guān)的壞塊位圖、地址映射表以及用于描述Nand Flash屬性的NANDFLASH結(jié)構(gòu)常量直接存儲(chǔ)在現(xiàn)有的存儲(chǔ)單元中，無需額外增加硬件成本；并且實(shí)現(xiàn)這種塊管理方法的代碼量篇幅不大、內(nèi)存占用不多、訪問速度快、效率高，對(duì)于小Flash容量的嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)也適用。此外，通過保留塊的映射機(jī)制，還便于提供擦寫負(fù)載平均的支持。

需要說明的是，對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡便描述，將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其它順序或者同時(shí)進(jìn)行。此外，還可對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行任意組合，得到其他的實(shí)施例。

基于與上述實(shí)施例中的Nand Flash塊管理方法相同的思想，本發(fā)明還提供Nand Flash塊管理系統(tǒng)，該系統(tǒng)可用于執(zhí)行上述Nand Flash塊管理方法。為了便于說明，Nand Flash塊管理系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖中，僅僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，圖示結(jié)構(gòu)并不構(gòu)成對(duì)系統(tǒng)的限定，可以包括比圖示更多或更少的部件，或者組合某些部件，或者不同的部件布置。

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的Nand Flash塊管理系統(tǒng)的示意性結(jié)構(gòu)圖；如圖3所示，本實(shí)施例的Nand Flash塊管理系統(tǒng)包括：指令及地址確認(rèn)模塊310、塊狀態(tài)檢測(cè)模塊320以及映射管理模塊330，各模塊詳述如下：

所述指令及地址確認(rèn)模塊310，用于接收應(yīng)用層的訪問指令，所述訪問指令中包含邏輯塊地址；查詢預(yù)設(shè)的地址映射表，獲取所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的物理塊地址，所述地址映射表中存儲(chǔ)有與各個(gè)邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址；

所述塊狀態(tài)檢測(cè)模塊320，用于查詢預(yù)設(shè)的壞塊列表，檢測(cè)所述物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊是否可用；在所述壞塊列表中對(duì)所述Nand Flash中所有不可用的存儲(chǔ)塊進(jìn)行了標(biāo)記；

所述映射管理模塊330，用于若所述物理存儲(chǔ)地址指向的存儲(chǔ)塊不可用，根據(jù)預(yù)設(shè)的地址映射算法重新確定與所述邏輯塊地址對(duì)應(yīng)的Nand Flash物理塊地址，更新所述地址映射表，根據(jù)所述訪問指令對(duì)重新確定的物理塊地址指向的存儲(chǔ)塊進(jìn)行操作。

在一優(yōu)選實(shí)施例中，所述的Nand Flash塊管理系統(tǒng)還包括：壞塊列表建立模塊340，用于在Nand Flash塊管理系統(tǒng)上電時(shí)，掃描Nand Flash中的全部存儲(chǔ)塊，記錄所述Nand Flash中的存儲(chǔ)塊的狀態(tài)，構(gòu)建所述Nand Flash對(duì)應(yīng)的壞塊列表。所述的Nand Flash塊管理系統(tǒng)還可包括：地址映射表建立模塊350，用于獲取Nand Flash中非替換的可用存儲(chǔ)塊的物理塊地址，建立各邏輯塊地址與所述非替換的可用存儲(chǔ)塊的物理塊地址的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，根據(jù)所述對(duì)應(yīng)關(guān)系構(gòu)建地址映射表

在一優(yōu)選實(shí)施例中，所述的Nand Flash塊管理系統(tǒng)還包括：結(jié)構(gòu)常量建立模塊360，用于預(yù)先建立所述Nand Flash對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)常量，所述結(jié)構(gòu)常量中包含有壞塊列表的起始地址、地址映射表的起始地址以及用于描述所述Nand Flash的屬性信息。以及，存儲(chǔ)管理模塊(圖3中未示出)，用于將所述結(jié)構(gòu)常量存放在所述Nand Flash中的指定位置，將所述地址映射表以及所述壞塊列表存儲(chǔ)到所述Nand Flash之外的存儲(chǔ)單元，以根據(jù)所述結(jié)構(gòu)常量訪問所述地址映射表以及所述壞塊列表。

基于所述Nand Flash塊管理系統(tǒng)，將壞塊管理做在驅(qū)動(dòng)層，徹底斷絕物理層和應(yīng)用層的聯(lián)系，不光適用于前后臺(tái)應(yīng)用，也適用與操作系統(tǒng)應(yīng)用；并且它也不依賴于任何第三方的庫，在資源緊張的嵌入式系統(tǒng)中也適用；此外，對(duì)于其他使用文件系統(tǒng)和非文件系統(tǒng)的應(yīng)用同樣可以使用；可見所述Nand Flash塊管理系統(tǒng)具有較強(qiáng)的可移植性及通用性。

需要說明的是，上述示例的Nand Flash塊管理系統(tǒng)的實(shí)施方式中，各模塊之間的信息交互、執(zhí)行過程等內(nèi)容，由于與本發(fā)明前述方法實(shí)施例基于同一構(gòu)思，其帶來的技術(shù)效果與本發(fā)明前述方法實(shí)施例相同，具體內(nèi)容可參見本發(fā)明方法實(shí)施例中的敘述，此處不再贅述。

此外，上述示例的Nand Flash塊管理系統(tǒng)的實(shí)施方式中，各功能模塊的邏輯劃分僅是舉例說明，實(shí)際應(yīng)用中可以根據(jù)需要，例如出于相應(yīng)硬件的配置要求或者軟件的實(shí)現(xiàn)的便利考慮，將上述功能分配由不同的功能模塊完成，即將所述Nand Flash塊管理系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)劃分成不同的功能模塊，以完成以上描述的全部或者部分功能。其中各功能模既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分流程，是可以通過計(jì)算機(jī)程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用。所述程序在執(zhí)行時(shí)，可執(zhí)行如上述各方法的實(shí)施例的全部或部分步驟。其中，所述的存儲(chǔ)介質(zhì)可為磁碟、光盤、只讀存儲(chǔ)記憶體(Read-Only Memory，ROM)或隨機(jī)存儲(chǔ)記憶體(Random Access Memory，RAM)等。

在上述實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒有詳述的部分，可以參見其它實(shí)施例的相關(guān)描述。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，不能理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。