技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，特別地涉及一種RFID標(biāo)簽芯片中的射頻調(diào)制電路。本發(fā)明公開了一種RFID標(biāo)簽芯片中的射頻調(diào)制電路，包括P型MOS管MP1、N型MOS管MN1、反相電路、電容C1和單向開關(guān)，所述P型MOS管MP1和N型MOS管MN1的漏極相連，所述P型MOS管MP1和N型MOS管MN1的源極分別接天線的兩端，所述N型MOS管MN1的源極同時接地，所述P型MOS管MP1的襯底與漏極連接，調(diào)制信號接所述N型MOS管MN1的柵極，同時經(jīng)反相電路接所述電容C1的第一端，所述電容C1的第二端接P型MOS管MP1的柵極，同時連接單向開關(guān)接地，所述單向開關(guān)的電流導(dǎo)通方向指向地。本發(fā)明解決了射頻信號位于負(fù)半周期時，射頻信號被非正常箝位，從而影響工作距離的問題，且電路結(jié)構(gòu)簡單，成本低。

技術(shù)研發(fā)人員：易俊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州瀾達(dá)微電子科技有限公司
文檔號碼：201610546558
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.08
技術(shù)公布日：2016.11.30