1.一種RFID標(biāo)簽芯片中的射頻調(diào)制電路，其特征在于：包括P型MOS管MP1、N型MOS管MN1、反相電路、電容C1和單向開關(guān)，所述P型MOS管MP1和N型MOS管MN1的漏極相連，所述P型MOS管MP1和N型MOS管MN1的源極分別接天線的兩端，所述N型MOS管MN1的源極同時接地，所述P型MOS管MP1的襯底與漏極連接，調(diào)制信號接所述N型MOS管MN1的柵極，同時經(jīng)反相電路接所述電容C1的第一端，所述電容C1的第二端接P型MOS管MP1的柵極，同時連接單向開關(guān)接地，所述單向開關(guān)的電流導(dǎo)通方向指向地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID標(biāo)簽芯片中的射頻調(diào)制電路，其特征在于：所述反相電路由反相器INV1組成，調(diào)制信號接所述反相器INV1的輸入端，所述反相器INV1的輸出端接電容C1的第一端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的RFID標(biāo)簽芯片中的射頻調(diào)制電路，其特征在于：所述單向開關(guān)為二極管D1，所述二極管D1的正端接電容C1的第二端，所述二極管D1的負(fù)端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的RFID標(biāo)簽芯片中的射頻調(diào)制電路，其特征在于：所述單向開關(guān)為P型MOS管MP2，所述P型MOS管MP2的源極接電容C1的第二端，所述P型MOS管MP2的漏極接地，所述調(diào)制信號接P型MOS管MP2的柵極，所述P型MOS管MP2的襯底與漏極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的RFID標(biāo)簽芯片中的射頻調(diào)制電路，其特征在于：所述單向開關(guān)為NPN三極管Q1，所述NPN三極管Q1的發(fā)射極接電容C1的第二端，所述NPN三極管Q1的集電極接地，所述調(diào)制信號接NPN三極管Q1的的基極。