本發(fā)明涉及電容式觸摸屏走線設(shè)計，尤其涉及一種化學(xué)鍍金析出的ITO走線優(yōu)化設(shè)計方法。

背景技術(shù)：

采用鍍金工藝走線的電容式觸摸屏目前處于研發(fā)階段，是世界上從未實現(xiàn)量產(chǎn)。與現(xiàn)在普遍采用的鉬鋁鉬工藝走線相比，有更好的穩(wěn)定性以及耐腐蝕性，并且由于工序數(shù)少可以降低成本。鍍金工藝適用于車載，工控類等具有嚴(yán)格質(zhì)量要求的高端產(chǎn)品。鍍金走線設(shè)計是影響到鍍金結(jié)果的直接因素。

CN104281337A（2015-1-14）公開了一種電容屏邊緣走線鍍金屬方法及電容屏，然而該方法未提出如何能使鍍金有效析出的ITO走線設(shè)計方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種能使鍍金有效析出的優(yōu)化化學(xué)鍍金析出的ITO走線設(shè)計方法。

本發(fā)明的上述技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實現(xiàn)的：

一種優(yōu)化化學(xué)鍍金析出的ITO走線設(shè)計方法，包括ITO玻璃的待鍍金部分和不鍍金部分，所述待鍍金部分和不鍍金的驅(qū)動區(qū)蝕刻有走線，所述不鍍金的驅(qū)動區(qū)覆蓋有鍍金保護(hù)膜，之后通過化學(xué)鍍金工藝對每塊觸控玻璃的走線進(jìn)行鍍金；其在鍍金不容易析出的地方附近區(qū)域且位于所述ITO玻璃上的非走線部分設(shè)置獨立的鍍金處理誘導(dǎo)件；所述鍍金不容易析出的地方為鍍金處理面積小的區(qū)域；所述獨立的鍍金處理誘導(dǎo)件為設(shè)置在所述ITO玻璃上的獨立的ITO圖形。

本發(fā)明鍍金不析出是指鍍不上金，鍍金不容易析出是指不容易鍍上金。

發(fā)明人經(jīng)過長期的研發(fā)試驗，發(fā)現(xiàn)電容式觸摸屏鍍金在鍍金過程中，存在以下總結(jié)規(guī)律：

① 走線密集的地方鍍金容易析出；

② 走線不密集的地方鍍金不容易析出；

③ 線寬大的走線鍍金容易析出；

④ 線寬小的走線鍍金不容易析出 ；

⑤ 如果進(jìn)行鍍金處理的區(qū)域面積大，鍍金容易析出；

⑥ 如果進(jìn)行鍍金處理的區(qū)域面積小，鍍金不容易析出；

⑦ 作為⑥的例外，即使進(jìn)行鍍金處理區(qū)域的面積小，如果附近存在較大面積的鍍金處理區(qū)域，將誘導(dǎo)小面積區(qū)域的鍍金析出。

發(fā)明人經(jīng)過長期的研發(fā)試驗，發(fā)現(xiàn)除了面積比率外，以上因素也會導(dǎo)致鍍金未析出，本技術(shù)是針對這樣情況的一種解決方案。在鍍金不容易析出的地方附近區(qū)域設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件，將會引導(dǎo)小面積的ITO鍍金更容易析出。

作為優(yōu)選，所述鍍金處理面積小的區(qū)域為鍍金走線與非鍍金驅(qū)動區(qū)域連接的地方，在鍍金走線與非鍍金驅(qū)動區(qū)域連接的地方的附近區(qū)域且位于所述ITO玻璃上的非走線部分設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件，用以促進(jìn)鍍金析出。

更優(yōu)選地，所述獨立的鍍金誘導(dǎo)件為獨立浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形。

作為優(yōu)選，所述鍍金處理面積小的區(qū)域為走線不密集的區(qū)域，在走線不密集的區(qū)域附近且位于所述ITO玻璃上的非走線部分設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件，用以促進(jìn)鍍金析出。

更優(yōu)選地，所述獨立的鍍金誘導(dǎo)件為獨立浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形。

作為優(yōu)選，所述鍍金處理面積小的區(qū)域為線寬小的走線區(qū)域，在玻璃切割后將廢棄的非使用部位設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件，用以促進(jìn)鍍金析出，待鍍金析出后，切除并廢棄非使用部位。

更優(yōu)選地，所述獨立的鍍金誘導(dǎo)件為獨立浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形。

作為優(yōu)選，所述鍍金處理面積小的區(qū)域為走線不密集的區(qū)域，在走線不密集的區(qū)域加寬GND接地線，用以促進(jìn)鍍金析出。

作為優(yōu)選，所述鍍金處理面積小的區(qū)域為線寬小的走線區(qū)域，在玻璃切割后不廢棄的使用部位且位于所述ITO玻璃上的非走線部分設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件，用以促進(jìn)鍍金析出。

更優(yōu)選地，所述獨立的鍍金誘導(dǎo)件為獨立浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形。

作為優(yōu)選，所述鍍金處理面積小的區(qū)域為線寬小的走線區(qū)域，在線寬小的走線區(qū)域加寬GND接地線，用以促進(jìn)鍍金析出。

采用本發(fā)明的方法不滿足原有設(shè)計方法中盡可能的使走線總面積小或者使鍍金的ITO面積盡量的大的原則，是一種新的設(shè)計方法，不改變現(xiàn)有的鍍金面積，通過在鍍金不容易析出的地方附近區(qū)域設(shè)置獨立的鍍金處理誘導(dǎo)件，使鍍金更容易析出，且鍍金厚度更均勻，電容式觸摸屏產(chǎn)品穩(wěn)定性和傳輸信號能力更好。

附圖說明

圖1是ITO玻璃鍍金容易析出部分的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是本發(fā)明ITO玻璃鍍金不容易析出部分的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3是ITO玻璃鍍金走線與非鍍金走線連接部分的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明鍍金走線與非鍍金走線連接地方區(qū)域附近設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是ITO玻璃走線不密集的地方的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明在走線不密集地方區(qū)域附近加寬GND線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明在走線不密集地方區(qū)域附近設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是ITO玻璃走線線寬小的地方的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明在玻璃切割后將廢棄的非使用部位設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明在玻璃切割后不廢棄的使用部位設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明在走線線寬小的地方區(qū)域附近加寬GND線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是ITO玻璃單獨走線示意圖；

圖13是ITO玻璃多數(shù)走線示意圖；

圖14是本發(fā)明ITO玻璃單獨走線附近設(shè)置大面積的ITO圖形示意圖；

圖15是本發(fā)明在玻璃切割后不廢棄的使用部位設(shè)置獨立浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形示意圖；

圖16是在鍍金走線與非鍍金驅(qū)動區(qū)域連接的地方的附近區(qū)域設(shè)置獨立浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合圖1-圖16對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

優(yōu)化化學(xué)鍍金析出的ITO走線設(shè)計方法包括ITO玻璃的待鍍金部分和不鍍金部分，待鍍金部分和不鍍金的驅(qū)動區(qū)上蝕刻有走線，不鍍金的驅(qū)動區(qū)覆蓋有鍍金保護(hù)膜，之后通過化學(xué)鍍金工藝對每塊觸控玻璃的走線進(jìn)行鍍金；其在鍍金不容易析出的地方附近區(qū)域設(shè)置獨立的鍍金處理誘導(dǎo)件；鍍金不容易析出的地方鍍金處理面積小的區(qū)域；獨立的鍍金處理誘導(dǎo)件為獨立的ITO圖形。

發(fā)明人經(jīng)過長期的研發(fā)試驗，發(fā)現(xiàn)電容式觸摸屏鍍金在鍍金過程中，存在以下總結(jié)規(guī)律：

① 走線密集的地方鍍金容易析出，例如圖1中的B部位；

② 走線不密集的地方鍍金不容易析出，例如圖2中的D部位；

③ 線寬大的走線鍍金容易析出，例如圖1中的A部位；

④ 線寬小的走線鍍金不容易析出 , 例如圖2中的E部位；

⑤ 如果進(jìn)行鍍金處理的區(qū)域面積大，鍍金容易析出；

⑥ 如果進(jìn)行鍍金處理的區(qū)域面積小，鍍金不容易析出；

⑦ 作為⑥的例外，即使進(jìn)行鍍金處理區(qū)域的面積小，如果附近存在較大面積的鍍金處理區(qū)域，將誘導(dǎo)小面積區(qū)域的鍍金析出。

例如圖12中的單獨走線1鍍金不容易析出；

但圖13多數(shù)走線1或圖14單獨走線1附近存在大面積的ITO圖形時，鍍金更容易析出。

實施例一

鍍金處理面積小的區(qū)域為鍍金走線與非鍍金驅(qū)動區(qū)域連接的地方，具體例如圖2中的C部位或圖3中的C部位；在鍍金走線與非鍍金驅(qū)動區(qū)域連接的地方的附近區(qū)域例如圖4中的C*部位設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件，用以促進(jìn)鍍金析出。

獨立的鍍金誘導(dǎo)件可以為獨立浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形。例如圖16中追加的浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形2。

實施例二

鍍金處理面積小的區(qū)域為走線不密集的區(qū)域，具體例如圖5中的D部位；發(fā)明人在走線不密集的區(qū)域附近具體例如圖7中的D*部位設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件，用以促進(jìn)鍍金析出。獨立的鍍金誘導(dǎo)件可以為獨立浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形。

實施例三

鍍金處理面積小的區(qū)域為走線不密集的區(qū)域，發(fā)明人在走線不密集的區(qū)域加寬GND接地線，例如按照圖6中的D*部位加寬GND線，用以促進(jìn)鍍金析出。

實施例四

鍍金處理面積小的區(qū)域為線寬小的走線區(qū)域，例如圖2中的E部位或圖8中的E部位，發(fā)明人在玻璃切割后將廢棄的非使用部位例如圖9中的E*部位設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件，用以促進(jìn)鍍金析出。

獨立的鍍金誘導(dǎo)件可以為獨立浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形。

實施例五

鍍金處理面積小的區(qū)域為線寬小的走線區(qū)域例如圖2中的E部位或圖8中的E部位，發(fā)明人在玻璃切割后不廢棄的使用部位例如圖10中的E*部位設(shè)置獨立的鍍金誘導(dǎo)件，用以促進(jìn)鍍金析出。

獨立的鍍金誘導(dǎo)件可以為獨立浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形，例如圖15中追加的浮島結(jié)構(gòu)的ITO圖形2。

實施例六

鍍金處理面積小的區(qū)域為線寬小的走線區(qū)域例如圖2中的E部位或圖8中的E部位，發(fā)明人在線寬小的走線區(qū)域加寬GND接地線，例如按照圖11中的E*部位加寬GND線，用以促進(jìn)鍍金析出。

本具體實施例僅僅是對本發(fā)明的解釋，其并不是對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對本實施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，但只要在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。