Ito架橋的ogs電容觸摸屏的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及電容式觸摸屏【技術領域】,特別是一種ITO架橋的OGS電容觸摸屏;包括依次層疊設置的玻璃基板、AR鍍膜層、BM邊框圖案層、ITO架橋層、MT金屬導線層、OC保護層和ITO圖案層,所述BM邊框圖案層位于所述玻璃基板的四周;與傳統(tǒng)的ITO架橋的OGS電容觸摸屏相比,本實用新型把ITO架橋的OGS電容觸摸屏的結構進行調(diào)整,從而把ITO架橋層和MT金屬導線層的絕緣保護層采用同一保護層即OC保護層進行保護,因此與傳統(tǒng)的加工過程相比,減少了一道加工工序,縮短了生產(chǎn)周期,減少了一道保護層的材料成本,從而達到提高生產(chǎn)效率,降低生產(chǎn)成本的目的。
【專利說明】I TO架橋的OGS電容觸摸屏
【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及電容式觸摸屏【技術領域】,特別是一種?το架橋的0GS電容觸摸屏。
【背景技術】
[0002] One Glass Solution (簡稱0GS)指在保護玻璃上直接形成ΙΤ0導電膜及傳感器 的技術,一塊玻璃同時起到保護玻璃和觸摸傳感器的雙重作用。由于0GS技術將導電玻璃 與保護玻璃集成于一片玻璃上,能夠較好地滿足智能終端超薄化需求,并提升顯示效果,因 此采用0GS結構的電容觸摸屏產(chǎn)品檔次高、厚度薄、制程簡化,有利于降低生產(chǎn)成本、提升 產(chǎn)品性能和生產(chǎn)良率。
[0003] 如圖1所示,傳統(tǒng)的ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏依次包括玻璃基板11、AR鍍膜層 12、BM邊框圖案層13、ΙΤ0架橋層14、0C絕緣層15、ΙΤ0圖案層16、MT金屬導線層17和0C 保護層18,其中0C絕緣層15的主要目的是防止觸摸屏X/Y電極之間產(chǎn)生短路,0C保護層 18的目的是保護MT金屬導線層17的防刮絕緣層。
[0004] 傳統(tǒng)的ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏層數(shù)較多,且每一層都由單獨的工序進行加工 而得,因此生產(chǎn)時間較長且材料成本較高。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本實用新型為了解決傳統(tǒng)的ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏層數(shù)較多,在生產(chǎn)的過程 中,加工工序較多,導致效率低、成本高的問題而提供的一種ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏及 其加工工藝。
[0006] 為達到上述功能,本實用新型提供的技術方案是:
[0007] -種ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏及其加工工藝,包括依次層疊設置的玻璃基板、AR 鍍膜層、BM邊框圖案層、ΙΤ0架橋層、MT金屬導線層、0C保護層和ΙΤ0圖案層,所述BM邊框 圖案層位于所述玻璃基板的四周。
[0008] 優(yōu)選地,所述ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏的厚度為0. 5?1. 2mm。
[0009] 優(yōu)選地,所述MT金屬導線層位于所述ΙΤ0圖案層的兩側。
[0010] 本實用新型同時也提供了一種制備上述的ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏的加工工 藝,包括以下步驟:
[0011] 步驟1、對玻璃基板進行清洗和烘干;
[0012] 步驟2、在玻璃基板的背面進行真空濺射鍍膜,鍍上一層氧化鈮作為消除蝕刻紋路 的氧化物膜層,形成AR鍍膜層;
[0013] 步驟3、在0GS觸摸屏的非可視區(qū)域上絲印絕緣油墨,并固化絕緣油墨,形成黑色 絕緣膜層,邊框內(nèi)部為可視區(qū)域,形成BM邊框圖案層;
[0014] 步驟4、利用真空濺射鍍膜技術,在上述可視區(qū)域內(nèi)鍍上一層氧化銦錫作為第一導 電層;
[0015] 步驟5、涂布光刻膠,將所述第一導電層完全覆蓋,在光刻膠上光刻ΙΤ0架橋圖案;
[0016] 步驟6、蝕刻所述第一導電層,得到ΙΤ0架橋層;
[0017] 步驟7、利用真空濺射鍍膜技術,鍍一層金屬層作為觸摸屏Χ/Υ電極與觸控1C連接 的第二導電層;
[0018] 步驟8、蝕刻第二導電層,得到觸摸屏Χ/Υ電極與觸控1C連接的金屬導線,形成ΜΤ 金屬導線層;
[0019] 步驟9、利用紫外線曝光、顯影技術制作出保護所述ΙΤ0架橋層和所述ΜΤ金屬導線 層的0C保護層;
[0020] 步驟10、利用真空濺射鍍膜技術,在上述可視區(qū)域內(nèi)再鍍上一層氧化銦錫作為第 三導電層;
[0021] 步驟11、涂布光刻膠,將所述第三導電層完全覆蓋,在光刻膠上光刻導電Χ/Υ電極 圖案層;
[0022] 步驟12、蝕刻所述第三導電層,得到ΙΤ0圖案層;
[0023] 步驟13、采用切割機和CNC對所述玻璃基板進行切割和外形加工,并進行二次強 化;
[0024] 步驟14、將PFC引腳貼合到所述ΜΤ金屬線層,形成觸摸屏成品。
[0025] 優(yōu)選地,所述玻璃基板為鋼化玻璃。
[0026] 優(yōu)選地,步驟13所述的二次強化采用物理強化的方式進行。
[0027] 本實用新型的有益效果在于:與傳統(tǒng)的ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏相比,本實用新 型把ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏的結構進行調(diào)整,從而把ΙΤ0架橋層和ΜΤ金屬導線層的絕 緣保護層采用同一保護層即0C保護層進行保護,因此與傳統(tǒng)的加工過程相比,減少了一道 加工工序,縮短了生產(chǎn)周期,減少了一道保護層的材料成本,從而達到提高生產(chǎn)效率,降低 生產(chǎn)成本的目的;實際生產(chǎn)數(shù)據(jù)表明采用本實用新型的結構能提高22%左右的生產(chǎn)效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028] 圖1為傳統(tǒng)的ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏的結構示意圖;
[0029] 圖2為本實用新型的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0030] 下面結合附圖2對本實用新型作進一步闡述:
[0031] 如圖2所示的一種ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏,包括依次層疊設置的玻璃基板11、 AR鍍膜層12、ΒΜ邊框圖案層13、ΙΤ0架橋層14、ΜΤ金屬導線層17、0C保護層18和ΙΤ0圖 案層16,BM邊框圖案層13位于玻璃基板11的四周,在本實施例中,MT金屬導線層17位于 ΙΤ0圖案層16的兩側,本實用新型的電容屏的厚度約為0. 5?1. 2mm。
[0032] 本實用新型同時也公開了一種制備上述的ΙΤ0架橋的0GS電容觸摸屏的加工工 藝,包括以下步驟:
[0033] 步驟1、對玻璃基板11進行清洗,清洗可采用傳統(tǒng)的清洗機清洗,然后再采用離子 純凈水進行超聲波清洗,最后進行烘干;
[0034] 步驟2、在對上述烘干后的玻璃基板11的背面進行真空濺射鍍膜,鍍上一層氧化 鈮作為消除蝕刻紋路的氧化物膜層,形成AR鍍膜層12 ;
[0035] 步驟3、在0GS觸摸屏的非可視區(qū)域上絲印絕緣油墨,并固化絕緣油墨,形成黑色 絕緣膜層,邊框內(nèi)部為可視區(qū)域,形成BM邊框圖案層13 ;
[0036] 步驟4、利用真空濺射鍍膜技術,在上述可視區(qū)域內(nèi)鍍上一層氧化銦錫作為第一導 電層;
[0037] 步驟5、涂布光刻膠,將上述第一導電層完全覆蓋,經(jīng)過預烘干后再進入曝光機,進 行紫外光照射,使光刻膠曝光,曝光后再進行顯影,將紫外光照過的光刻膠洗掉,得到ΙΤ0 架橋圖案;
[0038] 步驟6、放入酸液中,蝕刻掉沒有光刻膠覆蓋的第一導電層,得到ΙΤ0架橋層14 ;
[0039] 步驟7、利用真空濺射鍍膜技術,鍍一層金屬層作為觸摸屏X/Y電極與觸控1C連接 的第二導電層;
[0040] 步驟8、蝕刻第二導電層,得到觸摸屏X/Y電極與觸控1C連接的金屬導線,形成MT 金屬導線層17 ;
[0041] 步驟9、利用紫外線曝光、顯影技術制作出保護所述ΙΤ0架橋層14和所述MT金屬 導線層17的0C保護層18;
[0042] 步驟10、利用真空濺射鍍膜技術,在上述可視區(qū)域內(nèi)再鍍上一層氧化銦錫作為第 三導電層;
[0043] 步驟11、涂布光刻膠,將所述第三導電層完全覆蓋,在光刻膠上光刻導電X/Y電極 圖案層;
[0044] 步驟12、蝕刻所述第三導電層,得到ΙΤ0圖案層16 ;
[0045] 步驟13、采用切割機和CNC對所述玻璃基板11進行切割和外形加工,并進行二次 強化;
[0046] 步驟14、將PFC引腳貼合到所述MT金屬線層,形成觸摸屏成品。
[0047] 在本實施例中,玻璃基板11為鋼化玻璃。目前行業(yè)內(nèi)均采用化學強化方式進行二 次強化。因為化學二強采用氫氟酸蝕刻玻璃段面的切割痕,其藥液具有極大危害性且采用 化學強化,產(chǎn)品的良率低,無形之中提高產(chǎn)品成本。另外采用化學二次強化的方式,其機械 抗壓能力提升只能提升4?8倍,在本實施例中,我們采用物理二次強化的方式,物理二次 強化是以研磨的方式去修整玻璃段面的切割痕,進行二次強化,采用這種方式一則可以完 全避免化學藥液的危害性另外,產(chǎn)品良率高,機械抗壓能力可提高數(shù)倍,降低產(chǎn)品成本。 [〇〇48] 以上所述實施例,只是本實用新型的較佳實例,并非來限制本實用新型的實施范 圍,故凡依本實用新型申請專利范圍所述的構造、特征及原理所做的等效變化或修飾,均應 包括于本實用新型專利申請范圍內(nèi)。
【權利要求】
1. 一種ITO架橋的OGS電容觸摸屏,其特征在于:包括依次層疊設置的玻璃基板、AR鍍 膜層、BM邊框圖案層、IT0架橋層、MT金屬導線層、0C保護層和IT0圖案層,所述BM邊框圖 案層位于所述玻璃基板的四周。
2. 如權利要求1所述的IT0架橋的0GS電容觸摸屏,其特征在于:所述IT0架橋的0GS 電容觸摸屏的厚度為〇. 5?1. 2mm。
3. 如權利要求1或2所述的ITO架橋的OGS電容觸摸屏,其特征在于:所述MT金屬導 線層位于所述IT0圖案層的兩側。
【文檔編號】G06F3/044GK203894732SQ201420172029
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年4月10日 優(yōu)先權日:2014年4月10日
【發(fā)明者】朱星旺, 楊旭, 劉曉光, 何軍海 申請人:湖北仁齊科技有限公司