一種采用pnp晶體管實現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了采用PNP晶體管實現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結構(如圖1),屬于集成電路設計【技術領域】。所述的測溫芯片版圖由第1版圖區(qū)、第2版圖區(qū)、第3版圖區(qū)、第4版圖區(qū)、第5版圖區(qū)、第6版圖區(qū)、第7版圖區(qū)、第8版圖區(qū)和第9版圖區(qū)組成;第1版圖區(qū)與2、5、9版圖區(qū)都相連,第2版圖區(qū)與1、3、5版圖區(qū)都相連,第3版圖區(qū)與2、5版圖區(qū)都相連,第4版圖區(qū)與5、6、7版圖區(qū)都相連,第5版圖區(qū)與1、2、3、4、6、8、9版圖區(qū)都相連,第6版圖區(qū)與4、5、7、8版圖區(qū)都相連,第7版圖區(qū)與4、6、8版圖區(qū)都相連,第8版圖區(qū)與5、6、7、9都相連,第9版圖區(qū)與1、5、8版圖區(qū)都相連。本發(fā)明具有測溫芯片的各個版圖區(qū)位置固定,優(yōu)化了采用PNP晶體管高精度測溫芯片版圖的設計。
【專利說明】一種采用PNP晶體管實現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結構
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路設計【技術領域】,特別涉及采用PNP晶體管實現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結構
【背景技術】
[0002]在溫度控制系統(tǒng)、工業(yè)系統(tǒng)、溫度計、消費品、熱感測系統(tǒng)等各種非極限溫度的溫度測試場合,經常需要耐磨耐碰,體積小,走線簡單,使用方便,適用于各種狹小空間的數(shù)字測溫設備。目前,市場上有多款高精度測溫芯片提供了這類功能。高精度測溫芯片采用PNP晶體管作為測溫元件,降低了工藝的限制,節(jié)約了成本,高精度測溫芯片通信端口少,最少可以采用兩線連接。通過本專利所述版圖設計能提高了測溫的精度及抗電源的干擾,高精度測溫芯片的這些優(yōu)點,使得其廣泛應用于需要測溫的場合。
【發(fā)明內容】
[0003]為了解決由于版圖設計不合理,導致采用PNP晶體管高精度測溫芯片設計的問題,本發(fā)明提供了一種溫補高精度測溫芯片版圖結構,所述溫度補償高精度測溫芯片版圖由第I版圖區(qū)、第2版圖區(qū)、第3版圖區(qū)、第4版圖區(qū)、第5版圖區(qū)、第6版圖區(qū)、第7版圖區(qū)、第8版圖區(qū)和第9版圖區(qū)組成,;
[0004]所述第I版圖區(qū)為高精度轉換電路版圖區(qū),具體包括電流鏡版圖、參考電壓源版圖以及ADC版圖。
[0005]所述第2版圖區(qū)為強ESD版圖區(qū),所述強ESD版圖區(qū)由ESD及ESD增強電路組成。
[0006]所述第3版圖區(qū)為接口電路版圖區(qū)。
[0007]所述第4版圖區(qū)為數(shù)字控制電路版圖區(qū)。
[0008]所述第5版圖區(qū)為新型補償算法電路版圖區(qū),設計了具有自主知識產權的新型補償算法數(shù)字電路。
[0009]所述第6版圖區(qū)為數(shù)字處理電路版圖區(qū),有獨立的保護環(huán)。
[0010]所述第7版圖區(qū)為電源管理電路版圖區(qū),所述電源管理電路版圖區(qū)由控制電路、電容組成,每個部分都有獨立的保護環(huán)。
[0011]所述第8版圖區(qū)為存儲電路版圖區(qū),所述存儲電路版圖區(qū)由數(shù)字暫存器版圖和非易失存儲器版圖組成。
[0012]所述第9版圖區(qū)為高精度測溫電路版圖區(qū),所述高精度測溫電路版圖區(qū)由PNP測溫電路版圖、放大器版圖、穩(wěn)壓源版圖以及電阻修調版圖組成,測溫電路版圖共質心。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013]圖1芯片版圖
[0014]圖2用PNP晶體管高精度測溫芯片版圖結構示意圖
【具體實施方式】
[0015]一種芯片的成功與否很大程度上取決與其版圖設計的好壞,采用本專利設計的PNP測溫芯片成功的實現(xiàn)了高精度,其特征在于,所述的采用PNP晶體管高精度測溫芯片版圖由高精度轉換電路版圖區(qū)部分1、強ESD版圖區(qū)部分2、接口電路版圖區(qū)部分3、數(shù)字控制電路版圖區(qū)部分4、新型補償算法電路版圖區(qū)部分5、數(shù)字處理電路版圖區(qū)部分6、電源管理電路版圖區(qū)部分7、存儲電路版圖區(qū)部分8和高精度測溫電路版圖區(qū)部分9組成;第I版圖區(qū)與2、5、9版圖區(qū)都相連,第2版圖區(qū)與1、3、5版圖區(qū)都相連,第3版圖區(qū)與2、5版圖區(qū)都相連,第4版圖區(qū)與5、6、7版圖區(qū)都相連,第5版圖區(qū)與1、2、3、4、6、8、9版圖區(qū)都相連,第6版圖區(qū)與4、5、7、8版圖區(qū)都相連,第7版圖區(qū)與4、6、8版圖區(qū)都相連,第8版圖區(qū)與5、6、
7、9都相連,第9版圖區(qū)與1、5、8版圖區(qū)都相連。
[0016]本發(fā)明的技術內容及技術特征揭示如上,但熟悉本領域的技術人員可能基于本發(fā)明做不背離本發(fā)明精神的改動與修飾。因此本發(fā)明將不會限制于本文所示的這些實施例,而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬范圍。
【權利要求】
1.一種采用晶體管高精度測溫芯片版圖結構,其特征在于,所述的采用晶體管高精度測溫芯片版圖由第1版圖區(qū)、第2版圖區(qū)、第3版圖區(qū)、第4版圖區(qū)、第5版圖區(qū)、第6版圖區(qū)、第7版圖區(qū)、第8版圖區(qū)和第9版圖區(qū)組成;第1版圖區(qū)與2、5、9版圖區(qū)都相連,第2版圖區(qū)與1、3、5版圖區(qū)都相連,第3版圖區(qū)與2、5版圖區(qū)都相連,第4版圖區(qū)與5、6、7版圖區(qū)都相連,第5版圖區(qū)與1、2、3、4、6、8、9版圖區(qū)都相連,第6版圖區(qū)與4、5、7、8版圖區(qū)都相連,第7版圖區(qū)與4、6、8版圖區(qū)都相連,第8版圖區(qū)與5、6、7、9都相連,第9版圖區(qū)與1、5、8版圖區(qū)都相連。
2.如權利要求1所述的采用?冊晶體管實現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結構,其特征在于,所述第1版圖區(qū)高精度轉換電路。
3.如權利要求1所述的采用?冊晶體管實現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結構,其特征在于,所述第2版圖區(qū)為強230版圖區(qū)。
4.如權利要求1所述的采用?冊晶體管實現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結構,其特征在于,所述第3版圖區(qū)為接口電路,用于與外圍電路通信。
5.如權利要求1所述的采用?冊晶體管實現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結構,其特征在于,所述第4版圖區(qū)為數(shù)字控制電路,協(xié)調芯片內的模擬與數(shù)字部分的工作。
6.如權利要求1所述的采用?冊晶體管實現(xiàn)的高精度測溫芯片版圖結構,其特征在于,所述第5、6、7、8、9版圖區(qū)分別為新型補償算法電路、數(shù)字處理電路、電源管理電路、存儲電路、高精度晶體管測溫電路,實現(xiàn)溫度的檢測。
【文檔編號】G06F17/50GK104484497SQ201410653753
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年11月18日 優(yōu)先權日:2014年11月18日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:北京七芯中創(chuàng)科技有限公司