數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置以及快閃存儲(chǔ)器控制方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明揭示了一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置以及快閃存儲(chǔ)器控制方法。是以快閃存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置的損壞標(biāo)示技術(shù)。耦接該快閃存儲(chǔ)器的一控制器于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)至該快閃存儲(chǔ)器時(shí)還將數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的至少一時(shí)間標(biāo)簽也儲(chǔ)存至該快閃存儲(chǔ)器。于識(shí)別損壞區(qū)塊時(shí)，該控制器根據(jù)上述時(shí)間標(biāo)簽將非確實(shí)物理?yè)p壞的區(qū)塊排除?？扉W存儲(chǔ)器因而免于過(guò)早被限定為寫(xiě)入保護(hù)，使用壽命顯著延長(zhǎng)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置以及快閃存儲(chǔ)器控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及以快閃存儲(chǔ)器(FLASH memory)實(shí)現(xiàn)的一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，還涉及一種快閃存儲(chǔ)器控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置常以快閃存儲(chǔ)器(FLASH memory)為儲(chǔ)存媒體，常用作:存儲(chǔ)卡(memory card)、通用序列總線(xiàn)閃存裝置(USB flash device)、固態(tài)硬盤(pán)(SSD)…等產(chǎn)品。另外有一種應(yīng)用是采多芯片封裝、將快閃存儲(chǔ)器芯片與控制芯片包成一顆芯片一稱(chēng)為嵌入式快閃存儲(chǔ)器模塊(eMMC)。
[0003]快閃存儲(chǔ)器的儲(chǔ)存空間劃分為多個(gè)區(qū)塊(blocks)，各區(qū)塊包括多頁(yè)(pages)。擦除操作(erase operation)是以區(qū)塊為單位。整個(gè)區(qū)塊的內(nèi)容完整擦除后，該個(gè)區(qū)塊方能釋出待下次配置使用?？扉W存儲(chǔ)器操作技術(shù)會(huì)將擦除次數(shù)太多導(dǎo)致不堪使用的區(qū)塊標(biāo)示為損壞。損壞的區(qū)塊越多，快閃存儲(chǔ)器內(nèi)可用的閑置區(qū)塊就越少。一旦閑置區(qū)塊的數(shù)量低于一下限，此快閃存儲(chǔ)器就進(jìn)入寫(xiě)入保護(hù)(write protected),只能讀取,不能寫(xiě)入數(shù)據(jù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明揭示一種以快閃存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，并且揭示一種快閃存儲(chǔ)器的控制方法，其中提供了精準(zhǔn)的損壞區(qū)塊識(shí)別技術(shù)。
[0005]根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包括一快閃存儲(chǔ)器以及耦接該快閃存儲(chǔ)器的一控制器。該快閃存儲(chǔ)器的儲(chǔ)存空間劃分為多個(gè)區(qū)塊。各區(qū)塊包括多頁(yè)。該控制器于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)至該快閃存儲(chǔ)器時(shí)還將數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的至少一時(shí)間標(biāo)簽也儲(chǔ)存至該快閃存儲(chǔ)器。于識(shí)別儲(chǔ) 存該數(shù)據(jù)的區(qū)塊是否為損壞區(qū)塊時(shí)，控制器是根據(jù)上述時(shí)間標(biāo)簽判斷該區(qū)塊是否確實(shí)物理?yè)p壞。僅因數(shù)據(jù)過(guò)于老舊(非確實(shí)物理?yè)p壞)而造成讀取困難的區(qū)塊不再被誤判為損壞。快閃存儲(chǔ)器的閑置區(qū)塊數(shù)量不再無(wú)謂下降?？扉W存儲(chǔ)器因而免于過(guò)早被限定為寫(xiě)入保護(hù)，使用壽命有效延長(zhǎng)。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的快閃存儲(chǔ)器控制方法包括以下步驟:于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)至一快閃存儲(chǔ)器時(shí)，還將數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的至少一時(shí)間標(biāo)簽也儲(chǔ)存至該快閃存儲(chǔ)器，上述快閃存儲(chǔ)器的儲(chǔ)存空間劃分為多個(gè)區(qū)塊；以及，于識(shí)別儲(chǔ)存該數(shù)據(jù)的區(qū)塊是否為損壞區(qū)塊時(shí)根據(jù)上述時(shí)間標(biāo)簽判斷該區(qū)塊是否確實(shí)物理?yè)p壞。
[0007]下文特舉實(shí)施例，并結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100，其中包括一快閃存儲(chǔ)器(FLASH memory) 102以及一控制器104 ;且
[0009]圖2以流程圖更詳細(xì)圖解根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的快閃存儲(chǔ)器102損壞空間識(shí)別方法。[0010]附圖符號(hào)說(shuō)明
[0011]100~數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置；
[0012]102~快閃存儲(chǔ)器；
[0013]104~控制器；
[0014]106 ~主機(jī)；
[0015]108~系統(tǒng)信息空間；
[0016]110~閑置空間；
[0017]112~損壞記錄；
[0018]114~時(shí)間參考；
[0019]Data_Blkl、Data_Blk2 ~數(shù)據(jù)區(qū)塊；
[0020]S202…S214 ~步驟。
【具體實(shí)施方式】
[0021]以下敘述列舉 際發(fā)明范圍應(yīng)依照本發(fā)明的權(quán)利要求界定。
[0022]圖1為根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100，其中包括一快閃存儲(chǔ)器(FLASH memory) 102以及一控制器104?？刂破?04可根據(jù)主機(jī)106的要求,下達(dá)指令操作該快閃存儲(chǔ)器102。
[0023]快閃存儲(chǔ)器102的儲(chǔ)存空間劃分為多個(gè)區(qū)塊(blocks)，更近一步地，各區(qū)塊包括多頁(yè)(pages)。擦除操作(erase operation)是以區(qū)塊為單位。整個(gè)區(qū)塊的內(nèi)容完整擦除后，該區(qū)塊方能釋出待下次配置使用。參考圖1，在一實(shí)施例中，快閃存儲(chǔ)器102中部分區(qū)塊是作為系統(tǒng)信息空間108使用，儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的區(qū)塊則有Data_Blkl、Data_Blk2…等，閑置沒(méi)有使用的區(qū)塊則可屬閑置空間110。控制器104在系統(tǒng)信息空間108作一損壞記錄112，標(biāo)記不堪使用的區(qū)塊。損壞的區(qū)塊越多，可釋放作閑置空間110的閑置區(qū)塊的區(qū)塊就越少。一旦閑置空間110的區(qū)塊數(shù)量低于一下限，此快閃存儲(chǔ)器102就整體進(jìn)入寫(xiě)入保護(hù)(writeprotected),只能讀取,不能寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
[0024]根據(jù)本發(fā)明所揭示的技術(shù)，控制器104是耦接快閃存儲(chǔ)器102，其于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)至該快閃存儲(chǔ)器102時(shí)還將數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的至少一時(shí)間標(biāo)簽(time stamp)也儲(chǔ)存至該快閃存儲(chǔ)器102，并于識(shí)別儲(chǔ)存該數(shù)據(jù)的區(qū)塊是否為損壞區(qū)塊時(shí)將上述時(shí)間標(biāo)簽考慮于其中，根據(jù)上述時(shí)間標(biāo)簽判斷該區(qū)塊是否確實(shí)物理?yè)p壞。如此一來(lái)，僅因數(shù)據(jù)過(guò)于老舊(非確實(shí)物理?yè)p壞)而造成讀取困難的區(qū)塊不再被誤判為損壞?？扉W存儲(chǔ)器102的閑置區(qū)塊數(shù)量不再無(wú)謂下降。快閃存儲(chǔ)器102免于過(guò)早被限定為寫(xiě)入保護(hù)，壽命有效延長(zhǎng)。
[0025]參閱數(shù)據(jù)區(qū)塊Data_Blk2，根據(jù)本發(fā)明所揭示的技術(shù)，每頁(yè)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)一時(shí)間標(biāo)簽，且各頁(yè)數(shù)據(jù)的時(shí)間標(biāo)簽是與該頁(yè)數(shù)據(jù)(data)與該頁(yè)數(shù)據(jù)相關(guān)信息(info) —同儲(chǔ)存于該頁(yè)物理空間。在一優(yōu)選實(shí)施例中，各頁(yè)數(shù)據(jù)的時(shí)間標(biāo)簽是儲(chǔ)存于該頁(yè)的標(biāo)頭(header)中。所述時(shí)間標(biāo)簽可為標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間，標(biāo)示“日期”、甚至詳細(xì)時(shí)刻。或者，成本考量下，所述時(shí)間標(biāo)簽可簡(jiǎn)單根據(jù)系統(tǒng)一上電計(jì)數(shù)(power-on count)設(shè)置。所述上電計(jì)數(shù)是計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100上電次數(shù)?？刂破?04將數(shù)據(jù)寫(xiě)入快閃存儲(chǔ)器102時(shí)，是將系統(tǒng)當(dāng)下的上電計(jì)數(shù)的數(shù)值作為該數(shù)據(jù)的時(shí)間標(biāo)簽。如此一來(lái)，將來(lái)在核對(duì)數(shù)據(jù)時(shí)間標(biāo)簽時(shí)，與系統(tǒng)上電計(jì)數(shù)差距越大者代表數(shù)據(jù)越老舊。
[0026]于圖1所不實(shí)施方式,控制器104是在系統(tǒng)信息空間108記錄一時(shí)間參考114,表征當(dāng)前系統(tǒng)所處的時(shí)間以助于評(píng)量先前所儲(chǔ)存的時(shí)間標(biāo)簽，即，比較時(shí)間參考114與時(shí)間標(biāo)簽以判斷儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)時(shí)間標(biāo)簽的數(shù)據(jù)的區(qū)塊是否確實(shí)物理?yè)p壞。此外，當(dāng)控制器104于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)至快閃存儲(chǔ)器102時(shí)，是根據(jù)那時(shí)的時(shí)間參考114設(shè)定數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽。一種實(shí)施方式是將標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間填入作為該時(shí)間參考114?；蛘撸杀究剂肯?，系統(tǒng)上電計(jì)數(shù)也可被用來(lái)記錄作該時(shí)間參考112。或者，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100自身可還設(shè)計(jì)有一時(shí)鐘，即可用來(lái)作為時(shí)間參考。
[0027]在一種實(shí)施方式中，控制器104是于讀取該快閃存儲(chǔ)器102 —空間的數(shù)據(jù)發(fā)生困難時(shí)判斷該空間的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽是否超越時(shí)間參考114 一閾值，以判斷該空間所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊是否確實(shí)物理?yè)p壞。若超越該閾值，則代表該空間的數(shù)據(jù)讀取困難有可能是源自于數(shù)據(jù)過(guò)于老舊，而非該空間所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊發(fā)生物理?yè)p壞。若未超越該閾值，則代表該空間的數(shù)據(jù)并非老數(shù)據(jù)，因此該空間的數(shù)據(jù)讀取困難可判定為該空間所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊發(fā)生物理?yè)p壞。該空間可能是小于一個(gè)區(qū)塊的存儲(chǔ)空間，例如多頁(yè)的存儲(chǔ)空間；也可能是多個(gè)區(qū)塊的存儲(chǔ)空間，而在一實(shí)施例中，損壞識(shí)別是以區(qū)塊為單位，即是說(shuō)，即使一個(gè)區(qū)塊中僅部分的空間發(fā)生物理?yè)p壞，該空間所在的這個(gè)區(qū)塊都會(huì)被標(biāo)記為損壞。
[0028]圖2以流程圖還詳細(xì)圖解根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的快閃存儲(chǔ)器102損壞空間識(shí)別方法。所述損壞空間識(shí)別可在讀取該快閃存儲(chǔ)器102內(nèi)數(shù)據(jù)時(shí)實(shí)施。或者，另有實(shí)施方式是定時(shí)掃描該快閃存儲(chǔ)器102作損壞空間識(shí)別。在一實(shí)施例中，于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)至快閃存儲(chǔ)器102時(shí)，還將數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的至少一時(shí)間標(biāo)簽也儲(chǔ)存至快閃存儲(chǔ)器102，快閃存儲(chǔ)器102的儲(chǔ)存空間劃分為多個(gè)區(qū)塊；之后，當(dāng)識(shí)別儲(chǔ)存該數(shù)據(jù)的一區(qū)塊是否為損壞區(qū)塊時(shí)，根據(jù)上述時(shí)間標(biāo)簽判斷該區(qū)塊是否確實(shí)物理?yè)p壞。詳言之，即于讀取快閃存儲(chǔ)器102 —空間的數(shù)據(jù)發(fā)生困難時(shí)，判斷該空間的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽是否超越一時(shí)間參考一閾值，以判定該空間所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊是確實(shí)物理?yè)p壞。以下參考圖2詳細(xì)敘述。
[0029]若于步驟S202判定讀取一空間的數(shù)據(jù)發(fā)生困難時(shí)(例如，無(wú)法讀取數(shù)據(jù)，或者，重復(fù)讀取動(dòng)作多次方讀出數(shù)據(jù))，程序進(jìn)行步驟S204，將該空間的數(shù)據(jù)備份(如，復(fù)制到其他區(qū)塊，英文稱(chēng)reclaim)。在某些實(shí)施例中，步驟S204還包括在備份處儲(chǔ)存?zhèn)浞莅姹镜臅r(shí)間標(biāo)簽，是與當(dāng)前系統(tǒng)的時(shí)間參考114同步。又或者，若步驟S202判定數(shù)據(jù)讀取正常，程序進(jìn)行步驟S206，判定該空間正常。
[0030]于步驟S204后，程序進(jìn)行步驟S208，把損壞識(shí)別待確定的該處空間的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽?zāi)脕?lái)與時(shí)間參考114作比較。若該空間的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽不超越時(shí)間參考114 一閾值，S卩非老數(shù)據(jù)，則程序進(jìn)行步驟S210，將該空間所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊標(biāo)記為損壞。若該空間的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽超越時(shí)間參考114該閾值，即老數(shù)據(jù)，則程序進(jìn)行步驟S212,對(duì)損壞識(shí)別待確定的該處空間作耐受度測(cè)試(stress confirm)。若步驟S212判定該處空間不通過(guò)上述耐受度測(cè)試，則程序進(jìn)行步驟S210，將該處空間的區(qū)塊標(biāo)示為損壞區(qū)塊。反之，若步驟S212判定該處空間通過(guò)上述耐受度測(cè)試，則程序進(jìn)行步驟S214，判定該空間的數(shù)據(jù)讀取困難是源自于數(shù)據(jù)過(guò)于老舊，并非物理?yè)p壞。步驟S214還包括將通過(guò)上述耐受度測(cè)試的該處空間的區(qū)塊釋出，待后續(xù)配置使用。
[0031]步驟S212所作的耐受度測(cè)試可包括:將該處空間所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊一一完整擦除后再寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)；以及，于上述測(cè)試數(shù)據(jù)得以被正確讀出時(shí)判定該該處空間通過(guò)上述耐受度測(cè)試，反之，則判定該處空間不通過(guò)上述耐受度測(cè)試。
[0032]上述實(shí)施方式所述的控制器104除了可為特別設(shè)計(jì)的芯片外，也可以運(yùn)算單元與只讀存儲(chǔ)器(ROM)組合實(shí)現(xiàn)。以上所揭示的技術(shù)步驟可以固件實(shí)現(xiàn)，相關(guān)程序碼載于控制器內(nèi)的只讀存儲(chǔ)器，由控制器內(nèi)的運(yùn)算單元執(zhí)行。此外，凡采用同樣概念控制一快閃存儲(chǔ)器的技術(shù)都屬于本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。本發(fā)明還涉及快閃存儲(chǔ)器的控制方法，不限定以特定架構(gòu)的控制器實(shí)現(xiàn)。
[0033]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可做些許更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍是以本發(fā)明的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，包括: 一快閃存儲(chǔ)器，其儲(chǔ)存空間劃分為多個(gè)區(qū)塊；以及 耦接該快閃存儲(chǔ)器的一控制器，于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)至該快閃存儲(chǔ)器時(shí)還將該數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的至少一時(shí)間標(biāo)簽也儲(chǔ)存至該快閃存儲(chǔ)器，并于識(shí)別儲(chǔ)存該數(shù)據(jù)的一區(qū)塊是否為損壞區(qū)塊時(shí)根據(jù)上述時(shí)間標(biāo)簽判斷該區(qū)塊是否確實(shí)物理?yè)p壞。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其中: 該控制器還在該快閃存儲(chǔ)器上述區(qū)塊之中的一系統(tǒng)區(qū)塊記錄一時(shí)間參考，用于與上述時(shí)間標(biāo)簽比較以判斷該區(qū)塊是否確實(shí)物理?yè)p壞；且 該控制器于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)至該快閃存儲(chǔ)器時(shí)，根據(jù)上述時(shí)間參考設(shè)定上述時(shí)間標(biāo)簽。
3.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其中: 該控制器于讀取該快閃存儲(chǔ)器一空間的數(shù)據(jù)發(fā)生困難時(shí)，判斷該空間的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽是否超越一時(shí)間參考一閾值，以判定該空間所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊是確實(shí)物理?yè)p壞。
4.如權(quán)利要求1所述的資料數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其中: 上述時(shí)間標(biāo)簽儲(chǔ)存于該空間的標(biāo)頭。
5.—種快閃存儲(chǔ)器控制方法,包括: 于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)至一快閃存儲(chǔ)器時(shí)，還將該數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的至少一時(shí)間標(biāo)簽也儲(chǔ)存至該快閃存儲(chǔ)器，上述快閃存儲(chǔ)器的儲(chǔ)存空間劃分為多個(gè)區(qū)塊；以及 于識(shí)別儲(chǔ)存該數(shù)據(jù)的一區(qū)塊是否為損壞區(qū)塊時(shí)根據(jù)上述時(shí)間標(biāo)簽判斷該區(qū)塊是否確實(shí)物理?yè)p壞。
6.如權(quán)利要求5所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，包括: 于讀取該快閃存儲(chǔ)器一空間的數(shù)據(jù)發(fā)生困難時(shí)，判斷該空間的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽是否超越一時(shí)間參考一閾值，以判斷該空間所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊是否確實(shí)物理?yè)p壞。
7.如權(quán)利要求5所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，包括: 于讀取該快閃存儲(chǔ)器一空間的數(shù)據(jù)發(fā)生困難時(shí)，備份該空間的數(shù)據(jù)，繼以判斷該空間的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽是否超越一時(shí)間參考一閾值； 于判定該空間的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽不超越上述時(shí)間參考上述閾值時(shí)，將該空間所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊標(biāo)記為損壞； 于判定該空間的數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)的時(shí)間標(biāo)簽超越上述時(shí)間參考上述閾值后還對(duì)該空間作耐受度測(cè)試； 于該空間通過(guò)上述耐受度測(cè)試時(shí)，判定該空間的數(shù)據(jù)讀取困難是源自于數(shù)據(jù)過(guò)于老舊；并且 于該空間不通過(guò)上述耐受度測(cè)試時(shí)，將該空間所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊標(biāo)記為損壞。
8.如權(quán)利要求7所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，包括: 于對(duì)數(shù)據(jù)讀取發(fā)生困難的該空間的數(shù)據(jù)作備份時(shí)，將備份處的時(shí)鐘標(biāo)簽同步為上述時(shí)鐘參考。
9.如權(quán)利要求7所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，包括: 將通過(guò)上述耐受度測(cè)試的該空間的區(qū)塊釋出，待后續(xù)配置使用。
10.如權(quán)利要求7所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，包括: 于耐受度測(cè)試中，將受測(cè)該空間的區(qū)塊一一完整擦除后再寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)，并且，于上述測(cè)試數(shù)據(jù)得以被正確讀出時(shí)判定該空間通過(guò)上述耐受度測(cè)試，反之，則判定該空間不通過(guò)上述耐受度測(cè)試。
11.如權(quán)利要求5所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，包括: 上述快閃存儲(chǔ)器的各區(qū)塊包括多頁(yè)，每頁(yè)對(duì)應(yīng)一個(gè)時(shí)間標(biāo)簽。
12.如權(quán)利要求5所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，包括: 定時(shí)掃描該快閃存儲(chǔ)器，以識(shí)別損壞區(qū)塊。
【文檔編號(hào)】G06F3/06GK103927128SQ201410084448
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年3月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月11日
【發(fā)明者】蔡金印, 賴(lài)義麟 申請(qǐng)人:威盛電子股份有限公司