專利名稱：集成電路版圖表面平坦性的處理方法及集成電路版圖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，本發(fā)明涉及集成電路版圖表面平坦性的處理方法及集成電路版圖。
背景技術(shù)：
冗余金屬填充(Dummy Fill)是集成電路制造中所應(yīng)用的改善表面平坦化的技術(shù)， 它借助冗余金屬來(lái)提高版圖密度的均勻性，改善在CMP (Chemical Mechanical Polishing, 化學(xué)機(jī)械研磨)后表面的平坦性，減小碟形缺陷(dishing)、侵蝕(erosion)，進(jìn)而提高產(chǎn)品的可靠性和良率。集成電路antegrated Circuit, IC)制造技術(shù)按照摩爾定律以每18個(gè)月集成度提高一倍的速度發(fā)展，但當(dāng)集成電路的特征尺寸降到90納米以下的時(shí)候，IC制造技術(shù)遇到了空前的挑戰(zhàn)，表面不平坦性已經(jīng)嚴(yán)重影響到了器件的性能和穩(wěn)定性，冗余金屬填充已經(jīng)成為不可或缺的步驟。在90納米以下最嚴(yán)重的問(wèn)題則是加工過(guò)程的變化。有一些因素會(huì)影響到加工過(guò)程的這些變化，如平版印刷術(shù)，化學(xué)機(jī)械研磨等等。在CMP階段，不均勻的金屬密度導(dǎo)致金屬以及內(nèi)部絕緣體厚度的不一致，因此冗余金屬被用來(lái)調(diào)節(jié)金屬密度，使金屬層密度一致從而在CMP階段達(dá)到更好的平坦化。在現(xiàn)行的冗余金屬填充中，只考慮了版圖密度均勻性的問(wèn)題，對(duì)于低密度區(qū)域采取同一種填充方式達(dá)到規(guī)定的密度，而沒(méi)有關(guān)注冗余金屬本身的各種性質(zhì)對(duì)版圖表面平坦性的影響，因此填充方式往往并不是最優(yōu)方式。然而，不同的冗余金屬填充方法會(huì)對(duì)集成電路版圖表面平坦性造成不同的影響。因此，基于現(xiàn)實(shí)的需要，有必要提出相應(yīng)的技術(shù)方案，優(yōu)化冗余金屬的填充方式， 使版圖的表面達(dá)到更好的平坦性，從而提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性及可制造性，提高產(chǎn)品的良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的旨在至少解決上述技術(shù)缺陷之一，特別是通過(guò)考量冗余金屬本身的因素對(duì)表面平坦性的影響，降低版圖表面的碟形缺陷、侵蝕，提高產(chǎn)品可靠性和良率。本發(fā)明實(shí)施例一方面提出了一種集成電路版圖表面平坦性的處理方法，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，調(diào)整所述冗余金屬的分布，提高所述集成電路版圖表面平坦性。本發(fā)明實(shí)施例另一方面還提出了一種集成電路版圖，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，所述冗余金屬的尺寸保持不變，增加所述互連線與冗余金屬之間的距離，同時(shí)減小了所述冗余金屬之間的距離，提高所述集成電路版圖表面平坦性。本發(fā)明實(shí)施例另一方面還提出了一種集成電路版圖，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，所述冗余金屬與所述互連線之間的距離保持不變，等比例縮小所述冗余金屬的尺寸，提高所述集成電路版圖表面平坦性。
本發(fā)明實(shí)施例另一方面還提出了一種集成電路版圖，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，所述冗余金屬與所述互連線之間的距離保持不變，所述冗余金屬的寬度保持不變，減小所述冗余金屬的長(zhǎng)度，提高所述集成電路版圖表面平坦性。本發(fā)明提出的上述方案，通過(guò)考量冗余金屬本身的因素對(duì)表面平坦性的影響，降低版圖表面的碟形缺陷和侵蝕，提高產(chǎn)品可靠性和良率。例如，通過(guò)調(diào)整冗余金屬的尺寸、 與互連線之間的距離或冗余金屬與互連線對(duì)應(yīng)邊的邊長(zhǎng)，降低了在相同條件下版圖表面的碟形缺陷和侵蝕，提高了表面平坦性，與此同時(shí)提高了產(chǎn)品的可制造性和可靠性。此外，本發(fā)明提出的上述方案，對(duì)現(xiàn)有集成電路設(shè)計(jì)的改動(dòng)不大，而且實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單、高效。本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，這些將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖1為現(xiàn)有技術(shù)中冗余金屬與互連線位置關(guān)系；圖2為本發(fā)明實(shí)施例冗余金屬與互連線位置關(guān)系；圖3為本發(fā)明實(shí)施例等比例縮小冗余金屬尺寸示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例減小冗余金屬長(zhǎng)度的示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例增加冗余金屬與信號(hào)線之間的距離時(shí)版圖表面碟形缺陷、侵蝕值的變化示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例增加冗余金屬的長(zhǎng)度時(shí)版圖表面碟形缺陷、侵蝕值的變化示意圖7為本發(fā)明實(shí)施例冗余金屬的密度、與互連線之間的距離保持不變，改變?nèi)哂嘟饘俦旧淼某叽?，版圖表面碟形缺陷、侵蝕值的變化示意圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之目的，本發(fā)明實(shí)施例提出了一種集成電路版圖表面平坦性的處理方法，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，調(diào)整所述冗余金屬的分布，提高所述集成電路版圖表面平坦性。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中冗余金屬與互連線位置關(guān)系。參照上述關(guān)系，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行闡述。為了達(dá)到本發(fā)明之目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種集成電路版圖，包括互連線和冗余金屬，其特殊之處在于當(dāng)互連線之間冗余金屬的密度、尺寸保持不變，互連線的尺寸和信號(hào)線之間的距離均不變的時(shí)候，增加冗余金屬與互連線之間的距離，例如冗余金屬與互連線之間的距離為冗余金屬本身的尺寸的3倍；當(dāng)冗余金屬的密度、冗余金屬與互連線之間的距離、互連線的尺寸和互連線之間的距離均不變的時(shí)候，縮小冗余金屬的尺寸；當(dāng)冗余金屬的密度、冗余金屬的寬度、互連線的尺寸和互連線之間的距離均不變的時(shí)候，減小冗余金屬的長(zhǎng)度，即減小對(duì)應(yīng)互連線的邊的長(zhǎng)度。下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步說(shuō)明。參見圖2，本發(fā)明為集成電路版圖中對(duì)冗余金屬進(jìn)行定位的方法，此方法是在互連線之間冗余金屬的密度及尺寸保持不變的時(shí)候，增加互連線與冗余金屬之間的距離，同時(shí)減小了冗余金屬之間的距離。如圖3所示，冗余金屬的密度、與互連線之間的距離保持不變，等比例縮小冗余金屬的尺寸。如圖4所示，冗余金屬的密度、寬度、與互連線之間的距離保持不變，減小冗余金屬的長(zhǎng)度。如圖5所示，冗余金屬的密度及尺寸一定，當(dāng)d(如圖2所示，d表示冗余金屬與信號(hào)線之間的距離)變化的時(shí)候，版圖表面碟形缺陷、侵蝕值的變化。如圖6所示，冗余金屬的密度、寬度、與互連線之間的距離保持不變，增加冗余金屬的長(zhǎng)度，版圖表面碟形缺陷值增大，侵蝕值減小，故應(yīng)該使冗余金屬正對(duì)互連線的邊長(zhǎng)減小(如圖4所示，即為L(zhǎng))。如圖7所示，冗余金屬的密度、與互連線之間的距離保持不變，改變?nèi)哂嘟饘俦旧淼某叽纾鎴D表面碟形缺陷、侵蝕值的變化。相應(yīng)地，根據(jù)上述方法，本發(fā)明實(shí)施例另一方面還提出了一種集成電路版圖，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，所述冗余金屬的尺寸保持不變，增加所述互連線與冗余金屬之間的距離，同時(shí)減小了所述冗余金屬之間的距離，提高所述集成電路版圖表面平坦性。相應(yīng)地，根據(jù)上述方法，本發(fā)明實(shí)施例另一方面還提出了一種集成電路版圖，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，所述冗余金屬與所述互連線之間的距離保持不變，等比例縮小所述冗余金屬的尺寸，提高所述集成電路版圖表面平坦性。相應(yīng)地，根據(jù)上述方法，本發(fā)明實(shí)施例另一方面還提出了一種集成電路版圖，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，所述冗余金屬與所述互連線之間的距離保持不變，所述冗余金屬的寬度保持不變，減小所述冗余金屬的長(zhǎng)度，提高所述集成電路版圖表面平坦性。本發(fā)明提出的上述方案，通過(guò)考量冗余金屬本身的因素對(duì)表面平坦性的影響，降低版圖表面的碟形缺陷、侵蝕，提高產(chǎn)品可靠性和良率。例如，通過(guò)調(diào)整冗余金屬的尺寸、與互連線之間的距離或冗余金屬與互連線對(duì)應(yīng)邊的邊長(zhǎng)，降低了在相同條件下版圖表面的碟形缺陷、侵蝕，提高了表面平坦性，與此同時(shí)提高了產(chǎn)品的可制造性和可靠性。此外，本發(fā)明提出的上述方案，對(duì)現(xiàn)有集成電路設(shè)計(jì)的改動(dòng)不大，而且實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單、高效。雖然關(guān)于示例實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本發(fā)明的精神和所附權(quán)利要求限定的保護(hù)范圍的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種變化、替換和修改。對(duì)于其他例子，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易理解在保持本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)的同時(shí)，工藝步驟的次序可以變化。此外，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不局限于說(shuō)明書中描述的特定實(shí)施例的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟。從本發(fā)明的公開內(nèi)容，作為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易地理解，對(duì)于目前已存在或者以后即將開發(fā)出的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟，其中它們執(zhí)行與本發(fā)明描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結(jié)果，依照本發(fā)明可以對(duì)它們進(jìn)行應(yīng)用。 因此，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在將這些工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟包含在其保護(hù)范圍內(nèi)。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種集成電路版圖表面平坦性的處理方法，其特征在于，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，調(diào)整所述冗余金屬的分布， 提高所述集成電路版圖表面平坦性。
2.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，調(diào)整所述冗余金屬的分布包括所述冗余金屬的尺寸保持不變，增加所述互連線與冗余金屬之間的距離，同時(shí)減小了所述冗余金屬之間的距離。
3.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，調(diào)整所述冗余金屬的分布包括所述冗余金屬與所述互連線之間的距離保持不變，等比例縮小所述冗余金屬的尺寸。
4.如權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，調(diào)整所述冗余金屬的分布包括所述冗余金屬與所述互連線之間的距離保持不變，所述冗余金屬的寬度保持不變，減小所述冗余金屬的長(zhǎng)度。
5.一種集成電路版圖，其特征在于，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，所述冗余金屬的尺寸保持不變，增加所述互連線與冗余金屬之間的距離，同時(shí)減小了所述冗余金屬之間的距離，提高所述集成電路版圖表面平坦性。
6.一種集成電路版圖，其特征在于，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，所述冗余金屬與所述互連線之間的距離保持不變， 等比例縮小所述冗余金屬的尺寸，提高所述集成電路版圖表面平坦性。
7.一種集成電路版圖，其特征在于，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，所述冗余金屬與所述互連線之間的距離保持不變， 所述冗余金屬的寬度保持不變，減小所述冗余金屬的長(zhǎng)度，提高所述集成電路版圖表面平坦性。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提出了一種集成電路版圖表面平坦性的處理方法，所述集成電路版圖包括互連線和冗余金屬，其中所述互連線之間的冗余金屬的密度不變，調(diào)整所述冗余金屬的分布，提高所述集成電路版圖表面平坦性。本發(fā)明實(shí)施例另一方面還提出了一種集成電路版圖。本發(fā)明提出的方案，通過(guò)考量冗余金屬本身的因素對(duì)表面平坦性的影響，降低版圖表面的碟形缺陷、侵蝕，提高產(chǎn)品可靠性和良率。此外，本發(fā)明提出的上述方案，對(duì)現(xiàn)有集成電路設(shè)計(jì)的改動(dòng)不大，而且實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單、高效。
文檔編號(hào)G06F17/50GK102426618SQ20111033664
公開日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者李志剛, 楊飛, 胡超, 阮文彪, 陳嵐, 馬天宇 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所