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一種單層ito的定位方法

文檔序號(hào):6434341閱讀:267來源:國知局
專利名稱:一種單層ito的定位方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及ITO的定位方法,尤其是指單層ITO的定位方法。
背景技術(shù)
所謂ITO (銦錫氧化物)是一種用于生產(chǎn)液晶顯示器的關(guān)鍵材料,目前,其在儀器儀表、計(jì)算機(jī)、電子表、游戲機(jī)和家用電器等領(lǐng)域都有了極為廣泛的應(yīng)用。近年來市場上大熱的電容式觸摸屏也是利用ITO來完成偵測觸摸的動(dòng)作,而電容觸摸屏上ITO的布線一般是雙層,其主要原理是利用人體電場,當(dāng)使用者觸摸時(shí),表面行或列的交叉處感應(yīng)單元的互電容(也稱耦合電容)會(huì)有變化,根據(jù)上述變化最終可檢測出觸摸點(diǎn)的具體位置。常見的雙層ITO的結(jié)構(gòu)是菱形結(jié)構(gòu),其雙層ITO分別布設(shè)在玻璃基板的同側(cè)面上, 為了避免電極之間的相互導(dǎo)通,所以需要在玻璃基板上設(shè)置橋接點(diǎn),這樣就可將雙層ITO 布設(shè)在玻璃基板的同一側(cè)面上。雖然上述方法實(shí)現(xiàn)了偵測觸摸的動(dòng)作,但是這種采用雙層 ITO的觸摸屏結(jié)構(gòu),不但工藝復(fù)雜,而且橋接處容易損壞,產(chǎn)品良率低,導(dǎo)致成本升高。為了克服上述缺點(diǎn),部分廠商將ITO的結(jié)構(gòu)設(shè)置成矩形,然后雙面設(shè)置在玻璃基板的兩層,如此以來,工藝的確的簡單了很多,而且提高了產(chǎn)品良率,但是仍舊采用的是雙層ITO的布線結(jié)構(gòu),ITO本身成本就較高,再加上雙層的結(jié)構(gòu),使由此形成觸摸屏的厚度也就增加了。如果能夠克服雙層ITO布圖結(jié)構(gòu)帶來的局限性,所以無論是從成本上還是觸摸屏的結(jié)構(gòu)上考慮, 單層ITO均具有更多優(yōu)勢。所以如何為業(yè)界提供一種偵測單層ITO觸碰點(diǎn)位置的方法就顯得尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)際所要解決的技術(shù)問題是如何提供一種工藝簡單,成本低廉的單層ITO 的定位方法。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的,本發(fā)明提供了一種單層ITO的定位方法,所述單層 ITO由若干電極塊組成,形成若干縱行和縱列,其步驟如下掃描所述單層ΙΤ0,獲取每個(gè)電極塊分別在兩個(gè)方向上的感應(yīng)值;找出兩個(gè)方向上的感應(yīng)值均大于預(yù)設(shè)門檻值的電極塊; 根據(jù)在同一方向上相鄰電極塊中感應(yīng)值都最大的電極塊判斷出觸碰點(diǎn)的位置。本發(fā)明所述的單層ITO的定位方法,不但制造工藝簡單,成本低廉,而且,由單層 ITO組成的觸摸屏厚度較薄,功能上相互匹配性能好。


圖1是根據(jù)本發(fā)明所述單層ITO布線的第一種實(shí)施例。圖2是根據(jù)本發(fā)明所述定位方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
請參考圖1所示,本發(fā)明所述的ITO層1由若干個(gè)觸控電極塊10組成,形成若干縱行和縱列,即每個(gè)縱行或者縱列均由復(fù)數(shù)個(gè)觸控電極塊10組成;每個(gè)觸控電極塊10均呈矩形,為了方便的計(jì)算觸碰點(diǎn)的位置,都設(shè)置成正方形,所有電極塊10均通過導(dǎo)線連接到觸控芯片11的相應(yīng)引腳上。所述ITO層1掃描時(shí),先掃描縱行,然后繼續(xù)掃描縱列。每次掃描時(shí),同時(shí)掃描依次相鄰的兩個(gè)電極塊10,從而獲取每個(gè)電極塊10的感應(yīng)值。設(shè)所述單層ITO有M行N列,第一次掃描時(shí),若第一行的第一個(gè)電極塊設(shè)置為掃描端,則第一行中依次順序相鄰的第二個(gè)電極塊設(shè)置為參考端,此時(shí)其它電極塊10均懸空或者接地,獲取第一行第一個(gè)電極塊的感應(yīng)值;第二次掃描時(shí),將第一行的第二個(gè)電極塊設(shè)置為掃描端,而第一行中依次相鄰的第三個(gè)電極塊設(shè)置為參考端,獲取第一行第二個(gè)電極塊的感應(yīng)值;依次掃描獲取第一行第N-I個(gè)電極塊的感應(yīng)值為止。后續(xù)繼續(xù)順序掃描直至掃描完M行,并獲取各行中電極塊的感應(yīng)量, 并運(yùn)用同樣方法掃描N列獲取各列中電極塊的感應(yīng)量,最終獲取每個(gè)電極塊在兩個(gè)方向上的感應(yīng)值。由于按照上述掃描方法掃描時(shí),第M行和第N列中的電極塊10就不能被掃描,因此不能判斷出其具體的感應(yīng)值。為了克服上述缺陷,我們在計(jì)算最外層的電極塊時(shí),對于第 M行和第N列的電極塊10可以參考其設(shè)置的虛擬電極塊,而虛擬電極塊并不參與計(jì)算,只是對計(jì)算第M行電極塊和第N行電極塊起參考的作用,如此以來就可以計(jì)算出最邊緣處M行和N列的電極塊10的感應(yīng)量。當(dāng)觸控對象如手指觸碰電極塊10時(shí),由于手指觸碰處的電極塊感應(yīng)量會(huì)忽然增大,所以通過偵測所有電極塊10感應(yīng)量的變化就可以判斷出手指的具體位置。請參考圖2 所示,具體方法如下首先,掃描所述單層ΙΤ0,獲取每個(gè)電極塊10的感應(yīng)值;其次,找出上述感應(yīng)值均大于預(yù)設(shè)門檻值的電極塊10,其中預(yù)設(shè)門檻值是一個(gè)經(jīng)驗(yàn)值,也是固定數(shù)值,由于每個(gè)電極塊在兩個(gè)方向上的均有感應(yīng)值,所以需要找出在兩個(gè)方向上感應(yīng)值均大于預(yù)設(shè)門檻值的電極塊;最后,根據(jù)同一方向上相鄰電極塊10中感應(yīng)值都最大的電極塊就是觸碰點(diǎn)的位置。由于在單層ITO中,若手指有觸碰,那么會(huì)出現(xiàn)若干個(gè)感應(yīng)值超過預(yù)設(shè)門檻值的電極塊,但是觸碰點(diǎn)的具體位置還不能判斷出來,因此,在確定出上述所有感應(yīng)值大于預(yù)設(shè)門檻值的電極塊10后,需要繼續(xù)判斷上述所有電極塊10中感應(yīng)值最大的電極塊,那么感應(yīng)值最大的電極塊就是手指實(shí)際觸碰的位置點(diǎn)。上述不但針對單根手指觸碰ITO層時(shí)可以判斷其觸碰點(diǎn)的位置,對于多點(diǎn)觸碰, 也可以運(yùn)用上述方法偵測出各個(gè)觸碰點(diǎn)的位置,其仍舊是偵測出所有感應(yīng)值大于預(yù)設(shè)門檻值的電極塊10,然后找出各個(gè)相鄰電極塊中感應(yīng)值最大的電極塊,從而找出各個(gè)觸碰點(diǎn)的位置。由于在本發(fā)明中,每個(gè)電極塊10均具有掃描端,且連接到觸控芯片11的相應(yīng)引腳上,而在掃描時(shí),所有電極塊10均被設(shè)置成獨(dú)立形式,因此,根據(jù)每個(gè)電極塊10就可以確定出觸控對象的具體位置,而根據(jù)感應(yīng)值的變化就可以確定觸控對象觸碰后的具體位置坐標(biāo)。本發(fā)明所述的單層ITO上偵測觸碰點(diǎn)的定位方法,不但工藝簡單、成本低廉,而且可以快速有效的判斷出觸碰點(diǎn)的具體位置。再者,本發(fā)明不僅僅可以判斷單指觸碰點(diǎn)的位置坐標(biāo),也可以判斷多指觸碰點(diǎn)的位置坐標(biāo)。
權(quán)利要求
1.一種單層ITO的定位方法,所述單層ITO由若干電極塊組成,形成若干縱行和縱列, 其步驟如下掃描所述單層ITO,獲取每個(gè)電極塊分別在兩個(gè)方向上的感應(yīng)值;找出兩個(gè)方向上的感應(yīng)值均大于預(yù)設(shè)門檻值的電極塊;根據(jù)在同一方向上相鄰電極塊中感應(yīng)值都最大的電極塊判斷出觸碰點(diǎn)的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的定位方法,其特征在于所述觸控電極塊均通過導(dǎo)線連接到芯片的相應(yīng)引腳上。
3.如權(quán)利要求1所述的定位方法,其特征在于所述觸控電極塊呈矩形或者正方形。
4.如權(quán)利要求1所述的定位方法,其特征在于所述掃描單層ITO時(shí),可以先掃描一個(gè)方向上的電極塊,然后再繼續(xù)掃描另一個(gè)方向上的電極塊。
5.如權(quán)利要求1或4所述的定位方法,其特征在于所述掃描單層ITO時(shí),逐次順序同時(shí)掃描兩個(gè)相鄰的兩個(gè)電極塊。
6.如權(quán)利要求5所述的定位方法,其特征在于若其中所述任意一電極塊作為掃描端, 則依次順序相鄰的另一電極塊作為參考端。
7.如權(quán)利要求1所述的定位方法,其特征在于所述預(yù)設(shè)門檻值是固定值。
8.如權(quán)利要求1所述的定位方法,其特征在于所述觸碰點(diǎn)的位置就是所述在同一方向上相鄰電極塊中感應(yīng)值都最大的電極塊。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種單層ITO的定位方法,所述單層ITO由若干電極塊組成,形成若干縱行和縱列,其步驟如下掃描所述單層ITO,獲取每個(gè)電極塊分別在兩個(gè)方向上的感應(yīng)值;找出兩個(gè)方向上的感應(yīng)值均大于預(yù)設(shè)門檻值的電極塊;根據(jù)在同一方向上相鄰電極塊中感應(yīng)值都最大的電極塊判斷出觸碰點(diǎn)的位置。本發(fā)明所述的定位方法,不但制造工藝簡單,成本低廉,而且,由單層ITO組成的觸摸屏厚度較薄,功能上相互匹配性能好。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102419653SQ20111029244
公開日2012年4月18日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者李海, 陳奇 申請人:蘇州瀚瑞微電子有限公司
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