專利名稱：包括用于放大天線增益的裝置的微電路設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及無接觸類型的便攜式電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域，該便攜式電子設(shè)備包括連接到微電路的近場通信天線，其允許建立與外部設(shè)備的無接觸通信。
背景技術(shù)：
本發(fā)明更具體地應(yīng)用于(但不限于)配備有天線的芯片卡，比如允許在預定操作頻率(例如，ISO 14443標準所定義的13.56MHz)下建立無接觸通信的所謂的無接觸卡，或允許建立無接觸通信以及通過能夠與匹配的讀取器進行接觸的外部接觸接口來建立有接觸通信的所謂的混合卡或雙卡(dual card)。本發(fā)明還應(yīng)用于包含了這種天線的任何類型的便攜式或口袋大小的電子設(shè)備，比如U盤、RFID (射頻識別)標簽、護照等等。近場通信天線一般由纏繞在多個導電線圈上的導電線構(gòu)成，將其包含在卡主體的外表面，以優(yōu)化天線的尺寸，并從而優(yōu)化電子設(shè)備的范圍。在本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)中，包括連接到微電路的天線在內(nèi)的電子設(shè)備(如雙類型芯片卡)已經(jīng)是眾所周知的，特別是從文獻W02008/U9526中得知。該卡包括具有空腔的主體， 該空腔用于容納容納承載了微電路的模塊。該主體還包含了通過在基底上攜帶的兩個金屬區(qū)域(metal land)連接到微電路的天線。這種連接具有制造相對復雜的缺點，特別是由于在天線和微電路之間存在交匯點 (junction)這一事實。制造該交匯點要求使用相對昂貴的特定設(shè)備。此外，所獲得的交匯點或多或少是可靠的，特別是因為在卡的主體彎曲或扭轉(zhuǎn)期間將該交匯點削弱，可能導致微電路的內(nèi)部電路與天線之間的接觸不良以及短路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明具有以下特定目的提出包括近場通信天線在內(nèi)的無接觸卡，該天線允許天線和微電路可靠連接，同時制造簡單。為此，本發(fā)明將如下電子設(shè)備作為其目標該電子設(shè)備包括微電路模塊，電連接到所述模塊的的微電路并對天線表面限定的近場通信天線，以及包含了所述模塊的主體， 所述電子設(shè)備的特征在于所述天線被布置在所述模塊的基底上，且所述電子設(shè)備的特征在于所述主體包含了放大所述天線的增益的裝置，所述裝置包括導電單元，所述導電單元與所述微電路和所述天線電絕緣，大致是環(huán)狀，被布置在所述主體的區(qū)域的周圍，所述主體的區(qū)域形成由所述天線表面在實質(zhì)上垂直所述表面的方向上投影所產(chǎn)生的體積。天線在模塊中的布置讓促進對微電路和天線之間的交匯點的制造成為可能。天線的這種布置還讓免除與在設(shè)備主體中定位該天線有關(guān)的常規(guī)缺陷成為可能。由于本發(fā)明， 各種打印、模壓和制作磁條操作與設(shè)備中的天線的位置無關(guān)，這具有很多優(yōu)點，特別是在特殊應(yīng)用的情況下，比如芯片卡領(lǐng)域。為了維持天線的令人滿意表現(xiàn)，而不管由于包含模塊而對其尺寸的減小，本發(fā)明提議向主體添加天線增益放大單元。通過將外部端子發(fā)射的磁場線引導入天線表面，添加這種導電單元顯著地增加了天線的性能。事實上，當將設(shè)備放入外部端子的磁場中時，該單元構(gòu)成了對在后者中感生的電流電平以及天線的后調(diào)制(back-modulation)的電平進行增強的天線增益放大器。此外，該單元在主體中的定位不具有與在主體中的天線的布置相關(guān)的前述缺陷。根據(jù)本發(fā)明，在由天線沿著實質(zhì)上垂直于天線表面的方向上的投影所限定的區(qū)域之外，單元沿著天線周圍延伸。因此，天線和環(huán)必須不能面向彼此延伸，以屏蔽通過天線表面的磁場通量。換言之，在平行于包含天線或天線一部分的平面中，或可能在相同平面中，該單元在天線的外側(cè)周界之外延伸延伸。然而，當該單元在與天線或天線一部分相同的平面中延伸時，在該單元和天線之間提供最小間隔，以確保電絕緣。在優(yōu)選實施例中，該單元以最小距離對環(huán)繞該區(qū)域的內(nèi)部周圍邊緣進行限定，例如，小于等于五毫米。事實上已發(fā)現(xiàn)將該單元與天線分離的距離越小，則性能越好。因此， 在天線和單元在分離的平面的情況下，該距離可以實質(zhì)上是零。優(yōu)選地，將距離最小化至模塊中的天線的定位容限極限。在優(yōu)選實施例中，天線由導電線圈的繞組構(gòu)成，模塊中的天線的定位容限實質(zhì)上對應(yīng)于線圈之間的一個間隔。一般地，兩個線圈之間的間隔由天線的加工精確度來限制，例如，允許兩個線圈彼此絕緣的蝕刻的精確度。優(yōu)選地，模塊包括承載微電路和天線的基底，模塊中的天線的定位容限實質(zhì)上對應(yīng)于天線在基底上的定位容限。根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備還可以包括以下一項或多項特征-天線沿著基底的至少一個表面或模塊基底的兩個相對表面的外圍延伸；-單元在包含天線或至少一部分天線的平面中延伸；-主體具有用于容納模塊的空腔，單元對環(huán)繞模塊的內(nèi)部周圍邊緣進行限定，該模塊與空腔的外圍壁的表面至少部分地齊平；-空腔包括深的中央?yún)^(qū)域，用于容納微電路和外圍區(qū)域，外圍區(qū)域相對于中央?yún)^(qū)域升起，支持模塊基底，單元環(huán)繞外圍區(qū)域；-單元形成封閉的環(huán)，或至少斷開一次；-設(shè)備是無接觸類型或雙類型的芯片卡；-單元由金屬材料制成，磁導率小于等于1；-金屬材料是導電油墨。本發(fā)明還將一種制造根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的方法作為目標，該方法包括主體形成步驟和用于形成主體中的空腔的步驟，所述方法的特征在于在所述主體形成步驟中，將導電層布置在所述主體中，使得在所述空腔形成步驟期間，所述空腔穿過所述導電層以形成環(huán)。根據(jù)本發(fā)明的方法還可以包括以下一個或另一個特征，其中-該層在主體的整個表面上橫向延伸；-主體由多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，導電層在主體的兩層之間插入；-例如通過在主體的一層上進行絲網(wǎng)印刷，用導電油墨將導電層印制到主體的一層上。


根據(jù)以下描述，參照附圖，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將呈現(xiàn)，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的電子設(shè)備，比如卡；圖2示出了圖1的卡的橫截面圖；圖3和4分別示出了圖1和2的設(shè)備的電子模塊的頂視圖和底視圖；圖5示出了圖1至4的設(shè)備的制造方法的步驟；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的電子設(shè)備；圖7示出了圖6的設(shè)備的制造方法的步驟；圖8示出了圖1和2的設(shè)備的第一變化；圖9是包括曲線在內(nèi)的圖，該曲線示出了根據(jù)將天線與設(shè)備的單元相分離的距離而改變的圖1的設(shè)備的范圍；圖10是包括曲線在內(nèi)的圖，該曲線示出了根據(jù)用于對設(shè)備的天線增益進行放大的環(huán)狀單元的寬度而改變的圖1的電子設(shè)備的范圍；圖11示出了圖1和2的設(shè)備的第二變化；以及圖12至15表示可以在本發(fā)明中使用的單元。
具體實施例方式圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的微電路設(shè)備。使用一般的參考編號10對該設(shè)備進行指定。在所述示例中，微電路設(shè)備10是芯片卡。作為變型，設(shè)備10可以是護照的頁(比如護照的封面)或自粘標簽(比如貼紙)。如圖1所示，設(shè)備10包括大致具有卡的形狀的主體12，主體12對第一 12A面和第二 12B相對面進行限定。在本實施例中，主體12對卡10的外部尺寸進行限定。在本示例中，并且優(yōu)選地， 由ISO 7816標準的ID-I格式來限定卡的尺寸，該格式是銀行卡常規(guī)使用的格式，具有86mm 乘以54mm的尺寸，厚度實質(zhì)上等于800微米。當然，也可以使用其他卡格式。優(yōu)選地，可以通過層壓來形成卡主體12，即通過形成(例如通過擠壓以及熱層壓操作)由例如熱塑性塑料材料制成的薄片的已層壓的層的堆疊。優(yōu)選地，主體12包括至少三層的堆疊中央層14形成插入在兩個外部透明層 16A、16B之間的數(shù)據(jù)印制層。在圖2所示的實施例中，用于數(shù)據(jù)印制的中央層14本身由三個子層制成，中央子層14C形成插入在用于數(shù)據(jù)印制的兩個其他子層14A、14B之間的“嵌體”。將兩個外層16A、16B稱作“覆層”，并具有例如保護印制在中央層14C上的數(shù)據(jù)的功能。例如，主體具有800微米的厚度，且外層16A、16B具有實質(zhì)上在40和80微米之間的厚度。子層14A、14B、14C具有在200和300微米之間的厚度。在圖8所示的變化中，主體12可以包括中央層14，中央層14包括兩個子層14A和 14B，將這兩個子層一起插入兩個透明層16A、16B之間。更一般地，中央層14可以包括一個子層或多于兩個子層。例如，層14、16由實質(zhì)上包含塑料的材料制成，比如聚碳酸酯(polycarbonate)、PVC等等。作為變型，可以通過從例如塑料進行鑄造來形成主體12。在常規(guī)方式中，設(shè)備包括微電路18，其能夠與外部端子交換數(shù)據(jù)，能夠處理和/或存儲存儲器中的數(shù)據(jù)。根據(jù)本發(fā)明，主體12包含了包括微電路18在內(nèi)的微電路模塊20。在所述示例中，模塊20包括承載微電路18的基底22。因此，如圖2所示，基底22 對第一 22A面和第二 22B相對面進行限定，將其分別稱作外側(cè)面和內(nèi)側(cè)面，外側(cè)面22A面向卡10的外部?；?2由例如環(huán)氧類型的玻璃纖維、聚酯或紙制成，并厚度在例如50和200 微米之間。優(yōu)選地，基底22由實質(zhì)上基于聚酰亞胺的塑料制成，厚度大約70微米。另外，在本示例中，如圖2所示，主體12包括用于容納模塊20的空腔M。優(yōu)選地在主體12中形成該空腔對，且該空腔M在主體12的面12A、12B之一上打開，例如在第一面12A上。在附圖未示出的變化中，可以將模塊20包含到主體12，以例如構(gòu)成無接觸類型的設(shè)備。在該情況下，可以通過讓環(huán)繞模塊20的層不透明(例如用不透明油墨)，使得從外面看不到模塊20。如圖5所示，空腔包括例如深的中央?yún)^(qū)域沈，該中央?yún)^(qū)域沈具有用于容納微電路 18的底部觀以及相對于中央?yún)^(qū)域沈升起的外圍區(qū)域30，外圍區(qū)域30對與底部觀的臺階 29進行限定。該外圍區(qū)域30包括相對于空腔M的底部升起的支撐表面，模塊20的基底 22的邊緣擱在該支持表面上(圖2)。一般通過兩個操作的機械加工來獲得空腔M，典型地通過軋制或锪削(spot facing)-大型锪削，以形成與臺階的深度相對應(yīng)的外圍區(qū)域30，-小型锪削，以形成更深的中央?yún)^(qū)域26。為了與外部端子通信，卡10包括例如電連接到微電路18的接觸板34的外部接口 32。當例如將卡10插入匹配的讀卡器時，接口 32允許通過接觸，在卡10和另一個外部端子之間建立通信。在所述示例中，接口 32包括符合預定的芯片卡標準的一系列金屬電接觸板34。例如，接觸板符合IS07816標準。在本實施例中，接口 32的接觸器34對應(yīng)于IS07816標準的接觸器(1丄2、03丄5丄6、〇7?？?0的接口 32優(yōu)選地由金屬材料層制成，比如銅，但是作為變型，也可以通過用以銀或金類型的粒子填充的環(huán)氧油墨的導電油墨來進行絲網(wǎng)印刷而制成，或通過導電聚合體來進行絲網(wǎng)印刷而制成。常規(guī)地，可以通過導電線將板電連接到微電路18，例如通過在模塊基底上提供的通孔的金線，進而連接到在基底的內(nèi)側(cè)面上延伸的導電連接軌線(trace) 上。在本實施例中，卡10具有雙類型，即其包括能夠建立與外部端子的近場通信的無接觸接口，也包括能夠通過接觸器建立與另一個外部端子的通信的接口。然而，在未示出的變化中，卡可以僅是無接觸類型的。在該情況下，卡10優(yōu)選地并未裝備具有外部接觸器34 的接口 32。為此，為了建立與外部端子(比如外部讀卡器)的無接觸通信，設(shè)備10依然包括電連接到微電路18的近場通信天線36。天線36具有對天線表面S進行限定的外側(cè)周界。
根據(jù)本發(fā)明，天線36被布置在模塊20中。優(yōu)選地，天線36由導電線圈的繞組構(gòu)成。例如，天線36由銅軌線構(gòu)成。天線36 優(yōu)選地包括多個線圈，每一個線圈具有在50到300微米級別的寬度，且兩個相鄰線圈之間的間隔在50到200微米級別。將天線36的兩個線圈之間的最小間隔表示為線圈間隔。優(yōu)選地，天線36在基底22上延伸，并由沿著基底22的面之一(例如內(nèi)側(cè)面22B) 的外圍延伸的導電線圈的繞組構(gòu)成。使用蝕刻或絲網(wǎng)印刷技術(shù)，通過例如沉積金屬來制造天線36。作為變型，天線36 也可能由絕緣套中的導電線構(gòu)成。在本發(fā)明的實施例中，如圖3和4所示，天線36在兩個部分36A、36B中延伸，并沿著模塊20的基底22的兩個相對的面22A、22B的外圍延伸，兩個部分36A、36B通過穿過模塊20的基底22的至少一個通孔VI、V2進行電互聯(lián)。例如，天線的部分36A在面22A上延伸并環(huán)繞接口 34，面22A與承載微電路18的面22B相對。模塊20的基底22例如大致是矩形，且天線36沿著基底22的外圍延伸。作為變型，基底22可以具有任何矩圓形(oblong)的形狀。優(yōu)選地，基底22具有與用于制造芯片卡的已知制造過程兼容的尺寸，不管是長度、寬度還是厚度。在本實施例中，天線36由導電線圈的繞組構(gòu)成，該導電線圈的繞組沿著模塊20的基底22的面22A、22B之一的外圍延伸。優(yōu)選地，將天線36與基底22的面22A、22B的外側(cè)周界分隔開的距離小于等于線圈間隔，即在天線36的兩個線圈之間的最小間隔距離。根據(jù)本發(fā)明，主體12還包含了用于放大天線36的增益的裝置40，包括與微電路 18和天線36電絕緣的導電單元42。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，單元42的功能是將場線從讀卡器向天線36集中或從讀卡器導向天線36。根據(jù)本發(fā)明以及如圖1和2所示，該單元42大致是環(huán)形的，并被布置為環(huán)繞主體 12的區(qū)域R，主體12的區(qū)域R構(gòu)成了由天線表面在實質(zhì)上垂直該天線表面S的方向上投影所產(chǎn)生的體積。優(yōu)選地，該體積也由主體12的周界限制。在所述示例中，表面S平行于基底22的兩個相對的面22A、22B延伸，且垂直方向Z實質(zhì)上對應(yīng)于基底22的垂直方向，且因此對應(yīng)于卡10的主體12的垂直方向。在所述示例中，單元42形成閉合的環(huán)。因此該環(huán)構(gòu)成了引導由天線沈內(nèi)的外部端子所產(chǎn)生的磁通量的裝置，以增加天線的增益。作為變型，并且如圖11至15所示，單元 42可以形成至少斷開一次的環(huán)。事實上已發(fā)現(xiàn)，制造開環(huán)進一步增強了天線36的性能。在所述示例中，將環(huán)定形，使得設(shè)備10在例如13. 56MHz的通信頻率上與外部端子進行操作。因此，在調(diào)整設(shè)備的諧振頻率時，考慮到環(huán)的存在性。由于天線36沿著模塊16的基底22的外側(cè)周界展開，天線表面S實質(zhì)上對應(yīng)于基底22的表面，且區(qū)域R因此具有實質(zhì)上對應(yīng)于基底22的表面的橫向部分。環(huán)42優(yōu)選地具有大致環(huán)繞基底的形狀，且因此實質(zhì)上是矩形。單元42優(yōu)選地由相對磁導率小于等于1的金屬材料制成。例如，單元42由例如導電油墨的材料制成。在所述示例中，油墨包括粘合劑(binder)，該粘合劑具有實質(zhì)上聚合體基體(polymeric base)和金屬涂料(例如銀)。優(yōu)選地預期通過絲網(wǎng)印刷來涂該油墨， 以形成厚度實質(zhì)上在10和20微米之間的薄膜。
為了優(yōu)化天線36的性能，單元42優(yōu)選地盡可能接近天線，沿著實質(zhì)上與主體12 的水平方向相對應(yīng)的橫向方向延伸。在圖9中，用圖形的曲線Cl來表現(xiàn)根據(jù)天線36和單元42之間的橫向距離的性能提高。在該曲線Cl中看到，距離D減少越多，則范圍P就越好，范圍P是以毫米表達的讀
取距離。優(yōu)選地，單元42將以最小化距離(例如小于等于5毫米)對環(huán)繞區(qū)域R的內(nèi)部周圍邊緣48進行限定。例如，將該距離最小化為在模塊16中的天線36的定位準確性的極限。在本示例中，模塊16中的天線36的定位容限對應(yīng)于基底22上的天線36的定位容限。在所述示例中，由導電線圈的繞組構(gòu)成的天線36以及在與包含天線36或天線36 的一部分36A、36B的相同平面中延伸的單元42，選擇最小距離以確保天線36和單元42的電隔離。例如，在本情況中，最小化距離大于等于一個線圈間隔。優(yōu)選地，單元42對環(huán)繞模塊20的內(nèi)部周圍邊緣48進行限定，內(nèi)部邊緣48與空腔 24的外圍壁的表面至少部分地齊平。這使得有可能在基底22的尺寸實質(zhì)上適合空腔M的尺寸的情況下，將天線36和環(huán)42之間沿著主體12的橫向方向的距離限制為將天線36的外側(cè)周界與模塊20的基底22 的邊緣分隔開的距離。因此，當基底22實質(zhì)上與空腔M的外圍壁接觸時，即當基底22的尺寸實質(zhì)上適合空腔M的尺寸時，環(huán)42以和基底22的邊緣和天線36的外側(cè)周界之間的距離相對應(yīng)的距離來環(huán)繞區(qū)域R。在本示例中，單元42實質(zhì)上在包括天線36的設(shè)備的平面上延伸，或當天線36具有兩個部分時，在包括天線36的部分36A、36B中至少一個的平面上延伸。然而，在所示變化中，單元42可以在與包含天線36的平面實質(zhì)上平行的平面中延伸，以例如滿足對于設(shè)備10的特定的體積約束。因此，在圖8中，示出了單元42在主體12 中的不同的可能位置，具體地，單元42能夠在從設(shè)備外部可見的位置上，例如通過印制在通過外側(cè)層16A或16B可見的數(shù)據(jù)印制層14的面上。為了例如改變主體12中的單元42 的位置，對層的厚度進行改變，例如改變中央層14的子層的厚度。在本示例中，單元42環(huán)繞空腔M的側(cè)向區(qū)域30，基底22在該側(cè)向區(qū)域中延伸。此外，增加環(huán)形單元42的寬度L也使得增強天線36的性能，并具體地增強范圍P 成為可能(參見圖10)。圖10示出了根據(jù)單元42的寬度L而改變的以毫米表達的范圍P。在本實施例中，單元42具有全圖案。在圖12至15所呈現(xiàn)的變化中，單元42也可以具有非全圖案。例如，環(huán)42形成網(wǎng)格，或甚至一系列周長增長的同心環(huán)等等。該變化呈現(xiàn)了以下興趣減少導電油墨量，同時保持與全圖案的RF性能等效的 RF性能。該變化還呈現(xiàn)了以下優(yōu)點增強了層之間的連接，網(wǎng)格圖案允許增加作為表面 (facing)的塑料表面。在圖12和13上，單元42被設(shè)計為在護照中使用。其呈現(xiàn)了與護照尺寸相等的尺寸，以及呈現(xiàn)了與針對護照的模塊的尺寸相兼容的矩形主開口，該矩形主開口具有 27.2mmxl7.8mm尺寸。圖12上的開口的位置允許獲得最優(yōu)的無接觸RF性能。通過將天線移動至更接近護照的接縫，圖13上的該開口的位置允許在同系化(homologation)測試期間和在使用護照期間減少由天線支撐的機械約束。在圖14和15上，單元42被設(shè)計為在IDl格式卡中使用。其呈現(xiàn)了與IDl卡的尺寸相等的尺寸，以及呈現(xiàn)了與IDl格式卡的模塊的尺寸兼容的矩形主開口，該矩形主開口具有27. 2mmX17.8mm或27. 2mmxl3. Imm尺寸。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解更大的尺寸增強了無接觸RF性能。現(xiàn)在將參照圖5來描述圖1至圖4的設(shè)備的制造方法。首先，方法包括例如用于形成設(shè)備10的基底22的步驟。該形成步驟可以構(gòu)成將多個層層壓在一起的步驟，或構(gòu)成以塑料鑄造主體的操作。在該形成主體12的步驟期間，將導電層布置在主體12中。通過以下方式設(shè)計該布置在形成空腔M的步驟期間，空腔M穿過導電層以形成環(huán)42。優(yōu)選地，在形成步驟期間，主體12由多層結(jié)構(gòu)制成，且將導電層插入主體12的兩層之間。例如，通過例如絲網(wǎng)印刷或蝕刻，用導電油墨在主體12的一層上印制導電層。優(yōu)選地，在數(shù)據(jù)印制層14上印制導電層。該數(shù)據(jù)印制層14由從設(shè)備外側(cè)可見的面以及相對的隱藏在主體12中的隱藏面來進行限定，該可見的面承載著數(shù)據(jù)，比如銀行的名稱或卡的標識號碼或卡所持有的任何個人或信息數(shù)據(jù)，以及出于例如美學原因，導電層攜帶在該隱藏面上。在圖6和7中示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的電子設(shè)備。在這些附圖中，對應(yīng)于圖1至5中單元的單元具有相同的引用標號。在該第二實施例中，如圖7所示，層在主體的整個表面上橫向延伸。該實施例使得其能夠獲得具有最大可能寬度L的單元42，并因此進一步增強性能。由于空腔M在沉積導電層之后形成這一事實，所獲得的單元42盡可能接近空腔 24的外圍壁延伸，且因此沿著主體12的橫向上盡可能接近天線36。則有可能獲得環(huán)42的位置相對于天線36的精確適合。事實上，天線36沿著模塊20的基底22的外圍延伸，例如具有小于等于一個線圈間隔的定位容限。由于環(huán)42與空腔M的壁齊平，單元42以實質(zhì)上為零的距離在空腔M周圍延伸。 因此，在模塊20的基底22的尺寸實質(zhì)上適合空腔M的尺寸的情況下，沿著將單元42和天線36分離開的主體橫向方向上的距離可以小于等于基底42上的天線36的定位容限，并從而小于等于一個線圈間隔。此外，由于將靈敏組件(比如天線和微電路)組合在模塊中，獲得的設(shè)備對于折疊更有抗性。以針對ID-I格式的卡的更特定的方式描述了本發(fā)明?？梢詫⑵鋺?yīng)用于需要增強天線增益的任何使用近場場通信天線的口袋大小的、便攜式或其他電子設(shè)備。例如，設(shè)備構(gòu)成厚度例如在300和400微米之間的嵌體。容易理解，已描述的實施例不具有限制性，且可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下對其進行任何所需修改。
權(quán)利要求
1.一種電子設(shè)備(10)，包括:微電路(18)模塊(20)；近場通信天線(36)，電連接到所述模塊00)的微電路(18)，所述近場通信天線(36) 限定天線表面(S)；以及包含所述模塊00)的主體(12)，所述電子設(shè)備(10)的特征在于所述天線(36)被布置在所述模塊00)的基底0 上，以及所述電子設(shè)備(10)的特征在于所述主體(1 包含用于放大所述天線(36)的增益的裝置(40)，所述裝置00)包括導電單元(42)，所述導電單元0 與所述微電路(18)和所述天線(36)電絕緣，大致環(huán)狀，被布置在所述主體(12)的區(qū)域(R)的周圍，所述主體(12)的區(qū)域(R)形成由所述天線表面( 在實質(zhì)上垂直所述表面(S)的方向(Z)上投影所產(chǎn)生的體積。
2.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的設(shè)備(10)，其中，所述單元0 限定以最小化距離環(huán)繞區(qū)域(R)的內(nèi)部的周圍邊緣(48)，所述最小化距離例如小于等于五毫米。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述單元0 在與所述天線 (36)或所述天線(36)的至少一部分(36A、36B)的相同平面中延伸，以及選擇所述最小化距離以確保所述天線(36)和所述單元02)的電隔離。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述天線(36)由導電線圈的繞組制成，所述最小化距離大于一個線圈間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備(10)，其中，所述單元0 在與包含所述天線(36) 或所述天線的至少一部分(36A、36B)的平面相平行的平面內(nèi)延伸。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述天線(36)沿著所述基底 (22)的至少一個面Q2A、22B)的外圍延伸，或著沿著所述模塊Q0)的基底0 的兩個相對的面(22A.22B)的外圍延伸。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述單元0 在包含所述天線 (36)或所述天線(36)的至少一部分(36A、36B)的平面中延伸。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述主體(12)具有用于容納所述模塊00)的空腔(M)，所述單元0 限定環(huán)繞所述模塊00)的內(nèi)部周圍邊緣，所述模塊00)與所述空腔的外圍壁的表面至少部分平齊。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述空腔04)具有用于容納所述微電路(18)的深的中央?yún)^(qū)域06)以及外圍區(qū)域(30)，所述外圍區(qū)域(30)相對于所述中央?yún)^(qū)域06)升起，支撐所述模塊的基底，所述單元0 環(huán)繞所述外圍區(qū)域(30)。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述單元0 形成閉合的環(huán)或至少斷開一次的環(huán)。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，所述設(shè)備(10)是無接觸類型的芯片卡，或者是雙類型的芯片卡，或者是嵌體。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述單元0 由相對磁導率小于等于1的的金屬材料制成。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述金屬材料是導電油墨。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述單元0 具有全圖案。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)，其中，所述單元0 形成網(wǎng)格，或包括同心環(huán)的集合。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中，所述單元0 是-具有護照的頁的大小的網(wǎng)格，所述網(wǎng)格具有矩形主開口，尺寸是27. 2mmxl7. 8mm ；或-具有IDl格式卡的大小的網(wǎng)格，所述網(wǎng)格具有矩形主開口，尺寸是27. 2mmxl7. 8mm或 27. 2mmxl3. Imm0
17.—種制造根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的設(shè)備(10)的方法，包括用于形成所述設(shè)備(10)的主體(1 的步驟和形成所述主體(1 中的空腔04)的步驟，所述方法的特征在于在形成所述主體(1 的步驟期間，將導電層布置在所述主體(1 中，使得在形成所述空腔04)的步驟期間，所述空腔04)穿過所述導電層以形成所述單元02)。
18.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的制造方法，其中，所述層在所述主體(1 的整個表面上橫向延伸。
19.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的制造方法，其中，所述主體(12)由多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，將所述導電層插入所述主體(1 的兩層之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項所述的制造方法，其中，例如通過在所述主體的一層上進行絲網(wǎng)印刷，用導電油墨將所述導電層印刷到所述主體的一層上。
全文摘要
本發(fā)明包括用于放大天線增益的裝置的微電路設(shè)備，一種電子設(shè)備(10)包括微電路(18)模塊(20)；近場通信天線(36)，電連接到所述模塊(20)的微電路(18)，所述近場通信天線(36)對天線表面(S)進行限定；以及包含了所述模塊(20)的主體(12)。更精確地，所述天線(36)被布置在所述模塊(20)中，且所述主體(12)包含了用于放大所述天線(36)的增益的裝置(40)，所述裝置(40)包括導電單元(42)，所述導電單元(42)與所述微電路(18)和所述天線(36)電絕緣，大致是環(huán)狀，被布置在所述主體(12)的區(qū)域(R)的周圍，所述主體(12)的區(qū)域(R)形成由所述天線表面(S)在實質(zhì)上垂直所述表面(S)的方向(Z)上投影所產(chǎn)生的體積。
文檔編號G06K19/077GK102376010SQ201110202999
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月20日
發(fā)明者加雷克 盧瓦克·讓, 安格尼絲·迪阿爾, 弗朗索瓦絲·洛奈 申請人:歐貝特科技公司