專(zhuān)利名稱(chēng)：：集成電路方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種集成電路(IC)方法，特別是涉及一種最佳化電路性能的集成電路IC方法。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體廠(chǎng)中處理半導(dǎo)體晶圓，以在晶圓上的不同區(qū)域形成各種IC。形成在半導(dǎo)體基材上的IC包含多個(gè)半導(dǎo)體裝置。使用各種半導(dǎo)體制造工藝來(lái)形成半導(dǎo)體裝置，其中包含蝕刻(Etching)、微影(Lithography)、離子植入法(IonImplantation)、薄膜沉積(ThinFilmDeposition)以及熱退火(ThermalAnnealing)。然而，現(xiàn)階段用來(lái)形成一IC的制造方法中，應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓的熱退火工藝在半導(dǎo)體裝置的性能中引進(jìn)了不均勻性(Non-Uniformity)的問(wèn)題。電氣(Electrical)性能在形成于半導(dǎo)體晶圓上的裝置之間變化，降低IC的整體品質(zhì)。當(dāng)半導(dǎo)體工藝技術(shù)進(jìn)步至先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)(例如65奈米(nm)、45奈米、或30奈米及更小的尺寸)，問(wèn)題是更嚴(yán)重的。因此，需要一IC結(jié)構(gòu)以及制造相同結(jié)構(gòu)的方法來(lái)解決上述的問(wèn)題。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的集成電路方法在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問(wèn)題，相關(guān)廠(chǎng)商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般方法又沒(méi)有適切的方法能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的集成電路方法，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的集成電路方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類(lèi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專(zhuān)業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的集成電路方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的集成電路方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過(guò)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的集成電路方法存在的缺陷，而提供一種新的集成電路方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其提供一種應(yīng)用于晶圓制造的IC方法，可完成均勻的退火效應(yīng)，進(jìn)而最佳化電路性能，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種集成電路方法，其包括以下步驟提供一集成電路設(shè)計(jì)布局；進(jìn)行一模擬熱效應(yīng)步驟，藉以模擬該集成電路設(shè)計(jì)布局的一熱效應(yīng)；進(jìn)行一模擬電氣性能步驟，藉以根據(jù)該熱效應(yīng)的模擬來(lái)模擬該集成電路設(shè)計(jì)布局的一電氣性能；以及根據(jù)該電氣性能的模擬，進(jìn)行該集成電路設(shè)計(jì)布局的一熱虛擬置入。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的集成電路方法，其中更包含在進(jìn)行該集成電路設(shè)計(jì)布局的該熱虛擬置入之后，根據(jù)該集成電路設(shè)計(jì)布局制造一遮罩。前述的集成電路方法，其中更包含使用該遮罩制造一晶圓。前述的集成電路方法，其中更包含在制造該遮罩之前，重復(fù)進(jìn)行該模擬熱效應(yīng)步驟、進(jìn)行該模擬電氣性能步驟、以及進(jìn)行該集成電路設(shè)計(jì)布局的該熱虛擬置入，且其中重復(fù)進(jìn)行該集成電路設(shè)計(jì)布局的該熱虛擬置入包含加入一熱虛擬特征、從新定義一熱虛擬特征的尺寸、從新定義一熱虛擬特征的位置、及從新定義一熱虛擬特征的形狀其中的至少一者。前述的集成電路方法，其中所述的進(jìn)行該模擬熱效應(yīng)步驟包含模擬在一退火工藝中，一輻射光束的反射、傳輸及吸收。前述的集成電路方法，其中所述的進(jìn)行該模擬電氣性能步驟包含模擬一離子植入工藝，或包含萃取臨界值電壓及飽和電流其中至少一者。前述的集成電路方法，其中所述的進(jìn)行該模擬熱效應(yīng)步驟包含使用一熱模型模擬該集成電路設(shè)計(jì)布局的該熱效應(yīng)，且更包含提供多個(gè)測(cè)試圖案，其中每一該些測(cè)試圖案具有個(gè)別的線(xiàn)寬、線(xiàn)的間距、及線(xiàn)密度；收集該些測(cè)試圖案的熱資料；以及根據(jù)該熱資料建構(gòu)該熱模型。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種集成電路方法，其包括以下步驟提供多個(gè)測(cè)試圖案；收集該些測(cè)試圖案的熱資料；根據(jù)該熱資料建構(gòu)一熱模型；以及使用該熱模型，將多個(gè)熱虛擬特征加入至一集成電路設(shè)計(jì)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的集成電路方法，其中將該些熱虛擬特征加入至該集成電路設(shè)計(jì)更包含使用該熱模型來(lái)模擬該集成電路設(shè)計(jì)的一熱效應(yīng)；以及根據(jù)該熱效應(yīng)的模擬來(lái)模擬該集成電路設(shè)計(jì)的一電氣性能。前述的集成電路方法，其中每一該些測(cè)試圖案包含多個(gè)線(xiàn)特征或一個(gè)別的作用比，其中該些線(xiàn)特征具有個(gè)別的線(xiàn)寬、線(xiàn)的間距、及線(xiàn)密度。前述的集成電路方法，其中提供該些測(cè)試圖案包含制造多個(gè)測(cè)試圖案在至少一晶圓上；以及收集該些測(cè)試圖案的熱資料包含從該至少一晶圓上收集該熱資料，其中該些測(cè)試圖案包含淺溝渠隔離特征。前述的集成電路方法，其中收集該些測(cè)試圖案的熱資料包含根據(jù)選自于由一急驟退火工藝、一快速熱退火工藝、及一激光尖峰退火工藝所組成的一群組的一熱退火工藝，模擬該測(cè)試圖案。前述的集成電路方法，其中根據(jù)該熱資料建構(gòu)該熱模型包含產(chǎn)生一查詢(xún)表，且將該些熱虛擬特征加入至該集成電路設(shè)計(jì)包含使用該查詢(xún)表加入該些熱虛擬特征。前述的集成電路方法，其中將該些熱虛擬特征加入至該集成電路設(shè)計(jì)包含使用該熱模型確認(rèn)該集成電路設(shè)計(jì)上的一熱弱點(diǎn)，并將熱虛擬置入應(yīng)用至該集成電路設(shè)計(jì)的該熱M^。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外再采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種集成電路方法，其特征在于其包括以下步驟提供多個(gè)測(cè)試圖案；收集該些測(cè)試圖案的熱資料；根據(jù)該熱資料建構(gòu)一查詢(xún)表；評(píng)估一集成電路設(shè)計(jì)的熱效應(yīng)；使用該查詢(xún)表，將多個(gè)熱虛擬特征加入至該集成電路設(shè)計(jì)；以及在此之后，根據(jù)該集成電路設(shè)計(jì)制造一遮罩。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上可知，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種IC方法的實(shí)施例。上述IC方法包含提供一IC設(shè)計(jì)布局；模擬上述IC設(shè)計(jì)布局的熱效應(yīng)；根據(jù)上述的熱效應(yīng)的模擬來(lái)模擬上述IC設(shè)計(jì)布局的電氣性能；以及根據(jù)上述電氣性能的模擬，進(jìn)行上述IC設(shè)計(jì)布局的熱虛擬置入。本發(fā)明亦包含IC方法的其他實(shí)施例。上述IC方法包含提供多個(gè)測(cè)試圖案；收集上述測(cè)試圖案的熱資料；根據(jù)上述熱資料建構(gòu)一熱模型；以及使用上述熱模型，將熱虛擬特征加入至IC設(shè)計(jì)。本發(fā)明亦包含IC方法的其他實(shí)施例。上述IC方法包含提供多個(gè)測(cè)試圖案；收集上述測(cè)試圖案的熱資料；根據(jù)上述熱資料建構(gòu)一查詢(xún)表；評(píng)估上述IC設(shè)計(jì)的熱效應(yīng)；使用上述查詢(xún)表，將熱虛擬特征加入至IC設(shè)計(jì)；以及在此之后，根據(jù)上述IC設(shè)計(jì)制造遮罩。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明集成電路方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果本發(fā)明通過(guò)將虛擬熱特征結(jié)合至IC設(shè)計(jì)布局的方法，可最佳化電路性能，故可提高產(chǎn)品產(chǎn)能及可靠度。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路(IC)方法，此方法包含提供一IC設(shè)計(jì)布局；模擬上述IC設(shè)計(jì)布局的熱效應(yīng)；根據(jù)上述的熱效應(yīng)的模擬來(lái)模擬上述IC設(shè)計(jì)布局的電氣性能；以及根據(jù)上述電氣性能的模擬，進(jìn)行上述IC設(shè)計(jì)布局的熱虛擬置入。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，具有明顯的積極效果，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。圖1繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的觀(guān)點(diǎn)的IC設(shè)計(jì)方法的流程圖。圖2繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的觀(guān)點(diǎn)的IC設(shè)計(jì)布局的俯視圖。圖3a及圖北繪示本發(fā)明的各種實(shí)施例的觀(guān)點(diǎn)所建構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖4繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的觀(guān)點(diǎn)所建構(gòu)的激光尖峰退火的示意圖。圖5繪示使用于一半導(dǎo)體晶圓中的不同材料的各種光學(xué)參數(shù)的表格。圖6繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的觀(guān)點(diǎn)所建構(gòu)的IC設(shè)計(jì)布局的俯視圖。圖7繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的觀(guān)點(diǎn)所建構(gòu)的IC設(shè)計(jì)方法的流程圖。圖8繪示本發(fā)明的觀(guān)點(diǎn)所建構(gòu)的測(cè)試結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖9a至圖9c繪示收集來(lái)自于圖8所繪示的各種測(cè)試結(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)資料的表格。圖10繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的觀(guān)點(diǎn)所建構(gòu)的測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖1la至圖1ld繪示收集來(lái)自于圖10所繪示的各種實(shí)施例的各種測(cè)試結(jié)構(gòu)的各種實(shí)驗(yàn)資料。圖12提供一例示性計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，用以施行圖1及圖7中的方法的實(shí)施例,100:IC設(shè)計(jì)方法110:步驟112:步驟114:步驟116:步驟118:步驟120步驟122步驟200:IC設(shè)計(jì)布局214:電路圖案(主要圖案)216虛擬區(qū)域250半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)252半導(dǎo)體基材254淺溝渠隔離特征256柵極260半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)270激光尖峰退火系統(tǒng)272激光光束274半導(dǎo)體基材276入射角278偏振方向280半導(dǎo)體基材一部290表300:IC設(shè)計(jì)方法310步驟312步驟314步驟316步驟318區(qū)塊320步驟322步驟324區(qū)塊350半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)352半導(dǎo)體基材354淺溝渠隔離特征400測(cè)試結(jié)構(gòu)402主動(dòng)區(qū)域404柵極600計(jì)算機(jī)系統(tǒng)602微處理器604輸入裝置606儲(chǔ)存裝置608影像控制器610系統(tǒng)記記體612匯流排614顯不器616通訊裝置具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的集成電路方法其具體實(shí)施方式、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中將可清楚的呈現(xiàn)。為了方便說(shuō)明，在以下的實(shí)施例中，相同的元件以相同的編號(hào)表示。請(qǐng)參照上述的詳細(xì)說(shuō)明并配合相應(yīng)的圖式，可對(duì)本發(fā)明的觀(guān)點(diǎn)有較完整的理解。要強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)常規(guī)，各種特征并未依比例繪示。事實(shí)上，為了討論的清楚起見(jiàn)，可任意地放大或縮小各種特征的尺寸。相關(guān)圖式內(nèi)容說(shuō)明如下?？衫斫獾氖?，本說(shuō)明以下提供許多不同的實(shí)施例或范例，用以施行各種實(shí)施例的不同特征。特定的元件和配置的范例描述如下，藉以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，此些僅做為范例而并非用來(lái)限制本發(fā)明。此外，為了簡(jiǎn)化及清楚說(shuō)明起見(jiàn)，重復(fù)使用參考數(shù)字及/或符號(hào)于本發(fā)明的各范例中，然而此重復(fù)本身并非規(guī)定所討論的各實(shí)施例及/或配置之間必須有任何的關(guān)聯(lián)。再者，以下說(shuō)明中所述的第一特征形成于第二特征上，可包含第一特征及第二特征形成直接接觸的實(shí)施例，亦可包含額外的特征形成于第一及第二特征間，使得第一及第二特征無(wú)直接接觸的實(shí)施例。圖1繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的觀(guān)點(diǎn)的IC設(shè)計(jì)方法100的流程圖。圖2繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的觀(guān)點(diǎn)的IC設(shè)計(jì)布局200的俯視圖。IC設(shè)計(jì)方法100及IC設(shè)計(jì)布局200參照?qǐng)D1及圖2而一并加以描述。IC設(shè)計(jì)方法100開(kāi)始于步驟110，以提供一IC設(shè)計(jì)。IC設(shè)計(jì)可包含一或多個(gè)IC設(shè)計(jì)布局，其中上述的IC設(shè)計(jì)布局設(shè)計(jì)用來(lái)形成于個(gè)別的光罩(Photomask)上，并且進(jìn)一步形成于一晶圓的多個(gè)個(gè)別材料層上。例如，一IC設(shè)計(jì)包含應(yīng)用于淺溝渠隔離(fallowTrenchIsolation；STI)的第一IC設(shè)計(jì)布局、應(yīng)用于電晶體柵極(TransistorGates)的第二IC設(shè)計(jì)布局及應(yīng)用于源極/汲極(Source/Drain)的第三IC設(shè)計(jì)布局。繪示于圖2中的IC設(shè)計(jì)布局200是一代表性的范例。IC設(shè)計(jì)布局200包含各種電路圖案(亦可稱(chēng)之為主要圖案)214。各種電路特征定義于主要圖案214中。IC設(shè)計(jì)布局200亦包含各種虛擬(Dummy)區(qū)域216。在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的流程中，IC設(shè)計(jì)布局使用電子束(ElectronBeam)、離子束(IonBeam)或其他適當(dāng)?shù)募夹g(shù)而轉(zhuǎn)移至一遮罩(Mask)上。接著在一微影工藝中，使用上述的遮罩圖案化一或多個(gè)晶圓，使得遮罩的圖案轉(zhuǎn)移至上述晶圓的一個(gè)材料層。IC設(shè)計(jì)和IC設(shè)計(jì)布局互換地(Interchangeably)使用于以下的描述中。電路圖案214包含各種電路特征(未繪示于圖2中)。在各種范例中，電路圖案包含多晶硅柵極(PolysiliconGates)、STI特征、輕摻雜汲極(LightlyDopedDrain；LDD)區(qū)域、摻雜井(DopedWells)、接觸窗(Contacts)、介層窗(Vias)、金屬線(xiàn)(MetalLines)、或其他欲形成于一晶圓上的圖案化特征。因?yàn)閳D案密度通常不會(huì)均勻地分布，當(dāng)電路圖案轉(zhuǎn)移至晶圓時(shí)可引起制造變異。例如，應(yīng)用化學(xué)機(jī)械研磨(ChemicalMechanicPolishing；CMP)工藝于晶圓上以達(dá)到整體平坦的表面。然而，當(dāng)電路圖案(如STI特征或金屬線(xiàn))不均勻地分布時(shí)，晶圓的整體平坦的效應(yīng)降低或下降。因此，虛擬置入ansertion)應(yīng)用至IC設(shè)計(jì)布局以最佳化CMP效應(yīng)。在另一范例中，各種次解析度輔助特征(Sub-ResolutionAssistantFeatures)結(jié)合至IC設(shè)計(jì)布局，以在將電路圖案從遮罩轉(zhuǎn)移至晶圓的時(shí)候，可達(dá)到最佳化的影像效應(yīng)(ImagingEffect)。在晶圓制造中，熱退火工藝實(shí)施于各種階段中，例如在一離子植入(IonImplantation)工藝后，以活化(Activation)退火工藝減少缺陷及活化摻雜物(DopedSpecies)。然而，當(dāng)橫跨晶圓的熱效應(yīng)并非整體均勻時(shí)，退火效應(yīng)在晶圓上的位置間產(chǎn)生變化，導(dǎo)致電路表現(xiàn)出在多個(gè)位置上的電氣性能差異。例如，在一區(qū)域電路環(huán)境內(nèi)，當(dāng)退火溫度低于或高于預(yù)期的退火溫度時(shí)，場(chǎng)效電晶體(Field-EffectTransistor；FET)的臨界值電壓(ThresholdVoltage)及飽和電流(SaturationCurrent)可能因?yàn)橥嘶鸩蛔?Under-Dose)或退火過(guò)度(Overdose)而超出規(guī)格。本發(fā)明提供一種具有電路圖案及虛擬熱特征(DummyThermalFeatures)的IC設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，以完成均勻的退火效應(yīng)。本發(fā)明亦提供一種結(jié)合虛擬熱特征至IC設(shè)計(jì)布局的方法，以最佳化電路性能。虛擬熱特征為了熱效應(yīng)而置入至電路圖案中但并未電性耦合至功能電路的虛擬特征，且對(duì)于上述電路而言，虛擬熱特征并不具有任何直接的電性功能。因此，上述的特征稱(chēng)為虛擬熱特征。類(lèi)似于虛擬CMP特征或光學(xué)輔助(OpticalAssist)特征，虛擬熱特征在遮罩制造之前結(jié)合至IC設(shè)計(jì)布局中。由于光學(xué)輔助特征是次解析度特征，所以上述虛擬熱特征不同于光學(xué)輔助特征。虛擬熱特征并非次解析度特征。為了對(duì)應(yīng)用至一晶圓的熱退火工藝有所貢獻(xiàn)，虛擬熱特征加入至IC設(shè)計(jì)中、轉(zhuǎn)移至遮罩、并進(jìn)一步轉(zhuǎn)移至上述的晶圓。假如IC設(shè)計(jì)布局應(yīng)用于STI中，則結(jié)合至IC設(shè)計(jì)布局的虛擬熱特征亦為STI。假如IC設(shè)計(jì)布局應(yīng)用于多晶硅柵極中，則結(jié)合至IC設(shè)計(jì)布局的虛擬熱特征亦為多晶硅柵極。IC設(shè)計(jì)方法100進(jìn)行至步驟112，執(zhí)行熱虛擬置入于IC設(shè)計(jì)布局200，并繼續(xù)進(jìn)行步驟114，以評(píng)估在退火工藝中主要電路特征的熱效應(yīng)。虛擬熱特征可鄰近地形成于主要電路特征旁，例如圖2所示的虛擬區(qū)域216。虛擬熱特征可設(shè)計(jì)成任何適當(dāng)?shù)男螤睢⒊叽缂霸O(shè)計(jì)在任何適當(dāng)?shù)奈恢?。在一范例中，虛擬熱特征具有矩形的形狀。在另一范例中，虛擬熱特征與一鄰近的主要電路特征對(duì)齊。在另一范例中，虛擬熱特征根據(jù)模擬模型(例如，在評(píng)估退火工藝中IC設(shè)計(jì)布局的主要電路特征的熱效應(yīng)后)而加入。因?yàn)樘摂M熱特征加入至IC設(shè)計(jì)中以在熱退火工藝中達(dá)到均勻的退火效應(yīng)，所以模擬模型與退火工藝的相對(duì)應(yīng)的退火機(jī)制有關(guān)。步驟112及步驟114以各種范例并進(jìn)一步參照?qǐng)D3至圖6—并作詳細(xì)的討論。在一特定的范例中，IC設(shè)計(jì)布局200欲形成于半導(dǎo)體晶圓中的應(yīng)用于STI特征254(例如圖3a(半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)250的剖面視圖)所示的結(jié)是構(gòu)及圖3a(另一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)260的剖面視圖)所示的結(jié)構(gòu))的設(shè)計(jì)圖案。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)250(或沈0)是一半導(dǎo)體晶圓的一部分，或特別的是一半導(dǎo)體晶粒(或芯片)的一部分。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)250(或沈0)包含各種裝置(未繪示)，例如主動(dòng)裝置及/或被動(dòng)裝置。主動(dòng)裝置包含電晶體，例如FET。在一實(shí)施例中,FET是金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal-Oxide-kmiconductor；MOS)FET0在另一實(shí)施例中，各種裝置包含存儲(chǔ)器裝置，例如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(StaticRandomAccessMemory；SRAM)單元(Cells)。一SRAMCell包含配置并耦合以實(shí)現(xiàn)資料儲(chǔ)存和存取的功能的各種電容和電晶體。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)250(或沈0)包含半導(dǎo)體基材252。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基材252包含有硅。半導(dǎo)體基材252選擇性地包含鍺(Germanium)或硅化鍺(SiliconGermanium)在其他實(shí)施例中，半導(dǎo)體基材252可使用其他半導(dǎo)體材料，例如鉆石(Diamond)、硅碳化物(SiliconCarbide)、砷化鎵(GalliumArsenic)、磷砷化鎵(GaAsP)、砷化銦鋁(AlInAs)、砷化鋁鎵(AWaAs)、磷化銦鎵(fe^nP)或上述材料的其他適當(dāng)組合。再者，半導(dǎo)體基材252可包含主體(Bulk)半導(dǎo)體，例如主體硅及形成于上述主體硅上的磊晶硅層(EpitaxySiliconLayer)。形成于半導(dǎo)體基材252中的STI特征設(shè)計(jì)做為隔離之用?？蛇x擇性地采用其它如局部硅氧化枝術(shù)(LocalOxidationofSilicon；LOCOS)的適當(dāng)?shù)母綦x特征。STI特征定義各種主動(dòng)區(qū)域，此些主動(dòng)區(qū)域中的半導(dǎo)體基材252并未被隔離特征所覆蓋。各種摻雜特征及主動(dòng)裝置可形成于上述的主動(dòng)區(qū)域中。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)250(或沈0)更包含設(shè)置在半導(dǎo)體基材252上的各種柵極256(如圖3a及圖北所示)。每個(gè)柵極256包含柵極介電(材料)及設(shè)置在上述柵極介電材料上的柵極電極。在各種實(shí)施例中，柵極介電材料包含氧化硅(SiliconOxide)、高介電系數(shù)介電材料、或上述的組合。柵極電極包含摻雜多晶硅、金屬或上述的組合。一對(duì)源極和汲極更可形成于基材中且插入上述的柵極，以形成一功能性的FET。為了制造的目的(例如CMP工藝均勻性或光學(xué)鄰近修正(OpticalProximityCorrection；0PC)效應(yīng))，一柵極可選擇性地設(shè)置在隔離特征上以做為虛擬特征。形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)250(或沈0)的制造工藝包含各種熱退火步驟，其中包含(但并不局限于此)熱退火以形成STIs，以及在一離子植入工藝后實(shí)施熱退火于半導(dǎo)體基材。已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)中確定的是，在半導(dǎo)體晶圓的各種區(qū)域環(huán)境中，根據(jù)圖案的特性，熱退火工藝可產(chǎn)生不同的熱效應(yīng)。特別的是，當(dāng)在一離子植入工藝后使用激光尖峰退火(LaserSpikeAnneal；LSA)于熱退火工藝中，其對(duì)應(yīng)的退火效應(yīng)的變異確定對(duì)電路品質(zhì)及電氣性能具有重大的影響。LSA使用激光能量于熱退火效應(yīng)中的熱退火工具。LSA提供非?？焖俚耐嘶?，例如在毫秒(Millisecond)或微秒(Microsecond)之內(nèi)。參照?qǐng)D4，其繪示由01801北美麻州烏本第四憲法大道L室Ultratech公司(Ultratech,Inc.,NorthAmerica,4ConstitutionWay,SuiteL,ffoburn,MA01801)PJfM展的LSA系統(tǒng)270的一個(gè)范例。LSA系統(tǒng)270包含用來(lái)產(chǎn)生波長(zhǎng)約為10.6微米的激光的二氧化碳(CO2)氣體。在一應(yīng)用中，當(dāng)來(lái)自于LSA系統(tǒng)270的激光光束272被導(dǎo)引至半導(dǎo)體基材274的表面時(shí)，入射角(IncidentAngle)276約為布魯斯特角(BrewsterAngle)(例如，約為72度)，使得激光的偏振(Polarization)方向278實(shí)質(zhì)平行于半導(dǎo)體基材274的表面。半導(dǎo)體基材274的一部分被放大且編號(hào)為觀(guān)0。實(shí)驗(yàn)顯示熱退火效應(yīng)不止與圖案密度有關(guān)，且與圖案(例如間隔(Spacing)、幾何形狀及方向)配置有關(guān)。實(shí)際的熱退火效應(yīng)必須根據(jù)熱傳輸及吸收機(jī)制來(lái)評(píng)估，其中熱傳輸及吸收機(jī)制包含在激光尖峰退火中激光光束272的反射、傳輸及吸收。其他退火技術(shù)可選擇性地實(shí)施于晶圓的制造中。虛擬熱置入及熱模擬模型必須根據(jù)特定的退火技術(shù)來(lái)調(diào)整。例如，可在一退火工藝中采用快速熱退火(RapidThermalAnnealing;RTA)0RTAs以使用燈管(例如鹵素(Halogen)燈管)加熱一晶圓來(lái)加以進(jìn)行。另一選擇性的退火技術(shù)使用閃光燈(FlashLamp)的急驟退火(FlashAnnealing)。各種退火技術(shù)在輻射光束波長(zhǎng)及加熱機(jī)制上互不相同的。在一范例中，急驟退火具有約510奈米的輻射光束波長(zhǎng)，RTA具有約1000奈米的輻射光束波長(zhǎng)，而LSA則具有約10，600奈米的輻射光束波長(zhǎng)。由于其波長(zhǎng)并不相同(因此其頻率亦不相同)，所以其反射、傳輸及吸收的行為并不相同。區(qū)域電路圖案的熱效應(yīng)在不同的退火技術(shù)中并不相同。相對(duì)于某一波長(zhǎng)的輻射光束，每一材料層具有特定的折射率(RefractivehdeX)n及吸收率(AbsorptionIndex)k0相對(duì)于急驟退火、RTA及LSA(激光)，包含硅氮化物(SiliconNitride；Si3N4),多結(jié)晶硅(PolycrystallineSilicon;Poly-Si)、氧化硅(SiO2)及硅的材料的折射率η及吸收率k的參數(shù)摘錄在圖5的表四0中。一般來(lái)說(shuō)，熱模擬包含利用各種電路特征來(lái)模擬退火工藝于其反射、傳輸及吸收的期間的退火輻射光束，其中這些電路特征包含STI(氧化硅的STI)、基材(硅)、柵極(多結(jié)晶硅)或柵極間隙壁(Spacer)(硅氮化物)來(lái)做為少數(shù)范例。熱模擬亦包含從退火工藝中吸收輻射光束之后的區(qū)域溫度變化。熱模擬模型可選擇性地簡(jiǎn)化成一或多個(gè)查詢(xún)表(LookupTables)，其中查詢(xún)表產(chǎn)生自根據(jù)各種測(cè)試圖案的光學(xué)模擬或直接的硅資料。此方法將在以下單獨(dú)地做更詳細(xì)地描述。如圖6所示，各種虛擬熱特征在步驟112中加入至IC設(shè)計(jì)布局200。上述的虛擬熱特征加入至虛擬區(qū)域216，為了簡(jiǎn)化，亦一并稱(chēng)之為虛擬區(qū)域216。如以上所述，虛擬熱特征可設(shè)計(jì)成具有任何適當(dāng)?shù)男螤睢⒊叽?、位置及配置以最佳化熱均勻性。虛擬熱特征的置入可在IC設(shè)計(jì)布局中的主要電路的熱效應(yīng)模擬之后及/或之前實(shí)施。在一實(shí)施例中，虛擬熱特征的置入及IC設(shè)計(jì)布局中的熱效應(yīng)的模擬可重復(fù)多次，直到熱均勻性落在容許范圍內(nèi)。在此一例子中，IC設(shè)計(jì)布局的模擬可包含主要電路及被置入的虛擬熱特征。在第一回的模擬之后，虛擬熱特征的置入包含加入額外的虛擬熱特征及/或修正被置入的虛擬熱特征。修正被置入的虛擬熱特征包含在各種范例中重新定義被置入的虛擬熱特征的尺寸、位置及/或形狀。虛擬熱特征的置入更可包含，在各種范例中藉由重新定義主要電路特征的尺寸、位置及/或形狀來(lái)修正主要電路特征。IC設(shè)計(jì)方法100進(jìn)行至步驟116，模擬定義在IC設(shè)計(jì)布局200中且欲形成在一半導(dǎo)體晶圓中的主要電路或裝置的電氣性能。主要電路(或裝置)的電氣性能根據(jù)熱效應(yīng)的模擬來(lái)做模擬及評(píng)估。在半導(dǎo)體制造中，退火工藝通常應(yīng)用于一半導(dǎo)體晶圓，以在一離子植入(例如LDD離子植入或通道(Channel)離子植入)后減少缺陷并活化植入物，藉此調(diào)整相對(duì)應(yīng)的臨界值電壓。對(duì)摻雜區(qū)域來(lái)說(shuō)，退火工藝的實(shí)際電氣效應(yīng)依賴(lài)于施加在上述摻雜區(qū)域的退火工藝的熱效應(yīng)(例如熱分布(ThermalProfile)溫度對(duì)時(shí)間)。與上述摻雜區(qū)域有關(guān)的裝置的電氣性能依賴(lài)于植入物的從新分布。因此，電路(裝置)的電氣性能受到經(jīng)退火工藝的虛擬熱特征的影響。電路(裝置)的電氣性能模擬可根據(jù)使電氣性能與IC設(shè)計(jì)布局產(chǎn)生關(guān)聯(lián)的模型來(lái)加以施行，其中IC設(shè)計(jì)布局包含有結(jié)合至其中的虛擬熱特征。更特別的是，虛擬熱特征的置入不只調(diào)整熱均勻性，亦調(diào)整電路/裝置的電氣性能?？紤]的電路/裝置的電氣性能越與最終產(chǎn)品的規(guī)格及性能相關(guān)，虛擬熱特征的置入越能根據(jù)電路/裝置的性能有效地評(píng)估并調(diào)整。再者，許多其他工藝(例如離子植入)可對(duì)電路/裝置的電氣性能有所貢獻(xiàn)，一個(gè)程序的變異將導(dǎo)致電路/裝置的電氣性能的變異。在此一例子中，根據(jù)電氣性能的虛擬熱特征的置入不只降低熱均勻性的問(wèn)題，亦可補(bǔ)償來(lái)自于他因子/工藝(例如離子植入)的變異。電氣性能的模擬可包含模擬植入物的從新分布。模擬模型包含各種相關(guān)參數(shù)/因子(例如擴(kuò)散及/或熱分布)。根據(jù)從新分布的植入物，模擬更產(chǎn)生電晶體的電氣參數(shù)(例如飽和電流、臨界值電壓及/或漏電流(LeakageCurrent)).在一實(shí)施例中，模擬包含涉及從新分布的摻雜物及電氣參數(shù)(例如臨界值電壓)的電路模擬軟體(SPICE)工具。SPICE工具由加州大學(xué)柏克萊分校(UCBerkeley)發(fā)展的電路分析程式。SPICE是一工具，用以提供包含輸出訊號(hào)變形(Deformation)、訊號(hào)位準(zhǔn)(Level)以及時(shí)間延遲的完整物理模擬。其他選擇性的工具包含由國(guó)際商業(yè)機(jī)器股份有限公司(IBM)所發(fā)展的ASTAP。在建立一模擬模型中，收集各種硅資料(工作臺(tái)試驗(yàn)(BenchTest)的結(jié)果)并用來(lái)驗(yàn)證模擬是否正確。IC設(shè)計(jì)方法100進(jìn)行至步驟118，以確認(rèn)在一或多各電氣參數(shù)中上述的模擬結(jié)果是否可接受。在一實(shí)施例中，以臨界值電壓做為上述的參數(shù)。假如從電氣性能模擬產(chǎn)生的電晶體的臨界值電壓在預(yù)定范圍內(nèi)(例如定義在產(chǎn)品的規(guī)格中的容許范圍)，則此一被修正的IC設(shè)計(jì)是可接受的。反之，IC設(shè)計(jì)方法100回到步驟112，以重復(fù)包含有熱虛擬置入的步驟112、熱效應(yīng)模擬的步驟114及電氣性能模擬的步驟116的過(guò)程，直到IC設(shè)計(jì)布局可被接受為止。熱虛擬置入包含加入虛擬熱特征，以及重新定義之前加入的虛擬熱特征的尺寸、形狀及位置。步驟112、步驟114、步驟116及步驟118的過(guò)程可應(yīng)用至一電路特征、一組電路特征、裝置(例如電晶體)、一電路區(qū)塊或IC設(shè)計(jì)布局的預(yù)定面積的一區(qū)域。接著，步驟112、步驟114、步驟116及步驟118的過(guò)程可重復(fù)應(yīng)用至至一部分或每個(gè)其他電路特征、其他組電路特征、其他裝置、其他電路區(qū)塊或上述IC設(shè)計(jì)布局的其他區(qū)域。在上述的過(guò)程中，相對(duì)于其他步驟，步驟112可以不同的順序來(lái)實(shí)施。在一實(shí)施例中，虛擬熱特征的置入在步驟114的熱效應(yīng)模擬與步驟116的電氣性能模擬之前加以進(jìn)行。在此實(shí)施例中，更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，虛擬熱特征的置入可根據(jù)查詢(xún)表來(lái)實(shí)施，其中上述的查詢(xún)表根據(jù)各種測(cè)試圖案來(lái)建構(gòu)的。在其他的實(shí)施例中，在步驟114的熱效應(yīng)模擬與步驟116的電氣性能模擬之后進(jìn)行虛擬熱特征的置入。其他虛擬特征(例如應(yīng)用于CMP均勻性的虛擬CMP特征與應(yīng)用于解析度強(qiáng)化的OPC輔助特征)可在虛擬熱特征的置入之前或之后加入至IC設(shè)計(jì)布局。其他的虛擬置入可選擇性地與虛擬熱特征的置入合并實(shí)施。例如，加入OPC輔助特征及虛擬CMP特征，接著虛擬熱特征加入至IC設(shè)計(jì)布局，且隨后模擬并評(píng)估熱效應(yīng)。接著模擬并評(píng)估電氣性能。重復(fù)應(yīng)用于虛擬熱特征的步驟112，以使得虛擬熱特征能夠被調(diào)整以強(qiáng)化熱均勻性。在其他實(shí)施例中，在OPC輔助特征及虛擬CMP特征已經(jīng)加入至IC設(shè)計(jì)布局之后進(jìn)行熱效應(yīng)的模擬。在此之后，將虛擬熱特征加入至IC設(shè)計(jì)布局。進(jìn)一步模擬電氣性能。藉由加入、重新定義形狀、重新定義尺寸及/或重新定義位置來(lái)修正虛擬熱特征，藉以最佳化電氣性能。在各種實(shí)施例中，虛擬熱特征的置入、OPC輔助特征的置入、虛擬CMP特征的置入、熱效應(yīng)的模擬、及電氣性能的模擬可以任何適當(dāng)?shù)捻樞蚣右詫?shí)施，且可迭代或部分迭代直到熱效應(yīng)最佳化或電氣性能改善至落在根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格所預(yù)定的容許范圍內(nèi)為止。在其他的范例中，當(dāng)虛擬熱特征加入至其他材料層(例如硅基材)，OPC輔助特征可加入至一材料層(例如多晶硅柵極層)。上述二步驟可互不干擾，且可互相獨(dú)立地實(shí)施。在其他實(shí)施例中，當(dāng)虛擬熱特征加入至其他材料層(例如硅基材)，CMP輔助特征可加入至一材料層(例如金屬層或多晶硅柵極層)。上述二步驟可互相獨(dú)立地實(shí)施而互不干擾。在應(yīng)用于虛擬熱特征且包含有步驟112、步驟114步驟116及步驟118的過(guò)程完成之后，受到改善的步驟110的IC設(shè)計(jì)布局可轉(zhuǎn)換成應(yīng)用于遮罩制造的IC設(shè)計(jì)布局。IC設(shè)計(jì)方法100進(jìn)行至步驟120，根據(jù)被修正的IC設(shè)計(jì)布局制造一或多個(gè)光罩(遮罩)。遮罩可使用各種技術(shù)，包含具有透明基材(例如熔融石英)及涂敷于上述基材上的不透明材料層(例如鉻)的二元式(Binary)遮罩，其中二元式遮罩根據(jù)IC設(shè)計(jì)布局來(lái)加以圖案化；相位移(PhaseShift)遮罩(PSM)，例如交替式(Alternative)相位移遮罩；衰減(Attenuated)相位移遮罩；或無(wú)鉻膜(Chrome-less)相位移遮罩。遮罩的制造可包含電子束寫(xiě)入或其他選擇性的技術(shù)，例如離子束寫(xiě)入或X光寫(xiě)入。IC設(shè)計(jì)方法100進(jìn)行至步驟122，使用上述被制造的遮罩來(lái)產(chǎn)生一或多個(gè)半導(dǎo)體晶圓(例如硅晶圓)。例如，使用上述的遮罩以光微影(Wiotolithography)工藝圖案化一材料層(例如多晶硅層、硅基材或介電材料層)。在一特定范例中，遮罩包含修正的IC設(shè)計(jì)圖案，其中IC設(shè)計(jì)圖案包含STI特征及應(yīng)用于熱效應(yīng)的虛擬STI熱特征。使用光微影工藝于涂覆在晶圓上的光阻層，使用光罩來(lái)圖案化光阻層，并形成具有定義STI區(qū)域的各種開(kāi)口的圖案化光阻層。經(jīng)由上述光組層的開(kāi)口蝕刻硅基材以形成溝渠。上述溝渠更以介電材料加以填充，藉以形成STI特征及虛擬STI熱特征(以下一并稱(chēng)之為STI特征)在硅基材中。在一實(shí)施例中，可用包含蝕刻基材以產(chǎn)生溝渠、以介電材料填充上述溝渠、以及接著使用平坦化工藝于上述基材以從上述基材移除過(guò)多的介電材料的過(guò)程來(lái)形成STI特征。在一實(shí)施例中，STI特征包含氧化硅?？捎没瘜W(xué)氣相沉積(CVD)工藝將氧化硅填充至上述的溝渠中。在各種范例中，可用高密度電漿化學(xué)氣相沉積(HighDensityPlasmaChemicalVaporD印osition;HDPCVD)來(lái)形成上述的氧化硅?？蛇x擇性地用高深寬比工藝(HighAspectRatioProcess；HARP)來(lái)形成上述的氧化硅。在其他的實(shí)施例中，STI特征可包含多層結(jié)構(gòu)。在此實(shí)施例中，更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，STI特征包含其他適當(dāng)?shù)牟牧?例如硅氮化物、氮氧化硅(SiliconOxynitride)、低介電系數(shù)材料、空氣間隙或上述的組合)。例如，隔離特征包含熱氧化襯墊(ThermalOxideLining)層，藉以改善溝渠的界面。在另一范例中，以熱氧化硅襯墊層及HDPCVD氧化硅層來(lái)填充溝渠。在另一范例中，溝渠可具有多層結(jié)構(gòu)，其中上述的多層結(jié)構(gòu)包含熱氧化襯墊層、CVD硅氮化物層以及CVD氧化硅層。在一實(shí)施例中，平坦化工藝包含CMP工藝，其中CMP工藝應(yīng)用至半導(dǎo)體基材以移除填充有介電材料的溝渠的多余部分。在一范例中，CMP工藝可使用硅氮化物層做為研磨終止層，使得CMP工藝可適當(dāng)?shù)赝Ｖ乖诠璧飳?。更可將一退火工藝?yīng)用至形成于硅基材中的溝渠隔離特征。其他后續(xù)工藝包含離子植入及隨后的退火工藝。在一范例中，以離子植入工藝形成LDD特征于硅基材中。在LDD植入后，將退火工藝(例如LSA、RTA或急驟退火)應(yīng)用至硅基材，藉以減少缺陷并活化植入物。在一實(shí)施例中，由于STI特征亦將虛擬熱特征結(jié)合于其中，最佳化退火工藝，藉以獲得均勻的熱效應(yīng)。在晶圓上的位置間的熱效應(yīng)變化可被最小化或減少。再者，電路的電氣性能及電路的裝置(例如電晶體)可被最佳化以滿(mǎn)足特定實(shí)施例中產(chǎn)品的規(guī)格。更特別的是，結(jié)合至IC設(shè)計(jì)并形成于半導(dǎo)體晶圓中的虛擬STI熱特征，根據(jù)個(gè)別的退火技術(shù)(RTA、急驟退火或LSA)做特別的設(shè)計(jì)，藉以應(yīng)用于退火工藝中，并且可根據(jù)相對(duì)應(yīng)的退火工藝的各種參數(shù)做進(jìn)一步的調(diào)整。圖7繪示根據(jù)本發(fā)明的各種觀(guān)點(diǎn)的IC設(shè)計(jì)方法300的流程圖。IC設(shè)計(jì)方法300開(kāi)始于步驟310，以提供各種測(cè)試圖案。測(cè)試圖案設(shè)計(jì)成具有個(gè)別的配置與尺寸，藉以涵蓋各種具代表性的配置與尺寸。在一實(shí)施例中，虛擬熱特征欲結(jié)合至應(yīng)用于隔離特征(STI)的IC設(shè)計(jì)布局的虛擬隔離特征(例如虛擬STI熱特征)。特別的是，由于STI特征位在半導(dǎo)體層中，其中半導(dǎo)體層中存在有植入物，且STI特征與環(huán)繞其周?chē)墓杌脑跓嵝?yīng)方面的行為是不同的，故退火工藝的熱效應(yīng)對(duì)于STI特征是很敏感的。在一實(shí)施例中，每個(gè)測(cè)試圖案具有特定的配置、線(xiàn)寬、線(xiàn)的間距、及圖案密度(亦可稱(chēng)之為線(xiàn)密度)。在一實(shí)施例中，具有測(cè)試圖案的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)350繪示于圖8的剖面視圖中。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)350包含半導(dǎo)體基材352(例如硅晶圓)及形成于半導(dǎo)體基材352中的STI特征354。STI特征3M配置成具有周期性的配置。相鄰S(chǎng)TI特征3M之間的半導(dǎo)體區(qū)域稱(chēng)之為主動(dòng)區(qū)域，其中主動(dòng)區(qū)域用以形成各種摻雜特征與半導(dǎo)體裝置。如圖8中所示，當(dāng)尺寸D2定義主動(dòng)區(qū)域的一尺寸(或?qū)挾?時(shí)，尺寸Dl定義STI特征354的一尺寸(或?qū)挾?。尺寸Dl加上尺寸D2被定義成周期性STI特征的節(jié)距(Pitch)。作用比(DutyRation)被定義成尺寸Dl/尺寸Dl，其表示STI的占用密度(OccupancyDensity)。IC設(shè)計(jì)方法300進(jìn)行至步驟312，從各種測(cè)試圖案中收集硅資料。在一實(shí)施例中，具有相同配置、不同節(jié)距及不同作用比之各種測(cè)試圖案，完全地制造在一或多個(gè)半導(dǎo)體基材上，將熱退火工藝應(yīng)用至上述測(cè)試圖案，以從半導(dǎo)體基材上收集實(shí)際的實(shí)驗(yàn)資料(或硅資料)。在另一實(shí)施例中，每種技術(shù)(RTA、急驟退火或LSA)的退火工藝分別被應(yīng)用至上述測(cè)試圖案以收集實(shí)際的實(shí)驗(yàn)資料。圖9a至圖9c提供具有硅資料的例示性圖表。實(shí)驗(yàn)資料繪制在上述的圖表中，其中水平軸定義為節(jié)距，而垂直軸則定義為光吸收率。每個(gè)圖表包含根據(jù)實(shí)驗(yàn)資料所繪制的五條曲線(xiàn)。每條曲線(xiàn)與特定尺寸Dl(在圖說(shuō)(Legend)中標(biāo)示成CD)的STI結(jié)構(gòu)相關(guān)。圖9a來(lái)自于急驟退火工藝(輻射波長(zhǎng)等于0.5微米)的實(shí)驗(yàn)資料的圖表。此圖表包含五條曲線(xiàn)，而在上述五條曲線(xiàn)中，由底部曲線(xiàn)至頂部曲線(xiàn)分別與尺寸Dl為0.39微米、0.6微米、1微米、2微米及4微米相對(duì)應(yīng)。對(duì)應(yīng)于尺寸Dl為2微米的曲線(xiàn)及對(duì)應(yīng)于尺寸Dl為4微米的曲線(xiàn)幾乎形成一曲線(xiàn)。圖9b來(lái)自于RTA工藝的實(shí)驗(yàn)資料的圖表。同樣地，圖9b包含五條曲線(xiàn)，而在上述五條曲線(xiàn)中，由底部曲線(xiàn)至頂部曲線(xiàn)分別與尺寸Dl為0.39微米、0.6微米、1微米、2微米及4微米相對(duì)應(yīng)。圖9c來(lái)自于LSA工藝(輻射波長(zhǎng)等于10.6微米)的實(shí)驗(yàn)資料的圖表。在圖9c中，包含有五條曲線(xiàn)，而在上述五條曲線(xiàn)中，由底部曲線(xiàn)至頂部曲線(xiàn)分別與尺寸Dl為0.39微米、0.6微米、1微米、2微米及4微米相對(duì)應(yīng)。在圖9a至圖9c中的實(shí)驗(yàn)資料與曲線(xiàn)清楚地顯示了每種退火工藝在STI節(jié)距及STI尺寸Dl上具有其特定吸收率的特性。在另一實(shí)施例中，一測(cè)試圖案包含STI特征與如圖北所示的柵極。各種柵極形成在半導(dǎo)體基材上，且柵極的一子群組設(shè)置在STI特征之上。圖10繪示上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)400(亦可稱(chēng)之為測(cè)試圖案400)的一實(shí)施例的俯視圖。測(cè)試圖案400包含在一半導(dǎo)體基材中由STI特征環(huán)繞的主動(dòng)區(qū)域402。測(cè)試圖案400亦包含設(shè)置在半導(dǎo)體基材上的柵極404。當(dāng)其他柵極直接地設(shè)置在半導(dǎo)體基材上時(shí)，某些柵極部分地位在STI特征之上。上述配置的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并制造成具有各種參數(shù)。例如，STI特征的節(jié)距是2微米或更大。STI特征的作用比為1或更大。STI尺寸Dl為1微米或更大。在一例示配置中，相鄰的STI特征之間或柵極陣列(GateArray)與STI特征之間的各種尺寸繪示且標(biāo)示于圖10中。圖Ila至圖Ild提供來(lái)自于各種測(cè)試圖案的實(shí)驗(yàn)資料。圖Ila包含對(duì)應(yīng)于具有周期性柵極陣列的測(cè)試圖案的實(shí)驗(yàn)資料。柵極節(jié)距為0.微米。上述資料為吸收率與柵極長(zhǎng)度。圖lib包含對(duì)應(yīng)于具有周期性STI特征的測(cè)試圖案的實(shí)驗(yàn)資料。STI節(jié)距為2.08微米。上述資料為吸收率與主動(dòng)區(qū)域?qū)挾?。圖Ila與圖lib的資料收集自RTA工藝。圖Ila指出吸收率隨著柵極長(zhǎng)度線(xiàn)性增加。圖Ila指出吸收率隨著主動(dòng)區(qū)域?qū)挾染€(xiàn)性減少。圖Ilc包含對(duì)應(yīng)于具有周期性柵極陣列的測(cè)試圖案的實(shí)驗(yàn)資料。柵極節(jié)距為0.微米。上述資料為吸收率與柵極長(zhǎng)度。圖Ild包含對(duì)應(yīng)于具有周期性STI特征的測(cè)試圖案的實(shí)驗(yàn)資料。STI節(jié)距為2.08微米。上述資料為吸收率與主動(dòng)區(qū)域?qū)挾取DIlc與圖Ild的資料收集自L(fǎng)SA工藝。圖Ilc指出吸收率隨著柵極長(zhǎng)度線(xiàn)性減少。圖Ild指出吸收率隨著主動(dòng)區(qū)域?qū)挾染€(xiàn)性增加。IC設(shè)計(jì)方法300可選擇性地進(jìn)行至步驟314，經(jīng)由光學(xué)模擬來(lái)收集資料(例如反射或吸收)。上述的模擬可實(shí)施一模型，藉以定量地描述使用于相對(duì)應(yīng)的退火工藝(例如RTA、急驟退火或LSA)中的輻射光束的反射及/或吸收。步驟314的模擬可使用類(lèi)似于使用于步驟312中的各種測(cè)試圖案。IC設(shè)計(jì)方法300接著進(jìn)行至步驟316，根據(jù)在步驟312中收集到的硅資料，或在步驟314中萃取的模擬資料來(lái)建立熱模型。熱模型包含各種測(cè)試圖案(例如以上所述)及相對(duì)應(yīng)的實(shí)驗(yàn)資料(例如吸收率資料)。在此由模擬資料所建構(gòu)的熱模型中，更可通過(guò)硅資料加以驗(yàn)證及調(diào)整。在一實(shí)施例中，任何IC設(shè)計(jì)配置可映射(Mapped)至熱模型中的測(cè)試圖案的其中之一?？芍苯訌谋挥成涞臏y(cè)試圖案的實(shí)驗(yàn)資料萃取，或可直接從具有相近的幾何參數(shù)的測(cè)試圖案內(nèi)插，以求得熱效應(yīng)(例如吸收率)。再者，熱模型更包含各種資料或包含于其中的子集合，其中上述的資料的子集合如區(qū)塊318所提供者。在一實(shí)施例中，熱模型包含通過(guò)有效介質(zhì)理論(EffectiveMediumTheory；EMT)做對(duì)應(yīng)于測(cè)試圖案(或圖案化的裝置)的有效折射率neff的求取。EMT根據(jù)成分的特性與相對(duì)比例來(lái)描述其巨觀(guān)特性的物理模形。EMT提供一種方法來(lái)計(jì)算介質(zhì)(Media)的有效特性(例如反射及/或吸收)。在另一實(shí)施例中，利用實(shí)際遮罩的折積(Convolution)創(chuàng)造一或多個(gè)查詢(xún)表，藉此做為一有效的光學(xué)模型。例如，對(duì)應(yīng)于目標(biāo)(Targeted)熱效應(yīng)，上述的查詢(xún)表可用來(lái)萃取具有目標(biāo)熱效應(yīng)的相對(duì)應(yīng)的配置。因此，目前的IC設(shè)計(jì)特征根據(jù)相對(duì)應(yīng)的IC設(shè)計(jì)布局的配置做修正，藉以達(dá)到上述的目標(biāo)熱效應(yīng)。在另一實(shí)施例中，熱模型包含圖案密度以及相對(duì)應(yīng)的熱效應(yīng)。在一范例中，圖案密度提供在局部區(qū)域中且具有約100微米的直徑。在此實(shí)施例中，更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，圖案密度與吸收率有關(guān)，且為了容易萃取，將其格式化地記錄在查詢(xún)表中。例如，當(dāng)吸收率被指向于最佳化裝置的性能時(shí)，相對(duì)應(yīng)的圖案密度可從根據(jù)目標(biāo)吸收率的查詢(xún)表中萃取出。IC設(shè)計(jì)布局可根據(jù)相對(duì)應(yīng)的圖案密度做修正。IC設(shè)計(jì)方法300可進(jìn)行至步驟320，進(jìn)行熱偵測(cè)(Inspection)與繪圖(Plotting)。在一實(shí)施例中，熱偵測(cè)是一全芯片(Full-Chip)工藝，且其設(shè)計(jì)用來(lái)評(píng)估熱均勻性。IC設(shè)計(jì)方法300可進(jìn)行至步驟322，進(jìn)行應(yīng)用于熱均勻性及/或其他熱效應(yīng)的主動(dòng)補(bǔ)償。上述的主動(dòng)補(bǔ)償包含修正IC設(shè)計(jì)布局，其中包含重新定義尺寸、重新定義形狀、重新定義位置、以及加入虛擬熱特征。藉由施行熱模型以進(jìn)行上述的主動(dòng)補(bǔ)償，其中施行熱模型系如，從建構(gòu)于步驟316中的查詢(xún)表萃取目標(biāo)參數(shù)。應(yīng)用主動(dòng)補(bǔ)償工藝至電路區(qū)塊或選擇性地應(yīng)用至整個(gè)晶圓。在一實(shí)施例中，目前的IC設(shè)計(jì)特征根據(jù)相對(duì)應(yīng)的相關(guān)測(cè)試圖案的配置做修正，藉以達(dá)到目標(biāo)熱效應(yīng)。在其他實(shí)施例中，IC設(shè)計(jì)布局根據(jù)圖案密度，以加入虛擬熱特征及/或調(diào)整現(xiàn)存的IC設(shè)計(jì)特征(例如重新定義形狀、重新定義尺寸及重新定義位置)來(lái)做修正。主動(dòng)補(bǔ)償可包含于區(qū)塊324中所提供的其他更進(jìn)一步的行動(dòng)。此些更進(jìn)一步的行動(dòng)包含確定對(duì)于IC設(shè)計(jì)布局而言為弱點(diǎn)(WeakSpot)之處以及圖案的最佳化。在一實(shí)施例中，根據(jù)工藝特性及/或設(shè)計(jì)規(guī)則可在IC設(shè)計(jì)布局中確定一或多個(gè)弱點(diǎn)區(qū)域。例如，實(shí)際退火溫度或退火溫度分布的標(biāo)準(zhǔn)預(yù)定的。當(dāng)晶圓一部分的熱效應(yīng)預(yù)期會(huì)超出預(yù)定的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，確定IC設(shè)計(jì)布局的相對(duì)應(yīng)區(qū)域?yàn)橐蝗觞c(diǎn)。在其他范例中，當(dāng)晶圓一部分的退火溫度已經(jīng)從平均退火溫度變異超過(guò)約10%時(shí)，確定相對(duì)應(yīng)區(qū)域?yàn)橐蝗觞c(diǎn)。在其他范例中，假如IC設(shè)計(jì)布局具有的一區(qū)域的圖案密度超出根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則的規(guī)格外時(shí)，其中設(shè)計(jì)規(guī)則可從熱模型或硅資料中萃取，隋后確認(rèn)上述的區(qū)域?yàn)橐蝗觞c(diǎn)。主動(dòng)補(bǔ)償可應(yīng)用至此些弱點(diǎn)區(qū)域。在其他實(shí)施例中，根據(jù)圖案最佳化的設(shè)計(jì)可應(yīng)用至應(yīng)用于熱效應(yīng)或其他熱相關(guān)效應(yīng)的IC設(shè)計(jì)布局。圖案最佳化可包含IC設(shè)計(jì)特征的再定位(Reorientation)、重新定義形狀、重新定義尺寸、重新定義位置以及為了強(qiáng)化的熱效應(yīng)或其他熱相關(guān)效應(yīng)(例如反射)的分割(Splitting)?，F(xiàn)在請(qǐng)參照?qǐng)D12，其繪示一例示性計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600，其中計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600用以施行以上所述方法的實(shí)施例(例如圖1的IC設(shè)計(jì)方法100及/或圖7的IC設(shè)計(jì)方法300)。所示的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)600包含有四個(gè)分隔的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，亦即以一或多個(gè)網(wǎng)路連結(jié)的伺服器、IC工具供應(yīng)商、IC設(shè)計(jì)者及工廠(chǎng)(Fab)。以上所述僅為一范例，且根據(jù)所需的實(shí)施例的配置，可選擇性的使用更多或更少的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)通過(guò)更多或更少的網(wǎng)路加以連結(jié)的各種配置。為了更進(jìn)一步的范例的理由，每個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)包含微處理器602、輸入裝置604、儲(chǔ)存裝置606、影像(Video)控制器608、系統(tǒng)記記體610、顯示器614及通訊(Communication)裝置616，其中上述的裝置以一或多個(gè)匯流排(Buses)612互相連接。儲(chǔ)存裝置606可為軟碟機(jī)(FloppyDrive)、硬碟機(jī)(HardDrive)、唯讀光碟機(jī)(⑶-ROM)、光碟機(jī)(OpticalDrive)、快閃存儲(chǔ)器(FlashMemory)或任何其他型式的儲(chǔ)存裝置。此外，儲(chǔ)存裝置606可接受軟碟機(jī)、CD-ROM、唯讀DVD(DVD-ROM)或任何其他型式的電腦可讀取媒體，其中上述的電腦可讀取媒體包含有電腦可執(zhí)行指令。再者，通訊裝置616可為數(shù)據(jù)機(jī)(Modeem)、網(wǎng)路卡(NetworkCard)、或使得計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可與其他節(jié)點(diǎn)(Nodes)通訊的任何其他裝置?？衫斫獾氖?，任何計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可代表多個(gè)互相連接(不論是通過(guò)內(nèi)部網(wǎng)路(Intranet)或網(wǎng)際網(wǎng)路(Internet))的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其中包含但并不限制，個(gè)人電腦、大型電腦(Mainframes)、個(gè)人數(shù)位助理(PDAs)及手機(jī)(CellPhones)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)典型地至少包含能夠執(zhí)行機(jī)器可讀取指令的硬體，以及能夠執(zhí)行可產(chǎn)生所欲知結(jié)果的動(dòng)作(典型地為機(jī)器可讀取的指令)的軟體。此外，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可包含硬體與軟體的混合(Hybrids)，以及計(jì)算機(jī)次系統(tǒng)(Sub-Systems)。硬體一般至少包含具備處理器能力(Processor-Capable)的平臺(tái)，例如用戶(hù)端機(jī)器(Client-Machines)(亦可被稱(chēng)之為個(gè)人電腦或伺服器)以及手持式處理裝置(例如智慧型手機(jī)(SmartPhones)、PDAs或個(gè)人計(jì)算裝置(PersonalComputingDevices；PCDs))。再者，硬體可包含任何實(shí)際裝置，其中上述的實(shí)際裝置可儲(chǔ)存機(jī)器可讀取指令，例如存儲(chǔ)器或其他資料儲(chǔ)存裝置。硬體的其它型式包含硬體次系統(tǒng)，其中包含如數(shù)據(jù)機(jī)、數(shù)據(jù)卡、連接埠(Ports)及連接埠卡。軟體包含儲(chǔ)存在任何存儲(chǔ)器媒體(例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或唯讀存儲(chǔ)器(ROM))中的任何機(jī)器碼，以及儲(chǔ)存在其他裝置(例如軟碟機(jī)、快閃存儲(chǔ)器或CD-ROM)中的機(jī)器碼。軟體可包含如原始碼(SourceCode)或目標(biāo)碼(ObjectCode)。此外，軟體包含可在用戶(hù)端機(jī)器或伺服器中被執(zhí)行的任何指令群組。軟體與硬體的組合亦可用來(lái)在本發(fā)明的特定實(shí)施例中提供強(qiáng)化的功能與性能。一范例直接將軟體功能制造至一硅芯片中。因此，可以理解的是，硬體與軟體的組合亦可包含在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的定義內(nèi)，并因此可被本發(fā)明包含在內(nèi)做為可能的同等結(jié)構(gòu)及等價(jià)的方法。電腦可讀取的媒體包含被動(dòng)資料存儲(chǔ)(PassiveDataMorage)(例如RAM)以及半永久資料儲(chǔ)存Gemi-PermanentDataMorage)(例如⑶-ROM)。此外，本發(fā)明的一實(shí)施例是以一計(jì)算機(jī)的RAM將一標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算機(jī)轉(zhuǎn)換成一新的特定計(jì)算機(jī)器。資料結(jié)構(gòu)受到定義的資料組織，其中受到定義的資料組織可為本發(fā)明的一實(shí)施例。例如，資料結(jié)構(gòu)可提供一資料組織或可執(zhí)行碼的組織。資料訊號(hào)可被載送通過(guò)傳輸媒體，且可儲(chǔ)存并傳送各種資料結(jié)構(gòu)，因此，資料訊號(hào)可用來(lái)傳送本發(fā)明的一實(shí)施例。系統(tǒng)可設(shè)計(jì)成在任何特定架構(gòu)下工作。例如，系統(tǒng)可在單一計(jì)算機(jī)、局部區(qū)域網(wǎng)路(AreaNetworks)、用戶(hù)端伺服器網(wǎng)路、廣大的(Wide)區(qū)域網(wǎng)路、網(wǎng)際網(wǎng)路、手持或其他可攜式(Portable)及無(wú)線(xiàn)(Wireless)裝置、以及網(wǎng)路上執(zhí)行。資料庫(kù)可為任何標(biāo)準(zhǔn)或?qū)?ftOprietary)資料庫(kù)軟體(例如甲骨文(Oraclee)、微軟(Microsoft)Access、SyBase或DBaseII)。資料庫(kù)可具有欄位(Fields)、紀(jì)錄、資料及可與資料庫(kù)特定軟體相關(guān)的其他資料庫(kù)元件。此外，資料可被映射。映射使一資料輸入與另一資料相關(guān)的過(guò)程。例如，可將包含在一文字檔案的特定位置中的資料映射至一第二表格的欄位。資料庫(kù)的實(shí)際位置并沒(méi)有限制，且資料庫(kù)是可分散的。例如，資料庫(kù)可遠(yuǎn)端地存在一伺服器中，且在一分隔的平臺(tái)上執(zhí)行。再者，資料庫(kù)可通過(guò)網(wǎng)際網(wǎng)路存取。需注意的是，可執(zhí)行超過(guò)一個(gè)以上的資料庫(kù)。雖然本發(fā)明的實(shí)施例已經(jīng)詳述如上，熟悉此技藝者應(yīng)可了解到，在不脫離本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)、替代和潤(rùn)飾。例如，熱退火工藝并不限制在LSA、RTA及急驟退火中，其可包含其他可應(yīng)用至半導(dǎo)體晶圓的退火工藝。熱模型與模擬與相對(duì)應(yīng)的退火工藝有關(guān)，所以可調(diào)整被修正的IC設(shè)計(jì)布局，因此使得圖案化晶圓在相對(duì)應(yīng)的退火工藝中具有最佳化熱效應(yīng)。因此，本發(fā)明提供一種IC方法。上述方法包含提供一IC設(shè)計(jì)布局；模擬上述IC設(shè)計(jì)布局的熱效應(yīng)；根據(jù)上述的熱效應(yīng)的模擬來(lái)模擬上述IC設(shè)計(jì)布局的電氣性能；根據(jù)上述電氣性能的模擬，進(jìn)行上述IC設(shè)計(jì)布局的熱虛擬置入；以及在此之后，根據(jù)上述IC設(shè)計(jì)布局制造遮罩。本發(fā)明亦包含IC方法的其他實(shí)施例。上述方法包含提供多個(gè)測(cè)試圖案；收集上述測(cè)試圖案的熱資料；根據(jù)上述熱資料建構(gòu)一熱模型；使用上述熱模型，將熱虛擬特征加入至IC設(shè)計(jì)；以及根據(jù)上述IC設(shè)計(jì)制造遮罩。本發(fā)明亦包含IC方法的其他實(shí)施例。上述方法包含提供多個(gè)測(cè)試圖案；收集上述測(cè)試圖案的熱資料；根據(jù)上述熱資料建構(gòu)一查詢(xún)表；評(píng)估IC設(shè)計(jì)熱效應(yīng)；使用上述查詢(xún)表，將熱虛擬特征加入至IC設(shè)計(jì)；以及在此之后，根據(jù)上述IC設(shè)計(jì)制造遮罩。上述已大略描述多個(gè)實(shí)施例的特征，以使得熟悉此技藝者能夠更了解本發(fā)明的觀(guān)點(diǎn)。熟悉此技藝者將可體會(huì)到，其可使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改其他工藝與結(jié)構(gòu)，以獲得本發(fā)明所介紹的實(shí)施例的相同目的及/或達(dá)到其優(yōu)點(diǎn)。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種集成電路方法，其特征在于其包括以下步驟提供一集成電路設(shè)計(jì)布局；進(jìn)行一模擬熱效應(yīng)步驟，藉以模擬該集成電路設(shè)計(jì)布局的一熱效應(yīng)；進(jìn)行一模擬電氣性能步驟，藉以根據(jù)該熱效應(yīng)的模擬來(lái)模擬該集成電路設(shè)計(jì)布局的一電氣性能；以及根據(jù)該電氣性能的模擬，進(jìn)行該集成電路設(shè)計(jì)布局的一熱虛擬置入。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路方法，其特征在于其中更包含在進(jìn)行該集成電路設(shè)計(jì)布局的該熱虛擬置入之后，根據(jù)該集成電路設(shè)計(jì)布局制造一遮罩。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路方法，其特征在于其中更包含使用該遮罩制造一晶圓。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路方法，其特征在于其中更包含在制造該遮罩之前，重復(fù)進(jìn)行該模擬熱效應(yīng)步驟、進(jìn)行該模擬電氣性能步驟、以及進(jìn)行該集成電路設(shè)計(jì)布局的該熱虛擬置入，且其中重復(fù)進(jìn)行該集成電路設(shè)計(jì)布局的該熱虛擬置入包含加入一熱虛擬特征、從新定義一熱虛擬特征的尺寸、從新定義一熱虛擬特征的位置、及從新定義一熱虛擬特征的形狀其中的至少一者。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路方法，其特征在于其中所述的進(jìn)行該模擬熱效應(yīng)步驟包含模擬在一退火工藝中，一輻射光束的反射、傳輸及吸收。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路方法，其特征在于其中所述的進(jìn)行該模擬電氣性能步驟包含模擬一離子植入工藝，或包含萃取臨界值電壓及飽和電流其中至少一者。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路方法，其特征在于其中所述的進(jìn)行該模擬熱效應(yīng)步驟包含使用一熱模型模擬該集成電路設(shè)計(jì)布局的該熱效應(yīng)，且更包含提供多個(gè)測(cè)試圖案，其中每一該些測(cè)試圖案具有個(gè)別的線(xiàn)寬、線(xiàn)的間距、及線(xiàn)密度；收集該些測(cè)試圖案的熱資料；以及根據(jù)該熱資料建構(gòu)該熱模型。8.一種集成電路方法，其特征在于其包括以下步驟提供多個(gè)測(cè)試圖案；收集該些測(cè)試圖案的熱資料；根據(jù)該熱資料建構(gòu)一熱模型；以及使用該熱模型，將多個(gè)熱虛擬特征加入至一集成電路設(shè)計(jì)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路方法，其特征在于將該些熱虛擬特征加入至該集成電路設(shè)計(jì)更包含使用該熱模型來(lái)模擬該集成電路設(shè)計(jì)的一熱效應(yīng)；以及根據(jù)該熱效應(yīng)的模擬來(lái)模擬該集成電路設(shè)計(jì)的一電氣性能。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路方法，其特征在于其中每一該些測(cè)試圖案包含多個(gè)線(xiàn)特征或一個(gè)別的作用比，其中該些線(xiàn)特征具有個(gè)別的線(xiàn)寬、線(xiàn)的間距、及線(xiàn)密度。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路方法，其特征在于其中提供該些測(cè)試圖案包含制造多個(gè)測(cè)試圖案在至少一晶圓上；以及收集該些測(cè)試圖案的熱資料包含從該至少一晶圓上收集該熱資料，其中該些測(cè)試圖案包含淺溝渠隔離特征。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路方法，其特征在于其中收集該些測(cè)試圖案的熱資料包含根據(jù)選自于由一急驟退火工藝、一快速熱退火工藝、及一激光尖峰退火工藝所組成的一群組的一熱退火工藝，模擬該測(cè)試圖案。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路方法，其特征在于其中根據(jù)該熱資料建構(gòu)該熱模型包含產(chǎn)生一查詢(xún)表，且將該些熱虛擬特征加入至該集成電路設(shè)計(jì)包含使用該查詢(xún)表加入該些熱虛擬特征。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路方法，其特征在于其中將該些熱虛擬特征加入至該集成電路設(shè)計(jì)包含使用該熱模型確認(rèn)該集成電路設(shè)計(jì)上的一熱弱點(diǎn)，并將熱虛擬置入應(yīng)用至該集成電路設(shè)計(jì)的該熱弱點(diǎn)。15.一種集成電路方法，其特征在于其包括以下步驟提供多個(gè)測(cè)試圖案；收集該些測(cè)試圖案的熱資料；根據(jù)該熱資料建構(gòu)一查詢(xún)表；評(píng)估一集成電路設(shè)計(jì)的熱效應(yīng)；使用該查詢(xún)表，將多個(gè)熱虛擬特征加入至該集成電路設(shè)計(jì)；以及在此之后，根據(jù)該集成電路設(shè)計(jì)制造一遮罩。全文摘要本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路(IC)方法，此方法包含提供一IC設(shè)計(jì)布局；模擬上述IC設(shè)計(jì)布局的熱效應(yīng)；根據(jù)上述的熱效應(yīng)的模擬來(lái)模擬上述IC設(shè)計(jì)布局的電氣性能；以及根據(jù)上述電氣性能的模擬，進(jìn)行上述IC設(shè)計(jì)布局的熱虛擬置入。本發(fā)明通過(guò)將虛擬熱特征結(jié)合至IC設(shè)計(jì)布局的方法，可最佳化電路性能，故可提高產(chǎn)品產(chǎn)能及可靠度。文檔編號(hào)G06F17/50GK102169516SQ20101019775公開(kāi)日2011年8月31日申請(qǐng)日期2010年6月3日優(yōu)先權(quán)日2010年2月26日發(fā)明者劉如淦,歐宗樺,羅博仁,蔡正隆,許志瑋,鄭英周,黃文俊申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司