專利名稱：位置偵測的裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種位置偵測的裝置與方法，特別是涉及一種壓觸式的位置偵測的 裝置與方法。
背景技術(shù)：
美國專利公開號US2007/0198926中，Jouget et al.揭示了一種壓觸式位置偵測的裝置，包括一上電極層與一下電極層，上、下電極層分別包括多數(shù)條不同方向的平行排 列導線，并且上下層間分布絕緣粒子(spacer)，藉以將上、下電極層隔開。因此當上電 極層受到下壓時，部份上電極層的導線會與下電極的導線接觸，其中所有下電極層導線 接地。上電極層的導線是循序被驅(qū)動，并且在任一條上電極層導線被驅(qū)動時，所有下電 極層導線皆會被循序偵測一次，藉此可偵測所有上、下電極層導線相交的相疊點。因此 被驅(qū)動的上電極層導線與被偵測的下電極層導線因下壓而接觸時，電流會由被驅(qū)動的電 極層導線流向被偵測的下電極層導線，藉由偵測下電極層導線的訊號，便可以偵測到哪 些相疊點被壓觸。
然而如圖1所示，當手指壓觸時可能同時造成一群相疊點同時被壓觸，在偵測 的過程中會造成在后被偵測的下電極層導線的訊號變小，因此必須針對不同位置的相疊 點給予不同的比較值，才能在訊號較小時仍可分辨是否被壓觸。然而這樣的解決辦法還 是可能因為在前被壓觸的相疊點數(shù)過多而不準確，顯然地，各相疊點的比較值的建立、 儲存都需要花上許多成本，但卻又無法保證準確度。此外，當分辨率要求比較高時，就 必須增加導線的密度，相對地偵測的頻率就必須降低。
由此可見，上述現(xiàn)有技術(shù)顯然存在有不便與缺陷，而極待加以進一步改進。為 了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見 適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒有適切的結(jié)構(gòu)及方法能夠解決上述問 題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的技術(shù)，實屬當前重要 研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè)界極需改進的目標。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的為提供一種位置偵測的裝置與方法，位置偵測的裝置包括 一感應器，包括多數(shù)條導電條相疊構(gòu)成的多數(shù)個相疊區(qū)，其中相疊于任一相疊區(qū)的一對 被壓觸導電條因電性接觸形成一接觸點時構(gòu)成一被壓觸相疊區(qū)；一驅(qū)動器，分別提供一 高電位與一低電位；一偵測器，偵側(cè)至少一導電條的一訊號；一選擇器，操作性耦合些 導電條于驅(qū)動器與偵測器；以及一控制器，包括對驅(qū)動器、偵測器與選擇器進行至少以 下控制直接或通過一延伸電阻間接分別提供高電位與低電位于同一導電條的一第一端與一第二端；直接或通過一延伸電阻間接分別提供高電位與低電位于至少一第一導電條 的第一端與至少一第二導電條的第一端；偵測些導電條之一與延伸電阻間的訊號；在一 對被壓觸導電條之一被提供高電位與低電位時，偵測對被壓觸導電條的另一的第一端或 第二端之一或兩者的電位；以及通過延伸電阻間接提供高電位與低電位于同一導電條的 第一端與第二端時，通過偵測導電條與延伸電阻間的訊號，以判斷一未被壓觸電位與一 被壓觸電位。
前述的相疊的導電條間由多數(shù)個絕緣粒子相隔，未被壓觸時彼此電性絕緣，并 且在被壓觸時構(gòu)成被壓觸相疊區(qū)。
在上述位置偵測裝置中，位置偵測的方法是通過偵測出被壓觸的相疊區(qū)，再依 據(jù)被壓觸相疊區(qū)分別偵測出位于被壓觸相疊區(qū)上的接觸點。被壓觸相疊區(qū)的偵測可以是 先偵測被壓觸的導電條，依據(jù)被壓觸的導電條判斷出可能被壓觸相疊區(qū)，再由可能被壓 觸相疊區(qū)偵測出被壓觸相疊區(qū)。
通過偵測被壓觸導電條，可以縮小搜尋被壓觸相疊區(qū)的范圍，并且通過偵測被 壓觸相疊區(qū)，可以縮小搜尋接觸點的范圍。因此，本發(fā)明的位置偵測的裝置與方法可以 快速地偵測出所有的接觸點，各接觸點的位置可以用二維坐標來表示。
由于本發(fā)明采用較寬的導電條，導電條涵蓋的偵測范圍大于現(xiàn)有技術(shù)，因此得 到優(yōu)于先前技術(shù)的分辨率。
此外，本發(fā)明能同時偵測出多個不同壓觸物壓觸的接觸點，可用以追蹤后續(xù)壓 觸，并判斷出不同的手勢。
本發(fā)明的第二目的在提供一種判斷壓觸的總接觸阻抗的裝置與方法，在前述的 本發(fā)明的位置偵測裝置中，更包括判斷壓觸在該些相疊區(qū)上的每一個壓觸，以及每一 個壓觸的一總接觸阻抗，其中跨相疊區(qū)的壓觸的該總接觸阻抗為多數(shù)個相疊區(qū)的一接觸 阻抗的并聯(lián)阻抗。
前述的控制器更包括依據(jù)每一壓觸的該總接觸阻抗追蹤每一壓觸的后續(xù)壓觸， 其中每一壓觸與每一后續(xù)壓觸的該總接觸阻抗的差在一預設(shè)范圍內(nèi)，并且相應于相同壓 觸的該被壓觸相疊區(qū)為相鄰的相疊區(qū)。
依據(jù)總接觸阻抗，可判斷出筆、手指或手掌的壓觸。
在總接觸阻抗小于一門檻限值時，可判斷為多壓觸于一群相鄰的被壓觸相疊 區(qū)，反之，為單壓觸相疊區(qū)。
本發(fā)明的第三目的在提供一種依據(jù)位置判斷接觸阻抗的裝置與方法，在前述的 本發(fā)明的位置偵測裝置中，接觸阻抗是依據(jù)被壓觸相疊區(qū)的一對導電條之一與另一在接 觸點的電位與接觸點或相疊區(qū)的位置來判斷。
本發(fā)明的接觸阻抗可以是依據(jù)接觸點位置或相疊區(qū)位置來判斷，前者可以得到 較精確的接觸阻抗，后者可以在不知道接觸點前就判斷出大致的接觸阻抗，省去偵測將 被忽視的接觸點位置，可大幅度提升效能。此外，在接觸點或相疊區(qū)位置為已知的前提 下，僅需判斷被壓觸導電條之一與另一位于接觸點上的電位，即能判斷出接觸阻抗，省 去其它的訊號偵測。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)前述的本 發(fā)明提出的一種判斷接觸阻抗的裝置與方法，該控制器對于該接觸阻抗的判斷包括判7斷接觸點/或相疊區(qū)的一第一維度位置與一第二維度位置，并且依據(jù)第一維度位置與第 二維度位置判斷出一第一維度阻抗與一第二維度阻抗；在一對導電條之一與另一分別被 提供高電位與低電位時偵測接觸點或相疊區(qū)在該對導電條上之一與另一的一第一接觸電 位與一第二接觸電位；以及判斷出接觸阻抗，其中接觸阻抗為(R1+R2)/(((VH_VL)/ (Pl-P2))-1),其中Rl、R2、VH、VL、PU P2分別為第一維度阻抗、第二維度阻抗、 高電位、低電位、第一接觸電位與第二接觸電位。
本發(fā)明的第四目的在提供一種具手掌忽視的位置偵測的裝置與方法，在前述的 本發(fā)明的位置偵測裝置中，控制器更包括判斷該些壓觸中被排除的壓觸，其中被排除的 壓觸的總接觸阻抗小于一門檻限值。
本發(fā)明能依據(jù)總接觸阻將各壓觸區(qū)分為筆、手指或手掌的壓觸，因此能據(jù)此將 手掌的壓觸忽視，在書寫過程中手掌不需要懸空，手掌可置放在感應器上書寫。
本發(fā)明的第五目的在提供一種校正位置誤差的裝置與方法，在前述的本發(fā)明的 位置偵測裝置中，當導電條存在因跨同層導電條的壓觸的并聯(lián)阻抗時，偵測到的接觸點 位置會偏向跨同層導電條的壓觸，造成誤差。本發(fā)明的接觸點誤差校正能校正誤差，校 正出正確的壓觸的位置。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)前述的本 發(fā)明的位置偵測裝置，控制器對于被壓觸相疊區(qū)的接觸點的判斷包括輪流選擇對導電 條之一與另一分別作為一被驅(qū)動導電條與一被偵測導電條；在提供一高電位與一低電位 于被驅(qū)動導電條兩端時偵測被偵測導電條的電位作為一位置電位；電性耦合一延伸電阻 與被驅(qū)動導電條以構(gòu)成一延伸導電條；在延伸導電條未被壓觸時提供高電位與低電位于 延伸導電條以偵測延伸電阻與被驅(qū)動導電條間的電位作為一未壓觸電位；在延伸導電條 被壓觸時提供高電位與低電位于延伸導電條以偵測延伸電阻與被驅(qū)動導電條間的電位作 為一被壓觸電位；以及依據(jù)位置電位、被驅(qū)動導電條的未壓觸電位與被壓觸電位判斷接 觸點在被驅(qū)動導電條的位置。
當跨導電條的壓觸較接近低電位時，正確的偵測電位,,_ ,, . ,,(VH-VU-iVsi-VdiVC = V|> “ iVP ~VH)' (Vp-VUCVH-Vd亦即在高電位與低電位的電位差為已知時，依據(jù)未被壓觸電位Vu、被壓觸電位Vd、偵測電位Vp，便可以校正偵測電位Vp的誤差，偵測 出正確的偵測電位Vc。. ^,% t ^t i VItssiVL awVsI ·
當跨導電條的壓觸較接近高電位時，￥C = VP~ (vP；Vu-VLKVH-Vd；亦即在高電位VH與低電位V的電位差為已知時，依據(jù)未被壓觸電位Vu、被壓觸電位Vd、 偵測電位Vp，便可以校正偵測電位Vp的誤差，偵測出正確的偵測電位Vc。
因此，依據(jù)導電條上一位置(如第一端或第二端)上電位的變化判斷出具跨相疊 區(qū)接觸阻抗的導電條上的位置誤差比例。
本發(fā)明的第六目的在提供一種偵測位置誤判的裝置與方法，在前述的本發(fā)明的 位置偵測裝置中，被壓觸相疊區(qū)的偵測會因為三個壓觸位于一矩形區(qū)域的三頂點位置， 誤判第四個頂點位置亦是被壓觸相疊區(qū)，即錯誤的被壓觸相疊區(qū)。本發(fā)明藉由接觸點位 置與被壓觸相疊區(qū)位置的比對，來忽視或排除錯誤的被壓觸相疊區(qū)，亦可以進一步忽視或排除錯誤的被壓觸相疊區(qū)的接觸點。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)前述的本 發(fā)明的位置偵測裝置，控制器判斷該些壓觸中被排除的壓觸，被排除的壓觸相應的所有 接觸點中存在至少一接觸點的位置落在相應的相疊區(qū)的一誤差范圍之外。
前述控制器更包括判斷該些壓觸中被排除的壓觸，其中任一被排除的壓觸至 少滿足下列條件之一總接觸阻抗小于一門檻限值；以及相應于相同壓觸的接觸點中存 在至少一接觸點的位置落在相應的該相疊區(qū)的一誤差范圍之外；以及判斷該些壓觸中每 一未被排除的壓觸的位置，其中每一壓觸的位置是依據(jù)相應于相同壓觸的該被壓觸相疊 區(qū)的該接觸點的位置來判斷。
前述的相應于相同壓觸的接觸點中存在至少一接觸點的位置落在相應的該相疊 區(qū)的一誤差范圍之外的判斷可以是先于前述校正接觸點誤差的判斷。
本發(fā)明的第七目的在提供一種利用多位置偵測方式忽視手掌的裝置與方法。本 發(fā)明以第一種碰觸或壓觸的偵測方式在第二種碰觸或壓觸的偵測方式上定義一被忽視范 圍，其中該被忽視范圍可包括多數(shù)個獨立的被忽視區(qū)域。利用第一種偵測方式定義出手 掌或大面積壓觸或碰觸的范圍，即被忽視范圍，因此在第二種位置偵測時可忽視在被忽 視范圍中的壓觸或碰觸。第一種偵測方式可以是較粗略的多壓觸或多碰觸偵測方式，再 以第二種偵測方式精確地偵測被忽視范圍外的壓觸或碰觸，同時兼具效能快與精確度高 的優(yōu)點。
前述第一種碰觸或壓觸的偵測方式在第二種碰觸或壓觸可以是利用相同的感應 器來達成，例如前述的第一導電條與第二導電條間是以一壓阻層相隔，偵測第一導電條 與第二導電條間的電荷耦合來作為第一種偵測方式，并且以上述偵測被壓觸相疊區(qū)及接 觸點的方式來作為第二種偵測方式。
依據(jù)本發(fā)明提出的位置偵測裝置與方法中，可判斷出每一個壓觸的接觸阻抗， 能被用來判斷每一壓觸的接觸面積大小或比例，亦能被用來追蹤后續(xù)的連續(xù)壓觸，提供 現(xiàn)有技術(shù)中沒有具備的額外信息。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提 出的一種位置偵測的裝置，包括一感應器，包括多數(shù)條導電條相疊構(gòu)成的多數(shù)個相疊 區(qū)，其中相疊于任一相疊區(qū)的一對被壓觸導電條因電性接觸形成一接觸點時構(gòu)成一被壓 觸相疊區(qū)；一驅(qū)動器，分別提供一高電位與一低電位；一偵測器，偵側(cè)至少一導電條的 一訊號；一選擇器，操作性耦合該些導電條于該驅(qū)動器與該偵測器；以及一控制器，藉 由控制該驅(qū)動器、該偵測器與該選擇器進行至少以下作業(yè)判斷壓觸在該些相疊區(qū)上的 每一個壓觸；以及判斷每一個壓觸的一總接觸阻抗，其中跨相疊區(qū)的壓觸的該總接觸阻 抗為該跨相疊區(qū)的壓觸的所有相疊區(qū)的一接觸阻抗的并聯(lián)阻抗。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步來實現(xiàn)。
前述控制器更包括依據(jù)每一壓觸的該總接觸阻抗追蹤每一壓觸的后續(xù)壓觸，其 中每一壓觸與每一后續(xù)壓觸的該總接觸阻抗的差在一預設(shè)范圍內(nèi)，并且相應于相同壓觸 的該被壓觸相疊區(qū)為相鄰的相疊區(qū)。
前述控制器更包括判斷每一個被壓觸相疊區(qū)的該接觸阻抗，該接觸阻抗是依據(jù) 該被壓觸相疊區(qū)的該對導電條之一與另一在該接觸點的電位與該接觸點的位置來判斷。9
前述控制器對于該接觸阻抗的判斷包括判斷該接觸點的一第一維度位置與一 第二維度位置，并且依據(jù)該第一維度位置與該第二維度位置判斷出一第一維度阻抗與一 第二維度阻抗；在該對導電條之一與另一分別被提供該高電位與該低電位時偵測該接觸 點在該對導電條上之一與另一的一第一接觸電位與一第二接觸電位；以及判斷出該接觸 阻抗，其中該接觸阻抗為(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1_P2))-1)，其中 Rl、R2、VH、 VL、PU P2分別為該第一維度阻抗、該第二維度阻抗、該高電位、該低電位、該第一接 觸電位與該第二接觸電位。
前述控制器更包括判斷每一個被壓觸相疊區(qū)的該接觸阻抗，該接觸阻抗是依據(jù) 該被壓觸相疊區(qū)的該對導電條之一與另一在該接觸點的電位與該被壓觸相疊區(qū)的位置來 判斷。
前述控制器對于該接觸阻抗的判斷包括依據(jù)該被壓觸相疊區(qū)的位置判斷出一 第一維度阻抗與一第二維度阻抗；在該對導電條之一與另一分別被提供該高電位與該低 電位時偵測該接觸點在該對導電條上之一與另一的一第一接觸電位與一第二接觸電位； 以及判斷出該接觸阻抗，其中該接觸阻抗為(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1-P2))-1),其中 RU R2、VH、VL、PU P2分別為該第一維度阻抗、該第二維度阻抗、該高電位、該低 電位、第一接觸電位、第二接觸電位。
前述控制器更包括判斷該些壓觸中被排除的壓觸，其中任一被排除的壓觸至 少滿足下列條件之一該總接觸阻抗小于一門檻限值；以及相應于相同壓觸的該接觸點 中存在至少一接觸點的位置落在相應的該相疊區(qū)的一誤差范圍之外；以及判斷該些壓觸 中每一未被排除的壓觸的位置，其中每一壓觸的位置是依據(jù)相應于相同壓觸的該被壓觸 相疊區(qū)的該接觸點的位置來判斷。
前述控制器對于該被壓觸相疊區(qū)的該接觸點的判斷包括輪流選擇該對導電條 之一與另一分別作為一被驅(qū)動導電條與一被偵測導電條；在提供一高電位與一低電位于 該被驅(qū)動導電條兩端時偵測該被偵測導電條的電位作為一位置電位；電性耦合一延伸電 阻與該被驅(qū)動導電條以構(gòu)成一延伸導電條；在該延伸導電條未被壓觸時提供該高電位與 該低電位于該延伸導電條以偵測該延伸電阻與該被驅(qū)動導電條間的電位作為一未壓觸電 位；在該延伸導電條被壓觸時提供該高電位與該低電位于該延伸導電條以偵測該延伸電 阻與該被驅(qū)動導電條間的電位作為一被壓觸電位；以及依據(jù)該位置電位、該被驅(qū)動導電 條的該未壓觸電位與該被壓觸電位判斷該接觸點在該被驅(qū)動導電條的位置。
前述控制器對該驅(qū)動器、該偵測器與該選擇器的控制至少包括直接或通過一 延伸電阻間接提供該高電位與該低電位于同一導電條的一第一端與一第二端；直接或間 接分別提供該高電位與該低電位于至少一第一導電條的該第一端與至少一第二導電條的 該第一端；偵測該些導電條之一與該延伸電阻間的該訊號；在一對被壓觸導電條之一被 提供該高電位與該低電位時，偵測該對被壓觸導電條的另一的該第一端或該第二端之一 或兩者的電位；以及分別偵測該些第一導電條之一與該些第二導電條之一的一第二端的 電位。
前述控制器藉由對該驅(qū)動器、該偵測器與該選擇器的控制更包括通過一延伸 電阻間接提供該高電位與該低電位于同一導電條的一第一端與一第二端時，偵測該導電 條與該延伸電阻間的該訊號。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提 出的一種位置偵測的方法，包括提供多數(shù)條導電條相疊構(gòu)成的多數(shù)個相疊區(qū)，其中相 疊于任一相疊區(qū)的一對導電條在電性接觸形成一接觸點時構(gòu)成一被壓觸相疊區(qū)；在該些 相疊區(qū)判斷出每一個壓觸；判斷每一個跨相疊區(qū)的壓觸相應的每一個相疊區(qū)的一接觸阻 抗；以及判斷每一個跨相疊區(qū)的壓觸的一總接觸阻抗，該總接觸阻抗為相應相同壓觸的 所有相疊區(qū)的該接觸阻抗的并聯(lián)阻抗。
前述位置偵測的方法更包括依據(jù)每一壓觸的該總接觸阻抗追蹤每一壓觸的后續(xù) 壓觸，其中每一壓觸與每一后續(xù)壓觸的該總接觸阻抗的差在一預設(shè)范圍內(nèi)，并且相應于 相同壓觸的該被壓觸相疊區(qū)為相鄰的相疊區(qū)。
前述接觸阻抗是依據(jù)該對導電條之一與另一在該接觸點的電位差與該接觸點的 位置來判斷。
前述接觸阻抗的判斷包括判斷該接觸點的一第一維度位置與一第二維度位 置，并且依據(jù)該第一維度位置與該第二維度位置判斷出一第一維度阻抗與一第二維度阻 抗；在該對導電條之一與另一分別被提供一高電位與一低電位時偵測該接觸點在該對導 電條上之一與另一的一第一接觸電位與一第二接觸電位；以及判斷出該接觸阻抗，其中 該接觸阻抗為(R1+R2) / (((VH-VL) / (P1-P2)) -1),其中 Rl、R2、VH、VL、PU P2 分 別為該第一維度阻抗、該第二維度阻抗、該高電位、該低電位、第一接觸電位、第二接 觸電位。
前述接觸阻抗是依據(jù)該對導電條之一與另一在該接觸點的電位差與該被壓觸相 疊區(qū)的位置來判斷。
前述接觸阻抗的判斷包括依據(jù)該被壓觸相疊區(qū)的位置判斷出一第一維度阻抗 與一第二維度阻抗；在該對導電條之一與另一分別被提供一高電位與一低電位時偵測該 接觸點在該對導電條上之一與另一的一第一接觸電位與一第二接觸電位；以及判斷出 該接觸阻抗，其中該接觸阻抗為(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1_P2))-1)，其中Rl、R2、 VH、VL、PU P2分別為該第一維度阻抗、該第二維度阻抗、該高電位、該低電位、第 一接觸電位、第二接觸電位。
前述位置偵測的方法，更包括判斷該些壓觸中被排除的壓觸，其中任一被排 除的壓觸至少滿足下列條件之一該總接觸阻抗小于一門檻限值；相應于相同壓觸的該 接觸點中存在至少一接觸點的位置落在相應的該相疊區(qū)的一誤差范圍之外；以及判斷該 些壓觸中每一未被排除的壓觸的位置，其中每一壓觸的位置是依據(jù)相應于相同壓觸的該 被壓觸相疊區(qū)的該接觸點的位置來判斷。
前述被壓觸相疊區(qū)的該接觸點的判斷包括輪流選擇該對導電條之一與另一分 別作為一被驅(qū)動導電條與一被偵測導電條；在提供一高電位與一低電位于該被驅(qū)動導電 條兩端時偵測該被偵測導電條的電位作為一位置電位；電性耦合一延伸電阻與該被驅(qū)動 導電條以構(gòu)成一延伸導電條；在該延伸導電條未被壓觸時提供該高電位與該低電位于該 延伸導電條以偵測該延伸電阻與該被驅(qū)動導電條間的電位作為一未壓觸電位；在該延伸 導電條被壓觸時提供該高電位與該低電位于該延伸導電條以偵測該延伸電阻與該被驅(qū)動 導電條間的電位作為一被壓觸電位；以及依據(jù)該位置電位、該被驅(qū)動導電條的該未壓觸 電位與該被壓觸電位判斷該接觸點在該被驅(qū)動導電條的位置。11
前述位置偵測的方法，更包括直接或通過一延伸電阻間接提供一高電位與一 低電位于同一導電條的一第一端與一第二端；直接或間接分別提供該高電位與該低電位 于至少一第一導電條的該第一端與至少一第二導電條的該第一端；偵測該些導電條之一 與該延伸電阻間的該訊號；在一對被壓觸導電條之一被提供該高電位與該低電位時，偵 測該對被壓觸導電條的另一的該第一端或該第二端之一或兩者的電位；以及分別偵測該 些第一導電條之一與該些第二導電條之一的一第二端的電位。
前述位置偵測的方法，更包括通過一延伸電阻間接提供該高電位與該低電位 于同一導電條的一第一端與一第二端時，偵測該導電條與該延伸電阻間的該訊號。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。
1、本發(fā)明的位置偵測的裝置與方法可以快速地偵測出所有的接觸點，各接觸點 的位置可以用二維坐標來表示。
2、可以快速地偵測出所有的接觸點，各接觸點的位置可以用二維坐標來表示。
3、由于本發(fā)明采用較寬的導電條，導電條涵蓋的偵測范圍大于現(xiàn)有技術(shù)，因此 得到優(yōu)于先前技術(shù)的分辨率。
4、本發(fā)明能同時偵測出多個不同壓觸物壓觸的接觸點，可用以追蹤后續(xù)壓觸， 并判斷出不同的手勢。
5、本發(fā)明的接觸阻抗可以是依據(jù)接觸點位置或相疊區(qū)位置來判斷，前者可以得 到較精確的接觸阻抗，后者可以在不知道接觸點前就判斷出大致的接觸阻抗，省去偵測 將被忽視的接觸點位置，可大幅度提升效能。
6、本發(fā)明在接觸點或相疊區(qū)位置為已知的前提下，僅需判斷被壓觸導電條之一 與另一位于接觸點。
綜上所述，本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進步，并具有明顯的積極效果，誠為一新 穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手 段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu) 點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1是一現(xiàn)有壓觸式位置偵測的裝置的示意圖2A是本發(fā)明的一位置偵測的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖2B是本發(fā)明的一位置偵測的方法的流程示意圖3是本發(fā)明的被壓觸相疊區(qū)驅(qū)動與偵測的流程示意圖4A、圖4B與圖4C是本發(fā)明的位置偵測的裝置偵測被壓觸相疊區(qū)的結(jié)構(gòu)示意 圖5是本發(fā)明的接觸點偵測的流程示意圖6A、圖6B與圖6C是本發(fā)明的位置偵測的裝置偵測接觸點的結(jié)構(gòu)示意圖7是本發(fā)明的被壓觸導電條偵測的流程示意圖8A、圖8B與圖8C是本發(fā)明的位置偵測的裝置偵測被壓觸導電條的結(jié)構(gòu)示意 圖；12
圖9是以尖端壓觸的相疊區(qū)影像示意圖IOA與圖IOB是以單指與雙指壓觸的相疊區(qū)影像示意圖IlA與圖IlB為本發(fā)明的一種偵測接觸阻抗的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖IlC為本發(fā)明的另一種偵測接觸阻抗的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖12A與圖12B為本發(fā)明用筆或手指書寫的示意圖12C為手指壓觸的示意圖13為本發(fā)明的另一位置偵測的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖14為誤判出錯誤的被壓觸相疊區(qū)的示意圖15A為偵測筆壓觸位置的示意圖15B為跨相疊區(qū)接觸阻抗造成位置誤差的示意圖16A、圖17A、圖17B、圖17C與圖17D為本發(fā)明校正跨相疊區(qū)接觸阻抗造成的位置誤差的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
圖16B為本發(fā)明校正跨相疊區(qū)接觸阻抗造成的位置誤差的流程示意圖。
122 筆尖壓觸處 IM 手掌壓觸處 12 手指壓觸處
131:第一絕緣層 132:第一導電條層 133 壓阻層
134第二導電條層135 第二絕緣層20 偵測位置的裝置
21 感應器212 導電條214相疊區(qū)
22 選擇器23；驅(qū)動器24 偵測器
25 控制器26ι:主機
A、B、C、D 相疊區(qū) XI，X2,…，X8 第--導電條
Yl,Y2，…，Y8 第二導電條Dl,D2, D 3，D4D5驅(qū)動單元
VI，V2, V3,V4，V5, V6, V7,V8 偵測單元
C、P位置Px 第—-維坐標
電位
Py:第二一維坐標Re:延伸電阻Rpalm 跨同層導電條的接觸阻抗 Rl 第一維度阻抗R2 第二維度阻抗R、Re、Re，、Rp 阻抗VHl, VH2, VH3, VH4, VH5 高電位 VL1，VL2, VL3, VL4, VL5 低Vc:正確的偵測電位Vd:被壓觸電位Vp:偵測電位Vu:未被壓觸電位具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié) 合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的位置偵測的裝置及方法，其具體實施方式
、 結(jié)構(gòu)、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
請參照圖2A所示，本發(fā)明提供一種位置偵測的裝置20，包括感應器 (Sensor) 21,選擇器 Selecting Device) 22、驅(qū)動器(Driving Device) 23、偵測器 (Sensing) 24、控制器(Controlling Device) 25,主機(Host) 26。
再參照圖2B所示，本發(fā)明提供一種多點位置偵測的方法。首先，如步驟210所示，偵測一位置偵測的裝置2O上至少一被壓觸相疊區(qū)Wepressedintersecting region)，接下來如步驟220所示，依據(jù)各被壓觸相疊區(qū)偵測至少一接觸點(contact point)。
上述的偵測器21包括多數(shù)條導電條212，這些導電條包括多數(shù)條第一、第二導 電條，第一、第二導電條相疊于多數(shù)個相疊區(qū)(intersectingregionsUH，當至少一壓觸物 (object)壓壓觸觸時，部份第一、第二導電條相接觸形成相應于各壓觸物壓觸的至少一接 觸點，其中相疊于被壓觸相疊區(qū)的導電條為一對被壓觸導電條。
第一、第二導電條在未被壓觸時保持不接觸，在本發(fā)明的一范例中，第一、第 二導電條間可以用多數(shù)個絕緣粒子(spacer)散布在其間，藉以隔開第一、第二導電條。 此外，本發(fā)明不限制第一、第二導電條彼此上下之間的位置，可以是第一導電條在上， 亦可以是第二導電條在上。在本發(fā)明之一范例中，第一、第二導電條不同軸向排列，以 構(gòu)成由多數(shù)個相疊區(qū)排列而成的一相疊區(qū)數(shù)組(intersectingmatrix)。例如第一導電條以水 平方向排列，而第二導電條以垂直方向排列，反之亦然。換言之，該些第一、第二導電 條分別位于不同層。
第一、第二導電條可分別具有預定的寬度，因此第一、第二導電條相疊處形成 相疊區(qū)。熟知相關(guān)技藝者可推知，上述導電條的寬度并不需要一致，可以各導電條是不 同的寬度，因此相疊區(qū)的面積也可能不同，本發(fā)明包括但不加以限制。
此外，熟知相關(guān)技藝者可推知，依據(jù)壓觸物的不同，第一、第二導電條間接觸 的相疊區(qū)的數(shù)量與面積亦可能不同。在本發(fā)明的一較佳范例中，各相疊區(qū)上的接觸點 為單一，亦即不論在一相疊區(qū)上壓觸的面積大小，此相疊區(qū)上壓觸的范圍視為單一接觸 點。熟知相關(guān)技藝者亦可以推知，如果相疊區(qū)較大時，亦有可能有兩個以上的接觸點， 在此情況下，可以依據(jù)壓觸的先后順序，分辨出兩個不同接觸點的，本發(fā)明對于單一相 疊區(qū)中接觸點的數(shù)量包括但不限于一個以上。
控制器25電性耦合于選擇器22、驅(qū)動器23、偵測器對，用以控制選擇器22、 驅(qū)動器23、偵測器M。選擇器22依據(jù)控制器25命令將驅(qū)動器23與偵測器M操作性耦 合于偵測器21。在本發(fā)明的一范例中，驅(qū)動器23與偵測器M依據(jù)控制器22的命令通過 選擇器22操作性耦合于偵測器21。例如，選擇器M依據(jù)控制器22的命令選擇至少一導 電條的一端或兩端，并且提供被選擇的導電條的一端或兩端成為耦合端，以電性耦合于 驅(qū)動器23與偵測器M之一或兩者。
在本發(fā)明的一范例中，耦合端是藉由選擇器22直接電性耦合于驅(qū)動器23或偵測 器M。在本發(fā)明的另一范例中，耦合端是藉由選擇器22結(jié)合一延伸電阻間接電性耦合于 驅(qū)動器23或偵測器M。例如，用延伸電阻電性耦合于被選擇的導電條構(gòu)成一延伸導電 條，由延伸電阻電性耦合于驅(qū)動器23或偵測器M，亦即耦合端藉由延伸電阻電性耦合于 驅(qū)動器23或偵測器24。
在本發(fā)明的一范例中，驅(qū)動器23提供一高電位與一低電位于兩耦合端，高電位 與/或低電位可以是依上述直接或通過一延伸電阻間接分別提供給兩耦合端，該兩耦合 端可以是位于相同或不同導電條。例如位于一第一導電條的一第一端與一第二導電條的——笛——總 弟一順。
在本發(fā)明的另一范例中，偵測器M偵測耦合端的訊號，所偵測的訊號可以是電 位、電流、電容、電荷轉(zhuǎn)移(chargetnmsferring)或其它電性訊號。偵測器M操作性耦合14的耦合端可以是上述的第一端、或在導電條上相對于第一端的一第二端。例如，第一端 為上述導電條耦合于延伸電阻的耦合端。
據(jù)此，控制器25對于選擇器22、驅(qū)動器23、偵測器M的控制包括但不限于 直接或通過一延伸電阻間接分別提供高電位與低電位于同一導電條的第一端與第二端； 直接或通過一延伸電阻間接分別提供高電位與低電位于至少一第一導電條的第一端與至 少一第二導電條的第一端；偵測導電條與延伸電阻間的訊號；在一對被壓觸導電條之一 被提供高電位與低電位時，偵測該對被壓觸導電條的另一的一端或兩端的電位；以及分 別偵測該些第一導電條之一與該些第二導電條之一的第二端的電位。
在本發(fā)明的一范例中，控制器25可以是整合成為主機沈的一部份，包括但不限 于由主機的處理器、協(xié)同處理器、數(shù)字訊號處理器(DSP)或其它可程序電路構(gòu)成。在本 發(fā)明的另一范例中，控制器25不為主機沈的一部份。
控制器25依據(jù)偵測器對偵測到的訊號判斷出各壓觸，其中一對象可能造成一處 或多處的壓觸，例如手掌壓觸時可能會造成一處整片的壓觸，亦可能造成多處獨立的壓 觸。此外，控制器25更可以依據(jù)偵測器M偵測到的訊號忽視(排除或過濾)部份的壓 觸，例如在手寫時忽視手掌的壓觸，或忽視誤判造成的不存在的壓觸。另外，控制器25 還提供壓觸的位置給主機26。
本發(fā)明更包括追蹤各壓觸的后續(xù)壓觸，并依據(jù)各壓觸及后續(xù)壓觸判斷出至少一 手勢，并且手勢對應成為一命令，其中手勢可以是由控制器25或主機沈來判斷。當控制 器25沒有整合成為主機沈的一部份時，可以是由控制器25提供壓觸的位置，由主機沈 進行上述壓觸忽視及手勢判斷，亦可以是由控制器25進行壓觸忽視后提供壓觸的位置， 再由主機沈進行手勢判斷?；蛘呤?，由控制器25進行壓觸忽視及手勢判斷后，提供主 機沈壓觸的位置或手勢之一或兩者。當控制器25整合于主機沈之中時，壓觸忽視及手 勢可是為控制器25處理，亦可視為主機沈處理。
圖3是本發(fā)明的被壓觸相疊區(qū)的偵測方法。如步驟310所示，分別提供一高電 位與一低電位于相疊于各相疊區(qū)的第一、第二導電條，并且如步驟320所示，藉由判斷 相疊于各相疊區(qū)的第一導電條與第二導電條間是否為通路判斷出各壓觸相疊區(qū)。
例如，循序地提供高電位給第一導電條，在每一條第一導電條被提供高電位的 期間，循序地提供低電位給每一條第二導電條，如此，便可以逐一偵測被驅(qū)動的第一導 電條上各相疊區(qū)是否被壓觸。
據(jù)此，在本發(fā)明的一較佳范例中，位置偵測的裝置在偵測被壓觸相疊區(qū)如圖4A 所示，包括一偵測單元Vl與一驅(qū)動單元D1，驅(qū)動單元提供一高電位VHl與一低電位 VLl,其中高電位VHl是提供給第一導電條(XI，X2，…，X^之一，另外低電位VLl 是提供給第二導電條(Yl，Y2，…，Y8)之一，偵測單元Vl偵測被提供高電位VHl的 導電條。上述第一導電條(XI，X2，…，X8)與第二導電條(Yl，Y2，…，Y8)的數(shù)量 是為方便舉例說明，本發(fā)明包括但不限于該數(shù)量。
被提供高電位VHl的第一導電條的偵測可以是包括但不限于偵測電位、電流或 是邏輯準位，并且可以是在被提供高電位VHl的第一導電條的一端或兩端來偵測。例 如，在本發(fā)明的一范例中，高電位VHl可以是通過一延伸電阻Re提供給第一導電條第一 導電條(XI，X2，…，X8)之一，藉由偵測延伸電阻Re—側(cè)(如延伸電阻Re與導電條之間)上的電位、電流或是邏輯準位來偵測出各個被壓觸的相疊區(qū)。
例如，當高電位VHl與低電位VLl分別提供給導電條XI、Yl時，偵測單元 Vl便可以偵測出導電條XI、Yl相疊的相疊區(qū)是否被壓觸。例如，當輪到導電條XI、 Yl相疊的相疊區(qū)被偵測時，驅(qū)動單元Dl分別提供高電位VHl與低電位VLl給導電條 XI、Yl,如圖4B所示，若導電條XI、Yl相疊的相疊區(qū)未被壓觸，電流未由導電條Xl 流經(jīng)導電條Y1，因此延伸電阻Re的訊號不會有明顯變化，偵測單元Vl可藉此判斷導 電條XI、Yl相疊的相疊區(qū)未被壓觸。同樣地，當輪到導電條X8、Y7相疊的相疊區(qū)被 偵測時，驅(qū)動單元Dl分別提供高電位VH1、低電位VLl給導電條X8、Y7。當導電條 X8、Y7相疊的相疊區(qū)被壓觸時，電流由導電條X8流向?qū)щ姉lY7，偵測單元Vl通過偵 測延伸電阻Re的電位改變，可偵測出導電條X8、Y7相疊的相疊區(qū)被壓觸。熟知相關(guān)技 藝者可推知，驅(qū)動單元亦可以是分別提供低電位VLl與高電位VHl給第一導電條(XI， X2，…，X8)之一與第二導電條(Yl，Y2，…，Y8)之一，如圖4C所示。上述的驅(qū)動 單元Dl與偵測單元Vl包括但不限于分別整合于前述的驅(qū)動器23與偵測器M中，并且 驅(qū)動單元Dl的與偵測單元Vl的偵測包括但不限于由前述的控制器25控制?？刂破?5 對于選擇器22、驅(qū)動器23、偵測器M的控制包括但不限于間接分別提供高電位與低電 位于至少一第一導電條的第一端與至少一第二導電條的第一端；以及偵測導電條與延伸 電阻間的訊號。
圖5是依據(jù)各被壓觸相疊區(qū)偵測至少一接觸點的流程示意圖。如步驟510所示， 分別驅(qū)動相疊于各被壓觸相疊區(qū)的各導電條，被驅(qū)動的導電條的兩端分別被提供一高電 位與一低電位。又如步驟520所示，當相疊于任一被壓觸相疊區(qū)的一對導電條之一被驅(qū) 動時，偵測這對導電條中未被驅(qū)動的導電條，以偵測出各接觸點位置。對于未被驅(qū)動的 導電條的偵測，可以同時偵測未被驅(qū)動的導電條的一端或兩端。
換言之，針對每一個被壓觸的相疊區(qū)中，輪替地將相疊于這相疊區(qū)的這對導電 條之一驅(qū)動，并偵測這對導電條中未被驅(qū)動的另一導電條，以偵測出接觸點的二維坐 標。例如，先驅(qū)動這對導電條中的第一導電條，并偵測第二導電條，以偵測出接觸點在 第一導電條軸向上的位置，作為二維坐標中的一第一一維坐標:Px。接下來，驅(qū)動這對 導電條中的第二導電條，并偵測第一導電條，以偵測出接觸點在第二導電條軸向上的位 置，作為二維坐標中的一第二一維坐標Py。驅(qū)動第一、第二導電條的先后順序并不限 定，待第一、第二導電條都偵測后，可得到接觸點分別在第一、第二導電條軸向上的位 置，此位置可用二維坐標(Px，Py)來表示。
在本發(fā)明的一較佳范例中，位置偵測的裝置20對于接觸點的偵測如圖6A所示。 位置偵測裝置包括多數(shù)條導電條、一偵測單元V2與一驅(qū)動單元D2。多數(shù)條導電條為上 述第一導電條(XI，X2，…，X8)與第二導電條(Yl，Y2，…，Y8)。驅(qū)動單元提供一 高電位VH2與一低電位VL2以驅(qū)動多數(shù)條導電條之一，并且偵測單元V2偵測與被驅(qū)動 導電條相疊的導電條之一。因此當被驅(qū)動導電條與被偵測導電條相疊于一被壓觸相疊區(qū) 時，偵測單元V2可以偵測出接觸點P在被驅(qū)動導電條軸向上的位置。
例如，當壓觸相疊區(qū)為導電條X8、Y7相疊的相疊區(qū)時，如圖6B所示，驅(qū)動單 元先提供高電位VH2、低電位VL2于導電條X8兩端，并且偵測導電條Y7，以偵測接觸 點P位于導電條X8軸向(第一導電條軸向)的位置:Px。同樣地，如圖6C所示，驅(qū)動單16元再提供高電位VH2、低電位VL2于導電條Y7兩端，并且偵測導電條X8，以偵測接觸 點P位于導電條Y7軸向(第二導電條軸向)的位置:Px。上述的驅(qū)動單元D2與偵測單 元V2包括但不限于分別整合于前述的驅(qū)動器23與偵測器M中，并且驅(qū)動單元D2的與 偵測單元V2的偵測包括但不限于由前述的控制器25控制。控制器25對于選擇器22、 驅(qū)動器23、偵測器M的控制包括但不限于直接或通過一延伸電阻間接分別提供高電位 與低電位于同一導電條的第一端與第二端；以及在一對被壓觸導電條之一被提供高電位 與低電位時，偵測該對被壓觸導電條的另一的一端或兩端的電位。
在本發(fā)明之一范例中，驅(qū)動單元Dl與偵測單元Vl依序分別偵測各相疊區(qū)，以 偵測出所有被壓觸相疊區(qū)，并且驅(qū)動單元D2與偵測單元V2依序分別偵測各相疊區(qū)，以 偵測出各相疊區(qū)的在一第一導電條軸向二維影像與一第二導電條軸向二維影像，再依據(jù) 各被壓觸相疊區(qū)由第一、第二導電條軸向二維影像中判斷出各接觸點的位置。顯然地， 相較于上述先挑出被壓觸相疊區(qū)，再只針對被壓觸相疊區(qū)偵測出各接觸點位置，本范例 效能較差。
在上述說明中，偵測單元Vl的偵測可以是包括但不限于偵測電位、電流或是邏 輯準位，而偵測單元V2偵測的是訊號的實際值，如電壓值、電流值，并且每一相疊區(qū)必 須進行兩個維度的偵測，因此被壓觸相疊區(qū)的偵測遠快于接觸點的偵測。
上述第一導電條(XI，X2，…，X8)與第二導電條(Yl，Y2，…，Y8)的數(shù)量 僅為了舉例的用，并非用以限制本發(fā)明，第一導電條與第二導電條的數(shù)量可分別依設(shè)計 上的需要而改變。因此當?shù)谝?、第二導電條分別具有m、η條時，將會有mhf相疊區(qū) 需要偵測，第一、第二導電條的數(shù)量越多，偵測所有相疊區(qū)的時間就會越久。因此，加 速所有相疊區(qū)的偵測，才能提升整體的效能。
據(jù)此，本發(fā)明的一范例如圖7所示。如步驟710所示，偵測位置偵測的裝置上 多數(shù)條被壓觸導電條。又如步驟720所示，依據(jù)這些被壓觸導電條判斷出被壓觸導電條 相疊上可能被壓觸相疊區(qū)。再如步驟730所示，依據(jù)可能被壓觸相疊區(qū)偵測位置偵測的 裝置上至少一被壓觸相疊區(qū)。更如步驟740所示，依據(jù)各被壓觸相疊區(qū)偵測出至少一接 觸點。
換言之，可以是先判斷哪些第一導電條與第二導電條被壓觸，依據(jù)被壓觸的第 一、第二導電條可判斷出可能被壓觸相疊區(qū)。相較于上述圖3、圖4A至圖4C針對所有 的相疊區(qū)來偵測出被壓觸相疊區(qū)，本范例只需針對可能被壓觸相疊區(qū)來偵測出被壓觸相疊區(qū)。
在本發(fā)明的一較佳范例中，位置偵測的裝置對于被壓觸導電條的偵測如圖8A所 示。位置偵測的裝置包括多數(shù)條導電條、一偵測單元V3與一驅(qū)動單元D3。多數(shù)條導電 條為上述第一導電條(XI，X2，…，X8)與第二導電條(Yl，Y2，…，Y8)。驅(qū)動單元 D3分別提供一高電位VH3給這些導電條之一，并且提供與一低電位VL3給與被提供高電 位VH3導電條相疊的所有導電條，以分別偵測出被壓觸的導電條。
例如，如圖8B所示，驅(qū)動單元D3依序提供高電位VH3給第一導電條(XI， X2,…，X^之一，并且提供低電位VL3給與被提供高電位VH3的第一導電條相疊的 所有第二導電條(Yl，Y2，…，Y8)，偵測單元V3偵測被提供高電位VH3的第一偵測 條。例如，第一導電條XI，X2，…，或X7未被壓觸，因此電流未由被偵測的第一導電17條XI，X2，…，或X7流向任何第二導電條，因此偵測單元V3未偵測到第一導電條XI， X2，…，或X7被壓觸。當?shù)谝粚щ姉lX8被提供高電位VH3時，電流由第一導電條X8 流向第二導電條Y7，因此偵測單元V3可以偵測出第一導電條X8被壓觸。
同樣地，驅(qū)動單元D3依序提供高電位VH3給第二導電條(Yl，Y2，…，Y8) 之一，并且提供低電位VL3給與被提供高電位VH3的第二導電條相疊的所有第一導電條 (XI，X2，…，X8)，偵測單元V3藉此偵測出被壓觸的第二導電條，如第二導電條Y7。
被提供高電位VH2的導電條的偵測相似于上述被提供高電位VHl的第一導電條 的偵測，可以是包括但不限于偵測電位、電流或是邏輯準位，并且可以是在被提供高電 位VH3的第一導電條的一端或兩端來偵測。例如，在本發(fā)明的一范例中，高電位VH3可 以是通過一延伸電阻Re提供給上述導電條之一，藉由偵測延伸電阻Re—側(cè)(如延伸電阻 Re與導電條之間)上的電位、電流或是邏輯準位來偵測出各被壓觸的導電條。
因此，通過被壓觸的多數(shù)條導電條(如導電條X8、Y7)可判斷出這些被壓觸導 電條相疊的至少一可能被壓觸相疊區(qū)。當被可能被壓觸相疊區(qū)不大于三個時，可能被壓 觸相疊區(qū)即為被壓觸相疊區(qū)。
此外，驅(qū)動單元D3可同時分別提供高電位VH3給多數(shù)條導電條，并且偵測單元 V3可同時分別偵測被提供高電位VH3的部份或全部導電條，然而被提供高電位VH3的 導電條須同時為第一導電條或同時為第二導電條。
上述的導電條是選擇性地被挑選來驅(qū)動或偵測，現(xiàn)有相關(guān)技藝者可推知，導電 條的挑選可包括但不限于通過開關(guān)、多功器、總線等切換裝置，本發(fā)明并不加以限制。 此外，上述的高電位VH1、VH2、VH3可以是相同，亦可以不同，同樣地，上述的低電 位VL1、VL2、VL3可以是相同，亦可以不同，本發(fā)明并不加以限制。再者，上述的延 伸電阻可以是相同，亦可以不同，本發(fā)明并不加以限制。
上述的驅(qū)動單元D3與偵測單元V3包括但不限于分別整合于前述的驅(qū)動器23與 偵測器M中，并且驅(qū)動單元D3的與偵測單元V3的偵測包括但不限于由前述的控制器25 控制?？刂破?5對于選擇器22、驅(qū)動器23、偵測器M的控制包括但不限于間接分別 提供高電位與低電位于至少一第一導電條的第一端與至少一第二導電條的第一端；以及 偵測導電條與延伸電阻間的訊號。
根據(jù)上述，所有接觸點經(jīng)過偵測后可以呈現(xiàn)出如圖9的相疊區(qū)影像。當壓觸物 具有尖端時，壓觸物的接觸會使得相疊區(qū)影像呈現(xiàn)出相應的接觸點訊號。當手指或接 觸面積較大的壓觸物壓觸時，相疊區(qū)影像會呈現(xiàn)相應的多數(shù)個接觸點訊號，如圖IOA所示。
相應于相同壓觸物的接觸點會群聚在一起，如圖IOB所示，因此可以分析出各 壓觸物相應的接觸點。在本發(fā)明另一范例中，亦可以利用各接觸點產(chǎn)生的時間來分析出 各壓觸物相應的接觸點。
通過對相疊區(qū)影像的分析，可依據(jù)各壓觸物的接觸點數(shù)量判斷出壓觸物的形 態(tài)，例如可以依據(jù)壓觸物相應的接觸點數(shù)量的多寡判斷壓觸物是筆還是手指。此外，還 可以依據(jù)壓觸物相應的接觸點數(shù)量來模擬壓觸物壓觸時的壓力。
此外，藉由連續(xù)不同時間的相疊區(qū)影像的差異分析，更可以追蹤壓觸物壓觸時 的移動軌跡，以判斷出特定的手勢。例如，可依據(jù)一對壓觸物的壓觸位置軌跡判斷出一手勢，該對壓觸物的壓觸位置軌跡包括相互遠離、一壓觸物朝另一壓觸物遠離、相互 靠近、一壓觸物朝另一壓觸物靠近、相互旋轉(zhuǎn)、一壓觸物繞另一壓觸物旋轉(zhuǎn)。
在本發(fā)明之一范例中，可依據(jù)相應于各壓觸物的接觸點數(shù)量判斷各壓觸物為一 筆或一手指，亦可分別依據(jù)相應于各壓觸物的接觸點數(shù)量或分布范圍模擬出各壓觸物壓 觸的壓力。當一壓觸物相應的接觸點為多數(shù)個時，可依據(jù)相應于各壓觸物的接觸點的質(zhì) 心位置作為該壓觸物的壓觸位置。
據(jù)此，本發(fā)明之一范例為一位置偵測的裝置，包括多數(shù)條導電條、一第一、第 二驅(qū)動單元、一第一、第二偵測單元。這些導電條包括多數(shù)條第一、第二導電條，這些 第一、第二導電條相疊于多數(shù)個相疊區(qū)，當至少一壓觸物壓觸時，第一、第二導電條相 接觸形成相應于各壓觸物的至少一接觸點。
第一驅(qū)動單元與第一偵測單元可以是如圖3的步驟310、320或圖4A至圖4C的 驅(qū)動單元Dl與偵測單元Vl所述，在第一驅(qū)動單元分別提供一高電位與一低電位于相疊 于各相疊區(qū)的第一、第二導電條時，第二偵測單元偵測被第一驅(qū)動單元提供高電位的第 一導電條，以偵測出各被壓觸相疊區(qū)。
第二驅(qū)動單元與第二偵測單元可以是如圖5的步驟510、520或圖6A至圖6C的 驅(qū)動單元D2與偵測單元V2所述，第二驅(qū)動單元分別驅(qū)動相疊于各被壓觸相疊區(qū)的各導 電條，當相疊于任一被壓觸相疊區(qū)的一對導電條的一被第二驅(qū)動單元驅(qū)動時，第二偵測 單元偵測這對導電條中未被驅(qū)動導電條，以偵測出各接觸點位置，其中第二驅(qū)動單元提 供高電位與低電位于被驅(qū)動的導電條。
本范例的相關(guān)細節(jié)已揭示前述說明中，在此不再贅述。
另外，本發(fā)明的另一范例是一位置偵測的裝置，包括多數(shù)條導電條、一第一、 第二、第三驅(qū)動單元、一第一、第二、第三偵測單元。這些導電條包括多數(shù)條第一、 第二導電條，這些第一、第二導電條相疊于多數(shù)個相疊區(qū)，當至少一壓觸物壓觸時，第 一、第二導電條相接觸形成相應于各壓觸物的至少一接觸點。
第一驅(qū)動單元與第一偵測單元可以是如圖7的步驟710至740或圖8A至圖8C的 驅(qū)動單元D3與偵測單元V3所述，第一驅(qū)動單元選擇性地分別提供一高電位于上述導電 條，并且第一偵測單元偵測被第一驅(qū)動單元提供高電位的導電條，以偵測出多數(shù)條被壓 觸的導電條。這些被壓觸導電條相疊的各相疊區(qū)為可能被壓觸相疊區(qū)。當被第一驅(qū)動單 元提供一高電位的導電條為第一導電條時，第一驅(qū)動單元提供一低電位于所有第二導電 條，并且當被第一驅(qū)動單元提供高電位的導電條為第二導電條時，第一驅(qū)動單元提供一 低電位于所有第一導電條。
第二驅(qū)動單元與第二偵測單元可以是如圖3的步驟310、320或圖4A至圖4C的 驅(qū)動單元Dl與偵測單元Vl所述，在第二驅(qū)動單元選擇性地分別提供高電位與低電位于 相疊于各可能被壓觸相疊區(qū)的第一、第二導電條時，第二偵測單元偵測被第二驅(qū)動單元 提供高電位的第一導電條，以偵測出各被壓觸相疊區(qū)。
第三驅(qū)動單元與第三偵測單元可以是如圖5的步驟510、520或圖6A至圖6C的 驅(qū)動單元D2與偵測單元V2所述，第三驅(qū)動單元分別驅(qū)動相疊于各被壓觸相疊區(qū)的導電 條時，當相疊于任一被壓觸相疊區(qū)的一對導電條的一被第三驅(qū)動單元驅(qū)動時，第三偵測 單元偵測這對導電條中未被驅(qū)動導電條，以偵測出各接觸點位置，其中第三驅(qū)動單元提供高電位與低電位于被驅(qū)動的導電條。
本范例的相關(guān)細節(jié)已揭示前述說明中，在此不再贅述。
相較于上述先前技術(shù)，本發(fā)明的驅(qū)動與偵測方式不會因為在前的接觸點過多而 造成在后偵測的接觸點訊號變得微弱，亦不需針對不同的偵測區(qū)給予不同的判斷標準。 此外，本發(fā)明不僅能偵測出哪些相疊區(qū)被壓觸，更可判斷出接觸點位于相疊區(qū)內(nèi)的位 置，亦即本發(fā)明可以用較少的導電條得到更高的分辨率。
此外，本發(fā)明更包括書寫時的手掌忽視功能，亦即當書寫模式下，可辨識筆尖 的壓觸與手掌的壓觸，藉以追蹤筆尖的壓觸軌跡。據(jù)此，本發(fā)明的一范例為一種位置偵 測的裝置，可包括上述多數(shù)條導電條、一第一、第二、第三、第四驅(qū)動單元、一第一、 第二、第三偵測單元，以及一第四、第五偵測單元。這些導電條包括多數(shù)條第一、第二 導電條，這些第一、第二導電條相疊于多數(shù)個相疊區(qū)，當至少一壓觸物壓觸時，第一、 第二導電條相接觸形成相應于各壓觸物的至少一接觸點。依據(jù)上述的說明，可在至少一 壓觸物壓觸時，分別偵測出各被壓觸相疊區(qū)以及各壓觸相疊區(qū)內(nèi)的接觸點。
在本發(fā)明之一范例中，提供一種依據(jù)接觸點位置判斷接觸阻抗的方法與裝置， 在各接觸點被偵測出后進行各接觸點的接觸阻抗判斷。第四驅(qū)動單元與第四、第五偵測 單元分別如圖IOA的提供一高電位VH4與一低電位VL4的驅(qū)動單元D4及偵測單元V4、 V5所示。第四驅(qū)動單元選擇性地分別提供一高電位VH4與一低電位VL4于各被壓觸相 疊區(qū)，并且偵測單元V4、V5分別偵測被提供高電位VH4與低電位VL4導電條位于接觸 點的電位。例如當高電位VH4被提供于被壓觸相疊區(qū)的第一導電條的一端時，偵測單 元V4是偵測位于第一導電條的另一端的一第一電位P1，并且低電位VL4被提供于被壓 觸相疊區(qū)的第二導電條的一端時，偵測單元V5是偵測位于第二導電條的另一端的一第二 電位P2。由于在材質(zhì)均勻分布的導電條上，阻值與位置大致呈正比，據(jù)此，由接觸點在 第一、第二導電條的位置可分別推測出阻值Rl、R2，根據(jù)高電位VH4、低電位VL4、第 一、第二電位PI、P2與阻值Rl、R2，可計算出接觸點觸第一、第二導電條間的接觸阻 抗R。
據(jù)此，依據(jù)本發(fā)明的一范例，包括一接觸阻抗判斷程序，此接觸阻抗判斷程序 可以是由前述控制器來作業(yè)，包括但不限于判斷每一個被壓觸相疊區(qū)的接觸阻抗，此接 觸阻抗是依據(jù)被壓觸相疊區(qū)的一對導電條之一與另一在該接觸點的電位與該接觸點的位 置來判斷。
上述該接觸阻抗的判斷包括判斷該接觸點的一第一維度位置與一第二維度位 置，并且依據(jù)第一維度位置與第二維度位置判斷出一第一維度阻抗與一第二維度阻抗； 在該對導電條之一與另一分別被提供高電位與低電位時偵測接觸點在該對導電條上之一 與另一的一第一接觸電位與一第二接觸電位；依據(jù)第一維度阻抗、第二維度阻抗、高電 位、低電位、第一接觸電位與第二接觸電位判斷出接觸阻抗。
上述的驅(qū)動單元D4與偵測單元V4、V5包括但不限于分別整合于前述的驅(qū)動器 23與偵測器M中，并且驅(qū)動單元D4與偵測單元V4、V5包括但不限于由前述的控制器 25控制?？刂破?5對于選擇器22、驅(qū)動器23、偵測器M的控制包括但不限于直接 或通過一延伸電阻間接分別提供高電位與低電位于至少一第一導電條的第一端與至少一 第二導電條的第一端；以及分別偵測該些第一導電條之一與該些第二導電條之一的第二端的電位。
在本發(fā)明的另一范例中，為一種依據(jù)相疊區(qū)位置判斷接觸阻抗的方法與裝置， 可以是依據(jù)被壓觸相疊區(qū)的位置推估出阻值Rl、R2，如圖IlB所示。例如，可以是依 據(jù)被壓觸相疊區(qū)分別在第一、第二導電條上距被提供高電位與低電位之一端間的相疊區(qū) 數(shù)來推估出阻值Rl、R2。例如，當被壓觸相疊區(qū)與被提供高電位VH4的一端間有m個 相疊區(qū)，則阻值Rl為m個單位，亦可以是包括被壓觸相疊區(qū)的m+1個單位。同理，當 被壓觸相疊區(qū)與被提供高電位VH4的一端間有η個相疊區(qū)，則阻值Rl為η個單位，亦可 以是包括被壓觸相疊區(qū)的η+1個單位。因此阻值Rl、R2的推估可以是介于判斷出被壓 觸偵測區(qū)后及在接觸點被偵測出前。
據(jù)此，依據(jù)本發(fā)明的一范例，為依據(jù)位置判斷接觸阻抗的方法與裝置，包括一 接觸阻抗判斷程序，此接觸阻抗判斷程序可以是由前述控制器來作業(yè)，包括但不限于判 斷每一個被壓觸相疊區(qū)的接觸阻抗，此接觸阻抗是依據(jù)被壓觸相疊區(qū)的一對導電條之一 與另一在接觸點的電位與被壓觸相疊區(qū)的位置來判斷。
上述該接觸阻抗的判斷包括依據(jù)該被壓觸相疊區(qū)的位置判斷出一第一維度阻 抗與一第二維度阻抗；在該對導電條之一與另一分別被提供高電位與低電位時偵測接觸 點在該對導電條上之一與另一的一第一接觸電位與一第二接觸電位；依據(jù)第一維度阻 抗、第二維度阻抗、高電位、低電位、第一接觸電位與第二接觸電位判斷出接觸阻抗。
依據(jù)上述描述，可得出公式1，為(P1-P2)/(VH4_VL4) = R/(R1+R+R2)，據(jù) 此可推導出公式2，為R= (R1+R2)/(((VH4-VL4)/(P1-P2))-1)，亦即可根據(jù)高電位 VH4、低電位VL4、第一、第二電位PI、P2(如第一接觸電位、第二接觸電位)與阻值 RU R2(如第一維度阻抗、第二維度阻抗)，可計算出接觸點在第一、第二導電條間的接 觸阻抗R。換言之，依據(jù)導被壓觸相疊區(qū)的位置或接觸點的位置、被壓觸導電條間被提 供的電位差、第一導電條與第二導電條在接觸點上被偵測出的電位差可判斷出第一導電 條與第二導電條在接觸點上的接觸阻抗。
此外，如圖IlA及圖IlB所示，上述各被壓觸相疊區(qū)的偵測可以是依據(jù)第四偵 測單元V4偵測的第一電位Pl或第五偵測單元V5偵測的第二電位P2來判斷。例如， 當?shù)谝浑娢籔l不為高電位VH4時或第二電位P2不為低電位VL4時，判斷出被提供高、 低電位的相疊區(qū)為被壓觸相疊區(qū)。又例如，第一電位Pl與第二電位P2間的電位差不為 高電位與低電位間的電位差時判斷出被提供高、低電位的相疊區(qū)為被壓觸相疊區(qū)。熟知 相關(guān)技術(shù)者可推知，第一電位Pl是否為高電位VH4的判斷及第二電位P2是否為低電位 VL4的判斷容許在一誤差范圍內(nèi)。
因此，如圖IlB所示，利用驅(qū)動單元D4對各相疊區(qū)提供高電位VH4與低電位 VL4時，可分別判斷出被壓觸的相疊區(qū)，及被壓觸的相疊區(qū)中電一、第二導電條間的接 觸阻抗R。換言之，被壓觸相疊區(qū)的偵測可以是依據(jù)第一電位與第二電位之一或兩者來 判斷(如判斷第一導電條與第二導電條間是否為通路)，并且在偵測被壓觸相疊區(qū)的同時 可以判斷出被壓觸相疊區(qū)中第一導電條與第二導電條在接觸點上的接觸阻抗。
如同前述圖3至圖4C與圖7至圖8C所示，圖IlA或圖IlB描述的被壓觸相疊區(qū) 的判斷方式亦可以是先判斷出被壓觸導電條，再依據(jù)被壓觸導電條判斷出可能被壓觸相 疊區(qū)，再由可能被壓觸相疊區(qū)判斷出被壓觸相疊區(qū)。在本發(fā)明的一范例中，高電位VH421與低電位VL4之一操作性耦合于一導電條，并且高電位VH4與低電位VL4的另一操作性 耦合于多數(shù)條導電條，以判斷出被壓觸導電條。
例如，高電位VH4依序操作性耦合每一條第一導電條，在任一條第一導電條被 操作性耦合時，低電位VL4同時耦合所有第二導電條，依據(jù)第一導電條與第二導電條間 是否為通路來判斷出被壓觸的第一導電條。例如依據(jù)偵測單元V4偵測的第一電位Pl是 否相等或相近于高電位VL4來判斷出被操作性耦合的第一導電條是否為被壓觸導電條。 同理，高電位VH4耦合所有第一導電條，低電位VL4依序操作性耦合于每一條第二導 電條，依據(jù)第一導電條與第二導電條間是否為通路來判斷出被壓觸的第二導電條。接下 來，依據(jù)所有被壓觸導電條判斷出可能被壓觸相疊區(qū)，例如以所有被壓觸的第一導電條 與被壓觸的第二導電條相疊的相疊區(qū)作為可能被壓觸相疊區(qū)。再接下來，依據(jù)上述被壓 觸相疊區(qū)的判斷辨別出各被壓觸相疊區(qū)，也可以同時判斷出每一個被壓觸相疊區(qū)上的接 觸阻抗。在本范例中，可不通過延伸電阻即可判斷出各被壓觸相疊區(qū)，亦可判斷出各被 壓觸相疊區(qū)的接觸點與接觸阻抗，其中接觸阻抗的判斷可以是先于接觸點的判斷。
另外在本發(fā)明的一范例中，位置偵測的裝置對于被壓觸相疊區(qū)的偵測如圖IlC 所示，包括偵測單元VI、V6、V7與一驅(qū)動單元D1，驅(qū)動單元Dl提供一高電位VHl與 一低電位VL1，其中高電位VHl是提供給第一導電條(XI，X2，…，X^之一，另外低 電位VLl是提供給第二導電條(Yl，Y2，…，Y8)之一，偵測單元Vl偵測被提供高電 位VHl的導電條。
如先前所述，被提供高電位VHl的第一導電條的偵測可以是包括但不限于偵測 電位、電流或是邏輯準位。例如，在本發(fā)明的一范例中，高電位VHl可以是通過一延伸 電阻Re提供給第一導電條(XI，X2，…，X幻之一，藉由偵測延伸電阻Re—側(cè)(如延 伸電阻Re與導電條之間)上的電位、電流或是邏輯準位來偵測出各個被壓觸的相疊區(qū)。 其中，高電位VHl與低電位VLl分別被提供于第一導電條與第二導電條的一第一端。
通過Vl偵測出的電位P 3判斷出一被壓觸相疊區(qū)時，可再利用偵測單元V6與 V7分別偵測相疊于被壓觸相疊區(qū)的第一導電條與第二導電條的第二端，其中偵測單元 VI、V6與V7分別偵測出一第一電位P1、一第二電位P2與一第三電位P3。依據(jù)延伸 電阻Re的阻抗、第一電位P1、第二電位P2與第三電位P3，可判斷出被壓觸的相疊區(qū)中 電一、第二導電條間的接觸阻抗R。因此，由于串聯(lián)電路中電流相等，(VH1_P3)/R1 = (P1-P2) /R, R = Rl (P1-P2) / (VH1—P3)。
依據(jù)圖IlC所示，利用驅(qū)動單元Dl對各相疊區(qū)提供高電位VHl與低電位VLl 時，可分別判斷出被壓觸的相疊區(qū)，及被壓觸的相疊區(qū)中電一、第二導電條間的阻值 R。
上述的驅(qū)動單元Dl與偵測單元VI、V6、V7包括但不限于分別整合于前述的驅(qū) 動器23與偵測器M中，并且驅(qū)動單元D4與偵測單元V4、V5包括但不限于由前述的控 制器25控制。控制器25對于選擇器22、驅(qū)動器23、偵測器M的控制包括但不限于 直接或通過一延伸電阻間接分別提供高電位與低電位于至少一第一導電條的第一端與至 少一第二導電條的第一端；偵測導電條與延伸電阻間的訊號；以及分別偵測該些第一導 電條之一與該些第二導電條之一的第二端的電位。單一對象的壓觸可能同時壓觸到相鄰 的多數(shù)個相疊區(qū)，如圖12C所示，因此相鄰的相疊區(qū)的接觸點間的距離可用來判斷是否為同一對象的壓觸，例如在同一軸向上兩相鄰的相疊區(qū)的接觸點間的距離未超過一個相 疊區(qū)的寬度，可視為相同對象的壓觸。同理，位于對角位置兩相疊區(qū)間的接觸點間的距 離未超過單相疊區(qū)對角寬度，亦可視為相同對象的壓觸，本發(fā)明包括但不受限于以上述 接觸點間的距離的判斷是否為同對象的壓觸。
另外，亦可以將同對象壓觸的相鄰相疊區(qū)處第一、第二導電條間的接觸阻抗R 視為并聯(lián)的接觸阻抗，作為同對象壓觸的總接觸阻抗。例如，兩相鄰相疊區(qū)為同對象的 壓觸，視為同壓觸下的兩相鄰相疊區(qū)，該兩相鄰相疊區(qū)中接觸點在第一、第二導電條間 的接觸阻抗分別為Ra與Rb，則壓觸的總接觸阻抗為l/(RaRb/Ra+Rb)。據(jù)此，更可以 藉由相鄰相疊區(qū)的并聯(lián)接觸阻抗，追蹤一對象的壓觸軌跡。例如，以單一手指壓觸時， 壓觸在單一相疊區(qū)與壓觸在多個相鄰相疊區(qū)的總接觸阻抗差異不大，因此可用來判斷相 鄰的被壓觸相疊區(qū)是否為同手指的壓觸處。例如，當兩手指較接近時，可依據(jù)兩手指先 前壓觸處的阻值來區(qū)分出彼此的壓觸處。
例如，相應于第一壓觸的一第一后續(xù)壓觸與第二壓觸的一第二后續(xù)壓觸的被壓 觸相疊區(qū)相鄰時，可分別依據(jù)第一壓觸的總接觸阻抗與第二壓觸的該總接觸阻抗判斷出 這些相鄰的被壓觸相疊區(qū)為第一后續(xù)壓觸與第二后續(xù)壓觸的兩個不同壓觸，而非同一壓 觸，并且可進一步判斷出兩個不同壓觸。例如，由第一后續(xù)壓觸與第二后續(xù)壓觸的移動 方向及總接觸阻抗判斷，亦可以依據(jù)各被壓觸相疊區(qū)的接觸阻抗以分水嶺算法判斷。例 如依據(jù)各接觸點的接觸阻抗產(chǎn)生權(quán)重來進行分水嶺算法，其中權(quán)重與接觸阻抗成反比。 熟知相關(guān)技藝者可推知其它在相鄰相疊區(qū)判斷出不同壓觸的方式，本發(fā)明包括但不限于 上述方式。
在本發(fā)明的一范例中，可以是依據(jù)相鄰的被壓觸相疊區(qū)的總接觸阻抗來判斷為 單壓觸或多壓觸。另外，在判斷為兩壓觸時，可以是相距最遠的兩接觸點分別作為兩壓 觸的位置。
如圖12A所示，當手拿筆書寫時，筆尖壓觸處122的面積很小，因此接觸點處 在第一、第二導電條間的接觸阻抗R很大，相反地，手掌可能有一個或多個手掌壓觸處 124，且每個手掌壓觸處124的面積都較大，亦即手掌壓觸處IM在第一、第二導電條間 的接觸阻抗R很小，因此可以明顯地區(qū)隔出手掌的壓觸處124。
同樣地，如圖12B所示，若是手指壓觸的同時，手掌亦壓觸到感應器21，手指 壓觸處1 面積亦會小于各手掌壓觸處124的壓觸面積，因此也可以區(qū)隔出手掌壓觸處 124。據(jù)此，可用不同的門檻限值依壓觸處第一、第二導電條間的阻值R大小區(qū)分出筆、 手指、手掌的壓觸。
此外，接觸阻抗R的計算可以是在接觸點被偵測出來之前或之后。由于電位值 的偵測需要較長的時間，若是接觸阻抗R的判斷在接觸點被偵測出來之前，則可以只偵 測非手掌壓觸的接觸點，省去手掌壓觸的接觸點的電位偵測，具有提升效能的優(yōu)點。此 外，可由壓觸處下各接觸點的質(zhì)心坐標計算出壓觸處的坐標。
依據(jù)圖IlA與圖IlC相關(guān)說明，在本發(fā)明的一范例中，是在判斷每個相疊區(qū)是 否被壓觸的階段，同時對被壓觸的相疊區(qū)進行接觸阻抗的判斷，并且針對各對象壓觸的 相疊區(qū)分別判斷各對象壓觸的總接觸阻抗。例如，可以是以相疊區(qū)是否相鄰判斷是否為 相同對象的壓觸，將同對象壓觸的相疊區(qū)的并聯(lián)接觸阻抗作為總接觸阻抗，并且依據(jù)同對象壓觸的相疊區(qū)的接觸點判斷出該對象壓觸的位置。此外，還可以依據(jù)相鄰相疊區(qū)的 總接觸阻抗追蹤同一對象的連續(xù)壓觸，亦即同對象在持續(xù)移動中的總接觸阻抗相近，在 前后不同時點偵測到總接觸阻抗相近且接觸位置在一預設(shè)范圍內(nèi)，可被判斷為同對象的 連續(xù)壓觸，藉由同物件連續(xù)壓觸中每一個壓觸的總接觸阻抗來追蹤該對象的壓觸軌跡。
在本發(fā)明的另一范例中，可以依據(jù)各對象的總接觸阻抗判斷被忽視的被壓觸相 疊區(qū)或壓觸，各被忽視的被壓觸相疊區(qū)上的接觸點不需被偵測。例如，當手掌上至少一 部位壓觸時，可依每一個部位壓觸造成的總接觸阻抗判斷為手掌的壓觸，并加以忽視， 因此當拿筆手寫或用手指手寫時，可明顯地分辨出筆或手指的壓觸與手掌各部位的壓 觸，并只偵測筆或手指壓觸的位置，亦可以藉由筆或手指的連續(xù)壓觸中每一個壓觸的總 接觸阻抗，來追蹤筆或手指的壓觸軌跡。在此，本發(fā)明是以導電條是否會因受壓而接觸 來區(qū)分壓觸與碰觸。
在本發(fā)明的另一范例中，如圖13所示，為具壓阻層的位置偵測的裝置，可包括 一第一絕緣層131、一第一導電條層132、一壓阻層133、一第二導電條層134及一第二絕 緣層135。第一、第二導電條層132、134分別包括上述第一、第二導電條。壓阻層133 在未受到壓力時為絕緣，亦即阻值極大，并且在受壓時阻值會降低，甚至成為導體。因 此壓阻層133可取代上述的絕緣粒子(spacer)，在受壓時一樣能在第一、第二導電條間因 壓阻層133受壓處阻值降低而產(chǎn)生另類的接觸點。
此外，在壓阻層未成為導體前為絕緣，可進行電容式壓觸偵測，在本發(fā)明的一 較佳范例中，是采互電容式的碰觸偵測，因此在壓阻層絕緣時便可以偵測出多點碰觸。 例如，可以偵測出哪些相疊區(qū)被碰觸。另外，在壓阻層因壓觸成為導體時，可進行上述 的壓觸式的壓觸偵測，因此可偵測出有哪些相疊區(qū)被碰觸及哪些相疊區(qū)被壓觸。因此， 比對電容式碰觸的被碰觸相疊區(qū)與壓觸式壓觸的被壓觸相疊區(qū)，可應用于位置偵測的確 認，或應用于上述的手掌忽視。例如，僅對同時被電容式碰觸的被碰觸相疊區(qū)與被壓觸 式壓觸的被壓觸相疊區(qū)進行接觸點判斷。又例如，當用絕緣的筆書寫時，在壓觸式壓觸 的被壓觸相疊區(qū)中排除同時也被電容式碰觸的被碰觸相疊區(qū)后，再進行接觸點偵測。
據(jù)此，可結(jié)合兩種以上不同的多點壓觸偵測，藉由兩種以上不同的多點壓觸偵 測的偵測結(jié)果，忽視或排除手掌的壓觸位置，以辨識出筆的壓觸。例如結(jié)合一電容式偵 測與一紅外線式偵測，進行上述具手掌忽視功能的壓觸偵測。因此，本發(fā)明包括并不受 限以同一感應器21進行兩種以上的碰觸或壓觸偵測，亦可用多數(shù)種感應器21進行多數(shù)種 碰觸或壓觸偵測，更可以藉由不同的碰觸或壓觸偵測結(jié)果來進行手掌忽視或排除手掌壓 觸的區(qū)域。其中，上述的多數(shù)種壓觸感應器可包括但不限于紅外線式(IR type)、電容式 (Capacitive Type)、壓角蟲式(resistive type)、光學式(Camera type orOpticl Type)、表面聲波 式 6AW type)感應器(sensor)。
換言之，本發(fā)明提供一種利用多位置偵測方式忽視手掌的裝置與方法，包括但 不限于以第一種碰觸或壓觸的偵測方式在第二種碰觸或壓觸的偵測方式上定義一被忽視 范圍，其中該被忽視范圍可包括多數(shù)個獨立的被忽視區(qū)域。例如，以電容式偵測到的被 碰觸相疊區(qū)定義一被忽視范圍，另外再用光學式偵測(如紅外線式)時將被忽視范圍內(nèi)偵 測到的碰觸視為不存在。
在本發(fā)明的一較佳范例中，第一種偵測方式為能偵測到多碰觸或多壓觸的偵測方式。例如在投射式電容感應器上進行互電容式偵測，偵測出多數(shù)個被碰觸相疊區(qū)，依 據(jù)被碰觸相疊區(qū)定義出被忽視范圍，如以每一個被碰觸相疊區(qū)向外擴大一范圍作為被忽 視范圍。例如，依據(jù)每一個相疊區(qū)中第一導電條與第二導電條間的電容變化量判斷出被 碰觸相疊區(qū)。亦可以是例用上述感應器21進行互電容式偵測，以所有被碰觸相疊區(qū)為被 忽視范圍。上述互電容式偵測是在每一條第一軸向的導電條被提供驅(qū)動訊號時，由每一 條第二軸向?qū)щ姉l偵測訊號的變化來判斷出被碰觸相疊區(qū)。
又例如在上述壓觸式感應器上進行壓觸偵測，再依被壓觸相疊區(qū)或接觸點定義 出被忽視范圍，其中被忽視范圍更可以依據(jù)被壓觸相疊區(qū)的接觸阻抗向外擴大到包括與 被壓觸相疊區(qū)相鄰的未被壓觸相疊區(qū)。例如定義所有被壓觸相疊區(qū)為被忽視范圍，并且 判斷每一個被壓觸相疊區(qū)的接觸阻抗，任何被壓觸相疊區(qū)的接觸阻抗落于一范圍(如小 于一門檻限值)時，與接觸阻抗落于該范圍的被壓觸相疊區(qū)相鄰的相疊區(qū)亦被定義為被 忽視范圍。另外，本發(fā)明更包括依據(jù)被壓觸相疊區(qū)的接觸阻抗，由被壓觸相疊區(qū)中排除 筆或手指壓觸的被壓觸相疊區(qū)或由接觸點中排除筆或手指壓觸的接觸點，再依上述方式 定義被忽視相疊區(qū)。
請參照圖4A與圖14，相疊區(qū)A、B、C同時被壓觸，當相疊區(qū)D的第一導電條 與第二導電條被分別提供高電位VHl與低電位VLl時，雖然相疊區(qū)沒有被壓觸，電流會 分別由相疊區(qū)D上的第一導電條流經(jīng)相疊區(qū)A、B、C至相疊區(qū)D上的第二導電條，形成 通路，造成相疊區(qū)D被誤判為被壓觸相疊區(qū)。
此外，依據(jù)圖6A所述的接觸點偵測方法，當相疊區(qū)D的一導電條兩端被分別提 供高電位VH2與低電位VL2時，相疊區(qū)A、B、C為等電位，因此接觸點位置可能被誤 判位于相疊區(qū)B。據(jù)此，本發(fā)明提出一種偵測位置誤判的裝置與方法，可以是在偵測被 壓觸相疊區(qū)接觸點時，忽視或排除接觸點位置落于被偵測相疊區(qū)外的接觸點。在本發(fā)明 的一范例中，控制器不輸出落于被偵測相疊區(qū)外的接觸點的位置。熟知相關(guān)技術(shù)者可推 知，接觸點位置落于被偵測的被壓觸相疊區(qū)的判斷容許在一誤差范圍內(nèi)，例如接觸點位 置落于被偵測的被壓觸相疊區(qū)向外擴大的一范圍外時才被排除或忽視。在本發(fā)明的一范 例中，被忽視或排除的壓觸可能包括多數(shù)個接觸點，其中至少一接觸點落在上述誤差范 圍之外。在本發(fā)明另一范例中，被忽視或排除的壓觸可能包括多數(shù)個接觸點，其中全部 接觸點落在上述誤差范圍之外。在本發(fā)明的一例子中，相疊區(qū)A與B可能是由手掌的壓 觸所造成，因此造成相疊區(qū)D的誤判，因此上述對誤判接觸點或誤判被壓觸相疊區(qū)的忽 視或排持，亦是一種手掌忽視的應用，即忽視手掌的壓觸。
在本發(fā)明的一范例中，上述落于被偵測的被壓觸相疊區(qū)的接觸點的判斷，可以 是在一軸向位置的判斷上判斷出來。亦即在偵測上述第一一維坐標I5X時判斷出來，因此 不需要再進行上述第二一維坐標Py的偵測。
據(jù)此，在本發(fā)明的一范例中，更包括一過濾程序(filter procedure)，此過濾程序可以是由前述控制器來作業(yè)。過濾程序包括判斷該些壓觸中被排除的壓觸。任一被排 除的壓觸至少滿足下列條件之一該總接觸阻抗小于前述門檻限值；以及相應于相同壓 觸的該接觸點中存在至少一接觸點的位置落在相應的該相疊區(qū)的前述誤差范圍之外。另 外，過濾程序更包括判斷該些壓觸中每一未被排除的壓觸的位置，其中每一壓觸的位置 是依據(jù)相應于相同壓觸的該被壓觸相疊區(qū)的該接觸點的位置來判斷。
在前述說明中，接觸阻抗的判斷可以是在偵測被壓觸相疊區(qū)的同時，即先于接 觸點的偵測。因此藉由上述過濾程序，可大幅度地減少接觸點的偵測。因此，在本發(fā)明 的一范例中，接觸阻抗的偵測是先于接觸點的偵測，并且過濾程序中，總接觸阻抗小于 前述門檻限值的判斷是先于接觸點的偵測。換言之，在過濾程序中，可以是先進行總接 觸阻抗是否小于前述門檻限值的判斷后，再判斷相應于相同壓觸的該接觸點中是否存在 至少一接觸點的位置落在相應的該相疊區(qū)的前述誤差范圍之外。
在本發(fā)明的另一范例中，在過濾程序中，可以是先判斷相應于相同壓觸的該接 觸點中是否存在至少一接觸點的位置落在相應的該相疊區(qū)的前述誤差范圍之外，再判斷 總接觸阻抗是否小于前述門檻限值的判斷。亦即，先進行接觸點的判斷，排除誤判的壓 觸后，再進行排除總接觸阻抗是否小于前述門檻限值的壓觸，例如手掌忽視。
請參照圖15A，當一筆壓觸時，依據(jù)上述圖6A相關(guān)說明所述偵測單元V2偵測 到的電位Vp，該筆被偵測到的壓觸位置位于壓觸位置P，壓觸位置P與筆實際壓觸的位 置相同。再參照圖15B，當一手掌壓觸到多數(shù)個相鄰導電條時，手掌壓觸范圍可能形成 跨多數(shù)個導電條(同層導電條)的總接觸阻抗Rpalm，在偵測筆的壓觸位置P時，總接觸 阻抗Rpalm可能造成壓觸位置P產(chǎn)生誤差。
請參照圖16A、圖16B與上述圖6A相關(guān)說明，本發(fā)明提出一種校正位置偵測誤 差的裝置與方法。首先，如步驟1610所示，提供一延伸電阻Re來電性耦合一導電條以 形成一被驅(qū)動導電條，并且分別提供一第一高電位VH5與一第一低電位VL5于該被驅(qū)動 導電條之兩端。此外，如步驟1620所示，在被驅(qū)動導電條未被壓觸時偵測延伸電阻Re 與導電條間的一未被壓觸電位。另外，如步驟1630所示，在被驅(qū)動導電條被壓觸時偵測 延伸電阻與導電條間的一被壓觸電位。之后，如步驟1640所示，選擇一導電條作為一被 偵測導電條，并且如步驟1650、1660所示，分別提供一第二高電位VH2與一第二低電位 VL2于該被偵測導電條，經(jīng)由被壓觸于該被偵測導電條的一導電條偵測一偵測電位。接 下來，如步驟1670所示，依據(jù)該未被壓觸電位、該被壓觸電位、該偵測電位判斷一被壓 觸相疊區(qū)上的接觸點的位置，如上述第一一維坐標Px或第二一維坐標Py。
上述第一高電位VH5與第一低電位VL5分別是由一驅(qū)動單元D5所提供，在本 發(fā)明的一范例中，驅(qū)動單元D2與驅(qū)動單元D5可以是相同的驅(qū)動單元。此外，上述偵測 電位可以是由前述偵測單元V2所偵測。再者，上述未被壓觸電位與被壓觸電位可以是由 一偵測單元V8所偵測。
上述的驅(qū)動單元D2、D5與偵測單元V2、V8包括但不限于分別整合于前述的驅(qū) 動器23與偵測器M中，并且驅(qū)動單元D2、D5與偵測單元V2、V8包括但不限于由前 述的控制器25控制?？刂破?5對于選擇器22、驅(qū)動器23、偵測器M的控制包括但不 限于直接或通過一延伸電阻間接分別提供高電位與低電位于同一導電條的第一端與第 二端；直接或通過一延伸電阻間接分別提供高電位與低電位于至少一第一導電條的第一 端與至少一第二導電條的第一端；偵測導電條與延伸電阻間的訊號；以及在一對被壓觸 導電條之一被提供高電位與低電位時，偵測該對被壓觸導電條的另一的一端或兩端的電 位，其中通過延伸電阻間接提供高電位與低電位于同一導電條的第一端與第二端時，通 過偵測導電條與延伸電阻間的訊號，以判斷一未被壓觸電位與一被壓觸電位。
請參照圖17A與圖17B所示，在本發(fā)明的一范例中，延伸電阻與被偵測導電條26的阻抗分別為Re與R，第一高電位與第一低電位分別以Vdd與接地電位來表示，其中接 地電位預設(shè)為0。當只有筆壓觸于位置P時，筆壓觸處與延伸電極間的阻抗為Re。由于 筆的壓觸對于整體阻抗的影響不大，整體阻抗相當于未被壓觸的狀態(tài)，亦即偵測延伸電 阻與導電條間的被壓觸電位相當于未被壓觸電位Vu。當被偵測導電條存在跨導電條(跨 同層導電條)壓觸(如手掌的壓觸)的阻抗Rpalm時，被偵測出來的正確位置位于位置 C，導電條的阻抗為Rp，被壓觸電位為Vd。另外，位置P的偵測是通過偵測單元V2偵 測到的電位Vp來偵測。
權(quán)利要求
1.一種判斷壓觸阻抗的裝置，其特征在于其包括一感應器，包括多條導電條相疊構(gòu)成的多個相疊區(qū)，其中相疊于任一相疊區(qū)的一對 被壓觸導電條因電性接觸形成一接觸點時構(gòu)成一被壓觸相疊區(qū)； 一驅(qū)動器，分別提供一高電位與一低電位； 一偵測器，偵側(cè)至少一導電條的一訊號； 一選擇器，操作性耦合該些導電條于該驅(qū)動器與該偵測器；以及 一控制器，藉由控制該驅(qū)動器、該偵測器與該選擇器判斷每一被壓觸相疊區(qū)的一接 觸阻抗，其中每一被壓觸相疊區(qū)的該接觸阻抗是依據(jù)該對導電條之一與另一在該接觸點 的電位與該接觸點的位置來判斷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的判斷壓觸阻抗的裝置，其特征在于其中所述的接觸阻抗的判 斷包括判斷該接觸點的一第一維度位置與一第二維度位置，并且依據(jù)該第一維度位置與該 第二維度位置判斷出一第一維度阻抗與一第二維度阻抗；在該對導電條之一與另一分別被提供一高電位與一低電位時偵測該對導電條上之一 與另一在該接觸點上的一第一接觸電位與一第二接觸電位；以及依據(jù)該第一維度阻抗、該第二維度阻抗、該高電位、該低電位、第一接觸電位、第 二接觸電位判斷出該接觸阻抗。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的判斷壓觸阻抗的裝置，其特征在于其中所述的接觸阻抗為 (R1+R2) / (((VH-VL) / (P1-P2)) -1),其中 Rl、R2、VH> VL、PU P2 分別為該第一維 度阻抗、該第二維度阻抗、該高電位、該低電位、第一接觸電位、第二接觸電位。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的判斷壓觸阻抗的裝置，其特征在于其中所述的被壓觸相疊區(qū) 的該接觸點的位置判斷包括輪流選擇該對導電條之一與另一分別作為一被驅(qū)動導電條與一被偵測導電條； 在提供一高電位與一低電位于該被驅(qū)動導電條兩端時偵測該被偵測導電條的電位作 為一位置電位；以及分別以該對導電條之一與另一上偵測到的該位置電位判斷該第一維度位置與該第二 維度位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的判斷壓觸阻抗的裝置，其特征在于其中所述的被壓觸相疊區(qū) 的該接觸點的位置判斷包括輪流選擇該對導電條之一與另一分別作為一被驅(qū)動導電條與一被偵測導電條； 在提供一高電位與一低電位于該被驅(qū)動導電條兩端時偵測該被偵測導電條的電位作 為一位置電位；電性耦合一延伸電阻與該被驅(qū)動導電條以成為一延伸導電條； 在該延伸導電條未壓觸時提供該高電位與該低電位于該延伸導電條以偵測該延伸電 阻與該被驅(qū)動導電條間的電位作為一未壓觸電位；在該延伸導電條被壓觸時提供該高電位與該低電位于該延伸導電條以偵測該延伸電 阻與該被驅(qū)動導電條間的電位作為一被壓觸電位；以及分別依據(jù)該對導電條之一與另一上偵測到的該位置電位、該被驅(qū)動導電條的該未壓 觸電位與該被壓觸電位判斷該第一維度位置與該第二維度位置。
6 根據(jù)權(quán)利要求1所述的判斷壓觸阻抗的裝置，其特征在于其中所述的控制器更包括 藉由控制該驅(qū)動器、該偵測器與該選擇器進行至少以下作業(yè)判斷每一被壓觸相疊區(qū)相應的一壓觸；判斷每一壓觸的一總接觸阻抗，該總接觸阻抗為相應相同壓觸的所有該被壓觸相疊 區(qū)的該接觸阻抗的并聯(lián)阻抗。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的判斷壓觸阻抗的裝置，其特征在于其中所述的控制器更包括 藉由控制該驅(qū)動器、該偵測器與該選擇器進行至少以下作業(yè)將該總接觸阻抗小于一門檻限值的每一壓觸視為不存在；以及判斷未被視為不存在的每一壓觸的一壓觸位置，其中每一壓觸是依據(jù)所有相應的被 壓觸相疊區(qū)的該接觸點判斷出該壓觸位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的判斷壓觸阻抗的裝置，其特征在于其中所述的控制器更包括 藉由控制該驅(qū)動器、該偵測器與該選擇器進行至少以下作業(yè)依據(jù)該接觸點的位置是否位于相應的相疊區(qū)的一預設(shè)范圍內(nèi)判斷出被誤判的該被壓 觸相疊區(qū)；在判斷出該被誤判的該被壓觸相疊區(qū)時，依據(jù)該被誤判的該被壓觸相疊區(qū)判斷出被 誤判的該壓觸；以及將該被誤判的該壓觸視為不存在。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的判斷壓觸阻抗的裝置，其特征在于其中所述的控制器更包括 藉由控制該驅(qū)動器、該偵測器與該選擇器進行至少以下作業(yè)依據(jù)每一壓觸的該總接觸 阻抗追蹤每一壓觸的后續(xù)壓觸，每一壓觸與每一后續(xù)壓觸的該總接觸阻抗的差在一預設(shè) 范圍內(nèi)，其中相應于相同壓觸的該被壓觸相疊區(qū)為相鄰的相疊區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的判斷壓觸阻抗的裝置，其特征在于其中所述的控制器更包 括藉由控制該驅(qū)動器、該偵測器與該選擇器進行至少以下作業(yè)當相應于第一壓觸的一 第一后續(xù)壓觸與相應于第二壓觸的一第二后續(xù)壓觸的該些被壓觸相疊區(qū)相鄰時，分別依 據(jù)該第一壓觸的該總接觸阻抗與該第二壓觸的該總接觸阻抗判斷該些相鄰的被壓觸相疊 區(qū)為該第一后續(xù)壓觸與該第二后續(xù)壓觸的兩個不同壓觸，而非同一壓觸。
11.一種判斷壓觸阻抗的方法，其特征在于其包含以下步驟提供多條導電條相疊構(gòu)成的多個相疊區(qū)，其中相疊于任一相疊區(qū)的一對導電條因電 性接觸形成一接觸點時構(gòu)成一被壓觸相疊區(qū)；以及判斷每一被壓觸相疊區(qū)的一接觸阻抗，其中每一被壓觸相疊區(qū)的該接觸阻抗是依據(jù) 該對導電條之一與另一在該接觸點的電位與該接觸點的位置來判斷。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的判斷壓觸阻抗的方法，其特征在于其中所述的接觸阻抗的 判斷包括判斷該接觸點的一第一維度位置與一第二維度位置，并且依據(jù)該第一維度位置與該 第二維度位置判斷出一第一維度阻抗與一第二維度阻抗；在該對導電條之一與另一分別被提供一高電位與一低電位時偵測該對導電條上之一 與另一在該接觸點上的一第一接觸電位與一第二接觸電位；以及依據(jù)該第一維度阻抗、該第二維度阻抗、該高電位、該低電位、第一接觸電位、第 二接觸電位判斷出該接觸阻抗。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的判斷壓觸阻抗的方法，其特征在于其中所述的接觸阻抗為 (R1+R2) / (((VH-VL) / (P1-P2)) -1),其中 Rl、R2、VH> VL、PU P2 分別為該第一維 度阻抗、該第二維度阻抗、該高電位、該低電位、第一接觸電位、第二接觸電位。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的判斷壓觸阻抗的方法，其特征在于其中所述的被壓觸相疊 區(qū)的該接觸點的位置判斷包括輪流選擇該對導電條之一與另一分別作為一被驅(qū)動導電條與一被偵測導電條； 在提供一高電位與一低電位于該被驅(qū)動導電條兩端時偵測該被偵測導電條的電位作 為一位置電位；以及分別以該對導電條之一與另一上偵測到的該位置電位判斷該第一維度位置與該第二 維度位置。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的判斷壓觸阻抗的方法，其特征在于其中任一被壓觸相疊區(qū) 的該接觸點的位置判斷包括輪流選擇該對導電條之一與另一分別作為一被驅(qū)動導電條與一被偵測導電條； 在提供一高電位與一低電位于該被驅(qū)動導電條兩端時偵測該被偵測導電條的電位作 為一位置電位；電性耦合一延伸電阻與該被驅(qū)動導電條以成為一延伸導電條； 在該延伸導電條未壓觸時提供該高電位與該低電位于該延伸導電條以偵測該延伸電 阻與該被驅(qū)動導電條間的電位作為一未壓觸電位；在該延伸導電條被壓觸時提供該高電位與該低電位于該延伸導電條以偵測該延伸電 阻與該被驅(qū)動導電條間的電位作為一被壓觸電位；以及分別依據(jù)該對導電條之一與另一上偵測到的該位置電位、該被驅(qū)動導電條的該未壓 觸電位與該被壓觸電位判斷該第一維度位置與該第二維度位置。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的判斷壓觸阻抗的方法，其特征在于更包括 判斷每一被壓觸相疊區(qū)相應的一壓觸；以及判斷每一壓觸的一總接觸阻抗，該總接觸阻抗為相應相同壓觸的所有該被壓觸相疊 區(qū)的該接觸阻抗的并聯(lián)阻抗。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的判斷壓觸阻抗的方法，其特征在于更包括 將該總接觸阻抗小于一門檻限值的每一壓觸視為不存在；以及判斷未被視為不存在的每一壓觸的一壓觸位置，其中每一壓觸是依據(jù)所有相應的被 壓觸相疊區(qū)的該接觸點判斷出該壓觸位置。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的判斷壓觸阻抗的方法，其特征在于更包括依據(jù)該接觸點的位置是否位于相應的相疊區(qū)的一預設(shè)范圍內(nèi)判斷出被誤判的該被壓 觸相疊區(qū)；在判斷出該被誤判的該被壓觸相疊區(qū)時，依據(jù)該被誤判的該被壓觸相疊區(qū)判斷出被 誤判的該壓觸；以及將該被誤判的該壓觸視為不存在。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的判斷壓觸阻抗的方法，其特征在于更包括依據(jù)每一壓觸的 該總接觸阻抗追蹤每一壓觸的后續(xù)壓觸，每一壓觸與每一后續(xù)壓觸的該總接觸阻抗的差 在一預設(shè)范圍內(nèi)，其中相應于相同壓觸的該被壓觸相疊區(qū)為相鄰的相疊區(qū)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的判斷壓觸阻抗的方法，其特征在于更包括當相應于第一壓 觸的一第一后續(xù)壓觸與相應于第二壓觸的一第二后續(xù)壓觸的該些被壓觸相疊區(qū)相鄰時， 分別依據(jù)該第一壓觸的該總接觸阻抗與該第二壓觸的該總接觸阻抗判斷該些相鄰的被壓 觸相疊區(qū)為該第一后續(xù)壓觸與該第二后續(xù)壓觸的兩個不同壓觸，而非同一壓觸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種位置偵測的裝置與方法，位置偵測的裝置包含多數(shù)條導電條相疊構(gòu)成的多數(shù)個相疊區(qū)，其中相疊于任一相疊區(qū)的一對導電條在電性接觸形成一接觸點時構(gòu)成一被壓觸相疊區(qū)。依據(jù)被壓觸相疊區(qū)，可判斷出每一個壓觸。藉由判斷每一個被壓觸相疊區(qū)的接觸阻抗，可判斷出每一個壓觸的總接觸阻抗，其中跨相疊區(qū)的壓觸的總接觸阻抗為相應相同壓觸的所有相疊區(qū)的接觸阻抗的并聯(lián)阻抗。
文檔編號G06F3/047GK102023779SQ201010197719
公開日2011年4月20日 申請日期2010年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月23日
發(fā)明者何順隆, 葉尚泰, 陳家銘 申請人:禾瑞亞科技股份有限公司