專利名稱：觸控熒屏以及坐標定位方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種觸控技術，且特別是有關于一種一種觸控熒屏以及 一種坐標定位方法。
背景技術：
近年來，由于科技的發(fā)展快速，手持式裝置，例如智能型手機、數(shù)字個
人助理(Personal Digital Assistant, PDA)、衛(wèi)星導航系統(tǒng)(Global Position System, GPS)等等，也跟著越來越普及。由于上述裝置都是使用觸控熒屏， 因此觸控式傳感器的技術變的十分重要。在傳統(tǒng)的技術中，觸控式傳感器一 般是使用電阻式傳感器。此種電阻式傳感器必須要靠壓力來感測指標在熒屏 上的坐標。由于目前此種手持式裝置通常是使用液晶熒屏，而電阻式傳感器 又必須與液晶熒屏重疊。因此當壓迫到電阻式傳感器時，相對的也就壓迫到 了液晶熒屏。長久下去，液晶熒屏可能會因此損毀。另外，電阻式傳感器的 解析度較低，常常會有坐標定位不準確的情況發(fā)生。
在現(xiàn)有技術中，還有一種觸控式傳感器，就是電容式觸控板。電容式觸 控板在目前被廣泛的應用在到手持式裝置的觸控熒屏中。然而，傳統(tǒng)的電容 式觸控板在觸控版電路布局上，必須要使用四層布局。圖1是傳統(tǒng)電容式觸 控板的結構剖面圖。請參考圖1，此電容式觸控板包括Y軸感應層101、 X軸 感應層102、接地層103以及電子零組件層104，其中，電子零組件層104是 用以配置電子元件的放置與連接處(包含控制IC、電阻、電容等等元件)。圖2 與圖3分別繪示X軸感應層102以及Y軸感應層101的結構。請參考圖2以 及圖3，Y軸感應層101及X軸感應層102分別包括多個平行的感應電極XOO 以及YOO。另外，傳統(tǒng)的電容式觸控板還有另一種結構，是采用六層式的銦錫氧化
物(Indium Tin Oxide，ITO)玻璃結構。圖4是傳統(tǒng)銦錫氧化物玻璃結構的電 容式觸控板的結構剖面圖。請參考圖4,其第一層401為二氧化硅(Si02)層， 用來保護Y軸感應層；其第二層402為Y軸感應層；其第三層403為玻璃層； 其第四層404為X軸感應層；其第五層405為二氧化硅層，用來保護X軸感 應層；第六層406為噪聲(noise)遮蔽(Shielding)層，用來隔離噪聲。
然而，傳統(tǒng)的電容式觸控板為了應用在二維平面的感應，需將印刷電路 板或銦錫氧化物玻璃結構布線成二維的平面，因此，使得制作程序復雜化。 相對的，成本的要求也相對的較高。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明的一目的就是在提供一種坐標定位方法以及使用其的 觸控熒屏，其主要是利用一維的感應方式進而得到二維平面坐標，不但提高
感應的解析度，也進一步降低了印刷電路板或銦錫氧化物(ITO)玻璃的制作成本。
本發(fā)明的另一 目的就是在提供一種觸控熒屏的坐標校準方法，用以使電 容式傳感器的坐標轉換為顯示面板的坐標。
為達上述或其他目的，本發(fā)明提出一種觸控熒屏，此觸控熒屏包括一感 應陣列層以及一微處理器。感應陣列層包括MXN個電容式傳感器，其中， 沿著第一軸方向，配置M列電容式傳感器，沿著第二軸方向，配置N行電容 式傳感器。微處理器包括多個接腳，對應的耦接上述電容式傳感器。當觸控 熒屏被觸碰，導致感應陣列層中的電容式傳感器的至少一感測值產生變化時， 微處理器利用上述電容式傳感器所感測到的感測值，進行內插計算，以決定 一被觸碰的坐標。
另外，本發(fā)明提出一種坐標定位方法。此方法包括下列步驟提供一觸 控熒屏；在上述觸控熒屏中，提供一感應陣列層，其包括MXN個電容式傳感器，其中，沿著第一軸方向，配置M列電容式傳感器，沿著第二軸方向，
配置N行電容式傳感器；提供上述電容式傳感器對應的多個參考坐標，每一 參考坐標包括第一軸坐標以及第二軸坐標；當上述觸控熒屏被觸碰，導致感 應陣列層中的電容式傳感器的至少一感測值產生變化時，利用上述電容式傳 感器所感測到的感測值，以及其對應的參考坐標的第一軸坐標與第二軸坐標， 進行一內插計算，以決定一被觸碰的坐標。
根據(jù)本發(fā)明較佳實施例所述的觸控熒屏，上述觸控熒屏還包括一電子元 件層以及一接地層，其中接地層配置于感應陣列層以及電子元件層之間。在 另 一實施例中，上述觸控熒屏還包括一第一氧化硅層以及一第二氧化硅層， 其中，感應陣列層配置于第一氧化硅層以及第二氧化硅層之間。
本發(fā)明的精神是利用在一觸控面板中，配置一感應陣列層，其中，此感 應陣列層配置了MXN個電容式傳感器，其中，沿著第一軸方向，配置M列 電容式傳感器，沿著第二軸方向，配置N行電容式傳感器，并且每一個電容 式傳感器都耦接到一微處理器。因此，只要觸控面板被碰觸時，對應的位置 的電容式傳感器的感測值會產生變化，經由計算便可以得知所觸碰的位置。 由于此結構與傳統(tǒng)觸控面板的明顯不同，本發(fā)明只需要一層感應層便可以做 到原先傳統(tǒng)需要兩層感應層才能進行的坐標定位。不但提高感應的解析度， 也進一步降低了先前技術中，印刷電路板或銦錫氧化物(ITO)玻璃的制作成本。


圖1是傳統(tǒng)電容式觸控板的結構剖面圖。 圖2繪示傳統(tǒng)電容式觸控板的X軸感應層102的結構。 圖3繪示傳統(tǒng)電容式觸控板的Y軸感應層101的結構。 圖4是傳統(tǒng)銦錫氧化物玻璃結構的電容式觸控板的結構剖面圖。 圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的觸控熒屏的電路結構圖。 圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的判斷X軸方向的坐 標的方法示意圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的判斷Y軸方向的坐
標的方法示意圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的坐標配置。
圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的另一坐標配置。
圖IO是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的結構圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的多個手指或導電性質的材料接觸的感
測方式示意圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的結構剖面圖。 圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的坐標定位方法的流程圖。 圖14是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的布線阻抗示意圖。 圖15是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏上的電容式傳感器 C50在相同狀態(tài)下所感應到的感應值示意圖。 附圖標號
101、 402: Y軸感應層
102、 405: X軸感應層 103:接地層
104:電子零組件層
XOO、 Y00:感應電極 401、 404: 二氧化硅 403:玻璃層 501:感應陣列層 502:微處理器 C50:電容式傳感器
1201:本發(fā)明實施例的觸控熒屏的第1層 1202:本發(fā)明實施例的觸控熒屏的第2層 1203:本發(fā)明實施例的觸控熒屏的第3層 S1300 S1306:本發(fā)明實施例的步驟
具體實施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較 佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的結構圖。請參考圖5 ， 此電容式觸控熒屏包括一感應陣列層501以及一微處理器502。在此實施例中， 此感應陣列層501包括12個電容式傳感器C50，配置成3X4的陣列。每一 個電容式傳感器C50皆耦接到微處理器502。且每一個電容式傳感器C50分 別具有一代表其的坐標(O，O) (3， 2)。
當人體的手指或是任何帶有導電性質的材料未接觸到電容式觸控熒屏 時，上述的電容式傳感器C50的電容值不會有任何變化，因此，微處理器502 所接收的每一個電容感應值不會有變動。 一般來說，微處理器502對應于每 一個電容式傳感器C50會提供一初始值(BaseValue), —般來說是0。當手指 或是任何帶有導電性質的材料接觸到本實施例的電容式觸控熒屏時，被接觸 到的部分的電容式傳感器C50或是其鄰近的電容式傳感器C50所對應的電容 感應值(ADCValue)將產生變化。而微處理器502會進行以下判斷 (ADCValue - BaseValue) >Th，
其中，Th表示門檻値。
當判斷出上述數(shù)值大于上述門檻值時，微處理器502判定此時有手指或 是任何帶有導電性質的材料接觸到電容式傳感器C50。
圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的判斷X軸方向的坐 標的方法示意圖。請參考圖6，在本實施例中，當要判斷X軸坐標時，微處 理器502會根據(jù)以下順序，對電容式傳感器C50所對應的電容感應值進行掃 描
(O，O) — (1,0) — (2,0) — (3，0) — (O，l) — (l，l) — (2,1)— (3， 1) .... —— (3,2)。當檢測到有兩鄰近的電容式傳感器C50所對應的電容感應值皆大于門檻值時，便會進行內插計算，以得到觸碰物(例如導體或手指)所觸碰的坐標。此內插計算如下-
Xjposition= -^~^-xS
其中，Xjositkm為判斷出的X坐標；i與i+l分別是鄰近的電容式傳感
器C50的X坐標；K為第i個X坐標所檢測到的電容感應值；L為第i+1個
X坐標所檢測到的電容感應值；S是兩個X坐標之間的坐標間隔數(shù)。
舉例來說，假設此電容式觸控熒屏的每一個電容式傳感器C50的X作坐標的坐標間隔數(shù)內建是32。當手指碰觸到坐標為(1,0)以及(2,0)的電容式傳感器C50之間時，坐標為(l，O)的電容式傳感器C50所檢測到的電容感應值是70，而壘標為(2， 0)的電容式傳感器C50所檢測到的電容感應值是80，則X坐標即
(70 X 1+80 X 2) X 32+(70+80)=49.067 49 。
同樣的道理，圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的判斷Y軸方向的坐標的方法示意圖。請參考圖7，在本實施例中，當要判斷Y軸坐標時，微處理器502會根據(jù)以下順序，對電容式傳感器C50所對應的電容感應值進行掃描
(O，O) — (0,1) — (0，2) — (l，O) — (1,1) — (1，2) — (2,0)—(2, 1) .... — (3，2)。
當檢測到有兩鄰近的電容式傳感器C50所對應的電容感應值皆大于門檻值時，便會進行內插計算，以得到觸碰物(例如導體或手指)所觸碰的坐標。此內插計算如下
Y_position= -^~~p-x 6
A +丄其中，Yjosition為判斷出的Y坐標；j與j+l分別是鄰近的電容式傳感器C50的Y坐標；K為第j個Y坐標所檢測到的電容感應值；L為第j+1個
Y坐標所檢測到的電容感應值；S是兩個坐標之間的坐標間隔數(shù)。
舉例來說，假設此電容式觸控熒屏的每一個電容式傳感器C50的Y坐標的坐標間隔數(shù)內建是40。當手指碰觸到坐標為(1,1)以及(1，2)的電容式傳感器C50之間時，坐標為(1,1)的電容式傳感器C50所檢測到的電容感應值是90，而坐標為(1,2)的電容式傳感器C50所檢測到的電容感應值是150，則Y坐標即<formula>formula see original document page 14</formula>
接下來，圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的坐標配置。圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的另一坐標配置。請同時參考圖8以及圖9，圖8是上述實施例中的標準坐標配置；圖9是另一種形式的標準坐標配置。 一般來說，根據(jù)客戶的需求或者固件的編碼的不同，坐標配置可以如上述的變化。若是以圖9的坐標配置，若要改變?yōu)閳D8的坐標配置，必須進行一坐標轉換計算，其中，此坐標轉換計算可由微處理器502進行。
在說明此坐標轉換計算之前，先做以下假設。假設圖9的X坐標與Y坐標的代號分別為X_positi0n以及Y_position;圖8的X坐標與Y坐標的代號分別為Xo以及Yo; m與n分別表示電容式傳感器C50的行數(shù)與列數(shù)。貝ij
<formula>formula see original document page 14</formula>
將上述聯(lián)立方程式以矩陣方式表示
<formula>formula see original document page 14</formula>
因此，可經由反矩陣運算，進而得到映射至二維坐標(XO，YO):
<formula>formula see original document page 14</formula><formula>formula see original document page 15</formula>圖io是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的結構圖。請參考圖
10，上述舉例雖使用12個電容式傳感器C50的觸控熒屏做舉例，但是本領域技術人員應當知道，電容式傳感器C50的數(shù)目越多，解析度越高，擷取與計算坐標的位置越準確。另外，圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的多個手指或導電性質的材料接觸的感測方式示意圖。請參考圖11,在此實施例中，我們定義使用者的單根手指接觸到的電容感應器數(shù)目為4個鄰近的電容式傳感器C50作為一個群組。經由上述流程，可以通過手指或是任何帶有導電性質的材料從任意兩個電容感測器之間移動，得到內插位移點。
由上述幾個實施例可以看出，本發(fā)明僅需要一個感應陣列層便可以做到先前技術中，需要兩個感應層才可以做得到的二維坐標定位。圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的結構剖面圖。請參考圖12，若以本發(fā)明的方式實施于印刷電路板的觸控熒屏工藝時，僅需要3層結構。第1層1201是本發(fā)明實施例的感應陣列層；第2層1202是接地層；第3層1203是電子零組件層。同樣的道理，若以本發(fā)明的方式實施于銦錫氧化物(ITO)的觸控熒屏工藝，亦僅需要3層結構。第1層1201是二氧化硅層；第2層1202是本發(fā)明實施例的感應陣列層；第3層1203是玻離層；以及第四層1204為噪聲遮蔽(Shielding)層。
上述實施例，可以簡單歸納成一個坐標定位方法。圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的坐標定位方法的流程圖。請參考圖13，此方法包括下列步驟
步驟S1300:開始。
步驟S1301:提供一觸控熒屏。
步驟S1302:在上述觸控熒屏中，提供一感應陣列層，其包括MXN個電容式傳感器，其中，沿著第一軸方向，配置M列電容式傳感器，沿著第二軸方向，配置N行電容式傳感器。步驟S1303:提供上述電容式傳感器對應的多個參考坐標，每一參考坐標包括第一軸坐標以及第二軸坐標。例如上述圖8或圖9的坐標系統(tǒng)。
步驟S1304:判斷當觸控熒屏是否被觸碰。此步驟可利用微處理器502檢測電容式傳感器C50的電容感應值是否大于門檻值來判定。當判定為否時，回到步驟S1304，持續(xù)做判定。
步驟S1305:當觸控熒屏被觸碰，導致該感應陣列層中的所述這些電容式傳感器的至少一感測值產生變化時，利用上述電容式傳感器所感測到的感測值，以及其對應的參考坐標的第一軸坐標與第二軸坐標，進行一內插計算，以決定被觸碰的坐標。內插計算的部分已經于上述實施例中詳加敘述，故在此不予贅述。
步驟S1306:結束。
圖14是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏的布線阻抗示意圖。請參考圖14，在圖14上的每一個點，由左到右依序分別表示第一列的4個電容式傳感器C50所耦接的感應線的布線電阻、第二列的4個電容式傳感器C50所耦接的感應線的布線電阻以及第三列的4個電容式傳感器C50所耦接的感應線的布線電阻。在本發(fā)明的實施例中，所提出的利用一維電容式傳感器陣列擴展為二維平面的架構，因此每個電容式傳感器C50都需要有對應的一條感應線以耦接到微處理器502，當電容式傳感器C50離微處理器502愈遠的話，對應的感應線的布線電阻也愈大，使得微處理器502所感測到的感應值也愈小，而電容式傳感器C50若離微處理器502的愈近，對應的感應線的所產生的布線電組也愈小，使得微處理器502所得到的感應值也愈大。
接下來，請參考圖15，圖15是根據(jù)本發(fā)明實施例所繪示的電容式觸控熒屏上的電容式傳感器C50在相同狀態(tài)下所感應到的感應值示意圖。如圖15所示，在此種布線電阻長度分布不平均的情況下，將會得到分布不平均的感應值。為了得到良好的判定效果，以判定是否有手指或導體置放或接近感應平面，本發(fā)明另外提出了兩個實現(xiàn)方式-
16(1) 以列為單位，對每一列的電容式傳感器C50所感應到的感應值去進行增益上的調整；舉例來說，若是第I列的電容式傳感器C50所耦接的感應線的布線電組小于第列1+1的電容式傳感器C50所耦接的感應線的布線電阻，則第I列的感應值會大于第I+1列的感應值。因此，在設計上，微處理器502可以將第1+1列的增益大于第I列的增益，使得每一個電容式傳感器C50所對應的增益值依照布線電阻的不同，給予適當?shù)脑鲆妫赃_到在相同碰觸情況下，讓每一個電容式傳感器C50所感應到的感應值皆相近。
(2) 以列為單位，對每一列的電容式傳感器C50所感應到的感應值到達的門檻值進行調整；在先前的文章己提到，當手指放在感應區(qū)上，微處理器502會得到一感應值(ADCVaule)，故當(ADCValue-BaseValue) >門檻值
(Threshold)時，會判定此時有手指在感應區(qū)上。因此，為了克服布線電阻，在設計上，微處理器502可以以列為單位，對每一列的電容式傳感器C50所對應的門檻值(Threshold)去做調整。舉例來說，若是第I列的電容式傳感器C50所對應的布線電阻小于第1+1列的電容式傳感器C50所對應的布線電阻，則第I列的電容式傳感器C50所對應的感應值會大于第列1+1的電容式傳感器C50所對應的感應值。因此，適當?shù)脑O計微控制器502內建的第I+1列的門檻值(Threshold 1+1)使其小于第I列的門檻值(Threshold 1)，使得每一個電容式傳感器C50所對應的增益值依照布線電阻的不同，給予適當?shù)拈T檻值，以達到讓每一列皆能正確地判定手指或導體接觸或接近電容式傳感器C50與否。
綜上所述，本發(fā)明的精神在于利用在一觸控面板中，配置一感應陣列層，其中，此感應陣列層配置了MXN個電容式傳感器，其中，沿著第一軸方向，配置M列電容式傳感器，沿著第二軸方向，配置N行電容式傳感器，并且每一個電容式傳感器都耦接到一微處理器。因此，只要觸控面板被碰觸時，對應的位置的電容式傳感器的感測值會產生變化，經由計算便可以得知所觸碰的位置。由于此結構與傳統(tǒng)觸控面板的明顯不同，本發(fā)明只需要一層感應層便可以做到原先傳統(tǒng)需要兩層感應層才能進行的坐標定位。不但提高感應的解析度，也進一步降低了先前技術中，印刷電路板或銦錫氧化物(ITO)玻璃 的制作成本。
在較佳實施例的詳細說明中所提出的具體實施例僅用以方便說明本發(fā)明 的技術內容，而非將本發(fā)明狹義地限制于上述實施例，在不超出本發(fā)明的精 神及以下權利要求的情況，所做的種種變化實施，皆屬于本發(fā)明的范圍。因 此本發(fā)明的保護范圍當視以權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種觸控熒屏，其特征在于，所述觸控熒屏包括一感應陣列層，包括M×N個電容式傳感器，其中，沿著第一軸方向，配置M列電容式傳感器，沿著第二軸方向，配置N行電容式傳感器；以及一微處理器，包括多個接腳，對應的耦接所述這些電容式傳感器，當所述觸控熒屏被觸碰，導致所述感應陣列層中的所述這些電容式傳感器的至少一感測值產生變化時，所述微處理器利用上述電容式傳感器所感測到的感測值，進行內插計算，以決定被觸碰的坐標。
2. 如權利要求l所述的觸控熒屏，其特征在于，所述觸控熒屏更包括一電子元件層；以及一接地層，配置于所述感應陣列層以及所述電子元件層之間。
3. 如權利要求1所述的觸控熒屏，其特征在于，所述觸控熒屏更包括 一第一氧化硅層；以及一第二氧化硅層；其中，所述感應陣列層配置于所述第一氧化硅層以及所述第二氧化硅層之間。
4. 如權利要求1所述的觸控熒屏，其特征在于，第i列、第j行的電容式 傳感器的坐標表示為(i,j)。
5. 如權利要求4所述的觸控熒屏，其特征在于，當所述觸控熒屏被觸碰， 導致所述感應陣列層中的第i行、第j列的電容式傳感器的感測值以及第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值產生變化時所述微處理器擷取所述第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，以及所 述第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值，并進行以下內插計算，以得到 所述被觸碰的坐標的第一軸坐標-第一軸坐標="~"~其中，K表示為所述第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，L表示為 所述第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值，S表示每一所述這些電容式 傳感器之間的間隔坐標數(shù)。
6. 如權利要求4所述的觸控熒屏，其特征在于，當所述觸控熒屏被觸碰， 導致所述感應陣列層中的第i行、第j列的電容式傳感器的感測值以及第i行、 '第j+l列的電容式傳感器的感測值產生變化時-所述微處理器擷取所述第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，以及所 述第i行、第j+l列的電容式傳感器的感測值，并進行以下內插計算，以得到 所述被觸碰的坐標的第二軸坐標第二軸坐標=^ 1)xS《+丄其中，K表示為所述第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，L表示為 所述第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值，S表示每一所述這些電容式 傳感器之間的間隔坐標數(shù)。
7. 如權利要求1所述的觸控熒屏，其特征在于，第i行、第j列的電容式 傳感器的坐標(x，y)表示為(i+Nxj,Mxi+j)。
8. 如權利要求7所述的觸控熒屏，其特征在于，所述微處理器還進行一 坐標轉換計算，所述坐標轉換計算如下-n_ _ x + 7/ x少 n— x ;c -少其中，(x0，y0)為轉換后的電容式傳感器的坐標。
9. 如權利要求1所述的觸控熒屏，其特征在于，所述觸控熒屏更包括MxN個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述MxN個電容式傳 感器以及所述微處理器；其中，所述微處理器根據(jù)每一所述這些感應線的布線電阻，給予上述MxN 個電容式傳感器對應的MxN個增益。
10. 如權利要求1所述的觸控熒屏，其特征在于，所述觸控熒屏更包括 MxN個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述MxN個電容式傳感器以及所述微處理器；其中，所述微處理器根據(jù)每一所述這些感應線的布線電阻，給予上述MxN 個電容式傳感器對應的MxN個門檻值，其中，所述微處理器根據(jù)第(I,J)電 容式傳感器的感測值是否大于第(I，J)電容式傳感器的門檻值以判定第(1， J) 電容式傳感器是否被觸碰。
11. 如權利要求1所述的觸控熒屏，其特征在于，所述觸控熒屏更包括 MxN個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述MxN個電容式傳感器以及所述微處理器；其中，所述微處理器根據(jù)每一所述這些感應線的布線電阻，給予上述MxN 個電容式傳感器對應的MxN個門檻值，其中，所述微處理器根據(jù)第(I，J)電 容式傳感器的感測值減第(I,J)電容式傳感器的基礎值是否大于第(I,J)電 容式傳感器的門檻值以判定第(I,J)電容式傳感器是否被觸碰。
12. —種坐標定位方法，其特征在于，所述坐標定位方法包括 提供一觸控熒屏；在所述觸控熒屏中，提供一感應陣列層，其包括MxN個電容式傳感器， 其中，沿著第一軸方向，配置M列電容式傳感器，沿著第二軸方向，配置N 行電容式傳感器；提供所述這些電容式傳感器對應的多個參考坐標，每一參考坐標包括第 一軸坐標以及第二軸坐標；當所述觸控熒屏被觸碰，導致所述感應陣列層中的所述這些電容式傳感 器的至少一感測值產生變化時，利用上述電容式傳感器所感測到的感測值， 以及其對應之參考坐標的第一軸坐標與第二軸坐標，進行一內插計算，以決 定被觸碰的坐標。
13. 如權利要求12所述的坐標定位方法，其特征在于，第i列、第j行的 電容式傳感器的坐標表示為(i,j)。
14. 如權利要求13所述的坐標定位方法，其特征在于，當所述觸控熒屏 被觸碰，導致所述感應陣列層中的第i行、第j列的電容式傳感器的感測值以 及第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值產生變化時擷取所述第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，以及所述第i+l行、 第j列的電容式傳感器的感測值，并進行以下內插計算，以得到所述被觸碰的坐標的第一軸坐標第一軸坐標- """("1)MA +丄其中，K表示為所述第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，L表示為 所述第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值，S表示每一所述這些電容式 傳感器之間的間隔坐標數(shù)。
15. 如權利要求13所述的坐標定位方法，其特征在于，當所述觸控熒屏 被觸碰，導致所述感應陣列層中的第i行、第j列的電容式傳感器的感測值以 及第i行、第j+l列的電容式傳感器的感測值產生變化時擷取所述第i行、第j列的電容式傳感器的感測值以及所述第i行、第j+l 列的電容式傳感器的感測值，并進行以下內插計算，以得到所述被觸碰的坐 標的第二軸坐標第二軸坐標=其中，K表示為所述第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，L表示為 所述第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值，S表示每一所述這些電容式 傳感器之間的間隔坐標數(shù)。
16. 如權利要求12所述的坐標定位方法，其特征在于，第i行、第j列的電容式傳感器的坐標(x，y)表示為(i+Nxj,Mxi+j)。
17. 如權利要求16所述的坐標定位方法，其特征在于，所述坐標定位方法更包括下列步驟進行一坐標轉換計算，所述坐標轉換計算如下y。= -^其中，(x0，y0)為轉換后的電容式傳感器的坐標。
18. 如權利要求12所述的坐標定位方法，其特征在于，所述坐標定位方法更包括提供MxN個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述MxN個電容式傳感器以及一微處理器；以及根據(jù)每一所述這些感應線的布線電阻，給予上述MxN個電容式傳感器對應的MxN個增益。
19. 如權利要求12所述的坐標定位方法，其特征在于，所述坐標定位方法更包括-提供MxN個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述MxN個電容式傳感器以及一微處理器；根據(jù)每一所述這些感應線的布線電阻，給予上述MxN個電容式傳感器對應的MxN個門檻值；以及根據(jù)第(I，J)電容式傳感器的感測值是否大于第(I，J)電容式傳感器的門檻值以判定第(I，J)電容式傳感器是否被觸碰。
20. 如權利要求12所述的坐標定位方法，其特征在于，所述坐標定位方法更包括提供MxN個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述MxN個電容式傳感器以及一微處理器；根據(jù)每一所述這些感應線的布線電阻，給予上述MxN個電容式傳感器對應的MxN個門檻值；以及根據(jù)第(I，J)電容式傳感器的感測值減第(I，J)電容式傳感器的基礎值是否大于第(I,J)電容式傳感器的門檻值以判定第(I，J)電容式傳感器是否被觸碰。
全文摘要
本發(fā)明是關于一種觸控熒屏以及坐標定位方法，該觸控熒屏包括一感應陣列層以及一微處理器。感應陣列層包括M×N個電容式傳感器，其中，沿著第一軸方向，配置M列電容式傳感器，沿著第二軸方向，配置N行電容式傳感器。微處理器包括多個接腳，對應的耦接該電容式傳感器。當觸控熒屏被觸碰，導致感應陣列層中的電容式傳感器的至少一感測值產生變化時，微處理器利用上述電容式傳感器所感測到的感測值，進行內插計算，以決定一被觸碰的坐標。本發(fā)明只需要一層感應層便可以做到原先傳統(tǒng)需要兩層感應層才能進行的坐標定位。不但提高感應的解析度，也進一步降低了先前技術中，印刷電路板或銦錫氧化物玻璃的制作成本。
文檔編號G06F3/041GK101667086SQ20081021375
公開日2010年3月10日 申請日期2008年9月4日 優(yōu)先權日2008年9月4日
發(fā)明者席銘杰, 邱延誠 申請人:義隆電子股份有限公司