具有非易失性鎖存功能的多通道數(shù)據(jù)緩沖接口芯片的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種具有非易失性鎖存功能的多通道數(shù)據(jù)緩沖接口芯片。目前的芯片在掉電時將丟失所存儲的信息，不利于掉電后系統(tǒng)的恢復(fù)，還可能引起系統(tǒng)的錯誤。本實用新型中的每一個數(shù)據(jù)通道由信號輸入端、非易失性磁鎖存隔離耦合單元和三態(tài)門數(shù)據(jù)輸出端組成，其中非易失性磁鎖存隔離耦合單元包括磁場信號產(chǎn)生電路和磁敏感存儲單元，磁場信號產(chǎn)生電路和磁敏感存儲單元由絕緣間隔層電氣隔離。本實用新型不僅具有體積小、速度快的特性，而且兼具非易失性的鎖存功能和數(shù)據(jù)隔離耦合功能。
【專利說明】具有非易失性鎖存功能的多通道數(shù)據(jù)緩沖接口芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于數(shù)據(jù)緩沖接口芯片【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種具有非易失性鎖存功能的多通道數(shù)據(jù)信號接口芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]多通道三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖接口芯片可廣泛應(yīng)用于計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)接口、數(shù)據(jù)傳輸、電信、傳感器、儀器、移動電子和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。典型的帶鎖存功能的8位三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖接口芯片(TI公司產(chǎn)品)如圖1所示。當(dāng)LE處于高電平時，鎖存器的輸出狀態(tài)將跟隨信號的輸入。當(dāng)LE處于低電平時，鎖存器將輸入數(shù)據(jù)的狀態(tài)鎖存并輸出。OE用于控制8位三態(tài)門，當(dāng)OE為高電平時，三態(tài)門為高阻態(tài)，當(dāng)OE為低電平時，三態(tài)門為導(dǎo)通態(tài)。
[0003]但該類芯片在使用中存在兩方面的缺陷:1)在掉電時將丟失所存儲的信息，不利于掉電后系統(tǒng)的恢復(fù)，還可能引起系統(tǒng)的錯誤；2)在信號的輸入和輸出之間未進(jìn)行電氣隔離，輸入設(shè)備和輸出設(shè)備的電位差異引起的地回路電流及伴生噪聲有可能引起數(shù)據(jù)傳輸錯誤。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種具有非易失性鎖存功能的多通道數(shù)據(jù)緩沖接口芯片。
[0005]本實用新型解決技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案為:
[0006]每一個數(shù)據(jù)通道由信號輸入端、非易失性磁鎖存隔離耦合單元和三態(tài)門數(shù)據(jù)輸出端組成，其中非易失性磁鎖存隔離耦合單元包括磁場信號產(chǎn)生電路和磁敏感存儲單元，磁場信號產(chǎn)生電路和磁敏感存儲單元由絕緣間隔層電氣隔離。
[0007]進(jìn)一步說，磁敏感存儲單元為基于各向異性磁阻材料制成的電阻或由電阻組成的電橋。
[0008]進(jìn)一步說，磁敏感存儲單元為基于巨磁電阻材料制成的電阻或由電阻組成的電橋。
[0009]進(jìn)一步說，磁敏感存儲單元為基于磁隧道結(jié)材料制成的電阻或由電阻組成的電橋。
[0010]本實用新型所涉及的具有非易失性鎖存儲隔離耦合功能的多通道數(shù)據(jù)緩沖接口芯片，克服了現(xiàn)有多通道三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖接口芯片的不足，不僅具有體積小、速度快的特性，而且兼具非易失性的鎖存功能和數(shù)據(jù)隔離耦合功能，及國防工業(yè)中抗輻射要求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為帶鎖存功能的8位三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖接口芯片示意圖；
[0012]圖2為具有非易失性磁鎖存隔離耦合功能的多通道數(shù)據(jù)緩沖接口芯片示意圖；
[0013]圖3為磁鎖存隔離耦合單元的基本功能框圖；[0014]圖4為磁敏感存儲單元:a)低阻態(tài)，b)磁存儲特性，c)高阻態(tài)。
【具體實施方式】
[0015]以下結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步說明。
[0016]本實用新型所述的多通道數(shù)據(jù)信號接口芯片(以8通道為例)原理示意圖如圖2所示。每一個數(shù)據(jù)通道由信號輸入端、非易失性磁鎖存隔離耦合單元、三態(tài)門數(shù)據(jù)輸出端組成，其中非易失性磁鎖存隔離耦合單元是由磁場信號產(chǎn)生電路、以及與磁場信號產(chǎn)生電路之間被絕緣介質(zhì)電氣隔離的磁敏感單元所組成，絕緣介質(zhì)可以是真空、絕緣氣體，也可以是無機(jī)絕緣材料，也可以是有機(jī)絕緣材料。
[0017]非易失性磁鎖存隔離耦合單元的作用是對輸入數(shù)據(jù)信號進(jìn)行隔離耦合和數(shù)據(jù)鎖存。當(dāng)LE處于低電平時，非易失性磁鎖存隔離耦合單元將輸入數(shù)據(jù)的狀態(tài)鎖存并輸出。OE用于控制8位三態(tài)門，當(dāng)OE為高電平時，三態(tài)門處于高阻態(tài)，當(dāng)OE為低電平時，三態(tài)門處于導(dǎo)通態(tài)，鎖存單元的數(shù)據(jù)將向外部輸出。
[0018]非易失性磁存儲隔離耦合單元的基本功能如圖3所示。數(shù)據(jù)信號首先通過V/I轉(zhuǎn)化電路轉(zhuǎn)換為電流信號，并驅(qū)動線圈產(chǎn)生信號磁場；產(chǎn)生的信號磁場的方向決定磁存儲單元的狀態(tài)；存儲單元中的信息被后續(xù)電路讀出、處理并輸出
[0019]本實用新型所述的具有非易失性鎖存功能的多道數(shù)據(jù)隔離耦合接口芯片研制的一個關(guān)鍵是設(shè)計和制備基于磁敏感存儲單元，這需要考慮磁敏感存儲單元的尺寸效應(yīng)、存儲機(jī)制、穩(wěn)定性以及“讀”“寫”方法。磁敏感材料在被刻蝕成微米量級甚至亞微米量級的電阻存儲單元后，由于尺寸效應(yīng)，其性能與未刻蝕的納米薄膜材料有很大不同。所述的磁敏感存儲單元，可以是基于各向異性磁阻、巨磁電阻、磁隧道結(jié)材料制成的電阻或由其電阻組成的電橋。以巨磁電阻(GMR)或磁隧道結(jié)(MTJ)存儲單元為例，其電阻單元工作原理如圖4所示，被釘扎層的磁化方向通過與反鐵磁釘扎層的交換耦合作用固定在長軸方向(X軸方向)。而自由層的磁化方向沒被固定，可隨不同方向的信號磁場作用下在長軸方向的正向和反向進(jìn)行磁化翻轉(zhuǎn)。電阻的阻值隨自由層磁化方向的翻轉(zhuǎn)在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間切換，從而實現(xiàn)存儲單元的“O”和“ I ”狀態(tài)切換。
【權(quán)利要求】
1.具有非易失性鎖存功能的多通道數(shù)據(jù)緩沖接口芯片，其特征在于:每一個數(shù)據(jù)通道由信號輸入端、非易失性磁鎖存隔離耦合單元和三態(tài)門數(shù)據(jù)輸出端組成，其中非易失性磁鎖存隔離耦合單元包括磁場信號產(chǎn)生電路和磁敏感存儲單元，磁場信號產(chǎn)生電路和磁敏感存儲單元由絕緣間隔層電氣隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多通道數(shù)據(jù)緩沖接口芯片，其特征在于:磁敏感存儲單元為基于各向異性磁阻材料制成的電阻或由電阻組成的電橋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多通道數(shù)據(jù)緩沖接口芯片，其特征在于:磁敏感存儲單元為基于巨磁電阻材料制成的電阻或由電阻組成的電橋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多通道數(shù)據(jù)緩沖接口芯片，其特征在于:磁敏感存儲單元為基于磁隧道結(jié)材料制成的電阻或由電阻組成的電橋。
【文檔編號】G05B19/042GK203616599SQ201320576479
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月17日
【發(fā)明者】錢正洪, 白茹, 朱華辰 申請人:杭州電子科技大學(xué)