專利名稱：電流驅(qū)動(dòng)電路和顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電流驅(qū)動(dòng)電路和顯示器，更具體地，涉及一種有機(jī)EL元件的電流驅(qū)動(dòng)電路和顯示器。
背景技術(shù)：
由于在有機(jī)EL元件中的發(fā)射光的亮度由驅(qū)動(dòng)電路確定，因此，在其中多個(gè)有機(jī)EL元件按照矩陣排列的顯示器中，與電壓驅(qū)動(dòng)器相比，電流驅(qū)動(dòng)器能夠更好地消除發(fā)射光亮度的變化。通常，從如圖1所示的結(jié)構(gòu)作為有機(jī)EL元件的電流驅(qū)動(dòng)電流。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的電流驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置有p溝道MOS晶體管M01、p溝道MOS晶體管M11、參考電流源I1、開(kāi)關(guān)裝置SW1和輸出端子O1；有機(jī)EL元件Z1與輸出端子O1連接，作為負(fù)載。此外，p溝道MOS晶體管M01和p溝道MOS晶體管M11構(gòu)成了電流鏡像電路，由此，由參考電流源I1產(chǎn)生的電流IREF從高電平電源VDD返回，并且通過(guò)開(kāi)關(guān)裝置SW1提供給與輸出端子O1連接的有機(jī)EL元件Z1。開(kāi)關(guān)裝置SW1諸如由p溝道MOS晶體管構(gòu)成，并且由一位灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1進(jìn)行通/斷控制。當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW1接通時(shí)，將電流驅(qū)動(dòng)電路的指定返回電流作為驅(qū)動(dòng)電流IOUT提供給有機(jī)EL元件Z1，由此，有機(jī)EL元件Z1發(fā)光；而當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW1斷開(kāi)時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流IOUT變?yōu)?，并且有機(jī)EL元件Z1熄滅。在日本專利待審公開(kāi)No.2001-042827的圖7中公開(kāi)了采用雙極性晶體管的相似結(jié)構(gòu)。
然而，圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)例的電流驅(qū)動(dòng)電路是其中將開(kāi)關(guān)裝置SW1連接在作為電流鏡像電路的輸出端子的輸出端子O1和p溝道MOS晶體管M11的漏極端子之間的結(jié)構(gòu)。結(jié)果，當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW1處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)，開(kāi)關(guān)裝置SW1的節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間的電壓實(shí)質(zhì)上等于高電平電源VDD上的電壓VDD和“地”即低電平電源之間的電壓差。換句話說(shuō)，電壓差處于接近電壓VDD的極其高的電平，因此，當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW1從斷開(kāi)狀態(tài)變?yōu)榻油顟B(tài)時(shí)，引起了關(guān)于產(chǎn)生了大浪涌電流的問(wèn)題。作為另一問(wèn)題，在圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)例的電流驅(qū)動(dòng)電流中使用基本電流鏡像電路阻礙了高精度返回電流的獲取。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問(wèn)題實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供一種電流驅(qū)動(dòng)電路，該電流驅(qū)動(dòng)電路能夠獲得高精度的驅(qū)動(dòng)電流并抑制浪涌電流的發(fā)生，此外，還提供了一種設(shè)置有這樣的電流驅(qū)動(dòng)電路的顯示器。
本發(fā)明的電流驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置有電流鏡像電路；電流源，用于將參考電流輸入施加到所述電流鏡像電路；開(kāi)關(guān)裝置，向所述開(kāi)關(guān)裝置施加所述電流鏡像電路的輸出電流；以及共柵共漏放大電路，用于提供所述開(kāi)關(guān)裝置的輸出電流作為驅(qū)動(dòng)電流。
此外，本發(fā)明的電流驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置有偏壓產(chǎn)生器，包括第一晶體管，其柵極端子和漏極端子連接在一起；第二晶體管，其源極端子與所述第一晶體管的所述漏極端子相連，并且柵極端子和漏極端子連接在一起；以及電流源，使參考電流流到所述第二晶體管；以及電流輸出單元，包括第三晶體管，其柵極端子與所述第一晶體管的所述柵極端子相連；第四晶體管，其柵極端子與所述第二晶體管的所述柵極端子相連；以及開(kāi)關(guān)裝置，所述開(kāi)關(guān)裝置設(shè)置在所述第三晶體管的漏極端子和所述第四晶體管的源極端子之間。另外，還可以設(shè)置有多個(gè)所述電流輸出單元；以及多個(gè)端子，所述端子與多個(gè)電流輸出單元的第四晶體管中每一個(gè)晶體管的每一個(gè)漏極端子相連。
多個(gè)電流輸出單元中的每一個(gè)可以提供已經(jīng)加權(quán)的電流作為輸出。
還可以設(shè)置本發(fā)明的的多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路、以及與多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路的第四晶體管的漏極端子相連的端子。
多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路中的每一個(gè)可以提供已加權(quán)的電流作為輸出。
開(kāi)關(guān)裝置可以由控制信號(hào)接通和斷開(kāi)。
控制信號(hào)可以是顯示器的灰度(graduation)數(shù)據(jù)信號(hào)。
開(kāi)關(guān)裝置可以是MOS晶體管。
開(kāi)關(guān)裝置可以是包括多個(gè)開(kāi)關(guān)裝置的開(kāi)關(guān)組，并且所述開(kāi)關(guān)組對(duì)顯示器的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行解碼。
還可以設(shè)置與所述第三晶體管的源極端子相連的開(kāi)關(guān)裝置。
還可以設(shè)置與所述第一晶體管的源極端子相連并且總是處于接通狀態(tài)的開(kāi)關(guān)裝置。
本發(fā)明的顯示器設(shè)置有按照矩陣排列的有機(jī)EL元件；電流驅(qū)動(dòng)電路和掃描電路，用于使驅(qū)動(dòng)電流流到所述有機(jī)EL元件；以及信號(hào)處理電路，用于接收?qǐng)D像數(shù)據(jù)信號(hào)作為輸入，向所述電流驅(qū)動(dòng)電路提供灰度數(shù)據(jù)信號(hào)作為輸出，并且向所述掃描電路提供掃描控制信號(hào)作為輸出；以及設(shè)置有上述電流驅(qū)動(dòng)電路作為所述電流驅(qū)動(dòng)電路。
因此，本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)一種電流驅(qū)動(dòng)電路，能夠獲得高精度的驅(qū)動(dòng)電流，此外，能夠抑制浪涌電流的發(fā)生，并且可以實(shí)現(xiàn)設(shè)置有這樣的電流驅(qū)動(dòng)電路的顯示器。
參考附圖，從以下描述中，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)，所述附圖示出了本發(fā)明的實(shí)例。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的電流驅(qū)動(dòng)電路的操作的示意圖；圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖4是本發(fā)明的第一實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的操作的示意圖；圖5是第二實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖6是本發(fā)明的第三實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖7是本發(fā)明的第四實(shí)施例的顯示器的電路圖；圖8是本發(fā)明的第五實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖9是本發(fā)明的第六實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；圖10是圖9的詳細(xì)電路圖；
圖11是圖10所示的解碼操作的示意圖；圖12是本發(fā)明的第七實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例。首先，參考圖3，描述本發(fā)明的第一實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)。圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。如圖3所示，本發(fā)明的第一實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置有偏壓產(chǎn)生器10和電流輸出單元11。
偏壓產(chǎn)生器10設(shè)置有p溝道MOS晶體管M01、p溝道MOS晶體管M02和參考電流源I1。p溝道MOS晶體管M01的源極端子與高電平電源VDD連接，并且p溝道MOS晶體管M01和柵極端子和p溝道MOS晶體管M01的漏極端子連接在一起。p溝道MOS晶體管M02的源極端子與p溝道MOS晶體管M01的漏極端子相連，并且p溝道MOS晶體管M02的柵極端子和p溝道MOS晶體管M02的漏極端子連接在一起。參考電流源I1連接在p溝道MOS晶體管M02和充當(dāng)?shù)碗娖诫娫吹摹暗亍敝g，并且向p溝道MOS晶體管M02提供恒定電流IREF。
電流輸出單元11設(shè)置有p溝道MOS晶體管M11、開(kāi)關(guān)裝置SW1、p溝道MOS晶體管M12和輸出端子O1。p溝道MOS晶體管M11的源極端子與高電平電源VDD相連，并且p溝道MOS晶體管M11的柵極端子與p溝道MOS晶體管M01的柵極端子相連。p溝道MOS晶體管M12的柵極端子與p溝道MOS晶體管M02的柵極端子相連，并且p溝道MOS晶體管M12的漏極端子與輸出端子O1相連。開(kāi)關(guān)裝置SW1設(shè)置在p溝道MOS晶體管M11的漏極端子和p溝道MOS晶體管M12的源極端子之間。換句話說(shuō)，作為開(kāi)關(guān)裝置SW1的通/斷路徑的一端的節(jié)點(diǎn)A與p溝道MOS晶體管M11的漏極端子相連，并且作為開(kāi)關(guān)裝置SW1的通/斷路徑的另一端的節(jié)點(diǎn)B與p溝道MOS晶體管M12的源極端子相連。開(kāi)關(guān)裝置SW1諸如由p溝道MOS晶體管構(gòu)成，該p溝道MOS晶體管的源極—漏極路徑是開(kāi)關(guān)裝置SW1的通/斷路徑，并且將一位灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1施加到該p溝道MOS晶體管的柵極端子。開(kāi)關(guān)裝置SW1由作為通/斷控制信號(hào)的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1接通和切斷。然后，有機(jī)EL元件Z1作為負(fù)載連接在輸出端子O1和“地”之間。
下面進(jìn)行與操作有關(guān)的解釋。p溝道MOS晶體管M01和p溝道MOS晶體管M11作為電流鏡像電路操作，p溝道MOS晶體管M02和p溝道MOS晶體管M12作為共柵共漏放大電路(cascode circuit)操作，并且參考電流源I1通過(guò)將恒定電流IREF作為輸出經(jīng)由共柵共漏放大電路的p溝道MOS晶體管M02施加到電流鏡像電路的p溝道MOS晶體管M01來(lái)進(jìn)行操作。在該實(shí)例中，p溝道MOS晶體管M01和p溝道MOS晶體管M11的溝道長(zhǎng)度和溝道寬度相等，并且p溝道MOS晶體管M02和p溝道MOS晶體管M12的溝道長(zhǎng)度和溝道寬度相等，但是，可以改變p溝道MOS晶體管M01和p溝道MOS晶體管M11的溝道長(zhǎng)度與溝道寬度比，以便改變鏡像比。此外，雖然在本實(shí)例中，p溝道MOS晶體管M01和p溝道MOS晶體管M02的溝道長(zhǎng)度和溝道寬度相等，但是，兩個(gè)p溝道MOS晶體管M01和M02的溝道長(zhǎng)度和溝道寬度不必是相等的。當(dāng)將恒定電流IREF作為輸入施加到電流鏡像電路的p溝道MOS晶體管M01時(shí)，以恒定電流IREF為單位的電流從電流鏡像電路的p溝道MOS晶體管M11返回，并且作為輸入施加到開(kāi)關(guān)裝置SW1。當(dāng)灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1變?yōu)檫壿嫷碗娖讲⑶议_(kāi)關(guān)裝置SW1接通時(shí)，從開(kāi)關(guān)裝置SW1提供電流鏡像電路的p溝道MOS晶體管M11的輸出電流，并且將其作為輸入施加到共柵共漏放大電路的p溝道MOS晶體管M12，共柵共漏放大電路的p溝道MOS晶體管M12向輸出端子O1提供開(kāi)關(guān)裝置SW1的輸出電流作為驅(qū)動(dòng)電流IOUT，以使有機(jī)EL元件Z1發(fā)光。當(dāng)灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1變?yōu)檫壿嫺唠娖讲⑶议_(kāi)關(guān)裝置SW1斷開(kāi)時(shí)，開(kāi)關(guān)裝置SW1切斷了電流鏡像電路的p溝道MOS晶體管M11的輸出電流，共柵共漏放大電路的p溝道MOS晶體管M12提供給輸出端子O1的驅(qū)動(dòng)電流IOUT變?yōu)?，并使有機(jī)EL元件Z1熄滅。
下面將解釋當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW1處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間的電壓差。恒定電流IREF從參考電流源I1流到p溝道MOS晶體管M01和p溝道MOS晶體管M02，p溝道MOS晶體管M01和p溝道MOS晶體管M02都工作在飽和區(qū)，因此，如果β＝μ·COX，可以獲得由以下等式1和2所示的關(guān)系。這里，μ是載流子遷移率，COX是柵極氧化膜電容，λ是溝道調(diào)制效應(yīng)系數(shù)，以及L和W是p溝道MOS晶體管M01和p溝道MOS晶體管M02的溝道長(zhǎng)度和溝道寬度。此外，VTH1表示p溝道MOS晶體管M01的閾值電壓的絕對(duì)值，VGS1是p溝道MOS晶體管M01的柵極和源極之間的電壓的絕對(duì)值，VDS1是p溝道MOS晶體管M01的漏極和源極之間的電壓的絕對(duì)值，VTH2是p溝道MOS晶體管M02的閾值電壓的絕對(duì)值，VGS2是p溝道MOS晶體管M02的柵極和源極之間的電壓的絕對(duì)值，以及VDS2是p溝道MOS晶體管M02的漏極和源極之間的電壓的絕對(duì)值。在以下的等式中，·號(hào)表示相乘，/號(hào)表示相除，a^b表示a的b次冪，以及 表示a的平方根。
等式1IREF＝(1/2)·β·(W/L)·(VGS1-VTH1)^2·(1+λ·VDS1)(其中VGS1＝VDS1)等式2IREF＝(1/2)·β·(W/L)·(VGS2-VTH2)^2·(1+λ·VDS2)(其中VGS2＝VDS2)溝道調(diào)制效應(yīng)系數(shù)λ的值非常小，如果為了簡(jiǎn)化解釋忽略該值，則可以對(duì)等式1和等式2進(jìn)行修改，并且p溝道MOS晶體管M01和p溝道MOS晶體管M02的柵極—源極之間的電壓可以如以下等式3和等式4來(lái)表示。
等式3VGS1=VTH1+((2IREF/β)·(L/W))]]>等式4VGS2=VTH2+((2IREF/β)·(L/W))]]>如果當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW1處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)節(jié)點(diǎn)A的電壓是VA并且當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW1處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)節(jié)點(diǎn)B的電壓是VB，則電壓VA大致等于高電平電源VDD的電壓VDD，并且p溝道MOS晶體管M12的閾值電壓等于p溝道MOS晶體管M02的閾值電壓VTH2，由此，閾值電壓VB變?yōu)楦哂趐溝道MOS晶體管M02的柵極電壓即(VDD-VGS1-VGS2)，并且低于比p溝道MOS晶體管M02的柵極電壓高VTH2的電壓即(VDD-VGS1-VGS2+VTH2)的電壓。換句話說(shuō)，根據(jù)等式3和等式4，開(kāi)關(guān)裝置SW1的電壓差(VA-VB)的最大值可以由以下等式5來(lái)近似。
等式5VA-VB=VTH1+VTH2+2((2IREF/β)·(L/W))]]>雖然當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW1處于斷開(kāi)狀態(tài)時(shí)開(kāi)關(guān)裝置SW1的節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間的電壓差大致等于圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)例的電流驅(qū)動(dòng)電路中的電壓VDD，但是在本實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路中，如等式5所示，VTH1和VTH2是非常小的值，并且能夠看出可以將這些值設(shè)置得遠(yuǎn)低于電壓VDD，而與IREF的適當(dāng)設(shè)置無(wú)關(guān)。結(jié)果，如圖4所示，可以抑制當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW1從斷開(kāi)狀態(tài)改變到接通狀態(tài)時(shí)所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流IOUT的浪涌電流。
還可以修改結(jié)構(gòu)，從而將p溝道MOS晶體管M01、p溝道MOS晶體管M02、p溝道MOS晶體管M11和p溝道MOS晶體管M12全部修改為n溝道MOS晶體管，并且對(duì)高和低電源電壓進(jìn)行反轉(zhuǎn)，并且可以將切換裝置SW1改變?yōu)閚溝道MOS晶體管。
如在前面的解釋中所描述的，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路采用共柵共漏電流鏡像電路結(jié)構(gòu)能夠獲得高精度的驅(qū)動(dòng)電流IOUT。此外，采用將開(kāi)關(guān)裝置SW1設(shè)置在p溝道MOS晶體管M11和p溝道MOS晶體管M12之間的結(jié)構(gòu)獲得了能夠抑制當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW1從斷開(kāi)狀態(tài)改變到接通狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流IOUT的浪涌電流的效果。最后，抑制浪涌電流和減少穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)電流IOUT所需的時(shí)間獲得了能夠進(jìn)行高速操作的效果。
下面參考圖5來(lái)描述本發(fā)明的第二實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)。圖5是本發(fā)明的第二實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖5所示的本發(fā)明第二實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和圖3所示的本發(fā)明第一實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)之間的唯一不同點(diǎn)在于修改為設(shè)置多個(gè)電流輸出單元，以便能夠應(yīng)用于在顯示設(shè)備中矩陣形式的有機(jī)EL元件，其他組件完全相同。因此，在圖5所示的結(jié)構(gòu)和圖3所示的盡管中相同的組件由相同的參考符號(hào)來(lái)標(biāo)識(shí)，并且在此省略對(duì)這些相同組件的多余的解釋。
如圖5所示，本發(fā)明的第二實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置有偏壓產(chǎn)生器10；以及n(n是等于或大于2的自然數(shù))個(gè)電流輸出單元，從電流輸出單元11和電流輸出單元12直到電流輸出單元1n。電流輸出單元12設(shè)置有p溝道MOS晶體管M21、開(kāi)關(guān)裝置SW2、p溝道MOS晶體管M22和輸出端子O2。p溝道MOS晶體管M21的源極端子與高電平電源VDD相連，并且p溝道MOS晶體管M21的柵極端子與p溝道MOS晶體管M01的柵極端子相連。p溝道MOS晶體管M22的柵極端子與p溝道MOS晶體管M02的柵極端子相連，并且p溝道MOS晶體管M22的漏極端子與輸出端子O2相連。開(kāi)關(guān)裝置SW2設(shè)置在p溝道MOS晶體管M21的漏極端子和p溝道MOS晶體管M22的源極端子之間。開(kāi)關(guān)裝置SW2諸如由p溝道MOS晶體管構(gòu)成，該p溝道MOS晶體管的源極-漏極路徑充當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SW2的通/斷路徑，并且向p溝道MOS晶體管的柵極端子提供一位灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2。開(kāi)關(guān)裝置SW2由作為通/斷控制信號(hào)的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2接通和斷開(kāi)。
有機(jī)EL元件Z2作為負(fù)載連接在輸出端子O2和“地”之間，當(dāng)灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2變?yōu)檫壿嫷碗娖讲⑶议_(kāi)關(guān)裝置SW2接通時(shí)，有機(jī)EL元件Z2發(fā)光，而當(dāng)灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2變?yōu)檫壿嫺唠娖讲⑶议_(kāi)關(guān)裝置SW2斷開(kāi)時(shí)，有機(jī)EL元件Z2熄滅。
同樣地，電流輸出單元1n相似地配置有p溝道MOS晶體管Mn1、開(kāi)關(guān)裝置SWn、p溝道MOS晶體管Mn2和輸出端子On。p溝道MOS晶體管Mn1的源極端子與高電平電源VDD相連，并且p溝道MOS晶體管Mn1的柵極端子與p溝道MOS晶體管M01的柵極端子相連。p溝道MOS晶體管Mn2的柵極端子與p溝道MOS晶體管M02的柵極端子相連，并且p溝道MOS晶體管Mn2的漏極端子與輸出端子On相連。開(kāi)關(guān)裝置SWn設(shè)置在p溝道MOS晶體管Mn1和p溝道MOS晶體管Mn2的源極端子之間。開(kāi)關(guān)裝置SWn諸如由p溝道MOS晶體管構(gòu)成，該p溝道MOS晶體管的源極—漏極路徑充當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置SWn的通/斷路徑，并且可以將一位灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn施加到該p溝道MOS晶體管的柵極端子。開(kāi)關(guān)裝置SWn由作為通/斷控制信號(hào)的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn接通和斷開(kāi)。
然后，將有機(jī)EL元件Zn連接在輸出端子On和“地”之間，作為負(fù)載，當(dāng)灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn變?yōu)檫壿嫷碗娖讲⑶议_(kāi)關(guān)裝置SWn接通時(shí)，有機(jī)EL元件Zn發(fā)光，而當(dāng)灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn變?yōu)檫壿嫺唠娖讲⑶议_(kāi)關(guān)裝置SWn斷開(kāi)時(shí)，有機(jī)EL元件Zn熄滅。
如在前面的解釋中所描述的，本發(fā)明第二實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路可以獲得以下效果利用使從電流輸出單元11和電流輸出單元12到電流輸出單元1n的n個(gè)電流輸出單元根據(jù)偏壓產(chǎn)生器10的參考電流源I1產(chǎn)生相同的驅(qū)動(dòng)電流，并且從灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2到灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn的n位灰度數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)從開(kāi)關(guān)裝置SW1和開(kāi)關(guān)裝置SW2到開(kāi)關(guān)裝置SWn執(zhí)行通/斷控制的結(jié)構(gòu)，能夠同時(shí)和單獨(dú)地驅(qū)動(dòng)從有機(jī)EL元件Z1和有機(jī)EL元件Z2到有機(jī)EL元件Zn的n個(gè)有機(jī)EL元件。
下面將參考圖6解釋本發(fā)明第三實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)。圖6是本發(fā)明的第三實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖6所示的本發(fā)明的第三實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)與圖5所示的本發(fā)明的第二實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)的唯一不同點(diǎn)在于進(jìn)行了修改，從而使從電流輸出單元11和電流輸出單元12到電流輸出單元1n的n個(gè)電流輸出單元中的每一個(gè)的輸出端子都與單個(gè)輸出端子O1相連。其他組件是相同的，因此，將相同參考符號(hào)應(yīng)用于圖6所示結(jié)構(gòu)和圖5所示結(jié)構(gòu)中的相同組件，并且在這里省略對(duì)這些組件的多余解釋。
如圖6所示，從p溝道MOS晶體管M12和p溝道MOS晶體管M22到p溝道MOS晶體管Mn2的n個(gè)p溝道MOS晶體管的漏極端子共同連接到輸出端子O1，并且將有機(jī)EL元件Z1作為負(fù)載連接在輸出端子O1和“地”之間。因此，利用從電流輸出單元11和電流輸出單元12到電流輸出單元1n的n個(gè)電流輸出單元，可以對(duì)有機(jī)E1元件Z1的驅(qū)動(dòng)電流執(zhí)行灰度控制。
當(dāng)從電流輸出單元11和電流輸出單元12到電流輸出單元1n的n個(gè)電流輸出單元中的每一個(gè)的輸出電流相等時(shí)，可以獲得通過(guò)改變從開(kāi)關(guān)裝置SW1和開(kāi)關(guān)裝置SW2到開(kāi)關(guān)裝置SWn的n個(gè)開(kāi)關(guān)裝置中由從灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2到灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn的n位灰度數(shù)據(jù)信號(hào)接通的開(kāi)關(guān)裝置的數(shù)量來(lái)實(shí)現(xiàn)n個(gè)灰度變化的驅(qū)動(dòng)電流。此外，從電流輸出單元11和電流輸出單元12到電流輸出單元1n的n個(gè)電流輸出單元的返回電流的鏡像比的二進(jìn)制加權(quán)能夠表示從電流輸出單元11和電流輸出單元12到電流輸出單元1n的n個(gè)電流輸出單元中每一個(gè)的輸出電流，表示如下2^(i-1)·IREF其中，i是等于或小于n的自然數(shù)。因此，可以獲得能夠具有2^n個(gè)灰度變化的驅(qū)動(dòng)電流。
如在前面的解釋中所描述的，本發(fā)明的第三實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路具有以下效果可以獲得實(shí)現(xiàn)了n個(gè)灰度變化的驅(qū)動(dòng)電流和實(shí)現(xiàn)了2^n個(gè)灰度變化的驅(qū)動(dòng)電流。
下面參考圖7來(lái)解釋本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示器的結(jié)構(gòu)。圖7是本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示器的電路圖。如圖7所示，本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示器配置有信號(hào)處理電路60、電流驅(qū)動(dòng)電路61、掃描電路62、以及按照m(其中m是等于或大于2的自然數(shù))行和n(其中n是等于或大于2的自然數(shù))的矩陣形式排列的有機(jī)EL元件63。在被輸入一屏部分的圖像數(shù)據(jù)信號(hào)64時(shí)，信號(hào)處理電路60順序地向電流驅(qū)動(dòng)電路61施加一行部分的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)65，并且對(duì)于一行部分的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)65的每一個(gè)輸出，向掃描電路62施加掃描控制信號(hào)66?；叶葦?shù)據(jù)信號(hào)65的n位中的每一個(gè)與一行中的n個(gè)有機(jī)EL元件6 具有一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，并且由每一位的邏輯電平來(lái)指定相應(yīng)有機(jī)EL元件63的發(fā)光或變暗。電流驅(qū)動(dòng)電路61設(shè)置有從輸出端子O1到輸出端子On的n個(gè)輸出端子，與灰度數(shù)據(jù)信號(hào)65的每一位具有一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，并且當(dāng)相應(yīng)的位是邏輯低電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流從輸出端子流到有機(jī)EL元件63的陽(yáng)極端子，而當(dāng)相應(yīng)的位是邏輯高電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流不從輸出端子流出。一行部分的有機(jī)EL元件63的n個(gè)陰極端子共同連接到掃描電路62的相應(yīng)輸出端子，從輸出端子C1到輸出端子Cm；并且根據(jù)掃描控制信號(hào)66，將接地電平輸出作為低電平電源順序地提供給從輸出端子C1到輸出端子Cm的一個(gè)輸出端子。然后，在有機(jī)EL元件63的m行和n列中，使驅(qū)動(dòng)電流流到陽(yáng)極端子并且將接地電平施加到陰極端子的那些有機(jī)EL元件發(fā)光，而使其余的有機(jī)EL元件63熄滅。
雖然在第三實(shí)施例中示出了將已經(jīng)經(jīng)過(guò)了灰度控制的驅(qū)動(dòng)電流提供給單個(gè)有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)，但是可以將第三實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路提供給從輸出端子O2到輸出端子On的每一個(gè)輸出端子，以便應(yīng)用到本發(fā)明的第四實(shí)施例的顯示器。
將圖6所示的本發(fā)明第三實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用于電流驅(qū)動(dòng)電路61中，并且灰度數(shù)據(jù)信號(hào)65成為了圖6所示的n位灰度數(shù)據(jù)信號(hào)，從灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2到灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn。
如在前面的解釋中所描述的，通過(guò)設(shè)置具有高精度和高速度的、用于提供浪涌電流受到抑制的驅(qū)動(dòng)電流的本發(fā)明第三實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路，本發(fā)明第四實(shí)施例的顯示器獲得以下效果能夠?qū)崿F(xiàn)可以進(jìn)行具有高質(zhì)量的高速顯示的顯示器。
下面參考圖8來(lái)解釋本發(fā)明的第五實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)。圖8是本發(fā)明的第五實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。圖8所示的本發(fā)明第五實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置有n(其中n是等于或大于2的自然數(shù))個(gè)圖3所示的本發(fā)明第一實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路，從電流驅(qū)動(dòng)電路21和電流驅(qū)動(dòng)電流22到電流驅(qū)動(dòng)電路2n的n個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路的每一個(gè)的輸出端子與單個(gè)輸出端子O1相連。給與圖3所示的結(jié)構(gòu)中的組件相同的圖8所示的結(jié)構(gòu)中的組件提供相同的參考符號(hào)，并且在這里省略多余的解釋。
從電流驅(qū)動(dòng)電流21和電流驅(qū)動(dòng)電路22到電流驅(qū)動(dòng)電路2n的n個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)是相同的。換句話說(shuō)，從p溝道MOS晶體管M01和p溝道MOS晶體管M03直到p溝道MOS晶體管M02n-1的p溝道MOS晶體管是相同的；從p溝道MOS晶體管M11和p溝道MOS晶體管M21直到p溝道MOS晶體管Mn1的p溝道MOS晶體管是相同的；從p溝道MOS晶體管M02和p溝道MOS晶體管M04直到p溝道MOS晶體管M02n的p溝道MOS晶體管是相同的；從p溝道MOS晶體管M12和p溝道MOS晶體管M22直到p溝道MOS晶體管Mn2的p溝道MOS晶體管是相同的；從參考電流源I1和參考電流源I2直到參考電流源In的參考電流源是相同的；并且從開(kāi)關(guān)裝置SW1和開(kāi)關(guān)裝置SW2直到開(kāi)關(guān)裝置SWn的開(kāi)關(guān)裝置是相同的。
如圖8所示，從p溝道MOS晶體管M12和p溝道MOS晶體管M22直到p溝道MOS晶體管Mn2的n個(gè)p溝道MOS晶體管的每一個(gè)漏極端子共同連接到輸出端子O1，并且將有機(jī)EL元件Z1作為負(fù)載連接在輸出端子O1和“地”之間。從電流驅(qū)動(dòng)電路21和電流驅(qū)動(dòng)電路22直到電流驅(qū)動(dòng)電路2n的n個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路可以用于實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL元件Z1的驅(qū)動(dòng)電流的灰度控制。
雖然本實(shí)施例中已經(jīng)示出了將經(jīng)過(guò)了灰度控制的驅(qū)動(dòng)電流共同提供給單個(gè)有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)，但是本實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)該提供給從輸出端子O2到輸出端子On的輸出端子的每一個(gè)，以便應(yīng)用于本發(fā)明第三實(shí)施例的顯示器。
當(dāng)從電流驅(qū)動(dòng)電路21和電流驅(qū)動(dòng)電路22直到電流驅(qū)動(dòng)電路2n的n個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路的每一個(gè)的輸出電流相等時(shí)，可以獲得通過(guò)改變從開(kāi)關(guān)裝置SW1和開(kāi)關(guān)裝置SW2到開(kāi)關(guān)裝置SWn的n個(gè)開(kāi)關(guān)裝置中由從灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2到灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn的n位灰度數(shù)據(jù)信號(hào)接通的開(kāi)關(guān)裝置的數(shù)量來(lái)實(shí)現(xiàn)n個(gè)灰度變化的驅(qū)動(dòng)電流。此外，從電流驅(qū)動(dòng)電路21和電流驅(qū)動(dòng)電路22直到電流驅(qū)動(dòng)電路2n的n個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路的恒定電流值的二進(jìn)制加權(quán)能夠表示從電流驅(qū)動(dòng)電路21和電流驅(qū)動(dòng)電路22直到電流驅(qū)動(dòng)電路2n的n個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路中的每一個(gè)的加權(quán)后的輸出電流，表示如下2^(i-1)·IREF其中，i是等于或小于n的自然數(shù)。因此，可以獲得能夠進(jìn)行2^n灰度變化的驅(qū)動(dòng)電流。
如在前面的解釋中所描述的，本發(fā)明的第五實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路具有以下效果可以獲得實(shí)現(xiàn)了n個(gè)灰度變化的驅(qū)動(dòng)電流和實(shí)現(xiàn)了2^n個(gè)灰度變化的驅(qū)動(dòng)電流。
下面參考圖9、10和11來(lái)解釋本發(fā)明第六實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)。圖9是本發(fā)明第六實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖，圖10是圖9所示電路圖的詳細(xì)圖，而圖11是圖10中的解碼操作的示意圖。圖9所示的本發(fā)明第六實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和圖7所示的本發(fā)明第四實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)之間的唯一不同點(diǎn)在于將從開(kāi)關(guān)裝置SW1和開(kāi)關(guān)裝置SW2直到開(kāi)關(guān)裝置SWn的n個(gè)開(kāi)關(guān)裝置修改為從開(kāi)關(guān)組SG1和開(kāi)關(guān)組SG2直到開(kāi)關(guān)組SGn的n個(gè)開(kāi)關(guān)組，每一個(gè)開(kāi)關(guān)組包括多個(gè)開(kāi)關(guān)裝置；以及將從電流輸出單元11和電流輸出單元12到電流輸出單元1n的n個(gè)電流輸出單元修改為從電流輸出單元31和電流輸出單元32到電流輸出單元3n的n個(gè)電流輸出單元。其他組件是相同的，因此，與圖7所示的組件相同的圖9所示的組件由相同的參考符號(hào)來(lái)標(biāo)識(shí)，并且這里省略了多余解釋。
圖7所示的本發(fā)明第四實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路為從電流輸出單元11和電流輸出單元12的n個(gè)電流輸出單元中的每一個(gè)只設(shè)置了一個(gè)開(kāi)關(guān)裝置。結(jié)果，在從電流輸出單元11和電流輸出單元D2直到電流輸出單元1n的n個(gè)電流輸出單元中的每一個(gè)的輸出電流相等，并且要實(shí)現(xiàn)n個(gè)灰度控制，以及當(dāng)從灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2直到灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)是n位的二進(jìn)制碼的情況下，需要外部解碼器來(lái)放置與從開(kāi)關(guān)裝置SW1和開(kāi)關(guān)裝置SW2直到開(kāi)關(guān)裝置SWn的開(kāi)關(guān)裝置相對(duì)應(yīng)的、從灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2直到灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)。為了消除對(duì)該解碼器的需要，本實(shí)施例設(shè)置有從開(kāi)關(guān)組SG1和開(kāi)關(guān)組SG2直到開(kāi)關(guān)組SGn的開(kāi)關(guān)組，用于解碼從灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2直到灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)。
利用圖10和圖11來(lái)提供更為詳細(xì)的解釋。作為圖9所示的從開(kāi)關(guān)組SG1和開(kāi)關(guān)組SG2直到開(kāi)關(guān)組SGn的開(kāi)關(guān)組結(jié)構(gòu)的特定實(shí)例的詳細(xì)圖，圖10示出了由三位灰度數(shù)據(jù)信號(hào)，即灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1、灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D3來(lái)控制7個(gè)電流輸出單元的結(jié)構(gòu)。圖11示出了灰度數(shù)據(jù)信號(hào)、接通的開(kāi)關(guān)裝置和驅(qū)動(dòng)電流IOUT之間的關(guān)系。
開(kāi)關(guān)裝置SG1設(shè)置有并聯(lián)的開(kāi)關(guān)裝置SW11、開(kāi)關(guān)裝置SW12和開(kāi)關(guān)裝置SW13，開(kāi)關(guān)裝置SW11的兩端連接在p溝道MOS晶體管M11的漏極端子和p溝道MOS晶體管M12的源極端子之間。開(kāi)關(guān)組SG2設(shè)置有總是處于接通狀態(tài)的開(kāi)關(guān)裝置SW21、以及相互并聯(lián)而與開(kāi)關(guān)裝置SW21串聯(lián)的開(kāi)關(guān)裝置SW22和開(kāi)關(guān)裝置SW23；開(kāi)關(guān)裝置SW21的一端和開(kāi)關(guān)裝置SW22的一端連接在p溝道MOS晶體管M21的漏極端子和p溝道MOS晶體管M22的源極端子之間。
開(kāi)關(guān)裝置SG3設(shè)置有與開(kāi)關(guān)裝置SW33并聯(lián)的開(kāi)關(guān)裝置SW31和SW32，這兩個(gè)開(kāi)關(guān)裝置SW31和開(kāi)關(guān)裝置SW32串聯(lián)在一起，并且開(kāi)關(guān)裝置SW33的兩端連接在p溝道MOS晶體管M31的漏極端子和p溝道MOS晶體管M32的源極端子之間。
開(kāi)關(guān)組SG4設(shè)置有總是處于接通狀態(tài)的串聯(lián)開(kāi)關(guān)裝置SW41、總是處于接通狀態(tài)的開(kāi)關(guān)裝置SW42、以及開(kāi)關(guān)裝置SW43；開(kāi)關(guān)裝置SW41的一端和開(kāi)關(guān)裝置SW43的一端連接在p溝道MOS晶體管M41的漏極端子和p溝道MOS晶體管M42的源極端子之間。
開(kāi)關(guān)組SG5設(shè)置有SW53、以及相互并聯(lián)而與開(kāi)關(guān)裝置SW53串聯(lián)的開(kāi)關(guān)裝置SW51和開(kāi)關(guān)裝置SW52；開(kāi)關(guān)裝置SW51的一端和開(kāi)關(guān)裝置SW53的一端連接在p溝道MOS晶體管M51的漏極端子和p溝道MOS晶體管M52的源極端子之間。
開(kāi)關(guān)組SG6設(shè)置有總是處于接通狀態(tài)的串聯(lián)開(kāi)關(guān)裝置SW61、開(kāi)關(guān)裝置SW62、以及開(kāi)關(guān)裝置SW63；開(kāi)關(guān)裝置SW61的一端和開(kāi)關(guān)裝置SW63的一端連接在p溝道MOS晶體管M61的漏極端子和p溝道MOS晶體管M62的源極端子之間。
開(kāi)關(guān)組SG7設(shè)置有串聯(lián)開(kāi)關(guān)裝置SW71、開(kāi)關(guān)裝置SW72和開(kāi)關(guān)裝置SW73；開(kāi)關(guān)裝置SW71的一端和開(kāi)關(guān)裝置SW73的一端連接在p溝道MOS晶體管M71的漏極端子和p溝道MOS晶體管M72的源極端子之間。在上述結(jié)構(gòu)中，可以忽略總是處于接通狀態(tài)的開(kāi)關(guān)裝置。
開(kāi)關(guān)裝置SW11、開(kāi)關(guān)裝置SW31、開(kāi)關(guān)裝置SW51和開(kāi)關(guān)裝置SW71受到作為三位的LSB的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1的通/斷控制；開(kāi)關(guān)裝置SW12、開(kāi)關(guān)裝置SW22、開(kāi)關(guān)裝置SW32、開(kāi)關(guān)裝置SW52、開(kāi)關(guān)裝置SW62和開(kāi)關(guān)裝置SW72受到灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2的通/斷控制；以及開(kāi)關(guān)裝置SW13、開(kāi)關(guān)裝置SW23、開(kāi)關(guān)裝置SW33、開(kāi)關(guān)裝置SW43、開(kāi)關(guān)裝置SW53、開(kāi)關(guān)裝置SW63和開(kāi)關(guān)裝置SW73受到作為三位的MSB的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D3的通/斷控制。
如圖11所示，當(dāng)作為三位二進(jìn)制碼的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1、灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D3通過(guò)上述結(jié)構(gòu)從(000)改變?yōu)?111)時(shí)，可以獲得從0到7IREF的驅(qū)動(dòng)電流IOUT，所述驅(qū)動(dòng)電流IOUT采用參考電流源I1的恒定電流IREF作為可變步驟。為了簡(jiǎn)便，圖11示出了當(dāng)灰度數(shù)據(jù)信號(hào)是邏輯1時(shí)開(kāi)關(guān)裝置接通，而當(dāng)開(kāi)關(guān)裝置由p溝道MOS晶體管構(gòu)成時(shí)邏輯1對(duì)應(yīng)于邏輯電平L(低)的情況。此外，雖然圖10示出了7個(gè)電流輸出單元受到三位，即灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1、灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D3控制的結(jié)構(gòu)，但是可以非常容易地設(shè)置每一個(gè)均包括多個(gè)開(kāi)關(guān)裝置的從開(kāi)關(guān)組SG1和開(kāi)關(guān)組SG2直到開(kāi)關(guān)組SGn的n個(gè)開(kāi)關(guān)組，并且擴(kuò)展到從電流輸出單元31和電流輸出單元32到電流輸出單元3n的n個(gè)電流輸出單元。
應(yīng)該清楚，從開(kāi)關(guān)組SG1和開(kāi)關(guān)組SG2的開(kāi)關(guān)組結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于圖8所示的本發(fā)明第五實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)。
如在前面的解釋中所描述的，通過(guò)采用設(shè)置有用于執(zhí)行解碼操作的從開(kāi)關(guān)組SG1和開(kāi)關(guān)組SG2直到開(kāi)關(guān)組SGn的開(kāi)關(guān)組的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明第六實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路獲得了以下效果即使當(dāng)從灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D1和灰度數(shù)據(jù)信號(hào)D2直到灰度數(shù)據(jù)信號(hào)Dn的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)是n位的二進(jìn)制碼時(shí)，能夠通過(guò)直接關(guān)聯(lián)實(shí)現(xiàn)n灰度控制。
以下參考圖12來(lái)解釋本發(fā)明第七實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)。圖12是本發(fā)明的第七實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。作為圖12所示的本發(fā)明第七實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和圖9所示的本發(fā)明第六實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)之間的唯一不同點(diǎn)，在每一個(gè)均包括多個(gè)開(kāi)關(guān)裝置的從開(kāi)關(guān)組SG1和開(kāi)關(guān)組SG2直到開(kāi)關(guān)組SGn的n個(gè)開(kāi)關(guān)組的每一個(gè)開(kāi)關(guān)組中，將包括在開(kāi)關(guān)組中并且串聯(lián)在一起的一部分開(kāi)關(guān)裝置變換到與開(kāi)關(guān)組連接的電流鏡像電路的p溝道MOS晶體管的源極側(cè)。其他兩個(gè)結(jié)構(gòu)相同，因此，圖12所示的結(jié)構(gòu)中和圖9所示的結(jié)構(gòu)中相同的組件由相同的參考符號(hào)來(lái)標(biāo)識(shí)，并且省略多余的解釋。
偏壓產(chǎn)生器40是開(kāi)關(guān)裝置SW00連接在高電平電源VDD和圖9所示的偏壓產(chǎn)生器10的p溝道MOS晶體管M01的源極端子之間的結(jié)構(gòu)；電流輸出單元51是開(kāi)關(guān)裝置SW01連接在高電平電源VDD和圖9所示的電流輸出單元31的p溝道MOS晶體管M11的源極端子之間的結(jié)構(gòu)；電流輸出單元52是開(kāi)關(guān)裝置SW02連接在高電平電源VDD和圖9所示的電流輸出單元32的p溝道MOS晶體管M21的源極端子之間的結(jié)構(gòu)；以及電流輸出單元5n是開(kāi)關(guān)裝置SW0n連接在高電平電源VDD和圖9所示的電流輸出單元3n的p溝道MOS晶體管Mn1的源極端子之間的結(jié)構(gòu)。在偏壓產(chǎn)生器40中總是接通的開(kāi)關(guān)裝置SW00用于連接與從開(kāi)關(guān)裝置SW01和開(kāi)關(guān)裝置SW02直到開(kāi)關(guān)裝置SW0n的開(kāi)關(guān)裝置的接通電阻(p溝道MOS晶體管的源極和漏極之間的電阻)相同的接通電阻(p溝道MOS晶體管的源極和漏極之間的電阻)，以便實(shí)現(xiàn)高度精確的電流鏡像操作。
由于已經(jīng)移動(dòng)了部分開(kāi)關(guān)裝置，將從開(kāi)關(guān)組SG1和開(kāi)關(guān)組SG2直到開(kāi)關(guān)組SGn的n個(gè)開(kāi)關(guān)組修改為從開(kāi)關(guān)組SG01和開(kāi)關(guān)組SG02直到開(kāi)關(guān)組SG0n的n個(gè)開(kāi)關(guān)組。
根據(jù)圖10所示的結(jié)構(gòu)，n＝7，由此，例如，并聯(lián)在一起的開(kāi)關(guān)裝置SW11、開(kāi)關(guān)裝置SW12和開(kāi)關(guān)裝置SW13是開(kāi)關(guān)裝置SW01；總是處于接通狀態(tài)的開(kāi)關(guān)裝置SW21是開(kāi)關(guān)裝置SW02；以及開(kāi)關(guān)裝置SW71是開(kāi)關(guān)裝置SW07。
如在前面的解釋中所描述的，本發(fā)明第七實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路獲得了與本發(fā)明第六實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)電路相同的效果。
雖然已經(jīng)利用特定的條件描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是這樣的描述僅出于說(shuō)明的目的，應(yīng)該理解的是，在不脫離所附權(quán)利要求的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種電流驅(qū)動(dòng)電路，包括電流鏡像電路；電流源，用于將參考電流輸入施加到所述電流鏡像電路；開(kāi)關(guān)裝置，向所述開(kāi)關(guān)裝置施加所述電流鏡像電路的輸出電流；以及共柵共漏放大電路，用于提供所述開(kāi)關(guān)裝置的輸出電流作為驅(qū)動(dòng)電流。
2.一種電流驅(qū)動(dòng)電路，包括偏壓產(chǎn)生器，包括第一晶體管，其柵極端子和漏極端子連接在一起；第二晶體管，其源極端子與所述第一晶體管的所述漏極端子相連，并且柵極端子和漏極端子連接在一起；以及電流源，使參考電流流到所述第二晶體管；以及電流輸出單元，包括第三晶體管，其柵極端子與所述第一晶體管的所述柵極端子相連；第四晶體管，其柵極端子與所述第二晶體管的所述柵極端子相連；以及開(kāi)關(guān)裝置，所述開(kāi)關(guān)裝置設(shè)置在所述第三晶體管的漏極端子和所述第四晶體管的源極端子之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于還包括多個(gè)所述電流輸出單元；以及多個(gè)端子，所述端子與所述多個(gè)電流輸出單元的所述第四晶體管的每一個(gè)漏極端子相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于所述多個(gè)電流輸出單元中的每一個(gè)提供已經(jīng)加權(quán)的電流作為輸出。
5.一種電流驅(qū)動(dòng)電路，包括根據(jù)權(quán)利要求2所述的多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路；以及與所述多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路的所述第四晶體管中的每個(gè)晶體管的漏極端子相連的端子。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電流驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于所述多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)電路中的每一個(gè)提供已加權(quán)的電流作為輸出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于所述開(kāi)關(guān)裝置由控制信號(hào)接通和斷開(kāi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于所述開(kāi)關(guān)裝置由控制信號(hào)接通和斷開(kāi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于所述控制信號(hào)是顯示器的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于所述控制信號(hào)是顯示器的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于所述開(kāi)關(guān)裝置是MOS晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于所述開(kāi)關(guān)裝置是MOS晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于所述開(kāi)關(guān)裝置是包括多個(gè)開(kāi)關(guān)裝置的開(kāi)關(guān)組，并且所述開(kāi)關(guān)組對(duì)顯示器的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行解碼。
14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于所述開(kāi)關(guān)裝置是包括多個(gè)開(kāi)關(guān)裝置的開(kāi)關(guān)組，并且所述開(kāi)關(guān)組對(duì)顯示器的灰度數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行解碼。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于包括與所述第三晶體管的源極端子相連的開(kāi)關(guān)裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于包括與所述第三晶體管的源極端子相連的開(kāi)關(guān)裝置。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于包括與所述第一晶體管的源極端子相連并且總是處于接通狀態(tài)的開(kāi)關(guān)裝置。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電流驅(qū)動(dòng)電流，其特征在于包括與所述第一晶體管的源極端子相連并且總是處于接通狀態(tài)的開(kāi)關(guān)裝置。
19.一種顯示器，包括按照矩陣排列的有機(jī)EL元件；電流驅(qū)動(dòng)電路和掃描電路，用于使驅(qū)動(dòng)電流流到所述有機(jī)EL元件；以及信號(hào)處理電路，用于接收?qǐng)D像數(shù)據(jù)信號(hào)作為輸入，向所述電流驅(qū)動(dòng)電路提供灰度數(shù)據(jù)信號(hào)，并且向所述掃描電路提供掃描控制信號(hào)；以及其中，所述顯示器設(shè)置有根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動(dòng)電路作為所述電流驅(qū)動(dòng)電路。
20.一種顯示器，包括按照矩陣排列的有機(jī)EL元件；電流驅(qū)動(dòng)電路和掃描電路，用于使驅(qū)動(dòng)電流流到所述有機(jī)EL元件；以及信號(hào)處理電路，用于接收?qǐng)D像數(shù)據(jù)信號(hào)作為輸入，向所述電流驅(qū)動(dòng)電路提供灰度數(shù)據(jù)信號(hào)，并且向所述掃描電路提供掃描控制信號(hào)；以及其中，所述顯示器設(shè)置有根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流驅(qū)動(dòng)電路作為所述電流驅(qū)動(dòng)電路。
全文摘要
提出了一種電流驅(qū)動(dòng)電路，所述電流驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置有偏壓產(chǎn)生器和電流輸出單元；其中所述偏壓產(chǎn)生器設(shè)置有p溝道MOS晶體管、p溝道MOS晶體管和參考電流源；以及電流輸出單元設(shè)置有p溝道MOS晶體管、開(kāi)關(guān)裝置、p溝道MOS晶體管和輸出端子。
文檔編號(hào)G05F3/26GK1532791SQ200410008569
公開(kāi)日2004年9月29日 申請(qǐng)日期2004年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月24日
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