本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種像素電路及其驅(qū)動方法和有機發(fā)光顯示器。

背景技術(shù)：

近年來，隨著信息技術(shù)、無線移動通訊和信息家電的快速發(fā)展與應用，人們對電子產(chǎn)品的依賴性與日俱增，更帶來各種顯示技術(shù)及顯示裝置的蓬勃發(fā)展。其中，平板顯示裝置因具有完全平面化、輕、薄、省電等優(yōu)點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

隨著平板顯示技術(shù)的發(fā)展，對平板顯示裝置的大尺寸化和高分辨率的要求越來越高。非晶硅(a-si)材料由于其電子遷移率較低，在大尺寸、高分辨率、高響應速度的平板顯示裝置上使用時越來越受到限制。低溫多晶硅(low temperature poly-silicon，簡稱為LTPS)材料和以銦鎵鋅氧化物(IGZO)為代表的氧化物半導體由于具有較高的電子遷移率，適合制作大尺寸、高分辨率的平板顯示裝置，因此受到了廣泛的關(guān)注和應用。

有機發(fā)光顯示器是利用薄膜晶體管(英文全稱Thin Film Transistor，簡稱TFT)來控制有機發(fā)光二極管(英文全稱Organic Lighting Emitting Diode，簡稱OLED)進行顯示圖像的平板顯示裝置，其顯示方式與傳統(tǒng)的薄膜晶體管液晶顯示器(英文全稱Thin Film Transistor liquid crystal display，簡稱TFT-LCD)顯示方式不同，無需背光燈，而且，具有對比度高、響應速度快、輕薄等諸多優(yōu)點。因此，有機發(fā)光顯示器被譽為可以取代薄膜晶體管液晶顯示器的新一代的平板顯示裝置。

為了實現(xiàn)大尺寸和高分辨率，有機發(fā)光顯示器通常采用低溫多晶硅或氧化物半導體制作薄膜晶體管(TFT)，由所述薄膜晶體管構(gòu)成的像素電路，用于控制有機發(fā)光二極管的發(fā)光。然而，在實際制造過程中發(fā)現(xiàn)，TFT器件往往存在閾值電壓漂移現(xiàn)象，采用氧化物半導體制作的TFT器件尤為嚴重。由于像素的亮度是由像素電路控制的，TFT器件的閾值電壓漂移會導致像素的亮度不一致。因此，現(xiàn)有的有機發(fā)光顯示器很難顯示具有均勻亮度的圖像。

基此，如何解決現(xiàn)有的有機發(fā)光顯示器由于薄膜晶體管閾值電壓漂移而導致亮度均勻性差的問題，成了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種像素電路及其驅(qū)動方法和有機發(fā)光顯示器，以解決現(xiàn)有的有機發(fā)光顯示器由于薄膜晶體管的閾值電壓漂移而導致亮度均勻性差的問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種像素電路，所述像素電路包括：第一薄膜晶體管，其第一電極與數(shù)據(jù)線連接，其第二電極與第一節(jié)點連接，其柵極連接到第一掃描線；

第二薄膜晶體管，其第一電極與第一電源連接，其第二電極與有機發(fā)光二極管的陽極連接，其第三電極與第二節(jié)點連接，其柵極連接到第一節(jié)點；

第三薄膜晶體管，其第一電極與第二節(jié)點連接，其第二電極與第三電源連接，其柵極連接到第一掃描線；

第四薄膜晶體管，其第一電極與第三電源連接，其第二電極與有機發(fā)光二極管的陽極連接，其柵極連接到第二掃描線；

第一電容，連接在第一電源與第一節(jié)點之間；以及

第二電容，連接在第一電源與第二節(jié)點之間。

可選的，在所述的像素電路中，所述有機發(fā)光二極管的陰極與第二電源連接，所述第一電源和第二電源用作所述有機發(fā)光二極管的驅(qū)動電源；

所述第三電源用于提供初始化電壓，所述初始化電壓為高電平。

可選的，在所述的像素電路中，所述第一薄膜晶體管和第三薄膜晶體管的導通和截止均由第一掃描線提供的第一掃描信號控制，所述第四薄膜晶體管的導通和截止由第二掃描線提供的第二掃描信號控制，所述第二薄膜晶體管的導通和截止由第一節(jié)點的電位控制。

可選的，在所述的像素電路中，所述第二薄膜晶體管作為驅(qū)動晶體管，所述第二薄膜晶體管提供至所述有機發(fā)光二極管的電流由數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓和第一電源提供的第一電源電壓決定，而與所述第二薄膜晶體管的閾值電壓無關(guān)。

可選的，在所述的像素電路中，所述第一薄膜晶體管至第四薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管。

可選的，在所述的像素電路中，所述第一薄膜晶體管至第四薄膜晶體管均為銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管。

相應的，本發(fā)明還提供了一種像素電路的驅(qū)動方法，所述像素電路的驅(qū)動方法包括：掃描周期包括第一時間段、第二時間段和第三時間段，其中，

在第一時間段，第一掃描線提供的第一掃描信號和第二掃描線提供的第二掃描信號均由低電平變?yōu)楦唠娖?，打開第一薄膜晶體管、第三薄膜晶體管和第四薄膜晶體管，通過第三電源對第二節(jié)點和有機發(fā)光二極管的陽極進行初始化；

在第二時間段，第一掃描線提供的第一掃描信號由低電平變?yōu)楦唠娖?，第二掃描線提供的第二掃描信號保持低電平，打開第一薄膜晶體管和第三薄膜晶體管的同時關(guān)閉第四薄膜晶體管，將數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓寫入第一節(jié)點；

在第三時間段，第一掃描線提供的第一掃描信號由高電平變?yōu)榈碗娖?，第二掃描線提供的第二掃描信號保持低電平，關(guān)閉第一薄膜晶體管、第三薄膜晶體管和第四薄膜晶體管，第二薄膜晶體管輸出電流并驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管發(fā)光。

可選的，在所述的像素電路的驅(qū)動方法中，在第一時間段，所述第三電源提供的初始化電壓和所述數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓均為高電平，且所述初始化電壓和數(shù)據(jù)電壓的電壓差等于薄膜晶體管的閾值電壓；

在第二時間段，所述數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓為高電平，所述第三電源提供的初始化電壓為低電平；

在第三時間段，所述第三電源提供的初始化電壓和所述數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓均為低電平。

可選的，在所述的像素電路的驅(qū)動方法中，所述掃描周期還包括第四時間段，所述第四時間段設置于第一時間段和第二時間段之間；

在第四時間段，第一掃描線提供的第一掃描信號和第二掃描線提供的第二掃描信號均由高電平變?yōu)榈碗娖?，關(guān)閉第一薄膜晶體管、第三薄膜晶體管和第四薄膜晶體管，停止對第二節(jié)點和有機發(fā)光二極管的陽極進行初始化。

相應的，本發(fā)明還提供了一種有機發(fā)光顯示器，所述有機發(fā)光顯示器包括如上所述的像素電路。

在本發(fā)明提供的像素電路及其驅(qū)動方法和有機發(fā)光顯示器中，采用四端結(jié)構(gòu)的第二薄膜晶體管作為驅(qū)動晶體管，利用第三電源將第二薄膜晶體管的閾值電壓預先存儲于第二薄膜晶體管的源極，使得所述第二薄膜晶體管后續(xù)輸出的電流由數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓和第一電源提供的第一電源電壓決定，而與所述第二薄膜晶體管的閾值電壓無關(guān)，因此能夠避免閾值電壓偏差引起的亮度不均，由此，采用所述像素電路及其驅(qū)動方法的有機發(fā)光顯示器能夠避免由閾值電壓漂移而引起的顯示問題，從而提高亮度均勻性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例的第二薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例的像素電路的驅(qū)動方法的時序圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的一種像素電路及其驅(qū)動方法和有機發(fā)光顯示器作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

請參考圖1，其為本發(fā)明實施例的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，所述像素電路20包括：

第一薄膜晶體管T1，其第一電極與數(shù)據(jù)線Data連接，其第二電極與第一節(jié)點N1連接，其柵極連接到第一掃描線Scan1；

第二薄膜晶體管T2，其第一電極與第一電源ELVDD連接，其第二電極與有機發(fā)光二極管OLED的陽極連接，其第三電極與第二節(jié)點N2連接，其柵極連接到第一節(jié)點N1；

第三薄膜晶體管，其第一電極與第二節(jié)點N2連接，其第二電極與第三電源Ref連接，其柵極連接到第一掃描線Scan1；

第四薄膜晶體管，其第一電極與第三電源Ref連接，其第二電極與有機發(fā)光二極管OLED的陽極連接，其柵極連接到第二掃描線Scan2；

第一電容C1，連接在第一電源ELVDD與第一節(jié)點N1之間；以及

第二電容C2，連接在第一電源ELVDD與第二節(jié)點N2之間。

具體的，所述像素電路20和有機發(fā)光二極管OLED接收從外部(例如，從電源)提供的第一電源ELVDD，第二電源ELVSS和第三電源Ref。其中，所述第一電源ELVDD是高電勢像素電源，所述第二電源ELVSS是低電勢像素電源，所述第一電源ELVDD和第二電源ELVSS用作所述有機發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電源。

應當理解，此處的高電勢像素電源是相對于此處的低電勢像素電源而言，即，所述第一電源ELVDD的電勢相對于第二電源ELVSS較高，所述第二電源ELVSS的電勢相對于第一電源ELVDD較低。

如圖1所示，所述有機發(fā)光二極管OLED的陽極與像素電路20連接，所述有機發(fā)光二極管OLED的陰極與第二電源ELVSS連接，所述像素電路20與第一電源ELVDD、第二電源ELVSS和第三電源Ref連接，所述第一電源ELVDD用于提供第一電源電壓VDD，所述第二電源ELVSS用于提供第二電源電壓VSS，第三電源Ref用于提供初始化電壓Vref，所述像素電路20用于控制供應到所述有機發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流。

請繼續(xù)參考圖1，所述像素電路20是一種4T2C型電路結(jié)構(gòu)，包括4個晶體管和2個電容。其中，第一薄膜晶體管T1、第三薄膜晶體管T3和第四薄膜晶體管T4均為傳統(tǒng)的三端結(jié)構(gòu)，所述三端結(jié)構(gòu)的三端分別為第一電極、第二電極和柵極。第二薄膜晶體管T2為四端結(jié)構(gòu)，所述四端結(jié)構(gòu)的四端分別為第一電極、第二電極、柵極和控制電極。在第一薄膜晶體管T1至第四薄膜晶體管T4中，第一電極和第二電極是不同的電極。例如，當?shù)谝浑姌O被設置為源極時，第二電極被設置為漏極。

其中，所述第一薄膜晶體管T1至第四薄膜晶體管T4可以選用P型薄膜晶體管，也可以選用N型薄膜晶體管。公知的，P型薄膜晶體管在柵極信號為低電平位時導通，N型薄膜晶體管在柵極信號為高電平位時導通。因此，只要將選擇的晶體管類型與導通電位相匹配即可。

本實施例中，所述第一薄膜晶體管T1至第四薄膜晶體管T4均為N型薄膜晶體管。

優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管T1至第四薄膜晶體管T4均為銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管(IGZO TFT)。

請繼續(xù)參考圖1，第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的導通和截止均由第一掃描線Scan1提供的第一掃描信號控制，所述第一掃描信號用于控制數(shù)據(jù)信號的寫入，第四薄膜晶體管T4的導通和截止均由第二掃描線Scan2提供的第二掃描信號控制，所述第二掃描信號用于控制有機發(fā)光二極管OLED的陽極電壓的初始化，第二薄膜晶體管T2的導通和截止由第一節(jié)點N1的電位控制。

當?shù)谝粧呙杈€Scan1提供的第一掃描信號躍遷到高電平時，第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3導通，數(shù)據(jù)線Data提供的數(shù)據(jù)信號經(jīng)由第一薄膜晶體管T1寫入第一節(jié)點N1，同時第三電源Ref提供的初始化電壓Vref經(jīng)由第三薄膜晶體管T3施加到第二節(jié)點N2。

當?shù)诙呙杈€Scan2提供的第二掃描信號躍遷到高電平時，第四薄膜晶體管T4均導通，第三電源Ref提供的初始化電壓Vref經(jīng)由第四薄膜晶體管T4施加到所述有機發(fā)光二極管OLED的陽極。

本實施例中，第二薄膜晶體管T2作為像素的驅(qū)動晶體管，對應于第一節(jié)點N1的電位來控制提供到所述有機發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流，所述有機發(fā)光二極管OLED根據(jù)所述驅(qū)動電流發(fā)出對應亮度的光，從而顯示圖像。

當?shù)谝还?jié)點N1的電位為高電平時，第二薄膜晶體管T2導通，第二薄膜晶體管T2輸出的驅(qū)動電流沿第一電源ELVDD經(jīng)第二薄膜晶體管T2和有機發(fā)光二極管OLED的路徑流到第二電源ELVSS，致使有機發(fā)光二極管OLED點亮發(fā)光。

請參考圖2，其為本發(fā)明實施例的第二薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，第二薄膜晶體管T2包括依次形成于襯底10上的柵極11、柵極絕緣層12、溝道13、源極14、漏極15和控制電極16，所述第二薄膜晶體管在傳統(tǒng)的三端結(jié)構(gòu)(即柵極11、源極14和漏極15)的基礎(chǔ)上增設了控制電極16。由于第二薄膜晶體管T2采用了四端結(jié)構(gòu)，因此大大提高了電子遷移率。而且，由于所述控制電極16與源極14、漏極15之間均沒有任何交疊，因此不會產(chǎn)生寄生電容等問題。

本實施例中，所述像素電路20具有閾值電壓補償功能，能夠有效補償驅(qū)動晶體管的閾值電壓變化，從而避免驅(qū)動晶體管的閾值電壓漂移而導致亮度不均現(xiàn)象。

相應的，本發(fā)明還提供了一種像素電路的驅(qū)動方法。請結(jié)合參考圖1和圖2，所述像素電路的驅(qū)動方法包括：

掃描周期包括第一時間段t1、第二時間段t2和第三時間段t3，其中，

在第一時間段t1，第一掃描線Scan1提供的第一掃描信號和第二掃描線Scan2提供的第二掃描信號均由低電平變?yōu)楦唠娖?，打開第一薄膜晶體管T1、第三薄膜晶體管T3和第四薄膜晶體管T4，通過第三電源Ref對第二節(jié)點N2和有機發(fā)光二極管OLED的陽極進行初始化；

在第二時間段t2，第一掃描線Scan1提供的第一掃描信號由低電平變?yōu)楦唠娖剑诙呙杈€Scan2提供的第二掃描信號保持低電平，打開第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3的同時關(guān)閉第四薄膜晶體管T4，將數(shù)據(jù)線Dm提供的數(shù)據(jù)電壓Vdata寫入第一節(jié)點N1；

在第三時間段t3，第一掃描線Scan1提供的第一掃描信號由高電平變?yōu)榈碗娖?，第二掃描線Scan2提供的第二掃描信號保持低電平，關(guān)閉第一薄膜晶體管T1、第三薄膜晶體管T3和第四薄膜晶體管T4，第二薄膜晶體管T2輸出電流并驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管OLED發(fā)光。

具體的，在第一時間段t1，由于第一掃描線Scan1提供的第一掃描信號由低電平變?yōu)楦唠娖?，受第一掃描信號控制的第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3由截止變?yōu)閷?，同時由于第二掃描線Scan2提供的第二掃描信號由低電平變?yōu)楦唠娖?，受第二掃描信號控制的第四薄膜晶體管T4也由截止變?yōu)閷?。因此，第三電源Ref提供的初始化電壓Vref經(jīng)由第三薄膜晶體管T3施加到第二節(jié)點N2，與此同時，第三電源Ref提供的初始化電壓Vref經(jīng)由第四薄膜晶體管T4施加到有機發(fā)光二極管OLED的陽極。

第一時間段t1為初始化時間段，在此期間利用第三電源Ref對有機發(fā)光二極管OLED的陽極進行初始化。初始化之后，所述有機發(fā)光二極管OLED的陽極電壓為初始化電壓Vref。

在此過程中，由于初始化電壓Vref同時施加到第二節(jié)點N2，因此第二節(jié)點N2的電壓等于初始化電壓Vref。由于數(shù)據(jù)線Dm提供的數(shù)據(jù)電壓Vdata經(jīng)由第一薄膜晶體管T1寫入第一節(jié)點N1，因此第一節(jié)點N1的電壓(即第二薄膜晶體管T2的柵極電壓)等于Vdata。

在第一時間段t1，所述初始化電壓Vref和數(shù)據(jù)電壓Vdata均為高電平，而且所述初始化電壓Vref和數(shù)據(jù)電壓Vdata的電壓差等于薄膜晶體管的閾值電壓Vth。此時，第二薄膜晶體管T2打開(即處于導通狀態(tài))，薄膜晶體管的閾值電壓Vth存儲于第二薄膜晶體管T2的源極。

在第二時間段t2，由于第一掃描線Scan1提供的第一掃描信號由低電平變?yōu)楦唠娖?，受第一掃描信號控制的第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3由截止變?yōu)閷ǎ瑫r由于第二掃描線Scan2提供的第二掃描信號保持為低電平，受第二掃描信號控制的第四薄膜晶體管T4保持截止狀態(tài)。

此時，第三電源Ref提供的初始化電壓Vref繼續(xù)經(jīng)由第三薄膜晶體管T3施加到第二節(jié)點N2，與此同時第三電源Ref提供的初始化電壓Vref無法經(jīng)由第四薄膜晶體管T4施加到有機發(fā)光二極管OLED的陽極。

第二時間段t2為數(shù)據(jù)寫入階段，在此期間數(shù)據(jù)線Dm提供的數(shù)據(jù)電壓Vdata經(jīng)由第一薄膜晶體管T1寫入第一節(jié)點N1，由此將數(shù)據(jù)電壓Vdata存儲到存儲電容C1中。

此時，第一節(jié)點N1的電壓等于數(shù)據(jù)電壓Vdata，第二節(jié)點N2的電壓等于初始化電壓Vref。由于所述數(shù)據(jù)電壓Vdata在第二時間段t2為高電平，所述初始化電壓Vref在第二時間段t2為低電平，因此第二薄膜晶體管T2雖然處于導通狀態(tài)，但開態(tài)電流較第一時間段t1要小。

在第三時間段t3，由于第一掃描線Scan1提供的第一掃描信號由高電平變?yōu)榈碗娖?，受第一掃描信號控制的第一薄膜晶體管T1和第三薄膜晶體管T3由導通變?yōu)榻刂梗瑫r由于第二掃描線Scan2提供的第二掃描信號保持低電平，受第二掃描信號控制的第四薄膜晶體管T4保持截止狀態(tài)。

此時，所述第三電源提供的初始化電壓Vref和所述數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓Vdata均為低電平。由于第一節(jié)點N1的電壓仍為高電平，因此第二薄膜晶體管T2導通，第二薄膜晶體管T2輸出電流并驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管OLED發(fā)光。

第三時間段t3為發(fā)光階段，此時第二薄膜晶體管T2的源極電壓為VDD+|Vth|，第二薄膜晶體管T2的柵極電壓等于第一節(jié)點N1的電壓，即Vdata，因此，第二薄膜晶體管T2的柵源電壓Vgs(即所述第二薄膜晶體管T2的柵極和源極之間的電壓差)的計算公式為：

Vgs＝(VDD+|Vth|)-Vdata 公式1；

而流過所述有機發(fā)光二極管OLED的電流Ion的計算公式為：

Ion＝K×(Vgs-|Vth|)² 公式2；

其中，K為晶體管的電子遷移率、寬長比、單位面積電容三者之積。

根據(jù)公式1和公式2可得：

Ion＝K×(VDD-Vdata)² 公式3；

基于公式3的表達式可知，流過所述有機發(fā)光二極管OLED的電流Ion只與數(shù)據(jù)電壓Vdata和第一電源ELVDD提供的第一電源電壓VDD以及常數(shù)K有關(guān)，與第二電源ELVSS提供的第二電源電壓VSS以及第二薄膜晶體管T2的閾值電壓Vth都沒有關(guān)系。因此，即使第二薄膜晶體管T2的閾值電壓Vth出現(xiàn)偏差，也不會對流過所述有機發(fā)光二極管OLED的電流Ion造成影響。因此，采用所述像素電路20及其驅(qū)動方法能夠?qū)崿F(xiàn)閾值電壓的補償，避免因閾值電壓偏差而造成亮度不均現(xiàn)象。

請繼續(xù)參考圖1和圖2，掃描周期還包括第四時間段t4，所述第四時間段t4設置于第一時間段t1和第二時間段t2之間。在第四時間段t4，第一掃描線Scan1提供的第一掃描信號和第二掃描線Scan2提供的第二掃描信號均由高電平變?yōu)榈碗娖?，關(guān)閉第一薄膜晶體管T1、第三薄膜晶體管T3和第四薄膜晶體管T4，停止對第二節(jié)點N2和有機發(fā)光二極管OLED的陽極進行初始化。

所述初始化電壓Vref和數(shù)據(jù)電壓Vdata在第四時間段t4均為低電平，因此第二薄膜晶體管T2打開(即處于導通狀態(tài))

重復第一時間段t1、第四時間段t4、第二時間段t2和第三時間段t3的工作過程，完成圖像顯示功能。

在本實施例提供的像素電路的驅(qū)動方法中，先通過初始化時間段將閾值電壓Vth儲存于驅(qū)動晶體管(即第二薄膜晶體管T2)的源極，之后利用驅(qū)動晶體管的柵源電壓差將閾值電壓Vth抵消，從而達到補償目的。

相應的，本發(fā)明還提供了一種有源矩陣有機發(fā)光顯示器，所述有源矩陣有機發(fā)光顯示器包括如上所述的像素電路20。具體請參考上文，此處不再贅述。

綜上，在本發(fā)明提供的像素電路及其驅(qū)動方法和有機發(fā)光顯示器中，采用四端結(jié)構(gòu)的第二薄膜晶體管作為驅(qū)動晶體管，利用第三電源將第二薄膜晶體管的閾值電壓預先存儲于第二薄膜晶體管的源極，使得所述第二薄膜晶體管后續(xù)輸出的電流由數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓和第一電源提供的第一電源電壓決定，而與所述第二薄膜晶體管的閾值電壓無關(guān)，因此能夠避免閾值電壓偏差引起的亮度不均，由此，采用所述像素電路及其驅(qū)動方法的有機發(fā)光顯示器能夠避免由閾值電壓漂移而引起的顯示問題，從而提高亮度均勻性。

上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護范圍。