迂回式紅外傳感器的制造方法
【專利說明】
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本專利申請要求2012年8月31提交的美國臨時申請61/695, 361的優(yōu)先權(quán)，其全 部內(nèi)容在此通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明涉及一種傳感器裝置以及一種制造這樣的裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 根據(jù)熟知為普朗克輻射定律、史蒂芬-玻爾茲曼定律和維恩位移定律的定律，處 于任何非零溫度的物體福射可描述為電磁波或光子的電磁能。維恩位移定律認(rèn)為物體福射 的最長的波長（x_)與物體的溫度大致成反比，大致描述為下述公式：
[0005]
【主權(quán)項】
1. 一種MEMS傳感器，其包括： 鏡；和 與所述鏡間隔開的吸收體，所述吸收體包括多個間隔開的導(dǎo)電臂，所述多個間隔開的 導(dǎo)電臂跨越所述鏡正上方的區(qū)域地限定蜿蜒路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器，其還包括： 所述吸收體中的至少一個導(dǎo)電端部，所述至少一個導(dǎo)電端部與所述多個間隔開的導(dǎo)電 臂中的第一導(dǎo)電臂和第二導(dǎo)電臂電連通，并且所述至少一個導(dǎo)電端部如此構(gòu)造，使得當(dāng)投 影在由所述鏡限定的平面上時所述至少一個端部不限定任何90度角。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS傳感器，其中，所述至少一個導(dǎo)電端部如此構(gòu)造，使得當(dāng) 投影在由所述鏡限定的平面上時所述至少一個導(dǎo)電端部限定一個內(nèi)曲線和一個外曲線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器，其中，所述多個間隔開的導(dǎo)電臂和所述至少一 個導(dǎo)電端部如此構(gòu)造，使得當(dāng)投影到所述平面上時所述多個間隔開的導(dǎo)電臂和至少一個導(dǎo) 電端部限定迂回式形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器，其中，所述多個間隔開的導(dǎo)電臂中的每一個包 括多個層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS傳感器，其中，所述多個層包括： 襯底層； 所述襯底層的上表面上的導(dǎo)電層；和 所述導(dǎo)電層的上表面上的絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器，其中，所述多個間隔開的導(dǎo)電臂中的每一個限 定大致I形梁形狀的橫截面。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器，其中，所述多個間隔開的導(dǎo)電臂中的每一個限 定大致"U"形橫截面。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器，其中，所述多個間隔開的導(dǎo)電臂和至少一個導(dǎo) 電端部形成在支承板內(nèi)，所述支承板至少從所述鏡的第一端的正上方延伸至所述鏡的第二 端的正上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器，其還包括： 第一支承柱，其在所述平面的上方延伸并且支承所述吸收體的第一端； 第二支承柱，其在所述平面的上方延伸并且支承所述吸收體的第二端。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MEMS傳感器，其還包括： 絕緣體層，其在所述絕緣體層的上表面上支承所述鏡； 鍵合環(huán)，其支承在所述絕緣體層的上表面上； 第一饋通部，其在所述鍵合環(huán)下方延伸穿過絕緣體層并且與所述第一支承柱電連通； 第二饋通部，其在所述鍵合環(huán)下方延伸穿過絕緣體層并且與所述第二支承柱電連通。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器，其中，所述間隔開的第一導(dǎo)電臂和第二導(dǎo)電臂 當(dāng)投影到所述平面上時在所述第一導(dǎo)電臂和所述第二導(dǎo)電臂之間限定一間隙，所述間隙的 最小寬度比所述MEMS傳感器的目標(biāo)波長更小。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的MEMS傳感器，其中，所述多個間隔開的導(dǎo)電臂中的第一導(dǎo) 電臂限定最小臂寬度，所述最小臂寬度當(dāng)投影到所述平面上時小于所述目標(biāo)波長。
14. 一種用于形成MEMS傳感器的方法，所述方法包括： 設(shè)置絕緣層； 在所述絕緣層上形成鏡； 通過形成多個間隔開的導(dǎo)電臂而形成與所述鏡間隔開的吸收體，所述多個間隔開的導(dǎo) 電臂跨越所述鏡正上方的區(qū)域地限定蜿蜒路徑。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的形成MEMS傳感器的方法，所述方法還包括： 形成至少一個導(dǎo)電端部，所述至少一個導(dǎo)電端部與所述鏡間隔開并且與所述多個導(dǎo)電 臂中的第一導(dǎo)電臂和第二導(dǎo)電臂電連通，并且所述至少一個導(dǎo)電端部如此構(gòu)造，使得當(dāng)投 影在由所述鏡限定的平面上時所述至少一個端部不限定任何90度角。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的形成MEMS傳感器的方法，其中，形成至少一個導(dǎo)電端部包 括如此形成所述至少一個導(dǎo)電端部，使得當(dāng)投影在由所述鏡限定的平面上時所述至少一個 導(dǎo)電端部限定一個內(nèi)曲線和一個外曲線。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的形成MEMS傳感器的方法，其中，形成所述多個間隔開的導(dǎo) 電臂和形成所述至少一個導(dǎo)電端部包括如此形成所述多個間隔開的導(dǎo)電臂和所述至少一 個導(dǎo)電端部，使得當(dāng)投影到所述平面上時所述多個間隔開的導(dǎo)電臂和至少一個導(dǎo)電端部限 定迂回式路徑。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的形成MEMS傳感器的方法，其中，形成所述多個間隔開的導(dǎo) 電臂包括： 形成襯底層； 在所述襯底層的上表面上形成導(dǎo)電層； 在所述導(dǎo)電層的上表面上形成絕緣層。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的形成MEMS傳感器的方法，所述方法還包括： 識別所述MEMS傳感器的目標(biāo)波長，其中，形成所述多個間隔開的導(dǎo)電臂包括以小于所 述目標(biāo)波長的距離使所述多個間隔開的導(dǎo)電臂中的第一導(dǎo)電臂和第二導(dǎo)電臂間隔開。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的形成MEMS傳感器的方法，其中，形成所述多個間隔開的導(dǎo) 電臂包括以最小臂寬度形成所述多個間隔開的導(dǎo)電臂中的每一個，所述最小臂寬度當(dāng)投影 到所述鏡上時小于所述目標(biāo)波長。
【專利摘要】在一個實施例中，MEMS傳感器包括鏡和與鏡間隔開的吸收體，所述吸收體包括多個間隔開的導(dǎo)電臂，所述多個間隔開的導(dǎo)電臂跨越所述鏡正上方的區(qū)域地限定蜿蜒路徑。
【IPC分類】G01J5-08, G01J5-02, G01J5-04, G01J5-20, G01J5-06
【公開號】CN104781641
【申請?zhí)枴緾N201380056207
【發(fā)明人】F·普爾科利, G·亞馬, A·費伊, G·奧布賴恩
【申請人】羅伯特·博世有限公司, F·普爾科利, G·亞馬, A·費伊, G·奧布賴恩
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2013年8月29日
【公告號】DE112013004275T5, US20140061845, WO2014036250A2, WO2014036250A3