、134的上端部的接合位置也關(guān)于非晶線12的延伸方向而被螺旋配置。如此利用下線圈231、上線圈232及柱133、134，形成周繞非晶線12的檢測(cè)線圈13。
[0054]順帶一提，若為本實(shí)施例的情形，在基板11使用氧化鋁(陶瓷/非磁性體)基板。其中，本發(fā)明所使用的基板的材質(zhì)、大小等并未特別限定，除了氧化鋁基板以外，也可使用例如硅晶圓。此外，在非晶線12使用由Co-Fe-S1-B系合金所制成的直徑:10?30 μπι的附玻璃被覆的線材。
[0055]由下線圈131所構(gòu)成的下配線層(第一配線層)的形成(第一配線層形成工程)、由絕緣樹脂體14及柱133、134所構(gòu)成的中間層的形成(中間層形成工程)、及由上線圈132所構(gòu)成的上配線層(第二配線層)的形成(第二配線層形成工程)主要利用光微影來進(jìn)行。具體而言，利用進(jìn)行薄的Ti/Cu種層的形成、阻劑的涂布、利用屏蔽所進(jìn)行的曝光、顯影、銅鍍敷、阻劑去除、利用選擇蝕刻所進(jìn)行的Ti/Cu種層去除等來形成。此時(shí)，由上線圈132所構(gòu)成的上配線層以與基板11的平坦面呈大致平行的方式形成。此外，柱133、134將設(shè)在由絕緣樹脂體14所構(gòu)成的絕緣層的通孔以銅鍍敷進(jìn)行填充來形成。絕緣樹脂體14利用對(duì)配置在基板11的平坦面上的非晶線12的周圍，滴下以溶劑稀釋的液狀環(huán)氧樹脂，使該環(huán)氧樹脂熱硬化而形成。
[0056]其中，非晶線12的端子141、142與檢測(cè)線圈13的端子151、152也連同下線圈131一起形成在基板11的平坦面上。
[0057]《第二實(shí)施例》
[0058]將作為本發(fā)明的其他實(shí)施例的MI組件2的概要顯示于圖4及圖5。圖4是與圖2相同的剖面圖，圖5是顯示后述的檢測(cè)線圈23的上線圈232側(cè)(省略非晶線12)的部分放大圖。其中，對(duì)與前述第一實(shí)施例相同的構(gòu)件等標(biāo)注相同符號(hào)，且省略它們的說明。此外，在特定位置切斷MI組件2的剖面圖原本并未呈現(xiàn)柱(連結(jié)部)或線圈(配線部)的一部分，但是在圖4所示的剖面圖，為后述說明方便起見，記載出全部線圈或柱。
[0059]MI組件2由:基板11 ;被配設(shè)在基板11上的非晶線12 ;周繞非晶線12的外周圍的檢測(cè)線圈23 ;及保持非晶線12及檢測(cè)線圈23的絕緣樹脂體24(絕緣部)所構(gòu)成。
[0060]檢測(cè)線圈23由以下所構(gòu)成:形成在基板11的平坦面，將非晶線12的下方以斜向進(jìn)行橫穿的交替偏移的由同長(zhǎng)銅箔所構(gòu)成的下線圈231a、231b(將二者一并稱為「下線圈231」/第一配線部)；位于非晶線12的下方兩側(cè)，由各下線圈231的各端部朝基板11的平坦面的法線方向延伸的由小徑的銅柱所構(gòu)成的外側(cè)下柱235a、236a及內(nèi)側(cè)下柱235b、236b (將它們一并稱為「下柱235、236」/第一連結(jié)部);位于非晶線12的中央兩側(cè)，由外側(cè)下柱235a、236a及內(nèi)側(cè)下柱235b、236b的各個(gè)朝基板11的平坦面的法線方向延伸的由大徑的銅柱所構(gòu)成的外側(cè)中柱233a、234a及內(nèi)側(cè)中柱233b、234b (將它們一并稱為「中柱233、234」/中間連結(jié)部)；位于非晶線12的上方兩側(cè)，由外側(cè)中柱233a、234a及內(nèi)側(cè)中柱233b,234b的各個(gè)朝基板11的平坦面的法線方向延伸的由小徑的銅柱所構(gòu)成的外側(cè)上柱237a、238a及內(nèi)側(cè)上柱237b、238b (將它們一并稱為「上柱237、238」/第二連結(jié)部)；及形成在絕緣樹脂體24的上面，由非晶線12的上方以斜向進(jìn)行橫穿的由長(zhǎng)短的多條銅箔所構(gòu)成的上線圈232a、232b (將二者一并稱為「上線圈232」/第二配線部)。
[0061]絕緣樹脂體24由:形成在下線圈231上且圍繞下柱235、236的下絕緣部241 (第一絕緣部)；形成在下絕緣部241上且圍繞中柱233、234的中絕緣部242(中間絕緣部)；及形成在中絕緣部242上且圍繞上柱237、238的上絕緣部243 (第二絕緣部)所構(gòu)成。
[0062]如上所示MI組件2在下線圈231與上線圈232之間由以下三層所構(gòu)成:由下柱235,236及下絕緣部241所構(gòu)成的第一層、由中柱233、234及中絕緣部242所構(gòu)成的中間層、及由上柱237、238及上絕緣部243所構(gòu)成的第二層。
[0063]此外，若為MI組件2的情形，沿著非晶線12的延伸方向，下柱235、236、中柱233、234及上柱237、238 (將它們一并僅稱為「柱239」(鏈接部))被配置在與非晶線12的距離為較近的內(nèi)側(cè)、及該距離為較遠(yuǎn)的外側(cè)的二列。也即，沿著非晶線12的延伸方向鄰接的各柱239形成為交替偏移的交錯(cuò)配置。
[0064]配合這些柱239的配置，下線圈231及上線圈232的形成如圖5所示。具體而言，下線圈231a的各端部與下柱235a、236b相連結(jié)，下線圈231b的各端部與下柱235b、236a相連結(jié)。此外，上線圈232a的各端部與外側(cè)上柱237a、238a相連結(jié)，上線圈232b的各端部與內(nèi)側(cè)上柱237b、238b相連結(jié)。下線圈231a與下線圈231b分別同寬度、同長(zhǎng)度，但是在沿著非晶線12的延伸方向的鄰接間使配置交替偏移。上線圈232a與上線圈232b雖然同寬度，但是上線圈232a由于兩端部與外側(cè)上柱237a、238a相接合，因此比兩端部與內(nèi)側(cè)上柱237b,238b相接合的上線圈232b為更長(zhǎng)。上線圈232a與上線圈232b沿著非晶線12的延伸方向，以鄰接間交替配置之處是與下線圈231的情形相同。
[0065]如上所示，下線圈231、上線圈232及柱239沿著非晶線12的延伸方向作螺旋配置，藉此構(gòu)成周繞非晶線12的檢測(cè)線圈23。
[0066]在本實(shí)施例的檢測(cè)線圈23中，由于沿著非晶線12的延伸方向相鄰接的各柱239形成為交錯(cuò)配置，因此雖然使中柱233、234比下柱235、236或上柱237、238為更粗，但是可縮短它們的配置間隔(間距(pitch))。因此，關(guān)于非晶線12的延伸方向的檢測(cè)線圈23的間距也可縮短，結(jié)果，可兼顧因MI組件2的精細(xì)間距化所導(dǎo)致的高輸出化與小型化。
[0067]如上所示的MI組件2也利用與MI組件I相同的光微影，經(jīng)由由下線圈231所構(gòu)成的下配線層(第一配線層)的形成(第一配線層形成工程)、由絕緣樹脂體24及柱239所構(gòu)成的中間層的形成(中間層形成工程)、及由上線圈232所構(gòu)成的上配線層(第二配線層)的形成(第二配線層形成工程)而得。
[0068]更詳言之，該中間層經(jīng)由以下工程等予以制作:在下配線層上形成成為下絕緣部241的第一絕緣層(第一絕緣層形成工程)；形成將第一絕緣層朝基板11的法線方向貫穿的下柱235、236(第一連結(jié)部)、與下柱235、236相連且朝基板11的法線方向延伸的中柱233,234(中間連結(jié)部)、及與中柱233、234相連且朝基板11的法線方向延伸的上柱237、238 (第二連結(jié)部)(鏈接部形成工程)；在第一絕緣層上形成成為埋設(shè)非晶線12的中絕緣部242(中間絕緣部)的中間絕緣層(中間絕緣層形成工程)、在中間絕緣層上形成成為上絕緣部243 (第二絕緣部)的第二絕緣層(第二絕緣層形成工程)等。接著，下絕緣部241、中絕緣部242及上絕緣部243成為絕緣樹脂體24 (絕緣部)，下柱235、236、中柱233、234及上柱237、238成為柱239 (連結(jié)部)。
[0069]其中，本實(shí)施例的上線圈232與下線圈231相同地形成為相對(duì)于基板11的平坦面呈平行，但是實(shí)際上形成為稍微向上凸的平緩彎曲面狀。該程度的彎曲面可謂為相對(duì)于基板11的平坦面呈大致平行。
[0070]《磁敏線的配設(shè)》
[0071](I)若磁敏線未被正確地配設(shè)在由第一配線部、第二配線部、及將它們相連結(jié)的連結(jié)部所構(gòu)成的檢測(cè)線圈內(nèi)的所希望位置(通常為檢測(cè)線圈的中央)時(shí)，會(huì)發(fā)生因MI組件所導(dǎo)致的檢測(cè)精度降低，或因磁敏線與檢測(cè)線圈的短路所造成的動(dòng)作不良。
[0072]因此，MI組件較適于在利用線材導(dǎo)件等而磁敏線被保持在所希望