二)配線圖案所構(gòu)成。
[0034]但是，第二配線部(或作為其集合體的第二配線圖案)若相對于基板的平坦面呈大致平行形成較為合適。在本發(fā)明中，對應(yīng)所使用的磁敏線的外徑，來調(diào)整將絕緣部朝基板的法線方向貫穿的連結(jié)部的高度，藉此即容易形成如上所示的第二配線部。利用該第二配線部的形成，接近至磁敏線的檢測線圈也可以安定的質(zhì)量且有效率地形成。其中，本說明書中所稱的「相對于基板的平坦面呈大致平行」并非局限于MI組件的第二配線圖案以嚴(yán)謹(jǐn)?shù)暮舛c基板的平坦面呈平行的情形。例如，因制造過程等而起，實(shí)物的MI組件的第二配線圖案形成為平緩的彎曲狀時(shí)，也被包含在上述“大致平行”?？傊?，除了意圖將第二配線圖案形成為凸形狀等的情形以外，利用一般的光微影所積層形成的第二配線部并不局限具體的形態(tài)，包含在「相對于基板的平坦面呈大致平行」的范圍。
[0035](2)連結(jié)部
[0036]連結(jié)部由朝基板的平坦面的法線方向延伸的柱狀導(dǎo)體或筒狀導(dǎo)體所構(gòu)成。例如，若積層形成MI組件時(shí)，在所謂通孔或貫穿孔填充或附著導(dǎo)體，藉此形成連結(jié)部。
[0037]連結(jié)部關(guān)于基板的法線方向，剖面形狀可為一定，也可呈變化。例如若將本發(fā)明的絕緣部形成為三層構(gòu)造時(shí)，也可形成對應(yīng)各自的絕緣部的連結(jié)部。也即，若絕緣部由形成在第一配線部上的第一絕緣部、形成在第一絕緣部上且埋設(shè)磁敏線的中間絕緣部、及形成在中間絕緣部上的第二絕緣部所構(gòu)成時(shí)，連結(jié)部若由以下形成即可:將第一絕緣部朝基板的法線方向貫穿而與第一配線部的預(yù)定位置相連的第一連結(jié)部；在磁敏線的兩側(cè)，將中間絕緣部朝基板的法線方向貫穿而與第一連結(jié)部相連的中間連結(jié)部；及將第二絕緣部朝基板的法線方向貫穿而與中間連結(jié)部相連，并且與第二配線部的預(yù)定位置相連的第二連結(jié)部。
[0038]此時(shí)，若使中間連結(jié)部比第一連結(jié)部或第二連結(jié)部為更粗即較為適合。藉此，即使在對應(yīng)檢測線圈的精細(xì)間距化而將第一連結(jié)部或第二連結(jié)部形成為精細(xì)的情形下，也使第一連結(jié)部與中間連結(jié)部之間、或第二連結(jié)部與中間連結(jié)部之間的接合位置的容許范圍放大，可安定地進(jìn)行各連結(jié)部間的電性接合。其中，第一絕緣部或第二絕緣部并不需要固定磁敏線，因此可形成為較薄，據(jù)此，與第一配線部相接合的第一連結(jié)部、或與第二配線部相接合的第二連結(jié)部也關(guān)于基板的法線方向而變得較短，可以不均少且安定的尺寸形成。
[0039]相反地，貫穿中間絕緣部的中間連結(jié)部必須確保磁敏線的大小(直徑)以上的高度，不得不在基板的法線方向?yàn)檩^長。但是，在精細(xì)間距化時(shí)重要之處在于:防止在鄰接的第一配線部與第二配線部的接合部間所產(chǎn)生的短路，并且防止前述因制造不均所造成的斷線。在此點(diǎn)，本發(fā)明如上所述可安定形成第一連結(jié)部及第二連結(jié)部，并且如前所述可調(diào)整連結(jié)部的高度，以安定的質(zhì)量形成第二配線部。因此，可有效地達(dá)成輕易達(dá)成精細(xì)間距化，并且防止斷線。此外，利用將高低差大而容易產(chǎn)生制造不均的中間鏈接部加粗，利用光微影所進(jìn)行的中間鏈接部的制造也較為容易。其中，中間連結(jié)部并非為與第一配線部或第二配線部直接連接的部分，由于法線方向的位置與第一配線部或第二配線部不同，因此即使粗，也不易發(fā)生前述短路的問題。
[0040]此外，若將中間連結(jié)部加粗時(shí)，作為連結(jié)部全體的電阻也被減低，也導(dǎo)致MI組件的高輸出化。其中，本說明書中所稱的各連結(jié)部的粗細(xì)可利用與基板的平坦面呈平行的接合界面中的各連結(jié)部的剖面積的大小來判斷。
[0041]但是，若達(dá)成檢測線圈的精細(xì)間距化時(shí)，必須連同第一配線部及第二配線部的縮幅化一起使其間距縮小化。此時(shí)，也考慮以與各配線部的寬度為相同程度地使連結(jié)部全體變細(xì)，但是形成朝基板的法線方向?yàn)殚L且精細(xì)的連結(jié)部并不容易。
[0042]因此，使連結(jié)部未沿著磁敏線的延伸方向而配列在一直在線，而是沿著其延伸方向，將鄰接的鏈接部錯(cuò)開配置時(shí)，可一面以某程度確保連結(jié)部的粗細(xì)，一面達(dá)成連結(jié)部的間距甚至配線部的間距的縮小化。換言之，本發(fā)明的連結(jié)部可謂為與磁敏線的間隙在沿著磁敏線的延伸方向的鄰接間彼此為不同即可。
[0043]針對如上所示的鄰接的鏈接部的配置圖案作種種考慮。例如，會(huì)有在磁敏線的單側(cè)，鄰接的鏈接部交替配置在特定的二直線上的情形。其中，鄰接的連結(jié)部的錯(cuò)開量(磁敏線的間隔或偏心距離)是因應(yīng)所被要求的間距或連結(jié)部的粗細(xì)來作適當(dāng)調(diào)整。其中，在此說明的內(nèi)容并不限于連結(jié)部的剖面形狀為大致一定的情形，也相當(dāng)于連結(jié)部如上所述由剖面形狀不同的第一連結(jié)部、第二連結(jié)部及中間連結(jié)部所構(gòu)成的情形。
[0044]《制造方法》
[0045]本發(fā)明的MI組件例如如前所述經(jīng)由以下工程而得:在基板的平坦面上形成成為第一配線部的第一配線層的第一配線層形成工程；在該第一配線層上形成中間層的中間層形成工程，該中間層由:固定磁敏線的絕緣部、及在磁敏線的兩側(cè)朝基板的法線方向貫穿的連結(jié)部所構(gòu)成；及在該中間層上形成成為第二配線部的第二配線層的第二配線層形成工程。如上所示的積層構(gòu)造是可利用主要利用被使用在增層多層配線基板的制造等的光微影來進(jìn)行。
[0046]在此若為將中間層形成為如上所述的三層構(gòu)造的情形，中間層形成工程可形成為如下所示的工程。也即，中間層形成工程由以下工程所構(gòu)成:在前述第一配線層上形成成為第一絕緣部的第一絕緣層的第一絕緣層形成工程；形成將該第一絕緣層朝前述基板的法線方向貫穿而與前述第一配線部的預(yù)定位置相連的第一連結(jié)部、與該第一連結(jié)部相連而在該磁敏線的兩側(cè)朝該基板的法線方向延伸的中間連結(jié)部、及與該中間連結(jié)部相連而朝該基板的法線方向延伸而與前述第二配線部的預(yù)定位置相連的第二連結(jié)部的鏈接部形成工程；在該第一絕緣層上形成埋設(shè)前述磁敏線的成為中間絕緣部的中間絕緣層的中間絕緣層形成工程；及在該中間絕緣層上形成圍繞該第二連結(jié)部的成為第二絕緣部的第二絕緣層的第二絕緣層形成工程，利用該第一絕緣層、該中間絕緣層、及該第二絕緣層來構(gòu)成前述絕緣部，利用該第一連結(jié)部、該中間連結(jié)部、及該第二連結(jié)部，構(gòu)成前述連結(jié)部即較為適合。
[0047]在此連結(jié)部的形成可利用例如Ti/Cu種層的形成與銅鍍敷處理等來進(jìn)行。具體而言，可預(yù)先利用光微影來形成設(shè)有通孔的絕緣層，以在該通孔內(nèi)填充銅鍍敷的方法來形成連結(jié)部。此外，利用光微影，形成設(shè)有與連結(jié)部相應(yīng)的通孔的樹脂層，在該通孔內(nèi)填充鍍敷。接著也可在將該樹脂層去除后，再次形成絕緣層而形成連結(jié)部。若考慮生產(chǎn)性等，來適當(dāng)選擇最適的制造方法即可。其中，若連結(jié)部由第一連結(jié)部、中間連結(jié)部及第二連結(jié)部所構(gòu)成時(shí)，也可將它們各部分分別形成，但是以將它們各部分一次匯整形成較有效率。
[0048][實(shí)施例]
[0049]《第一實(shí)施例》
[0050]將作為本發(fā)明的一實(shí)施例的MI組件I的概要顯示于圖1?圖3。圖1是MI組件I的平面圖，圖2是圖1中所示的A-A剖面圖，圖3是顯示后述的檢測線圈13的上線圈132側(cè)(省略非晶線12)的部分放大圖。
[0051]MI組件I由:基板11 ;被配設(shè)在基板11上的非晶線12 (磁敏線)；周繞非晶線12的外周圍的檢測線圈13 ;及保持非晶線12及檢測線圈13的絕緣樹脂體14(絕緣部)所構(gòu)成。
[0052]檢測線圈13由:形成在基板11的平坦面且由將非晶線12的下方以斜向進(jìn)行橫穿的多條銅箔(膜狀導(dǎo)體)所構(gòu)成的下線圈(第一配線部)131 ;位于非晶線12的兩側(cè)且由各下線圈131的各端部朝基板11的平坦面的法線方向延伸的由銅柱(柱狀導(dǎo)體)所構(gòu)成的柱133、134(連結(jié)部)；及形成在絕緣樹脂體14的上面，將非晶線12的上方以斜向進(jìn)行橫穿，并且各端部與柱133、134相接合的由多條銅箔所構(gòu)成的上線圈(第二配線部)132。
[0053]其中，各下線圈131與各上線圈132寬度及長度相同，但是相對于非晶線12的延伸方向的斜率為不同(參照圖2)。也即，下線圈131及上線圈132分別形成為構(gòu)成螺旋的檢測線圈13的一部分的形態(tài)。同樣地，下線圈131與柱133、134的下端部的接合位置、及上線圈132與柱133