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壓電諧振式壓力傳感器、壓力補償系統(tǒng)及制備方法與流程

文檔序號:39728528發(fā)布日期:2024-10-22 13:31閱讀:52來源:國知局
壓電諧振式壓力傳感器、壓力補償系統(tǒng)及制備方法與流程

本技術(shù)涉及電子核心產(chǎn)業(yè)中敏感元件及傳感器制造,尤其涉及一種壓電諧振式壓力傳感器、壓力補償系統(tǒng)及制備方法。


背景技術(shù):

1、壓力傳感器可以按照一定的規(guī)律將接收的壓力信號轉(zhuǎn)換為電信號,并將電信號輸出至其他設(shè)備,屬于敏感元件。壓力傳感器廣泛應(yīng)用于國防、汽車、石油、航空航天、智能硬件等技術(shù)領(lǐng)域,屬于電子核心產(chǎn)業(yè)技術(shù)領(lǐng)域。

2、隨著微機電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanical?system)技術(shù)的發(fā)展,壓力傳感器可以和微機電系統(tǒng)技術(shù)相結(jié)合實現(xiàn)壓力傳感器的批量生產(chǎn),提高壓力傳感器的生產(chǎn)效率。

3、根據(jù)工作原理的不同,壓力傳感器可以分為諧振式壓力傳感器、壓阻式壓力傳感器、電容式壓力傳感器、壓電式壓力傳感器、壓電諧振式壓力傳感器等。其中,壓電諧振式壓力傳感器具有穩(wěn)定性好、精確度較高等的優(yōu)點,可以適用于對精度要求較高、工作環(huán)境較為惡劣的場景。

4、基于現(xiàn)有壓電諧振式壓力傳感器的結(jié)構(gòu),壓電諧振式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜、檢測效率較低并且檢測范圍較小。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)提供一種壓電諧振式壓力傳感器、壓力補償系統(tǒng)及制備方法,其能夠通過諧振結(jié)構(gòu)的諧振頻率的變化來檢測壓力,提高測量的精度,并且由于結(jié)構(gòu)相對簡單,更容易實現(xiàn)微型化和批量化生產(chǎn)。

2、第一方面,本技術(shù)提供了一種壓電諧振式壓力傳感器,應(yīng)用于電子核心產(chǎn)業(yè),所述壓電諧振式壓力傳感器包括:

3、壓電組件,直接或間接地與外接電路連接;

4、諧振結(jié)構(gòu),與所述壓電組件連接,所述諧振結(jié)構(gòu)具有諧振薄膜;

5、壓力敏感結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述諧振薄膜背離所述壓電組件的一側(cè);

6、所述壓力敏感結(jié)構(gòu)靠近所述諧振薄膜的一側(cè)開設(shè)有至少一個諧振腔,所述諧振薄膜封閉或者不封閉至少部分所述諧振腔,所述壓力敏感結(jié)構(gòu)背離所述諧振薄膜的一側(cè)開設(shè)有壓力腔,所述壓力腔接收的壓力能夠傳遞至所述諧振結(jié)構(gòu)上的所述諧振薄膜;

7、所述壓力敏感結(jié)構(gòu)朝向所述壓電組件的方向上,至少一個所述諧振腔的投影處于所述壓力腔的投影外側(cè)。

8、上述結(jié)構(gòu)中壓力腔的開設(shè)可以形成壓力敏感薄膜,諧振腔的設(shè)置形成諧振薄膜,壓力敏感薄膜可以疊設(shè)在部分諧振結(jié)構(gòu)以及部分壓電組件上,形成厚度更高且具有的壓力敏感功能的薄膜結(jié)構(gòu),此時,由較厚的壓力敏感薄膜直接承受壓力,并通過諧振腔側(cè)邊以及整個壓力敏感薄膜上整合疊層結(jié)構(gòu)傳遞至諧振薄膜、壓電組件上的應(yīng)力,轉(zhuǎn)換為諧振薄膜、壓電組件上的應(yīng)力。為了保證靈敏度,諧振薄膜、壓電組件通常較薄,不能較大壓力帶來的軸向應(yīng)力,上述結(jié)構(gòu)解決了該問題,提高了結(jié)構(gòu)的承壓能力,擴大了壓力檢測范圍,保證了結(jié)構(gòu)在壓力測量范圍的線性度。并且由于本技術(shù)壓電諧振式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)通過mems工藝集成為一體,可以更容易微型化,更容易實現(xiàn)批量化生產(chǎn)。

9、本技術(shù)示例提供的壓電諧振式壓力傳感器可以承受較大的待檢測壓力,從而提高了壓電諧振式壓力傳感器測量壓力的范圍,擴大了壓電諧振式壓力傳感器的測量范圍,使得壓電諧振式壓力傳感器可以廣泛應(yīng)用于電子核心產(chǎn)業(yè)技術(shù)領(lǐng)域。

10、在一些示例中,所述壓力敏感結(jié)構(gòu)包括:

11、壓力敏感部,設(shè)于所述諧振結(jié)構(gòu)背離所述壓電組件的一側(cè),至少一個所述諧振腔開設(shè)于所述壓力敏感部;

12、壓力接收部,與所述壓力敏感部一體設(shè)置,所述壓力接收部設(shè)置在所述壓力敏感部背離所述諧振結(jié)構(gòu)的一側(cè),所述壓力腔開設(shè)于所述壓力接收部;

13、所述壓力敏感部的中部設(shè)置有壓力敏感薄膜,所述壓力敏感薄膜的一側(cè)處于所述壓力腔內(nèi),所述壓力腔接收到的外部壓力作用在所述壓力敏感薄膜上。

14、壓力敏感結(jié)構(gòu)包括一體設(shè)置的壓力敏感部和壓力接收部。其中,壓力接收部可以設(shè)置有兩層,分別為較薄的過渡層和較厚的主體層,此處的層結(jié)構(gòu)不是實體上的層結(jié)構(gòu),而是為了體現(xiàn)壓力腔和諧振腔開設(shè)位置的模擬層結(jié)構(gòu),壓力敏感結(jié)構(gòu)本身就是一個一體的整體結(jié)構(gòu),比如一體式的si晶片。其中,諧振腔開設(shè)在壓力敏感部,壓力腔開設(shè)在主體層,過渡層是位于諧振腔和壓力腔之間區(qū)域的過渡部分。壓力敏感部與諧振結(jié)構(gòu)連接,諧振腔開設(shè)于壓力敏感部,諧振結(jié)構(gòu)支撐于諧振腔周圍,壓力腔開設(shè)于主體層。

15、一體設(shè)置的壓力敏感部、過渡層和主體層可以形成本技術(shù)的壓力敏感結(jié)構(gòu)。壓力敏感部與諧振結(jié)構(gòu)相連,是壓電諧振式壓力傳感器中諧振效應(yīng)的關(guān)鍵部分。在壓力敏感部中開設(shè)有至少一個諧振腔,諧振腔、諧振結(jié)構(gòu)、壓電組件共同構(gòu)成了諧振系統(tǒng)。當(dāng)待測壓力作用于壓力敏感結(jié)構(gòu)時,待測壓力通過錨點傳遞至諧振薄膜,由諧振薄膜再傳遞至壓電組件,在傳遞過程中,待測壓力依次轉(zhuǎn)換為諧振薄膜上的應(yīng)力,以及壓電組件上的應(yīng)力。待測壓力傳遞至諧振組件時,會引起諧振組件中諧振薄膜諧振頻率發(fā)生變化,壓電組件利用逆壓電效應(yīng)激勵諧振薄膜振動同時利用正壓電效應(yīng)可檢測到諧振薄膜的諧振頻率變化,進而檢測待測壓力的數(shù)值。

16、在一些示例中,所述壓力敏感結(jié)構(gòu)為所述si晶片加工成型,所述諧振結(jié)構(gòu)為所述soi晶片加工成型,所述soi晶片的器件層和所述si晶片的一側(cè)鍵合。

17、在完成soi晶片的加工后,需要進行soi晶片和si晶片的鍵合。這鍵合過程中,通過精確控制鍵合條件(如溫度、壓力、時間等),使soi晶片的和si晶片的器件層緊密貼合在一起。鍵合后的諧振結(jié)構(gòu)既保留了諧振結(jié)構(gòu)的高性能特點,又實現(xiàn)了對外部壓力的敏感響應(yīng),從而提高了整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

18、在一些示例中,所述si晶片靠近所述soi晶片的一側(cè)開設(shè)有至少一個所述諧振腔,所述si晶片背離所述soi晶片的一側(cè)開設(shè)有所述壓力腔。

19、當(dāng)待測壓力作用于壓力敏感結(jié)構(gòu)時,這一壓力首先通過錨點傳遞至諧振薄膜。諧振薄膜能夠在受到壓力時產(chǎn)生形變。待測壓力在傳遞至諧振薄膜的過程中,會轉(zhuǎn)換為薄膜上的應(yīng)力。

20、接下來,諧振薄膜上的應(yīng)力會進一步傳遞至壓電組件。壓電組件是一種能夠?qū)C械應(yīng)力轉(zhuǎn)換為電信號的器件,利用壓電效應(yīng)實現(xiàn)這一轉(zhuǎn)換過程。在傳遞過程中,待測壓力再次被轉(zhuǎn)換為壓電組件上的應(yīng)力,進而產(chǎn)生電信號輸出。

21、在待測壓力傳遞的過程中,諧振薄膜會產(chǎn)生諧振變化。這種諧振變化是待測壓力的直接反映,可以通過測量諧振頻率的變化來推算出待測壓力的具體數(shù)值。此外,壓電組件利用逆壓電效應(yīng)激勵諧振薄膜振動同時利用正壓電效應(yīng)可檢測到諧振薄膜的諧振頻率變化,進而檢測待測壓力的數(shù)值。逆壓電效應(yīng)是指電場作用下壓電材料產(chǎn)生形變的現(xiàn)象,通過施加電場可以激勵壓電組件產(chǎn)生諧振,從而進一步檢測待測壓力。

22、在一些示例中,所述諧振腔的開設(shè)深度與所述壓力腔的開設(shè)深度之和小于所述si晶片的厚度。

23、上述設(shè)置可以使壓力腔和諧振腔在si晶片中的開設(shè)位置相互交錯,而非處于同一水平線上。交錯的位置可以作為傳遞應(yīng)力的錨點,可以更好地將壓力敏感薄膜上接收的應(yīng)力通過錨點傳遞至諧振薄膜上。傳遞過程中可以帶動諧振薄膜產(chǎn)生諧振變化,或者配合壓電組件利用逆壓電效應(yīng)激勵產(chǎn)生諧振頻率的變化,進而檢測待測壓力的具體數(shù)值,確保壓電檢測正常進行,并且可以使壓電檢測的精度更準確。

24、在一些示例中,所述器件層與所述si晶片鍵合后,所述soi晶片去除埋氧層和襯底層并形成所述諧振結(jié)構(gòu)。所述器件層和所述si晶片的鍵合位置形成氧化層。

25、在一些示例中,所述壓電組件背離所述諧振結(jié)構(gòu)的一側(cè)設(shè)置有封蓋,所述封蓋與所述壓電組件圍合成密封腔;和/或,

26、所述壓電組件背離所述諧振結(jié)構(gòu)的一側(cè)設(shè)置有保護結(jié)構(gòu),所述保護結(jié)構(gòu)覆蓋在所述壓電組件表面。

27、壓電組件背離諧振結(jié)構(gòu)的那一面配置了封蓋。封蓋與壓電組件共同圍合成一個密封腔,密封腔可以設(shè)置為真空腔,也可以設(shè)置為具有特定介質(zhì)的腔體,如氮氣、氨氣、氙氣等。這種密封結(jié)構(gòu)確保了壓電組件在工作過程中不受到外部環(huán)境的干擾,如塵埃、水分或其他可能影響其性能的雜質(zhì)。這種設(shè)置不僅延長了壓電組件的使用壽命,還保證了其性能的穩(wěn)定性,從而提高了整個壓電諧振式壓力傳感器的可靠性和耐用性。

28、密封腔內(nèi)的壓強與壓力腔內(nèi)的壓強可以具有一定的壓差,可以通過絕對壓差或相對壓差的計算方式,從而形成絕對壓力或相對壓力傳感器。其中,絕對壓差是指密封腔為真空腔時,密封腔內(nèi)的壓強值為零,壓電諧振式壓力傳感器對壓力腔的檢測數(shù)值即壓力腔接收的壓力數(shù)值,此時傳感器為絕對壓力傳感器。相對壓差是指密封腔為特定壓強的腔體,此時的密封腔內(nèi)具有介質(zhì)并維持在一定數(shù)值的壓強,壓電諧振式壓力傳感器對壓力腔的檢測數(shù)值需要減去密封腔內(nèi)的壓強值后得到壓力腔接收的壓力數(shù)值,此時傳感器為相對壓力傳感器。

29、第二方面,本技術(shù)提供了一種壓電諧振式壓力傳感器的壓力補償系統(tǒng),包括:

30、至少一個上述的壓電諧振式壓力傳感器;以及,

31、至少一個補償傳感器,所述補償傳感器與所述壓電諧振式壓力傳感器間隔設(shè)置或一體設(shè)置;

32、所述補償傳感器能夠接收環(huán)境壓力,所述壓電諧振式壓力傳感器能夠接收待測壓力和所述環(huán)境壓力,所述壓電諧振式壓力傳感器的檢測數(shù)值減去所述補償傳感器的檢測數(shù)值能夠得到所述待測壓力的數(shù)值。

33、補償傳感器能夠接收環(huán)境影響而引起的干擾因素,壓電諧振式壓力傳感器能夠接收待測壓力和環(huán)境壓力,壓電諧振式壓力傳感器的檢測數(shù)值減去補償傳感器的檢測數(shù)值能夠得到待測壓力的數(shù)值。

34、補償傳感器會受到環(huán)境影響,壓電諧振式壓力傳感器能夠接收待測壓力,并且也會受到等同的環(huán)境影響,壓電諧振式壓力傳感器的檢測數(shù)值減去補償傳感器的檢測數(shù)值能夠得到待測壓力的數(shù)值。

35、為了實現(xiàn)精確測量壓力的目標(biāo),設(shè)置出了精度更高的壓電諧振式壓力傳感器,這種壓電諧振式壓力傳感器均能夠精確捕捉和測量各種環(huán)境中的壓力變化。然而,環(huán)境因素本身可能對傳感器造成干擾,導(dǎo)致測量結(jié)果的偏差。為了解決這一問題,本技術(shù)提出了一種的壓力補償系統(tǒng),該系統(tǒng)通過引入補償傳感器來消除環(huán)境影響對測量結(jié)果的干擾。

36、第三方面,本技術(shù)提供了一種壓電諧振式壓力傳感器的制備方法,適用于上述的壓電諧振式壓力傳感器;所述方法用于將si晶片和soi晶片加工成所述壓電諧振式壓力傳感器,所述方法包括:

37、取si晶片,在所述si晶片的一側(cè)開設(shè)至少一個諧振腔;

38、上述步驟可以利用先進的微納加工技術(shù)在si晶片上開設(shè)至少一個諧振腔。

39、取soi晶片,將所述soi晶片的器件層厚度設(shè)置為諧振薄膜的厚度;

40、上述步驟可以將器件層的厚度設(shè)置為諧振薄膜的理想厚度。這一步驟確保了諧振膜具有足夠的柔性和機械強度,以滿足壓電諧振式壓力傳感器的工作需求。

41、倒轉(zhuǎn)所述soi晶片,將所述器件層鍵合至所述si晶片具有所述諧振腔的一側(cè);

42、上述步驟可以使器件層與si晶片鍵合。這一步驟利用了soi晶片獨特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的材料性能,實現(xiàn)了器件層的穩(wěn)定連接。

43、減薄所述soi晶片,減薄過程中去除襯底層和埋氧層;

44、上述步驟可以通過精確控制減薄過程,成功地去除了襯底層和埋氧層,使soi晶片僅保留器件層。這一步驟不僅簡化了傳感器的結(jié)構(gòu),而且提高了其靈敏度。器件層的部分結(jié)構(gòu)可以作為能夠和諧振腔配合的諧振薄膜。

45、在所述器件層背離所述器件層的一側(cè)加工壓電組件,在所述壓電組件上預(yù)留外接導(dǎo)電結(jié)構(gòu);

46、上述步驟可以在器件層背離si晶片的一側(cè)加工壓電組件。壓電組件的存在是實現(xiàn)傳感器電信號轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵。同時,還可以在壓電組件上預(yù)留了外接導(dǎo)電結(jié)構(gòu),以便將傳感器的輸出信號與外部電路相連。

47、在所述si晶片背離所述器件層的一側(cè)開設(shè)壓力腔。

48、上述步驟可以實現(xiàn)壓力腔的開設(shè),之后可以根據(jù)需要設(shè)置封蓋。

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