本發(fā)明屬于半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種霍爾基片連接結(jié)構(gòu)及霍爾集成傳感器芯片。

背景技術(shù)：

硅基材料載流子濃度限制了霍爾基片的靈敏度，導(dǎo)致霍爾基片靈敏度受限制，信噪比不高，我們無(wú)法用單純放大的方法獲得高靈敏度，因?yàn)橥瑫r(shí)也將噪聲放大了。為提高基片的靈敏度并提高信噪比，很多科學(xué)家做了大量的嘗試，如斬波穩(wěn)零方案被多個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手采用。但是，該方法引入調(diào)制頻率會(huì)產(chǎn)生以下缺點(diǎn)：

調(diào)制頻率產(chǎn)生了抖動(dòng)噪聲，帶來(lái)新的噪聲源。

一般載波頻率是信號(hào)頻率的10倍，由于載波頻率的限制，這限制了信號(hào)的相應(yīng)頻率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種霍爾基片連接結(jié)構(gòu)及霍爾集成傳感器芯片，以提高靈敏度并減小磁偏置。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供一種霍爾基片連接結(jié)構(gòu)，包括至少兩種形狀的霍爾基片相電連。

優(yōu)選的，所述霍爾基片依次串聯(lián)，且構(gòu)成環(huán)路。

優(yōu)選的，所述霍爾基片為十字型和菱形。

優(yōu)選的，霍爾基片的個(gè)數(shù)為偶數(shù)個(gè)

優(yōu)選的，霍爾基片連接結(jié)構(gòu)成軸對(duì)稱。

優(yōu)選的，所述霍爾基片成中心對(duì)稱。

優(yōu)選的，所述霍爾基片為n個(gè)，且所述n個(gè)霍爾基片沿圓周分布，所述n≥2。

本發(fā)明還提供一種霍爾集成傳感器芯片，包括上述所述的霍爾基片連接 結(jié)構(gòu)。

通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例，能夠在不顯著提高成本的前提下，提高靈敏度并減小磁偏置。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明提供的4象限霍爾基片連接結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明提供的排列成圓形的霍爾基片連接結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請(qǐng)中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。

采用4象限高精度霍爾基片對(duì)稱分布，是原來(lái)靈敏度的4倍，同時(shí)，使得溫度梯度和封裝應(yīng)力產(chǎn)生的磁漂降到最低。

我們采用4象限霍爾基片設(shè)計(jì)，合理地選擇基片形狀和連接方式，可達(dá)到之前靈敏度的4倍，抑制噪聲，并消除斬波穩(wěn)零方案的缺陷。如圖1為4象限霍爾基片，通過(guò)電極間的級(jí)聯(lián)，可消除應(yīng)力和熱分布梯度的噪聲，并使得靈敏度是單個(gè)基片的4倍。其原理是各個(gè)基片分別輸出信號(hào)和噪聲,通過(guò)采用不同形狀的基片，可獲得各個(gè)形狀的優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)級(jí)聯(lián)消除各個(gè)形狀基片的噪聲。圖1所示為一個(gè)優(yōu)化的例子。由十字型和菱形基片的組合可以獲得優(yōu)化的靈敏度和偏置。解釋為，十字型基片偏置小，菱形的靈敏度高。通過(guò)該組合，如圖1所示連接，可在x方向和y方向獲得好的靈敏度，并使得由封裝產(chǎn)生應(yīng)力導(dǎo)致的偏置誤差很小。四個(gè)串接可以提高靈敏度4倍。

圖2為另一個(gè)例子,由n個(gè)霍爾片組成。由十字型和菱形基片交叉沿著圓形排列。這樣，它可提高靈明度n倍，另外可進(jìn)一步改善靈敏度，并消除在各個(gè)角度應(yīng)力產(chǎn)生的偏置誤差,適合高端應(yīng)用。當(dāng)然了，由于n個(gè)霍爾片導(dǎo)致芯片面積1有所增加，使得成本增加，從而適合高精度應(yīng)用的要求。

雖然通過(guò)實(shí)施例描繪了本申請(qǐng)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員知道，本申請(qǐng)有許多變形和變化而不脫離本申請(qǐng)的精神，希望所附的權(quán)利要求包括這些變形和變化而不脫離本申請(qǐng)的精神。